DE3842288A1

DE3842288A1 - Schaltungsanordnung zur erzeugung einer konstanten bezugsspannung

Info

Publication number: DE3842288A1
Application number: DE3842288A
Authority: DE
Inventors: Mark E Fitzpatrick; Gary R Gouldsberry
Original assignee: Gazelle Microcircuits Inc
Current assignee: Gazelle Microcircuits Inc
Priority date: 1987-12-15
Filing date: 1988-12-15
Publication date: 1989-06-29
Also published as: GB2211321A; US4868416A; JPH01258113A; GB8829155D0

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine elektronische Schaltungsanordnung, die eine weitgehend konstante Bezugsspannung zu erzeugen imstande ist. Die Er findung betrifft insbesondere eine solche Schaltungs anordnung, die in Galliumarsenid-Technologie ausge führt werden kann.

Eine typische Schaltung zur Implementierung in Halblei tertechnologie kann eine Vielzahl unterschiedlicher Be zugsspannungen erfordern, die an in Frage kommenden Stellen für den Betrieb der betreffenden Schaltung anzu legen sind. Als Beispiel kann die in Fig. 1A dargestellte Eingangspufferschaltung die Forderung mit sich bringen, eine Bezugs- bzw. Referenzspannung V _REF1 an die Gate- Elektroden von Transistoren 10 bzw. 21 anlegen zu müssen, so daß eine nahezu konstante Spannungsauslenkung bzw. ein nahezu konstanter Spannungshub an den Widerständen R _L1, R _L2 während des Betriebs des Differenz-Transistor paares 22, 24 und des Differenz-Transistorpaares 26, 28 hervorgerufen wird. Ferner kann eine Bezugsspannung V _REF2 benötigt werden, die die Fähigkeit haben sollte sicher zustellen, daß ein konstanter Strom durch jeden der ent sprechend vorgesehenen Widerstände R _C abgegeben wird, die in Verbindung mit dem Differenztransistorpaar 26, 28 betrieben werden. Darüber hinaus ist eine Bezugsspannung V _REF3 in dem Fall von Nutzen, in welchem die Transistoren 22, 24 ein Differenztransistorpaar vom Eintakttyp bilden, das heißt für den Fall, daß das Ein gangssignal an der Gate-Elektrode des Transistors 22 oberhalb und unterhalb des Eingangssignals V _REF3 ver ändert wird. In gewissen Fällen, wie im Falle der Bezugs spannung V _REF4, sollte außerdem diese Bezugsspannung in vorteilhafter Weise imstande sein, einen hohen und sich ändernden Strom abzusenken, und zwar aufgrund der Tatsache, daß die betreffende Bezugsspannung betriebsmäßig mit einer großen Anzahl von Differenz-Transistorpaaren verbunden ist (von denen lediglich das Transistorpaar 22, 24 veran schaulicht ist), um die am Verbindungspunkt 30 auftretende Spannung hinsichtlich eines zu hohen Ansteigens zu begren zen.

Bisher sind Versuche unternommen worden, Schaltungsan ordnungen bereitzustellen, die derartige Bezugsspannungen und Ströme erzeugen, um die beschriebenen Forderungen zu erfüllen. Derartige Schaltungsanordnungen bzw. Schal tungen weisen indessen Beschränkungen hinsichtlich der Erreichung dieser Ziele auf. In der Tat steigt die Schwierigkeit hinsichtlich der Erreichung derartiger Ziele an, wenn ein Versuch unternommen wird, die be treffenden Schaltungen in Galliumarsenid-Technologie zu implementieren.

Der Erfindung liegt demgemäß die Aufgabe zugrunde, die oben aufgezeigten Probleme durch Bereitstellen einer Schaltungsanordnung zu überwinden, die imstande ist, verschiedene Bezugsspannungen und Ströme, wie sie oben beschrieben worden sind, in einer äußerst wirksamen Weise zu erzeugen, und zwar unabhängig von der Technologie, in der diese Schaltungen implementiert sind. Ferner sollen solche Schaltungen bereitgestellt werden, die wirksam in Galliumarsenid-Technologie implementiert werden können.

Weit ausgedrückt handelt es sich bei der Erfindung um eine Halbleitereinrichtung, die in Galliumarsenid- Technologie implementiert bzw. ausgeführt ist und die eine Schaltungseinrichtung umfaßt für die Erzeugung einer weitgehend konstanten Bezugsspannung auf die Anlegung einer Versorgungsspannung.

Die Erfindung betrifft ferner eine Halbleitereinrichtung, die in Galliumarsenid-Technologie ausgeführt ist, und sie umfaßt eine Schaltungseinrichtung für die Erzeugung eines nahezu konstanten Stroms auf die Anlegung einer Spannung.

Die Erfindung betrifft ferner eine Anordnung zur Er zeugung einer Bezugsspannung; sie umfaßt einen ersten Versorgungsspannungsanschluß und einen zweiten Ver sorgungsspannungsanschluß. Erste und zweite Feldeffekt transistoren sind in Reihe zwischen den ersten und zwei ten Versorgungsspannungsanschlüssen angeschlossen. Ferner sind Einrichtungen betriebsmäßig dem ersten Transistor zugehörig für die Erzeugung einer Spannung, die weit gehend gleich der Pinch-Off- bzw. Abschnürspannung des ersten Transistors ist. Außerdem sind Einrichtungen vor gesehen, die betriebsmäßig dem zweiten Transistor zuge hörig sind für die Erzeugung einer Spannung, die weit gehend gleich der Schwellwertspannung des zweiten Transistors ist. Die Bezugsspannung wird an einem Ver bindungspunkt zwischen den ersten und zweiten Versor gungsspannungsanschlüssen abgenommen.

Die Erfindung betrifft ferner eine Anordnung für die Erzeugung einer Spannung, umfassend einen ersten Spannungsversorgungsanschluß und einen zweiten Spannungsversorgungsanschluß. Ein Feldeffekttransistor vom Verarmungstyp, der erste und zweite Stromversor gungsanschlüsse und einen Stromsteuerungsanschluß auf weist, ist mit dem ersten Stromverarbeitungsanschluß an dem ersten Spannungsversorgungsanschluß angeschlossen. Ein Widerstand ist mit dem zweiten Stromverarbeitungsan schluß des Feldeffekttransistors vom Verarmungstyp und mit dem zweiten Spannungsversorgungsanschluß verbunden. Der Stromsteuerungsanschluß des Feldeffekttransistors vom Verarmungstyp ist mit dem zweiten Spannungsver sorgungsanschluß verbunden, wodurch die Spannung an dem Widerstand weitgehend gleich der Abschnürspannung des Feldeffekttransistors vom Verarmungstyp ist.

Die Erfindung umfaßt ferner einen zweiten Widerstand, der den erstgenannten Widerstand mit dem zweiten Spannungsversorgungsanschluß verbindet. Der Strom steuerungsanschluß des Feldeffekttransistors vom Ver armungstyp ist über den zweiten Widerstand mit dem zweiten Spannungsversorgungsanschluß verbunden. Die Erfindung umfaßt ferner einen zweiten Verarmungs-Feld effekttransistor mit ersten und zweiten Stromverarbei tungsanschlüssen und einem Stromsteuerungsanschluß. Der zweite Widerstand ist mit dem ersten Stromverarbeitungs anschluß des zweiten Transistors verbunden, dessen zwei ter Stromverarbeitungsanschluß mit dem zweiten Spannungs versorgungsanschluß verbunden ist, wobei der zweite Widerstand mit dem zweiten Spannungsversorgungsanschluß über den zweiten Transistor verbunden ist. Der Strom steuerungsanschluß des erstgenannten Verarmungs-Feld effekttransistors ist zwischen den ersten und zweiten Widerständen angeschlossen; ein dritter Widerstand ver bindet den ersten Stromverarbeitungsanschluß und den Stromsteuerungsanschluß des zweiten Transistors. Ein vierter Widerstand verbindet den Stromsteuerungsanschluß des zweiten Transistors mit dem zweiten Spannungsver sorgungsanschluß. Die Bezugspannung wird an einem Ver bindungspunkt zwischen den ersten und zweiten Wider ständen abgenommen.

Weit ausgedrückt handelt es sich bei der Erfindung ferner um eine veränderbare Widerstandsanordnung mit ersten und zweiten Anschlüssen und mit einem ersten Widerstand, der mit dem ersten Anschluß verbunden ist sowie mit einem zweiten Widerstand, der mit dem ersten Widerstand und dem zweiten Anschluß verbunden ist. Eine erste trennbare Verbindung verbindet das eine Ende des ersten Widerstands mit dem anderen Ende des ersten Widerstands. Eine zweite trennbare Verbindung verbindet das eine Ende des zweiten Widerstands mit dem zweiten Anschluß.

Weit ausgedrückt umfaßt die Erfindung ferner eine Anord nung zur Erzeugung einer weitgehend konstanten Bezugs spannung, während ein sich ändernder Strom abgesenkt wird. Diese Anordnung umfaßt einen ersten Spannungsver sorgungsanschluß und einen zweiten Spannungsversorgungs anschluß. Eine erste Stromquelle ist mit dem ersten Spannungsversorgungsanschluß verbunden. Eine Last ist mit der ersten Stromquelle verbunden. Eine zweite Strom quelle ist mit der Last und dem zweiten Spannungsver sorgungsanschluß verbunden. Ein Feldeffekttransistor ist mit einem ersten Stromverarbeitungsanschluß zwischen der ersten Stromquelle und der Last angeschlossen; mit einem zweiten Stromverarbeitungsanschluß ist der betreffende Transistor mit dem zweiten Spannungsversorgungsanschluß verbunden. Ein Stromsteuerungsanschluß des betreffenden Transistors ist zwischen der Last und der zweiten Strom quelle angeschlossen.

Anhand von Zeichnungen wird die Erfindung nachstehend beispielweise näher erläutert.

Fig. 1 zeigt in einer schematischen Ansicht ein Differenz transistorpaar, bei dem eine vorhandene Schaltung in vorteilhafter Weise angewandt werden kann.

Fig. 1A zeigt schematisch eine typische Schaltung, welche die Anwendung einer Vielzahl von unterschiedlichen Bezugsspannungen erfordert.

Fig. 2 zeigt ein Spannungs-Strom-Diagramm für einen typischen Feldeffekttransistor.

Fig. 3 zeigt in einer schematischen Ansicht eine Schal tungsanordnung für die Erzeugung einer Spannung, die weitgehend gleich der Abspürspannung eines Feldeffekttransistors ist.

Fig. 4 zeigt schematisch eine Schaltungsanordnung für die Erzeugung einer Spannung, die gleich der Schwellwertspannung eines Feldeffekttransistors ist.

Fig. 5 zeigt schematisch eine Schaltungsanordnung zur Multiplizierung der Schwellwertspannung eines Feldeffekttransistors.

Fig. 6 zeigt schematisch eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer ersten weitgehend konstanten Bezugsspannung.

Fig. 7 zeigt schematisch eine Schaltungsanordnung eines in Fig. 6 dargestellten veränderbaren Widerstands.

Fig. 8 zeigt schematisch eine Schaltung zur Erzeugung einer zweiten weitgehend konstanten Bezugs spannung.

Fig. 9 zeigt eine schematische Ansicht einer Schaltung zur Erzeugung einer Bezugsspannung, die abgegeben wird, um einen nahezu konstanten Bezugsstrom zu erzeugen.

Fig. 10 zeigt eine schematische Ansicht einer Schaltung zur Erzeugung einer dritten weitgehend konstanten Bezugsspannung.

Fig. 1 zeigt ein typisches Differenztransistorpaar 30, 32. Bei dieser Ausführungsform sind die Transistoren An reicherungs-Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren jeder mit seiner Drain-Elektrode an einem Spannungsver sorgungsanschluß 36 über einen Widerstand R _L1 liegt. Die Source-Elektroden der beiden Transistoren sind miteinan der verbunden. Diese Source-Elektroden sind ferner mit der Drain-Elektrode eines weiteren Anreicherungs-Sperr schicht-Feldeffekttransistors 38 verbunden, dessen Source-Elektrode über einen Widerstand 40 an einem zwei ten Spannungsversorgungsanschluß 42 angeschlossen ist, der ein Masse- bzw. Erd-Spannungsversorgungsanschluß ist. Dabei werden inverse Signale T und den Gate-Elektroden der Transistoren 30, 32 zugeführt, wie dies an sich be kannt ist.

Im Betrieb einer derartigen Schaltung ist festzustellen, daß ein nahezu konstanter Spannungshub über jedem Wider stand R _L1 erwünscht ist. Es ist ferner bekannt, daß der Widerstandswert dieser Widerstände R _L1 sich mit der Temperatur ändert und außerdem mit Änderungen im Her stellungsprozeß bei der Herstellung der betreffenden Einrichtung.

Ein weigehend konstanter Spannungshub kann an jedem Widerstand R _L1 dadurch erreicht werden, daß die Spannung an dem Widerstand 40 über Verfahrens- und Temperatur änderungen weitgehend konstant gehalten wird. Dabei wäre es möglich, diese Eigenschaft durch geeignete Erzeugung der Spannung V _REF1 zu erzielen, die der Gate-Elektrode des Transistors 38 zugeführt wird.

Es hat sich gezeigt, daß für einen vorgegebenen Feld effekttransistor-Prozeß die Differenz in der Schwellwert spannung zwischen Transistoren zweier unterschiedlicher Schwellwerttypen als weitgehend konstant ermittelt worden ist. Dies bedeutet beispielsweise bei einer speziellen Ausführungsform, bei der einer der beiden Transistoren ein Anreicherungs-Transistor und der andere ein Ver armungs-Transistor ist, daß V _t-V_p= konstant ist.

Ferner ist eine Schaltungsanordnung hier darauf gerichtet, eine Spannung an dem Widerstand 40 hervorzurufen, die mit K(V _t-V_p) gegeben ist, wobei K eine Konstante ist. Es dürfte ersichtlich sein, daß dann, wenn dies erwünscht ist, die Spannung an dem Widerstand 40 weitgehend konstant sein wird, und zwar unabhängig von Temperatur schwankungen und unabhängig von Schwankungen im Her stellungsprozeß der Einrichtung.

Im folgenden sei auf Fig. 2 und 3 Bezug genommen. In Fig. 3 ist ein Verarmungs-Sperrschicht-Feldeffekt transistor 50 veranschaulicht, dessen Drain-Elektrode an einem Spannungsversorgungsanschluß 52 angeschlossen ist und dessen Source-Elektrode mit einem Widerstand 54 verbunden ist, der seinerseits an einem zweiten Spannungs versorgungsanschluß 56 angeschlossen ist, der in Form eines Massenanschlusses vorliegt. Die Gate-Elektrode des Transistors 50 ist ebenfalls mit dem zweiten Spannungs versorgungsanschluß 56 verbunden. Das in Fig. 2 darge stellte Diagramm veranschaulicht das Verhalten eines derartigen typischen Transistors auf das Anlegen einer Spannung V _DS an die Drain- und Source-Elektroden dieses Transistors in Abhängigkeit von dem Strom I _D durch die betreffende Einrichtung, wenn sich die Spannung V _GS ändert (das ist die Spannung an der Gate- und Source- Elektrode). Wie dargestellt, sinkt mit abnehmender Spannung V _GS der maximale Strom, der durch die betreffende Einrichtung zugelassen ist, bis die Spannung an der Gate- Source-Strecke gleich V _p ist, das ist die Abschnür spannung der betreffenden Einrichtung. Unter der Annahme, daß der Wert des Widerstands 54 relativ hoch ist, wird auf das Anlegen einer externen Spannung an den Anschluß 52 der Spannungsabfall am Widerstand 54 (V _R54=I _DS×R₅₄) schnell -V _p überschreiten, was dazu führen wird, daß der Transistor 50 abgeschaltet bzw. gesperrt wird. Wenn der Transistor 50 abgeschaltet bzw. gesperrt ist, ist V _s=V _G, so daß V _GS=0 ist. Dies bedeutet, daß der Transistor 50 einschaltet bzw. leitend ist. Die tatsächliche Auswirkung besteht darin, daß die Source-Elektrode des Transistors 50 bei etwa -V _p oberhalb der Gate-Spannung ins Gleich gewicht gelangt. Damit beträgt die Spannung am Wider stand 54 weitgehend -V _p, und zwar unabhängig vom Wert des Widerstandes 54.

Nunmehr sei auf Fig. 4 Bezug genommen, in der mit 60 ein Anreichungs-Sperrschicht-Feldeffekttransistor ange deutet ist, dessen Drain-Elektrode mit einem Spannungs versorgungsanschluß 62 verbunden ist und dessen Source- Elektrode mit einem zweiten Spannungsversorgungsan schluß 64 in Form eines Masseanschlusses verbunden ist. Der Transistor 60 ist mit seiner Gate-Elektrode und seiner Drain-Elektrode verbunden. Die Gate-Elektrode des betreffenden Transistors ist ferner mit einem Widerstand 66 verbunden, der seinerseits an einem zweiten Spannungs versorgungsanschluß angeschlossen ist. Unter der Annahme der Zuführung einer externen Spannung an den Anschluß 62 und eines durch den Transistor 60 von dem Spannungsver sorgungsanschluß 62 zu dem Spannungsversorgungsanschluß 64 hin fließenden Stromes wird, wenn der Transistor 60 abge schaltet bzw. gesperrt ist, der gesamte Strom durch den Widerstand 66 fließen. Wenn der Wert des Widerstands 66 so gewählt ist, daß das Produkt aus dem Strom und dem Widerstandswert des Widerstandes 66 wesentlich größer ist als die Schwellwertspannung V _T des Transistors 66, dann kann jedoch der Transistor 60 nicht abgeschaltet bzw. gesperrt werden, so daß ein gewisser Strom durch den Transistor 60 fließen muß. Wenn der Transistor 60 in starkem Maße eingeschaltet bzw. leitend ist, wird er jedoch genügend Strom aufnehmen, um den durch den Wider stand 66 fließenden Strom herabzusetzen. Dies führt zur Absenkung der Spannung am Widerstand 66 und führt damit zum Sperren bzw. Abschalten des Transistors 60. Falls die Größe des Transistors 60 groß genug gewählt ist (was be deutet, daß bei eingeschaltetem bzw. leitendem Transistor 60 dieser imstande ist, einen Strom abzu senken, der weitgehend höher ist als der tatsächlich durch den betreffenden Transistor fließende Strom), dann wird der Transistor 60 in einen solchen Zustand vorge spannt sein, in dem er gerade eingeschaltet bzw. leitend ist, was bedeutet, daß die Spannung am Widerstand 66 weitgehend gleich der Schwellwertspannung V _T des Transistors 60 ist.

Bezugnehmend auf Fig. 5 sei bemerkt, daß diese Schal tungsanordnung eine Abwandlung der in Fig. 4 dargestell ten Schaltungsanordnung darstellt. Gemäß Fig. 5 ist ferner ein Widerstand 68 in die Verbindung zwischen der Drain-Elektrode des Transistors 60 und der Gate-Elektro de des Transistors 60 einbezogen. Es dürfte ersichtlich sein, daß der Strom durch den Widerstand 68 derselbe Strom ist, der durch den Widerstand 66 fließt. Durch Wahl eines solchen Widerstandswertes des Widerstands 68, der ein gewisses Vielfaches des Widerstandswerts des Widerstan des 66 ist, wird ein Vielfaches der Schwellwertspannung V _T des Transistors 60 an dem Verbindungspunkt A erzeugt werden. Unter der Annahme, daß der Widerstandswert des Widerstands 68 das Dreifache des Widerstandswertes des Widerstandes 66 beispielsweise ist, beträgt der Gesamt- Spannungsabfall an jenen Widerständen 66, 68 vier V _T, was gleich der Spannung am Verbindungspunkt A ist.

Fig. 6 veranschaulicht eine Implementierung einer Schal tung, in die die soweit beschriebenen Merkmale einbezogen sind.

Wie hier veranschaulicht, weist diese Schaltung einen Verarmungs-Sperrschicht-Feldeffekttransistor 80 auf, dessen Drain-Elektrode mit einem ersten Spannungsver sorgungsanschluß 82 verbunden ist und dessen Source- Elektrode mit einem ersten Widerstand 84 verbunden ist.

Ein zweiter Widerstand 86 liegt mit dem ersten Wider stand 54 in Reihe. Der zweite Widerstand 86 ist seiner seits mit der Drain-Elektrode eines Anreicherungs-Sperr schicht-Feldeffekttransistors 88 verbunden, der seiner seits mit seiner Source-Elektrode an einem zweiten Spannungsanschluß 90 angeschlossen ist, der ein Masse- bzw. Erdanschluß ist. Die Transistoren 80, 88 sind dann in Reihe geschaltet. Die Gate-Elektrode des Transistors 80 ist mit dessen Source-Elektrode über den Widerstand 84 verbunden, und außerdem ist sie mit dem Verbindungspunkt B zwischen den Widerständen 84, 86 verbunden. Die Drain- Elektrode des Transistors 88 ist mit dessen Gate-Elektro de über einen Widerstand 92 verbunden; die Gate-Elektrode des Transistors 88 ist außerdem über einen Widerstand 94 mit dem Erdanschluß 90 verbunden.

Ein weiterer Anreicherungs-Sperrschicht-Feldeffekttransi stor 96 ist mit seiner Gate-Elektrode an dem Verbindungs punkt B zwischen den Widerständen 84, 86 angeschlossen (dieser Verbindungspunkt ist außerdem zwischen den Transistoren 80, 88 vorgesehen). Die Drain-Elektrode des betreffenden Transistors ist mit dem ersten Spannungsver sorgungsanschluß 82 verbunden, und die Source-Elektrode des betreffenden Transistors ist mit einem veränderbaren Widerstand 98 verbunden, auf den weiter unten noch näher eingegangen werden wird. Der veränderbare Widerstand 98 ist ferner mit der Drain-Elektrode eines weiteren An reicherungs-Sperrschicht-Feldeffekttransistors 100 ver bunden, der seinerseits mit seiner Source-Elektrode mit dem Erd- bzw. Masseversorgungsanschluß 90 verbunden ist. Die Gate-Elektrode des Transistors 100 ist mit dessen Drain-Elektrode über einen Widerstand 102 verbunden, und ferner ist sie über einen Widerstand 104 mit dem Masse- bzw. Erdversorgungsanschluß verbunden. Der Ausgangswert des veränderbaren Widerstands 98 wird der Gate-Elektrode eines weiteren Anreicherungs-Sperrschicht-Feldeffekt transistors 106 zugeführt, dessen Drain-Elektrode mit dem Spannungsversorgungsanschluß 82 verbunden ist und dessen Source-Elektrode über eine Last 108 mit dem Erd- bzw. Masseversorgungsanschluß 90 verbunden ist. Ein Aus gangssignal wird am Verbindungspunkt C von der Source- Elektrode des Transistors 106 abgenommen und den Gate- Elektroden einer Reihenschaltung aus den Transistoren 110, 112, 114 zugeführt, die das Äquivalent des in Fig. 1 dar gestellten Transistors 38 bilden. Die betreffenden Transistoren sind dabei betriebsmäßig mit dem Differenz transistorpaar 116, 118 verbunden.

Der Teil der Schaltung, der die beiden Transistoren 80, 88 umfaßt, wirkt als weitgehend konstanter Bezugsspannungs generator (V _REF1), dessen Arbeitsweise nunmehr im einzel nen erläutert werden wird. Zunächst sei angenommen, daß Versorgungsspannung an den Anschluß 82 angelegt wird und daß beispielsweise die Widerstände 84, 86, 92, 94 Wider standswerte von 5kOhm, 10kOhm, 20kOhm bzw. 20kOhm aufweisen. Der Spannungsabfall am Widerstand 84 ist weit gehend -V _p des Transistors 80, während der Spannungsab fall am Widerstand 86 weitgehend -2V _p des Transistors 80 ist (aufgrund des Differenzwerts der Widerstände 84, 86, wie oben ausgeführt, zuzüglich der Tatsache, daß derselbe Strom durch beide Widerstände 84, 86 fließt). Ferner ist der Spannungsabfall am Widerstand 92 weitgehend V _T des Transistors 88, während der Spannungsabfall am Wider stand 94 ebenfalls weitgehend V _T des Transistors 88 ist. Der Verbindungspunkt B zwischen den Widerständen 84, 86 liegt weitgehend auf

2V _T-2V _p=2(V _T-V_p).

Es sei an dieser Stelle daran erinnert, daß V _T-V _p weit gehend konstant ist. Der Verbindungspunkt D liegt weit gehend auf 2V _T des Transistors 88. Es dürfte daher einzu sehen sein, daß die vorliegende Schaltung eine weitgehend konstante Spannung am Verbindungspunkt B erzeugt, die gleich 2(V _T-V_P) ist.

Unter der Annahme, daß die Widerstände 84, 86, 92, 94 die Widerstandswerte von 5kOhm, 10kOhm, 80kOhm bzw. 20kOhm aufweisen, bringt dies den Wert der Spannung am Verbindungspunkt B auf

5V _T (Transistor 88)-2V _P (Transistor 80).

Diese Spannung wird der Gate-Elektrode des Transistors 96 zugeführt, was zu einem Spannungsabfall von 1V _T führt, so daß die Spannung an der Source-Elektrode des Transistors gegeben ist mit 4V _T-2V _P. Unter der Annahme, daß die Widerstände 102, 104 die Widerstandswerte von je weils 20kOhm aufweisen, führt der Verbindungspunkt F einen Wert von 2V _T, so daß die an dem veränderbaren Widerstand 98 abgenommene und der Gate-Elektrode des Transistors 106 zugeführte Spannung gegeben ist mit

V=K′ (V _oben Widerstand 98-V _unten Widerstand 98)+V _unten Widerstand 98) (wobei K=2K′ ist)
=K′ [(4V _T-2V _P)-2V _T]+2V _T=K(V _T-V_P)+2V _T.

Wie oben angedeutet, wird diese Spannung der Gate-Elektro de des Transistors 106 zugeführt, was zur Absenkung um bzw. von zwei Schwellwertspannungen durch den Transistor 106 und den Transistor 110 führt, so daß die am Ver bindungspunkt E auftretende Spannung gegeben ist mit K(V _T-V_P) (dies ist die Spannung am Widerstand 120), die exakt die gewünschte Spannung ist.

Die Ausführung der veränderbaren Widerstandsanordnung 98 ist in Fig. 7 veranschaulicht. Bei der Herstellung dieser Anordnung wird jeder der dargestellten Widerstände so hergestellt, daß er weitgehend denselben Widerstandswert aufweist, und die betreffenden Widerstände werden so fest gelegt bzw. angeordnet, daß die Gesamtanordnung die An schlüsse 150, 151, 152 aufweist, wobei das Ausgangssignal vom Anschluß 151 abgenommen und der Gate-Elektrode des Transistors 106 zugeführt wird.

Da die Auslegung bzw. das Layout der veränderbaren Widerstandsanordnung 98 zu beiden Seiten des Anschlus ses 151 symmetrisch ist, wird lediglich derjenige Teil der veränderbaren Widerstandsanordnung 98 unterhalb des Anschlusses 151 gemäß Fig. 7 im einzelnen beschrieben werden; die entsprechenden Zahlen gelten für die ent sprechenden Teile der oberhalb des Anschlusses 51 vor handenen Anordnung.

Die Widerstände 154, 156, 158 liegen in Reihe, wobei der Widerstand 158 mit einem Paar von parallel miteinander verbundenen Widerständen 160, 162 verbunden ist, die ihrerseits mit vier parallel geschalteten Widerständen 164, 166, 168, 170 verbunden sind, welche ihrerseits an dem Anschluß 152 angeschlossen sind. Eine auftrennbare Verbindung, die eine durch einen Laser programmierbare Sicherung 172 umfaßt, verbindet den Anschluß 150 mit dem Verbindungspunkt G zwischen den Widerständen 156, 158, während eine entsprechende auftrennbare Verbindung, die eine durch einen Laser programmierbare Sicherung 154 umfaßt, den Verbindungspunkt G mit dem Verbindungs punkt H zwischen dem Widerstand 158 und den beiden parallel geschalteten Widerständen 160, 162 verbindet. Ferner verbindet eine auftrennbare Verbindung in Form einer durch einen Laser programmierbaren Sicherung 176 den Verbindungspunkt H mit dem Verbindungspunkt J zwischen den beiden einander parallel geschalteten Widerständen 160, 162 und den einander parallel ge schalteten vier Widerständen 164, 166, 168, 170. Schließlich verbindet eine auftrennbare Verbindung in Form einer durch einen Laser programmierbaren Sicherung 178 den Verbindungspunkt J mit dem Anschluß 152. Es dürfte einzusehen sein, daß bei weitgehend gleichen Widerstandswerten für den jeweiligen Widerstand der Spannungsabfall an den vier einander parallel geschalte ten Widerständen 164, 166, 168, 170 gegeben ist mit R₁, daß der Spannungsabfall an den beiden einander parallel geschalteten Widerständen 160, 162 gegeben ist mit 2R₁, daß der Spannungsabfall an dem Widerstand 158 gegeben ist mit 4R₁ und daß der Spannungsabfall an den Wider ständen 154, 156 gegeben ist mit 8R₁. Durch Durchbrennen der in Frage kommenden Sicherungen kann der Gesamtwert des Widerstandswerts der Anordnung gemäß Fig. 7 vom An schluß 150 zum Anschluß 152 gewählt werden, und außerdem kann das am Anschluß 152 abgenommene Spannungssignal da durch gewählt werden, daß die Widerstandswerte (und die an den betreffenden Widerständen abfallenden Spannungen) entsprechend bzw. so gewählt werden.

Eine weitere Schaltung zur Erzeugung einer weitgehend konstanten Bezugsspannung ist in Fig. 8 veranschaulicht. Diese Schaltung ist auf den Fall anwendbar, daß ein Differenztransistorpaar 216, 218 vorgesehen ist, welches ähnlich dem zuvor beschriebenen Transistorpaar ist; in diesem Falle ist jedoch die der Gate-Elektrode des Transistors 216 zugeführte Spannung weitgehend konstant (V _REF3), während die der Gate-Elektrode des Transistors 218 zugeführte Spannung änderbar ist von einem Wert, der höher ist als V _REF3, auf einen Wert, der niedriger ist als V _REF3. In diesem Falle ist es erwünscht, daß das Eingangssignal für die Gate-Elektrode des Transistors 216 die TTL-Eingangsschwellwertforderungen von angenähert 1,5 V erfüllt.

Ferner wird ein Signal über eine in Signalrichtung in Sperrichtung vorgespannte Diode 219 der Gate-Elektrode des Transistors 218 zugeführt. Der Spannungsversorgungs anschluß 182 ist mit der Gate-Elektrode des Transistors 218 zwischen der betreffenden Gate-Elektrode und der Diode 219 angeschlossen, und eine weitere Diode 221 ver bindet die Gate-Elektrode des Transistors 218 mit einer zusätzlichen, weitgehend konstanten Bezugsspannung V _REF4, deren Erzeugung weiter unten noch im einzelnen er läutert werden wird. Die Diode 221 ist in Richtung von der Bezugsspannung V _REF4 zur Gate-Elektrode des Transistors 218 hin ebenfalls in Sperrichtung vorge spannt. Die übrige Anordnung ist ähnlich der im linken Teil der Fig. 6 dargestellten Anordnung; der Widerstand 198 weist jedoch einen festen Wert und nicht einen ver änderbaren Wert auf, und eine Diode 223 verbindet die Widerstände 184, 186 und ist in Richtung vom Spannungs versorgungsanschluß 182 zum Spannungsversorgungs(Masse)- Anschluß 190 in Durchlaßrichtung vorgespannt. Die Gate Elektrode des Transistors 180 ist mit dem Verbindungs punkt B′ zwischen dem Widerstand 84 und der Diode 223 verbunden, und ferner ist eine weitere Diode 225 vorge sehen, welche die Source-Elektrode des Transistors 196 und den Widerstand 198 verbindet. Diese Diode ist in Richtung vom Spannungsversorgungsanschluß 182 zum Spannungsversorgungsanschluß 190 hin in Durchlaßrichtung vorgespannt. Die Gate-Elektrode des Transistors 216 ist mit der Source-Elektrode des Transistors 196 verbunden. Der Widerstand 198 verbindet die Diode 125 und die Drain- Elektrode des Transistors 200. In dieser Situation wird der Transistor 218 vom einen Zustand in den anderen Zu stand bei etwa 1,5 V+Φ umschalten, wobei Φ der Wert des Durchlaßspannungsabfalls an der Diode 225 ist. Damit ist die Bezugsspannung V _REF3, welche der Gate-Elektrode des Transistors 216 zugeführt wird, auf etwa 1,5 V+Φ fest gelegt.

In der vorliegenden Situation ist es durch den praktisch ausgeführten Vorgang möglich, 2V _T-2V _P=1,5 V zu erzielen. In dem Fall, daß die Spannung am Verbindungs punkt B bei der in Fig. 6 dargestellten Ausführungsform bei K(V _T-V_P) liegt, wird durch Hinzufügen der Diode 223 die Spannung am Verbindungspunkt B′ gemäß Fig. 8 zu Φ+K(V _T-V_P). Dadurch, daß K gleich 2 gewählt wird, weisen die Widerstände folgende Widerstandswerte auf:

Widerstand 184= 5kOhm,
Widerstand 186=10kOhm,
Widerstand 192=20kOhm,
Widerstand 194=10kOhm,
Widerstand 198=20kOhm,
Widerstand 202=10kOhm,
Widerstand 204=10kOhm.

Die Spannung am Widerstand 184 wird -V _P, der Spannungsab fall an der Diode 223 wird Φ betragen, der Spannungsab fall am Widerstand 186 wird -2V _P sein, die Spannung am Widerstand 192 wird 2V _T, und die Spannung am Widerstand 194 wird V _T sein. Die Spannung am Verbindungspunkt B′ wird 3V _T-2V _P+Φ sein, so daß die von der Source- Elektrode des Transistors 196 (Verbindungspunkt M) abge genommene Bezugsspannung gegeben sein wird mit 2V _T-2V _P +Φ, daß heißt, daß die Spannung an der Diode 225 gegeben ist mit Φ, daß der Spannungsabfall am Widerstand 198 ge geben ist mit -2V _P und daß der Spannungsabfall an jedem der Widerstände 202, 204 gegeben ist mit V _T.

Nunmehr sei auf die in Fig. 9 dargestellte Schaltung Bezug genommen, deren linker Teil ähnlich der in Fig. 6 darge stellten Schaltung ist, wobei allerdings eine Diode 223 zwischen den Widerstand 286 und die Drain-Elektrode des Transistors 288 einbezogen ist. Diese Diode ist in Rich tung von dem Spannungsversorgungsanschluß 382 zu dem Spannungsversorgungs-(Masse)-Anschluß 390 hin in Durch laßrichtung vorgespannt. Das von der Source-Elektrode des Transistors 306 abgenommene Ausgangssignal wird jedoch nicht dem Transistor 310 zugeführt, der mit dem Differenz- Transistorpaar 316, 318 verbunden ist. Vielmehr ist die der Gate-Elektrode des Transistors 310 zugeführte Spannung die Bezugsspannung V _REF1, wie sie zuerst oben beschrieben worden ist. Diese Schaltungsanordnung umfaßt ferner Anreicherungs-Sperrschicht-Feldeffekttransisto ren 351, 353, die in Reihe geschaltet sind, was bedeutet, daß die Drain-Elektrode des Transistors 351 mit dem Spannungsversorgungsanschluß 382 verbunden ist und daß die Source-Elektrode des betreffenden Transistors mit der Drain-Elektrode des Transistors 353 verbunden ist. Die Source-Elektrode des Transistors 353 ist ihrerseits mit einem Widerstand 355 verbunden, der seinerseits mit dem Masse- bzw. Erdversorgungsanschluß 390 verbunden ist.

In entsprechender Weise sind Anreicherungs-Sperrschicht- Feldeffekttransistoren 359, 361 in Reihe geschaltet, wo bei die Drain-Elektrode des Transistors 359 mit dem Spannungsversorgungsanschluß 382 verbunden ist. Die Source-Elektrode des Transistors 359 ist mit der Drain- Elektrode des Transistors 361 verbunden. Die Source- Elektrode des Transistors 361 ist über einen Widerstand 363 mit dem Spannungsversorgungsanschluß 390 verbunden. Die Gate-Elektrode des Transistors 351 ist mit der Drain-Elektrode des Transistors 318 verbunden, während die Gate-Elektrode des Transistors 359 mit der Drain- Elektrode des Transistors 316 verbunden ist.

Die Lasten bzw. Lasteinrichtungen in Form der Kondensa toren 357, 365 sind weitgehend über Temperaturschwankungen und über Schwankungen im Herstellungsprozeß der betref fenden Einrichtung konstant.

Wie bekannt, ist I=C dV/dt. Um einen konstanten Strom zu erzielen, ist I/C=dV/dt, so daß dV/dt weitgehend eine Konstante ist.

Um einen konstanten Strom durch die Widerstände 355, 363 zu erzielen, werden diese mit denselben Werten ausgewählt, und die Kondensatoren 357, 365 werden mit denselben Wer ten gewählt, wobei bekannt ist, daß der Wert jedes derartigen Widerstands sich mit der Temperatur ändert. Dabei wäre es erwünscht, daß der Spannungswert der Spannung an dem jeweiligen Widerstand 357, 363 den Änderungen bzw. Schwankungen im Wert des Widerstands (I=V/R) folgt bzw. nachläuft.

Wie bekannt, steigt in der Galliumarsenid-Technologie der Widerstandswert von Widerständen mit zunehmender Tempera tur an, wobei die Summe aus Φ-KV _P dadurch verändert werden kann, daß der gewünschte K-Wert ausgewählt wird, um ebenfalls mit der Temperatur im selben Verhältnis bzw. mit derselben Geschwindigkeit zu steigen wie der Wert der Widerstände.

Ferner wird die Spannung am Widerstand 284 gegeben sein mit -V _P, während die Spannung am Widerstand 286 gegeben sein wird mit -KV _P. Die Spannung an der Diode wird ge geben sein mit Φ, und die Spannung an dem Transistor 288 wird mit NV _T gegeben sein (dabei ist eine Vervielfachung von V _T angenommen, wie dies zuvor beschrieben worden ist). Unter der Annahme, daß die Widerstandswerte der Wider stände 284, 286, 292, 292 in geeigneter Weise gewählt sind, liegt der Verbindungspunkt B′′ auf dem Spannungs pegel von -KV _P+Φ+3V _T, und die Spannung am Wider stand 286 beträgt -3V _P. Die Spannung am Verbindungspunkt F beträgt 3V _T. Die Spannung am oberen Ende des veränderba ren Widerstands 298 beträgt 2V _T-3V _P+Φ, während die Spannung am unteren Ende des veränderbaren Widerstands 298 gegeben ist mit 2V _T.

Die vom veränderbaren Widerstand abgenommene Spannung liegt bei

K(V _oben-V_unten)+V _unten=K(-3V _P+Φ)+2V _T,

so daß die Spannung am Widerstand 355 (oder 367) gegeben ist mit K(-3V _P+Φ). Es dürfte somit ersichtlich sein, daß der Spannungsabfall am Widerstand 355 (oder 367) so gewählt ist, daß er die obigen erwünschten Beschränkungen erfüllt (das heißt, daß die Summe Φ-KV _P mit der Temperatur weitgehend mit derselben Rate ansteigt bzw. abnimmt wie die Widerstandswerte.

Schließlich sei auf Fig. 10 Bezug genommen, in der die Schaltung zur Erzeugung der weitgehend konstanten Bezugs spannung V _REF4 veranschaulicht ist.

Wie zuvor beschrieben, beträgt die dem Transistor 216 des Differenz-Transistorpaares 216, 218 (Fig. 8) zuge führte Bezugsspannung 2V _T-2V _P+Φ=1,5 V+Φ. Es ist erwünscht, daß diese Bezugsspannung V _REF4, welche der in Sperrichtung vorgespannten Diode 221 zugeführt wird, weitgehend gleich der Bezugsspannung V _REF3 ist, so daß der Verbindungspunkt R auf einer Spannung festgeklemmt wird, die gleich um Φ höher ist als die Bezugsspannung V _REF3. Ferner kann es erwünscht sein, eine große Anzahl von Stufen (beispielsweise bis zu 11 Stufen) auf die Bezugsspannung V _REF4 festzulegen bzw. auf dieser fest zuhalten, so daß die Einrichtung zur Erzeugung dieser Bezugsspannung V _REF4 von Null bis zum Elffachen des Stromes durch die jeweilige Stufe abzusenken bzw. abzu führen hat.

Eine derartige Schaltungsanordnung ist in Fig. 10 ge zeigt. Wie dort gezeigt, ist ein Widerstand 400 an einer Vorstromquelle 402 angeschlossen, die ihrerseits mit dem Spannungsversorgungsanschluß 404 verbunden ist. Der Widerstand 400 ist ferner mit der Drain-Elektrode eines Anreicherungs-Sperrschicht-Feldeffekttransistors 406 verbunden, dessen Drain-Elektrode mit seiner Gate-Elektro de verbunden ist. Die Source-Elektrode des Transistors 406 ist mit der Drain-Elektrode eines Verarmungs-Sperrschicht- Feldeffekttransistors 408 verbunden, dessen Source- Elektrode mit einem Widerstand 410 verbunden ist. Dieser Widerstand ist an der Drain-Elektrode eines Verarmungs- Sperrschicht-Feldeffekttransistors 412 angeschlossen, dessen Source-Elektrode über einen Widerstand 416 an einem Spannungsversorgungsanschluß 414 angeschlossen ist. Die Gate-Elektrode des Transistors 408 ist mit der Drain- Elektrode des Transistors 412 verbunden, während die Gate-Elektrode des Transistors 412 mit dem Spannungsver sorgungsanschluß 414 verbunden ist. Eine Diode 418 liegt zwischen der Drain-Elektrode des Transistors 412 und einem Spannungsversorgungsanschluß 420, der ein Masse- bzw. Erdspannungsversorgungsanschluß ist. Die Diode 418 ist dabei in Richtung von dem Spannungsversorgungsan schluß 404 zu dem Spannungsversorgungsanschluß 420 in Sperrichtung vorgespannt.

Ferner ist ein Anreicherungs-Sperrschicht-Feldeffekt transistor 422 vorgesehen, dessen Drain-Elektrode mit dem Spannungsversorgungsanschluß 404 verbunden ist, dessen Gate-Elektrode mit der Source-Elektrode des Transistors 406 und mit der Drain-Elektrode des Transistors 408 ver bunden ist und dessen Source-Elektrode mit einer Diode 424 verbunden ist, die ihrerseits an dem Spannungsversorgungs anschluß 420 angeschlossen ist. Diese Diode 424 ist in Richtung von dem Spannungsversorgungsanschluß 404 zu dem Spannungsversorgungsanschluß 420 hin in Durchlaßrichtung vorgespannt. Die Drain-Elektrode des Transistors 422 ist ferner über die Vorstromquelle 402 mit dem Spannungsver sorgungsanschluß 402 verbunden.

Der durch die Stromquelle 426 (die als Last für die soweit beschriebene Schaltung wirkt) fließende Strom kann von Null I bis Elf I variiert werden, wie dies zuvor beschrieben worden ist. Aufgrund der Einbeziehung der Vorstromquelle 402 wird sich der den Transistor 422 durch fließende Strom von 11I bis 22I ändern, so daß eine zwei-zu-eins-Variation anstatt einer elf zu Null-Varia tion erzielt wird.

Bei der in Fig. 10 dargestellten Schaltungsanordnung ist bei geeigneter Wahl der Widerstandswerte, wie sie oben beschrieben worden sind, der Spannungsabfall am Widerstand 400 gegeben mit -2V _P, und der Spannungsabfall am Transistor 406 beträgt etwa V _T. Der Spannungsabfall am Widerstand 410 beträgt -V _P. Der Spannungsabfall an der Gate-Source-Strecke des Transistors 422 beträgt etwa V _T, während der Spannungsabfall an der Diode 424 gegeben ist mit Φ. Der Transistor 422 ist als eine große Einrichtung vorgesehen, so daß es lediglich er forderlich ist, etwas mehr als V _T einzuschalten, um bis zu 22I aufzunehmen bzw. abzuleiten. Der Verbindungs punkt T verbleibt bei etwa Φ unterhalb Massepotential, da der Ableit- bzw. Sinkstrom stets weitgehend größer ist als der Bezugsstrom. Der betreffende Sinkstrom durch fließt den Widerstand 416, und eine negative Spannung wird an dem zweiten Spannungsversorgungsanschluß 414 er zeugt. Es dürfte einzusehen sein, daß mit Rücksicht da rauf, daß der Laststrom durch den Transistor 422 sich ändert, der durch den Widerstand 400, den Transistor 406, den Transistor 408 und den Widerstand 416 hindurchge leitete Bezugsstrom sogar mit Rücksicht darauf weit gehend konstant bleibt, daß starke Änderungen in dem Gesamt-Ableitstrom bzw. Gesamt-Sinkstrom der Einrich tung auftreten.

Es dürfte ohne weiteres einzusehen sein, daß die ver schiedenen Ausführungsformen der Schaltungsanordnung imstande sind, verschiedene weitgehend konstante Bezugs spannungen und/oder Ströme zu erzeugen, wie sie gefordert werden, und zwar in Abhängigkeit von der jeweils besonde ren Umgebung der Schaltungsanordnung. Jede der Ausführungs formen ist hier ohne weiteres in einer Verbund-Halbleiter- Technologie ausführbar, einschließlich der speziell vor teilhaften Galliumarsenid-Technologie, in der sich die Erzeugung derartiger weitgehend konstanter Bezugsspannungen oder -ströme als besonders problematisch erwiesen hat.

Claims

1. Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer weit gehend konstanten Bezugsspannung unter Ableiten ver schiedener Ströme in einer Stromsinke, dadurch gekennzeichnet,
daß ein erster Spannungsversorgungsanschluß vorgesehen ist,
daß ein zweiter Spannungsversorgungsanschluß vorge sehen ist,
daß eine erste Stromquelle mit dem ersten Spannungs versorgungsanschluß verbunden ist
daß eine Last vorgesehen ist, welche die erste Strom quelle mit dem ersten Spannungsversorgungsanschluß verbindet,
daß eine zweite Stromquelle vorgesehen ist, die mit dem zweiten Spannungsversorgungsanschluß und mit der ersten Stromquelle über die genannte Last verbunden ist, und
daß ein Feldeffekttransistor vorgesehen ist, der mit einem ersten Stromverarbeitungsanschluß zwischen der ersten Stromquelle und der Last angeschlossen ist, der mit einem zweiten Stromverarbeitungsanschluß mit dem zweiten Spannungsversorgungsanschluß verbunden ist und der mit einem Stromsteuerungsanschluß zwischen der Last und der zweiten Stromquelle angeschlossen ist.

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Strom quelle einen zweiten Verarmungs-Feldeffekttransistor aufweist, der mit einem Stromverarbeitungsanschluß an der Last angeschlossen ist, der mit einem zweiten Stromverarbeitungsanschluß versehen ist und der einen Stromsteuerungsanschluß aufweist, welcher mit dem zweiten Spannungsversorgungsanschluß verbunden ist, und daß ein Widerstand vorgesehen ist, der den zweiten Stromverarbeitungsanschluß des zweiten Transistors und den zweiten Spannungsversorgungsanschluß verbindet.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein zusätzlicher Feldeffekttransistor vorgesehen ist, der eine Verbindung zwischen der Last und der zweiten Stromquelle hervor ruft und der mit einem ersten Stromverarbeitungsanschluß mit der Last verbunden ist,
daß der betreffende zusätzliche Feldeffekttransistor mit einem zweiten Stromverarbeitungsanschluß an der zweiten Stromquelle angeschlossen ist und mit einem Stromsteuerungsanschluß an dessen ersten Stromverarbei tungsanschluß angeschlossen ist.

4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Last einen Widerstand umfaßt.

5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Diode vorge sehen ist, welche den zweiten Stromverarbeitungsan schluß des Transistors und den zweiten Spannungsver sorgungsanschluß miteinander verbindet und welche in Richtung von dem ersten Spannungsversorgungsanschluß zu dem zweiten Spannungsversorgungsanschluß hin in Durchlaßrichtung vorgespannt ist.

6. Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer weitgehend konstanten Bezugsspannung unter Ableiten eines sich ändernden Stromes in einer Stromsinke, insbesondere nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch ge kennzeichnet,
daß ein erster Spannungs versorgungsanschluß vorgesehen ist,
daß ein zweiter Spannungsversorgungsanschluß vorgesehen ist,
daß ein dritter Spannungsversorgungsanschluß vorgesehen ist,
daß eine erste Stromquelle mit dem ersten Spannungs versorgungsanschluß verbunden ist,
daß eine erste Last vorgesehen ist, welche über die erste Stromquelle mit dem ersten Spannungsversorgungs anschluß verbunden ist,
daß eine zweite Stromquelle vorgesehen ist, welche über die erste Last mit der ersten Stromquelle verbunden ist,
daß eine zweite Last vorgesehen ist, welche zwischen der zweiten Stromquelle und dem dritten Spannungsabgabe anschluß angeschlossen ist,
daß der erste Spannungsabgabeanschluß, die erste Strom quelle, die erste Last und die zweite Stromquelle, die zweite Last und der dritte Spannungsabgabeanschluß mit einander in Reihe geschaltet sind,
daß eine Diode an den zweiten Spannungsabgabeanschluß und zwischen die zweite Stromquelle und die zweite Last angeschlossen ist und in Richtung von dem ersten Spannungsabgabeanschluß zu dem zweiten Spannungsabgabe anschluß hin in Sperrichtung vorgespannt ist, und
daß ein Transistor mit einem ersten Stromverarbei tungsanschluß, einem zweiten Stromverarbeitungsanschluß und einem Stromsteuerungsanschluß vorgesehen ist, wobei der erste Stromverarbeitungsanschluß zwischen der ersten Last und der ersten Stromquelle angeschlossen ist, wobei der zweite Stromverarbeitungsanschluß an dem zweiten Spannungsversorgungsanschluß angeschlossen ist und wobei der Stromsteuerungsanschluß zwischen der ersten Last und der zweiten Stromquelle angeschlossen ist.

7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Strom quelle einen zweiten Verarmungs-Feldeffekttransistor umfaßt, der mit einem ersten Stromverarbeitungsanschluß an der ersten Last angeschlossen ist, der einen zweiten Stromverarbeitungsanschluß und einen Stromsteuerungs anschluß aufweist, welcher mit der Verbindung der Diode und der zweiten Last verbunden ist, und daß der Widerstand den zweiten Stromverarbeitungsan schluß des zweiten Transistors und den zweiten Spannungs versorgungsanschluß verbindet.

8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein zusätzlicher Feldeffekttransistor vorgesehen ist, der eine Verbindung zwischen der ersten Last und der zweiten Stromquelle schafft und der mit einem ersten Stromverarbeitungsan schluß an der ersten Last angeschlossen ist und der mit einem zweiten Stromverarbeitungsanschluß an der zweiten Stromquelle angeschlossen ist, und daß der betreffende zusätzliche Feldeffekttransistor mit einem Stromsteuerungsanschluß an dem ersten Strom verarbeitungsanschluß des zusätzlichen Transistors ange schlossen ist.

9. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Last einen Widerstand umfaßt.

10. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine Diode vorgesehen ist, die einen zweiten Stromverarbeitungsanschluß des betreffenden Transistors und den zweiten Spannungsver sorgungsanschluß verbindet und die in Richtung von dem ersten Spannungsversorgungsanschluß zu dem zweiten Spannungsversorgungsanschluß hin in Durchlaßrichtung vorgespannt ist.