DE3838383A1 - Einrichtung fuer akustische oberflaechenwellen mit ueberlappungsgewichtetem wandler, der mit einer elektrodengruppe mit unregelmaessigem abstand versehen ist - Google Patents

Einrichtung fuer akustische oberflaechenwellen mit ueberlappungsgewichtetem wandler, der mit einer elektrodengruppe mit unregelmaessigem abstand versehen ist

Info

Publication number
DE3838383A1
DE3838383A1 DE3838383A DE3838383A DE3838383A1 DE 3838383 A1 DE3838383 A1 DE 3838383A1 DE 3838383 A DE3838383 A DE 3838383A DE 3838383 A DE3838383 A DE 3838383A DE 3838383 A1 DE3838383 A1 DE 3838383A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrodes
surface acoustic
electrode
acoustic wave
interdigital
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE3838383A
Other languages
English (en)
Other versions
DE3838383C2 (de
Inventor
Takashi Shiba
Yuji Fujita
Toshimitsu Takahashi
Jun Yamada
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP62285338A external-priority patent/JP2590347B2/ja
Priority claimed from JP62323960A external-priority patent/JP2574828B2/ja
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of DE3838383A1 publication Critical patent/DE3838383A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3838383C2 publication Critical patent/DE3838383C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02889Means for compensation or elimination of undesirable effects of influence of mass loading
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02637Details concerning reflective or coupling arrays
    • H03H9/02685Grating lines having particular arrangements
    • H03H9/0274Intra-transducers grating lines
    • H03H9/02755Meandering floating or grounded grating lines
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02992Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/125Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14502Surface acoustic wave [SAW] transducers for a particular purpose
    • H03H9/14505Unidirectional SAW transducers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/125Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14502Surface acoustic wave [SAW] transducers for a particular purpose
    • H03H9/14508Polyphase SAW transducers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/125Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14517Means for weighting
    • H03H9/1452Means for weighting by finger overlap length, apodisation
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/125Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14544Transducers of particular shape or position
    • H03H9/14552Transducers of particular shape or position comprising split fingers

Description

Mit Bezug auf einen herkömmlichen überlappungsgewichteten (apodized) Interdigitalwandler (interdigital transducer) sind Verfahren zum Unterdrücken von ungewünschten Refle­ xionen (die im weiteren mit "MEL" (Mass Electrical Loading) bezeichnet werden) bekannt, die durch die Differenz in der charakteristischen Impendanz für die Ausbreitung von akustischen Oberflächenwellen zwischen dem Abschnitt, wo es eine Elektrode gibt, und dem Abschnitt, wo es keine Elektrode gibt, verursacht werden. Eines der Verfahren wird in "The IEEE Trans. MTT-22" (1974), Seiten 960 bis 964 beschrieben, bei dem MEL unterdrückt wird, indem die Breite einer Elektrode 1/8 der Wellenlänge (λ 0) einer akustischen Oberflächenwelle mit der Mittenfrequenz (f 0) beträgt.
In dem oben beschriebenen Stand der Technik wird jedoch keine Überlegung mit Bezug auf eine Elektrodengruppe mit unregelmäßigem Abstand gemacht, in der der Frequenzgang der Amplitude nicht symmetrisch ist, oder anders aus­ gedrückt, in der der Abstand der Quellen für die akusti­ schen Oberflächenwelle nicht konstant ist, so daß die Unterdrückung der MEL unzureichend ist.
Obwohl es möglich ist, die MEL zu unterdrücken, indem die Breite der Elektrode und eines unmetallisierten Teils 1/8 des mittigen Zwischenabstands zwischen den benachbarten Quellen der akustischen Oberflächenwelle gemacht wird, sogar wenn der Frequenzverlauf der Amplitude nicht sym­ metrisch ist und der mittige Zwischenabstand zwischen benachbarten Elektroden nicht konstant ist, ist das oben beschriebene herkömmliche Verfahren unzureichend zum Unterdrücken von MEL, wenn die Asymmetrie zu groß ist oder eine ausreichende Unterdrückung der Reflexion erfor­ derlich ist.
Dementsprechend ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die oben beschriebenen Probleme des Standes der Technik zu beseitigen, und eine Einrichtung für akustische Oberflächenwellen zu schaffen, die geringe Oberwellenfrequenzeigenschaften hat und MEL ausreichend unterdrückt.
Um dieses Ziel zu erreichen, wird gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung eine Einrichtung für akustische Oberflächenwellen geschaffen, die zusätzlich zu ersten linearen Sammelschienenelektroden, die die Kanten der Elektroden gleichen Potentials der Interdigitalelektroden fluchtend verbinden, zweite Sammelschienenelektroden vorgesehen sind, die die Elektroden gleichen Potentials in der Nachbarschaft der überlappenden Positionen (zwischen den Umhüllenden der überlappungsgewichteten überlappenden Funktion und den ersten Sammelschienenelektroden) verbin­ den. In der unterschiedlichen Potentialregion zwischen den zweiten Sammelschienenelektroden sind überlappungs­ gewichtete Elektroden in unregelmäßigen Abständen an­ geordnet und in den gleichen Potentialregionen zwischen den ersten und den zweiten Sammelschienenelektrodengebieten sind Elektroden mit einer Breite von z. B. λ 0/8 in einem Intervall von λ 0/4 angeordnet, wobei λ 0 eine Wellenlänge der akustischen Oberflächenwelle bei der Mittenfrequenz f 0 ist.
Es ist herausgefunden worden, daß entsprechend der Struktur der Einrichtung für akustische Oberflächenwellen gemäß dem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung die Reflexion zwischen den ersten und den zweiten Sammelschienenelek­ troden ausreichend unterdrückt wird, wodurch der Refle­ xionspegel erniedrigt wird.
Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Einrichtung für akustische Oberflächenwellen geliefert, in der das Metallisierungsverhältnis g/p, das das Verhältnis zwischen der Breite einer Elektrode und dem mittigen Zwischenabstand zwischen benachbarten Elek­ troden in einer Elektrodengruppe mit unregelmäßigem Abstand ist, in der der Abstand (pitch) der Quelle für die akusti­ schen Oberflächenwellen nicht konstant ist, nicht konstant 0,5 ist, sondern zwischen 0,1 und 0,4 oder zwischen 0,6 und 0,9 variiert. Diese Struktur unterdrückt die Reflexion in einem vorgegebenen Frequenzband, die an der Elektro­ dengrenze erzeugt wird, an der sich die charakteristische Impedanz des Ausbreitungsmediums kontinuierlich verändert.
Weitere Vorteile, Merkmale und Anwendungsmöglichkeiten der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgen­ den Beschreibung von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit der Zeichnung. Darin zeigt
Fig. 1 eine schematische Ansicht einer ersten Ausfüh­ rungsform einer Einrichtung für eine akustische Oberflächenwelle gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 eine schematische Ansicht einer herkömmlichen Einrichtung für eine akustische Oberflächen­ welle;
Fig. 3 ein Blockdiagramm einer Zwischenfrequenzschal­ tung für Fernsehen, die eine Einrichtung entsprechend der vorliegenden Erfindung verwendet;
Fig. 4 den Frequenzverlauf des Reflexionsverlusts, der von einem Ausgangsinterdigitalwandler der herkömmlichen Einrichtung nach Fig. 2 erzeugt wird;
Fig. 5 den Frequenzverlauf des Einfügungsverlustes in der herkömmlichen Einrichtung nach Fig. 2;
Fig. 6 den Frequenzverlauf des Reflexionsverlustes, der von einem Ausgangsinterdigitalwandler der ersten Ausführungsform nach Fig. 1 erzeugt wird;
Fig. 7 den Frequenzverlauf des Einfügungsverlustes in der ersten Ausführungsform nach Fig. 1;
Fig. 8 eine schematische Ansicht einer zweiten Ausführungsform eines akustischen Oberflächen­ filters nach der vorliegenden Erfindung;
Fig. 9 den Frequenzverlauf des Reflexionsverlustes, der von dem Ausgangsinterdigitalwandler nach dem zweiten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 8 erzeugt wird;
Fig. 10 eine schematische Ansicht einer dritten Ausführungsform einer Einrichtung für eine akustische Oberflächenwelle gemäß der vor­ liegenden Erfindung;
Fig. 11 den Frequenzverlauf des Reflexionsverlustes, der von dem Ausgangsinterdigitalwandler nach der dritten Ausführungsform gemäß Fig. 10 erzeugt wird;
Fig. 12 eine schematische Ansicht einer vierten Ausführungsform der Einrichtung für eine akustische Oberflächenwelle gemäß der vor­ liegenden Erfindung;
Fig. 13 eine teilweise vergrößerte Ansicht einer fünften Ausführungsform einer Einrichtung für eine akustische Oberflächenwelle nach der vorliegenden Erfindung;
Fig. 14 eine schematische Aufsicht auf den überlap­ pungsgewichteten Wandler nach einer sechsten Ausführungsform einer Einrichtung für eine akustische Oberflächenwelle gemäß der vor­ liegenden Erfindung;
Fig. 15 den MEL-Frequenzverlauf der sechsten Ausfüh­ rungsform nach Fig. 14;
Fig. 16 den Frequenzverlauf der Amplitude der sechsten Ausführungsform nach Fig. 14;
Fig. 17 den MEL-Frequenzverlauf einer herkömmlichen Einrichtung;
Fig. 18 den Frequenzverlauf der Amplitude einer herkömmlichen Einrichtung;
Fig. 19 eine schematische Aufsicht eines überlap­ pungsgewichteten Wandlers nach einer siebten Ausführungsform der Einrichtung für eine akustische Oberflächenwelle gemäß der vor­ liegenden Erfindung;
Fig. 20 den MEL-Frequenzverlauf der siebten Ausfüh­ rungsform nach Fig. 19;
Fig. 21 eine schematische Aufsicht des überlappungs­ gewichteten Wandlers einer achten Ausfüh­ rungsform einer Einrichtung für eine akustische Oberflächenwelle gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 22 den MEL-Frequenzverlauf einer achten Ausfüh­ rungsform nach Fig. 21; und
Fig. 23 eine schematische Aufsicht des überlappungs­ gewichteten Wandlers einer herkömmlichen Einrichtung.
Fig. 1 ist eine schematische Ansicht einer ersten Ausfüh­ rungsform der Einrichtung der akustischen Oberflächenwelle gemäß der vorliegenden Erfindung. Auf einem Substrat für die akustische Oberflächenwelle 1 sind ein Eingangsinter­ digitalwandler 2 und ein Ausgangsinterdigitalwandler 3 angeordnet. Der Ausgangsinterdigitalwandler 3 ist mit ersten Sammelschienenelektroden 4 a und 4 b und zweiten Sammelschienenelektroden 5 a und 5 b versehen. In den Gebieten zwischen den ersten und zweiten Sammelschienen­ elektroden sind Elektroden 6 a und 6 b mit einer Breite von λ 0/8 in einem regelmäßigen Intervall von λ 0/4 angeordnet, wobei λ 0 die Wellenlänge einer akustischen Oberflächenwelle mit der Mittenfrequenz f 0 ist. Die zweiten Sammelschienen­ elektroden 5 a und 5 b sind in einer kosinusförmigen Kon­ figuration ausgebildet. Diese ist gleich dem Kosinus­ fenster, das gemäß der Impulsantwort der Reflexion ent­ steht.
In dem Gebiet zwischen den zweiten Sammelschienenelektroden sind Elektroden 7 in unregelmäßigen Abständen angeordnet.
Diese Elektroden 7, die in unregelmäßigen Abständen angeordnet sind, erzeugen nicht-symmetrische Frequenzver­ läufe.
In Fig. 1 gibt die gebrochene Linie 8 eine Umhüllende der Überlappungsfunktion des Interdigitalwandlers 2 an. Beide Seiten der Eingangs- und Ausgangsinterdigitalwandlers 2 und 3 sind mit einem Absorber 9 beschichtet, der ver­ hindert, daß die akustischen Oberflächenwellen an den Endoberflächen des Substrats 1 reflektiert werden. Das Substrat 1 besteht aus einem 128° Y-X LiNbO2 · 15 Quellen­ paare für akustische Oberflächenwellen sind vorgesehen für den Eingangsinterdigitalwandler 2 und die Apertur des Eingangswandlers 2 beträgt 3000 µm. Auf der anderen Seite sind 50 Quellenpaare für die akustische Oberflächenwelle (die Elektroden 7 zwischen den zweiten Sammelschienen­ elektroden 5 a und 5 b) vorgesehen für den Ausgangsinter­ digitalwandler 3 und die maximale Apertur des Ausgangs­ interdigitalwandlers 3 beträgt 2000 µm. Die erste Ausfüh­ rungsform wird in einem Zwischenfrequenz (IF)-Filter eines Fernsehempfängers eingesetzt und die Mittenfrequenz beträgt 56,5 MHz.
Fig. 2 ist eine schematische Ansicht einer herkömmlichen Einrichtung für eine akustische Oberflächenwelle, die für den gleichen Zweck wie die erste Ausführungsform verwendet wird. Die gleichen Bezugszeichen kennzeichnen die gleichen Elemente wie die in Fig. 1. Das Substrat, die Anzahl der Quellen für die akustische Oberflächenwelle und die Aperturen bzw. Öffnungen der Wandler sind die gleichen wie in der ersten Ausführungsform.
Fig. 3 ist ein Blockdiagramm einer Zwischenfrequenzschal­ tung für das Fernsehen, die eine Einrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet. Eine Einrichtung für eine akustische Oberflächenwelle 11 entsprechend der vorliegenden Erfindung ist mit einem Tuner 10 verbunden, um ein Signal eines Kanals auszufiltern und um das Durch­ laßband des Bildsignals und den Pegel des Tonsignals einzustellen. Der Ausgangsanschluß ist mit einer integrier­ ten Schaltung 13, die die Funktion einer Vorverstärkung, einer Demodulation usw. hat, über einen Transformator 12 verbunden. Herkömmlicherweise ist ein Dämpfungswiderstand 14 mit der Einrichtung 11 verbunden, um den Tuner 10 auf die Einrichtung für die akustische Oberflächenwelle 11 am Ausgang abzustimmen. In dem System, das die Einrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet, ist jedoch die Impedanz der Einrichtung für die akustische Ober­ flächenwelle erniedrigt und der Widerstand 14 wird weg­ gelassen aus Gründen der Verlustreduzierung. Als Ergebnis nimmt die Eingangsanschlußseite der Einrichtung für die akustische Oberflächenwelle nahezu den angepaßten Zustand ein und die reflektierte Welle (RW), die durch die Last des Wandlers bestimmt wird, beträgt ungefähr 10 dB. Auf der anderen Seite wird das dreifache Wanderecho (TTE) zwischen den Elektroden wegen der oben beschriebenen MEL nicht ausreichend unterdrückt, wenn eine herkömmliche Einrichtung für eine akustische Oberflächenwelle eingerich­ tet wird.
Fig. 4 zeigt die Ergebnisse der Messung des Reflexionsver­ lusts (MEL), der durch den herkömmlichen Ausgangsinter­ digitalwandlers nach Fig. 2 erzeugt wird. Der Reflexions­ verlust (MEL) beträgt ungefähr 23 dB im Filterband. Da der Reflexionsverlust auf der Eingangsanschlußseite 10 dB ist, beträgt der totale Reflexionsverlust 33 dB. Fig. 5 zeigt den Einfügungsverlustfrequenzverlauf der herkömm­ lichen Einrichtung nach Fig. 2. Obwohl der Verlust nur 18 dB beträgt, wird in dem Band eine Amplitudenoberwellig­ keit von 0,5 dB p-p und eine Gruppenverzögerungsoberwellig­ keit (group delay ripple) von 100 ns p-p erzeugt. Im Gegensatz dazu zeigt Fig. 6 die Ergebnisse der Messung des Reflexionsverlustes (MEL), der von dem Ausgangsinter­ digitalwandler des ersten Ausführungsbeispiels nach Fig. 1 erzeugt wird. Der Reflexionsverlust im Filterband beträgt ungefähr 27 dB und 37 dB insgesamt. Das bedeutet, daß die erste Ausführungsform die Wirkung hat, den Reflexionsver­ lust um 4 dB zu verbessern. Fig. 7 zeigt den Einfügungs­ verlustfrequenzverlauf der ersten Ausführungsform. Die Amplitudenoberwelligkeit beträgt 0,2 dB p-p und die Gruppen­ verzögerungsoberwelligkeit beträgt 60 ns p-p . Somit ist der Einfügungsverlustfrequenzgang der ersten Ausführungs­ form verbessert.
Fig. 8 ist eine schematische Ansicht einer zweiten Ausführungsform einer Einrichtung für eine Oberflächenwelle gemäß der vorliegenden Erfindung. In dieser Ausführungsform sind die zweiten Sammelschienenelektroden 5 a und 5 b entlang den Umhüllenden 8 auf der Ausgangselektrode 3 in Abschnit­ ten entfernt von der Eingangselektrode 2 ausgebildet. Die übrige Struktur ist die gleiche wie die der ersten Ausfüh­ rungsform. Fig. 9 zeigt den Reflexionsverlustfrequenzgang der zweiten Ausführungsform nach Fig. 8. Der Reflexions­ verlust im Filterband beträgt ungefähr 30 dB. Das bedeutet, daß die zweite Ausführungsform den Reflexionsverlust um 3 dB besser unterdrückt als die erste Ausführungsform.
Fig. 10 ist eine schematische Ansicht einer dritten Ausführungsform der Einrichtung für die akustische Ober­ flächenwelle gemäß der vorliegenden Erfindung. In dieser Ausführungsform sind die zweiten Sammelschienenelektroden 5 a und 5 b entlang den Umhüllenden 8 auf dem Gesamtabschnitt der Ausgangselektrode 3 ausgebildet. Die übrige Struktur ist die gleiche wie die in der ersten Ausführungsform. Fig. 11 zeigt den Reflexionsverlust, der durch den Ausgangsinterdigitalwandler 3 in der ersten Ausführungsform nach Fig. 10 erzeugt wird. Der Reflexionsverlust im Filterband beträgt 33 dB. Das bedeutet, daß die zweite Ausführungsform den Reflexionsverlust um 3 dB besser unterdrücken kann als die zweite Ausführungsform nach Fig. 8.
Fig. 12 ist eine schematische Ansicht einer vierten Ausführungsform einer Einrichtung für eine akustische Oberflächenwelle gemäß der vorliegenden Erfindung. In dieser Ausführungsform wird ein unidirektionaler Wandler 15 als Eingangsinterdigitalwandler verwendet, wodurch der Verlust weiter reduziert wird. Der unidirektionale Wandler ist ein unidirektionaler bzw. einseitig gerichteter Wandler vom Gruppentyp, der eine Meander-Elektrode 16 verwendet. Die zweiten Sammelschienenelektroden 5 a und 5 b sind ebenso vorgesehen, um die MEL zu unterdrücken. Entsprechend dieser Ausführungsform wird die MEL sogar im Fall des Einsatzes von unidirektionalen Elektroden vom unregel­ mäßigen Abstandstyp unterdrückt, die wahrscheinlich MEL erzeugen.
Fig. 13 zeigt eine fünfte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Diese Ausführungsform hat die gleiche Struktur wie die dritte Ausführungsform nach Fig. 10, mit der Ausnahme, daß die jeweils gegenüberliegenden Paare von Elektroden 17 a zwischen der ersten Sammelschienenelektrode 4 a und der zweiten Sammelschienenelektrode 5 a und die Elektroden 17 b zwischen der ersten Sammelschienenelektrode 4 b und der zweiten Sammelschienenelektrode 5 b nicht richtig gegenüberliegend angeordnet sind und wie die gegenüberliegenden Paare der Elektrodenpaare 6 a und 6 b in der dritten Ausfüh­ rungsform nach Fig. 10, sondern mit einem Abstand von λ 0/8 gegenüber den jeweiligen Symmetriepunkten angeordnet sind. Genauer hat jede der Elektroden 17 a und 17 b eine Breite von λ 0/8 und beide von ihnen sind in einem Intervall von λ 0/8 angeordnet. Deshalb erzeugt die gegenüberliegende Lage der Elektrode 17 a einen Spalt zwischen den Elektroden 17 b, während in der gegenüberliegenden Lage des Spaltes zwischen den Elektroden 17 a die Elektrode 17 b angeordnet ist. In dieser Ausführungsform haben die Reflexionen, die von den Elektroden 17 a erzeugt werden, umgekehrte Phasen, so daß sie sich gegenseitig auslöschen. Als Ergebnis wird die Reflexion, die durch die Elektroden 17 a und 17 b erzeugt wird, nahezu null im gesamten, wodurch die MEL mehr als in allen anderen Ausführungsformen unterdrückt wird. Obwohl in der fünften Ausführungsform nach Fig. 13 die dritte Ausführungsform nach Fig. 10 angewendet wird und die Elektroden 17 a und 17 b anstatt der Elektroden 6 a und 6 b eingesetzt werden, ist es selbstverständlich, daß die Elektroden 6 a und 6 b genauso ersetzt werden können durch die Elektroden 17 a und 17 b in den Ausführungsformen der Fig. 1, 8 und 12. Jede der Elektroden 17 a und 17 b hat eine Breite von λ 0/8 und das Intervall der jeweiligen Elektroden 17 a und 17 b beträgt λ 0/8 in der Ausführungs­ form, aber die Breite jeder der Elektroden 17 a und 17 b und der Intervalle der jeweiligen Elektroden 17 a und 17 b können willkürlich eingestellt werden (z. B. kann die Breite der Elektrode auf λ 0/4 und das Intervall der Elektroden auf λ 0/4 eingestellt werden). In diesem Fall ist es wesentlich, daß die gegenüberliegende Lage der Elektrode 17 a einen Spalt zwischen den Elektroden 17 b erzeugt, während auf der gegenüberliegenden Lage des Spalts zwischen den Elektroden 17 a die Elektrode 17 b angeordnet ist (z. B. wenn die Breite der Elektrode auf λ 0/4 und das Intervall der Elektroden auf λ 0/4 eingestellt wird, werden die Elektroden 17 a und 17 b in einem Abstand von λ 0/4 von den jeweiligen Symmetriepunkten angeordnet).
Fig. 14 ist eine schematische Aufsicht des Interdigital­ wandlers einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Eine Interdigitalelektrode 21 ist ein überlap­ pungsgewichteter Wandler, in dem die überlappende Breite W der Elektroden nicht konstant ist, und wird als Aus­ gangselektrode eingesetzt. Der Eingangswandler (nicht gezeigt) ist nicht überlappungsgewichtet (non-apodized) und ein Interdigitalwandler vom teilverbundenen Typ mit einer konstanten Apertur W von 1500 µm. Die Breite jeder der Elektroden des Eingangswandlers beträgt λ 0/8 und das Intervall zwischen den Elektroden beträgt λ 0/8 (λ 0 ist eine Wellenlänge der akustischen Oberflächenwellen mit der Mittenfrequenz f 0). Die Mittenfrequenz des Eingangs­ wandlers beträgt 56,5 MHz und 15 Quellenpaare für die akustische Oberflächenwelle sind vorgesehen.
In dem überlappungsgewichteten Wandler 21 dieser Ausfüh­ rungsform beträgt der mittige Zwischenabstand p 1 und p 2 zwischen den benachbarten Elektroden konstant 17 µm und das Verhältnis der Breite g der Elektroden zum Abstand zwischen benachbarten Elektroden (Metallisierungsverhältnis g/p 1 oder g/p 2) ist nicht konstant.
Mit anderen Worten ist die Breite der Elektroden in den Elektrodenpaaren unterschiedlich. Das Metallisierungsver­ hältnis g/p variiert im Bereich von 0,1 bis 0,4 oder 0,6 bis 0,9 · 50 Quellenpaare für die akustische Oberflächen­ welle sind vorgesehen. Jede der benachbarten Elektroden des Interdigitalwandlers 21 formt ein Paar und jedes Paar hat die gleiche Struktur. Zum Beispiel haben die Elektroden 21 a und 21 b die gleiche Struktur und die Elektroden 21 c und 21 d haben die gleiche Struktur.
Jeder dieser Eingangs- und Ausgangswandler besteht aus einem Aluminiumdünnfilm mit 6000 Dicke, der auf ein 128° Y-X Lithium Niobat Substrat (nicht gezeigt) abge­ schieden ist und ist mittels Photolithography ausgebildet.
Diese Ausführungsform wird als IF-Filter des Zwischenfre­ quenzverstärkers eines Farbfernsehempfängers verwendet. Der Zwischenfrequenzfilter (= IF-Filter) ist zwischen dem Tuner und dem Bild- und Tonverstärker eingefügt und hat die Funktion des Einstellens des Bildträgersignals, des Chroma-Hilfsträgersignals und des Tonträgersignals auf den notwendigen Kanal aus den Signalen, die aus dem Empfangssignal durch den Tuner ausgewählt worden sind, auf einen angemessenen Pegel, während die Signale auf den anderen nicht notwendigen Kanälen unterdrückt werden, und die so eingestellten Signale dem Bild- und Tonverstärker zuführt.
Im allgemeinen ist der Pegel des Tonhilfsträgersignals um 10 bis 20 dB niedriger als der Pegel des Bildträgersignals, um die relative Modulation des Bildsignals und des Tonsi­ gnals im Zwischenfrequenzverstärker zu reduzieren, wodurch die geeignete Tonempfindlichkeit erhalten wird. Der Frequenzverlauf der Amplitude der Einrichtung für die akustische Oberflächenwelle, der im allgemeinen verwendet wird, ist nicht-symmetrisch mit Bezug auf den Frequenzver­ lauf einer Falle, die vorgesehen ist, um die Bild- und Tonträgersignale auf benachbarten Kanälen zu unterdrücken.
Eine Einrichtung für eine akustische Oberflächenwelle ist aus wenigstens zwei Wandlern zusammengesetzt und ein nicht überlappungsgewichteter Wandler (nicht gezeigt) wird als einer (Eingangswandler) der Wandler, wie in dieser Ausführungsform, wodurch das Design erleichtert und die Chipgröße reduziert wird. Da die Amplitude sym­ metrisch im Frequenzgang eines nicht überlappungsgewich­ teten Wandlers ist, und wenn ein Filter erforderlich ist, um einen nicht-symmetrischen Frequenzverlauf, wie oben beschrieben, zu haben, muß der andere Wandler einen nicht symmetrischen Frequenzverlauf aufweisen.
Da der mittige Zwischenabstand zwischen den benachbarten Quellen für die akustische Oberflächenwelle eines Wandlers, der einen nicht-symmetrischen Frequenzverlauf hat, nicht konstant ist, ist es unmöglich, die Breite und den nicht- metallisierten Teil konstant auf λ 0/8 einzustellen. In dieser Ausführungsform ist der mittige Zwischenabstand zwischen den benachbarten Elektroden entsprechend der Frequenz des filternden Bandes eingestellt, wodurch eine ausreichende Unterdrückung der MEL in der Frequenznach­ barschaft des filternden Bandes gegeben ist.
Wie oben beschrieben, überträgt der IF-Filter ein Bildsi­ gnal, ein Chromasignal und ein Tonsignal. Unter diesen ist im Tonsignalband die Linearität des Phasenverlaufs nicht besonders wichtig, aber lineare Phasenverläufe sind erforderlich im Bildsignalband und im Farbsignalband.
In Anbetracht dieser Tatsache hat diese Ausführungsform eine Struktur zur ausreichenden Unterdrückung der MEL in dem Band von der niederfrequenten Seite (54,57 MHz) des Farbhilfsträgerbandes bis zur Hochfrequenzseite (59,25 MHz) des Bildträgerbandes. In der sechsten Ausführungsform nach Fig. 14 wird das Metallisierungsverhältnis g/p nicht konstant sein, da der mittige Zwischenabstand zwischen den benachbarten Quellen der akustischen Oberflächenwelle nicht konstant ist. Die MEL der akustischen Oberflächenwelle, die eine Wellenlänge hat, die dem vierfachen des mittigen Zwischenabstands p zwischen den benachbarten Elektroden entspricht, wird zwischen einem Elektrodenpaar (z. B. ein Elektrodenpaar 21 a und 21 b oder 21 c und 21 d) ausgelöscht. Zusätzlich wird eine ausreichende MEL-Unterdrückung auch in der Nachbarschaft von dieser Frequenz erhalten.
Wie in Fig. 15 gezeigt, hat die Ausführungsform nach Fig. 14 einen ausreichenden MEL-Unterdrückungseffekt (z. B. nicht weniger als 41 dB bezogen auf das Hauptsignal) in dem Frequenzband des Farbhilfsträgerbandes bis zum Bildträger. Minimal beträgt die MEL-Unterdrückung 35 dB.
Die Frequenzgänge der Ausführungsform einer Einrichtung für eine akustische Oberflächenwelle nach Fig. 14 werden in Fig. 16 gezeigt. Die Oberwelligkeit in dem Amplitudenfre­ quenzgang 23 beträgt nicht mehr als 0,2 dB p-p und die Oberwelligkeit des Gruppenverzögerungsfrequenzverlaufs 24 beträgt nicht mehr als 60 ns p-p . Somit erzeugt diese Ausführungsform zufriedenstellende Frequenzgänge. Der Einfügungsverlust in dieser Ausführungsform beträgt 18,2 dB.
In dieser Ausführungsform ist der mittige Zwischenabstand zwischen den benachbarten Elektroden gleichen Potentials konstant, aber es ist klar, daß der Abstand zwischen den benachbarten Elektroden unterschiedlichen Potentials konstant sein kann.
Die Verbesserungen, die durch die vorliegende Erfindung bewirkt werden, werden nachfolgend mit Bezug auf die Fig. 17, 18 und 23, die den Stand der Technik zeigen, erläutert.
Der herkömmliche überlappungsgewichtete Wandler, der einen nicht-symmetrischen Frequenzverlauf aufweist, wird wie nachfolgend aufgebaut. Die Breite einer Elektrode und eines nicht-metallisierten Teils zwischen den Elektroden beträgt 1/4 des Intervalls zwischen den benachbarten Quellen für die akustische Oberflächenwelle. Deshalb ist das Metallisierungsverhältnis konstant 0,5. Fig. 17 zeigt den MEL-Frequenzverlauf 32 des Wandlers, der ein konstantes Metallisierungsverhältnis von 0,5 aufweist. Die Einrichtung für die akustische Oberflächenwelle nach Fig. 23 hat die gleiche Struktur wie die sechste Ausfüh­ rungsform nach Fig. 14 mit der Ausnahme, daß sie ein konstantes Metallisierungsverhältnis von 0,5 aufweist. In Fig. 17 ist der Verlust von MEL im Frequenzband nicht größer als 22 dB. Es ist aus einem Vergleich zwischen den Fig. 15 und 17 klar, daß die sechste Ausführungsform nach Fig. 14 eine verbesserte Wirkung um 13 dB hat. Fig. 18 zeigt die Frequenzverläufe der Einrichtung für eine akustische Oberflächenwelle, die einen herkömmlichen Wandler mit einem konstanten Metallisierungsverhältnis von 0,5 hat. Die Einrichtung für die akustische Ober­ flächenwelle hat die gleiche Struktur wie die sechste Ausführungsform nach Fig. 14 mit der Ausnahme, daß sie ein konstantes Metallisierungsverhältnis von 0,5 aufweist. Die Oberwelligkeit des Amplitudenfrequenzverlaufs 33 beträgt 0,5 db p-p und die Oberwelligkeit des Gruppenver­ zögerungsfrequenzgangs 34 ist 100 ns p-p . Somit ist es schwierig, eine solche Einrichtung für eine akustische Oberflächenwelle praktisch einzusetzen.
Im Unterschied hierzu kann die sechste Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung nach Fig. 14 ausreichend MEL unterdrücken und deshalb kann sie zur praktischen Anwendung eingesetzt werden.
Eine siebte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nachfolgend mit Bezug auf die Fig. 19 und 20 erläutert. Fig. 19 ist eine schematische Aufsicht des überlappungs­ gewichteten Wandlers dieser Ausführungsform und Fig. 20 zeigt den MEL-Frequenzverlauf 42 dieser Ausführungsform.
Diese Ausführungsform zielt darauf ab, die MEL in einem breiten Band zu unterdrücken. Der mittige Zwischenabstand p zwischen den benachbarten Elektroden 41 dieser Ausfüh­ rungsform ist nicht konstant. In anderen Worten sind der mittige Zwischenabstand p zwischen den benachbarten Elektroden 41 und das Metallisierungsverhältnis g/p so bestimmt, daß die MEL nicht in einem bestimmten Frequenz­ band, sondern im gesamten Frequenzband unterdrückt wird. Entsprechend der Ausführungsform nach Fig. 19 wird die MEL um nicht weniger als 39 dB im Gesamtband, wie in Fig. 20 gezeigt wird, unterdrückt.
Eine achte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird mit Bezug auf die Fig. 21 und 22 erläutert.
In dieser Ausführungsform wird ein unidirektionaler Wandler vom Gruppentyp als Interdigitalelektrodenwandler ein­ gesetzt. Fig. 1 ist eine schematische Aufsicht des überlappungsgewichteten Wandlers 51 dieser Ausführungsform und Fig. 22 zeigt den MEL-Frequenzverlauf 52 dieser Ausführungsform.
Wenn ein unidirektionaler Wandler vom Gruppentyp mit einem nicht überlappungsgewichteten Wandler (nicht gezeigt) verwendet wird, weist die Amplitude auf der Hochfrequenz­ seite im allgemeinen eine große Asymmetrie auf. Es ist deshalb notwendig, daß ein überlappungsgewichteter Wandler (transducer), der als der andere Wandler eingesetzt wird, eine größere Asymmetrie als in der sechsten Ausführungsform aufweist.
Ein unidirektionaler Wandler 51 vom Gruppentyp ist zusam­ mengesetzt aus einer Zuführungselektrode 55, einer Refle­ xionselektrode 56 und einer Meanderelektrode 57. Der unidirektionale Wandler 51 vom Gruppentyp leitet akustische Oberflächenwellen unidirektional fort, wenn die geome­ trische Phasendifferenz, die durch den mittigen Zwis­ chenabstand L zwischen der Zuführungselektrode 55 und der Reflexionselektrode 56 bestimmt ist, und die elektrische Phasendifferenz, die von einem Phasenschieber (nicht gezeigt) erzeugt wird, der mit der Zuführungselektrode 55 und der Reflexionselektrode 56 verbunden ist, geeignet eingestellt sind. In diesem Fall, wenn die Einrichtung angepaßt ist, wird der Verlust minimal und die unerwünschte Reflexion (RW), die durch die Bedingungen zum Anpassen der Einrichtung an die Last bestimmt wird, unterdrückt.
In dieser Ausführungsform sind zwei Quellenpaare der akustischen Oberflächenwelle für jede Gruppe vorgesehen. In Fig. 21 werden nur 3 Gruppen als Teil des Wandlers gezeigt. Für die Unterdrückung der MEL ist das Metal­ lisierungsverhältnis unterschiedlich in den Elektroden. In der achten Ausführungsform in Fig. 21 beträgt die MEL-Unterdrückung nicht mehr als 36 dB, was aus Fig. 22 offensichtlich ist. Der Gesamtverlust der Einrichtung für die akustische Oberflächenwelle beträgt 6,3 dB, die Amplitudenoberwelligkeit beträgt nicht mehr als 0,1 dB p-p und die Gruppenverzögerungsoberwelligkeit beträgt nicht mehr als 40 ns p-p . Somit weist die achte Ausführungsform ebenfalls gute Eigenschaften auf.
Wie oben beschrieben, ist entsprechend der Erfindung auch eine Einrichtung für eine akustische Oberflächenwelle, die einen nicht-symmetrischen Frequenzverlauf hat, auch fähig, die MEL ausreichend zu unterdrücken und einen Frequenzverlauf mit niedriger Oberwelligkeit zu reali­ sieren. Da die MEL ausreichend unterdrückt wird, sogar in dem Fall, wenn ein Interdigitalelektrodenwandler mit einem nicht-symmetrischen Frequenzverlauf eingesetzt wird, wird die Oberwelligkeit des Frequenzverlaufs un­ terdrückt und das Vermögen des Filters wird erhöht.
Obwohl die vorliegende Erfindung auf einen überlappenden überlappungsgewichteten Wandler in den oben beschriebenen Ausführungsformen angewendet wird, ist es selbstverständ­ lich, daß die vorliegende Erfindung ebenso anwendbar ist auf einen sogenannten phasenüberlappungsgewichteten Wandler, in dem die überlappende Breite konstant ist, und der mittige Zwischenabstand zwischen den benachbarten Quellen der akustischen Oberflächenwelle nicht konstant ist.
Obwohl hier beschrieben worden ist, was gegenwärtig als bevorzugte Ausführungsformen der Erfindungen in Betracht zu ziehen ist, ist es klar, daß unterschiedliche Abänderun­ gen von diesen gemacht werden können, und es ist beabsich­ tigt, daß die angehängten Ansprüche all diese Modifika­ tionen abdecken, die zum Gegenstand und dem Bereich der Erfindung gehören.

Claims (8)

1. Einrichtung für akustische Oberflächenwellen, gekennzeichnet durch:
ein piezoelektrisches Substrat;
einen Eingangswandler, der aus Interdigitalelektroden zusammengesetzt ist und auf dem Substrat ausgebildet ist; und
einen Ausgangsinterdigitalwandler, der aus Inter­ digitalelektroden zusammengesetzt ist und auf dem Substrat ausgebildet ist;
wobei wenigstens der Eingangswandler oder der Aus­ gangswandler zusammengesetzt ist aus:
ersten Sammelschienenelektroden, die die Kanten der Elektroden gleichen Potentials der Interdigitalelektro­ den fluchtend verbinden;
zweiten Sammelschienenelektroden, die die Elektroden gleichen Potentials der Interdigitalelektroden in der Nachbarschaft der überlappenden Teile verbinden;
eine erste Elektrodengruppe, die aus einer Vielzahl von Elektroden besteht, die die gleiche Breite haben und zwischen den ersten Sammelschienenelektroden und den zweiten Sammelschienenelektroden in einem Intervall angeordnet sind, das gleich der Breite der Elektrode ist; und
einer zweiten Elektrodengruppe, die aus Elektroden besteht, die in unregelmäßigen Abständen angeordnet sind, von denen ein Ende mit einem Ende der zweiten Sammelschienenelektroden verbunden ist, und die anderen Enden von wenigstens einem Teil dieser Elektroden mit den Elektroden unterschiedlichen Potentials überlappt sind, wodurch die Quellen der akustischen Oberflächen­ welle gebildet werden.
2. Einrichtung für eine akustische Oberflächenwelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jede dieser zweiten Sammelschienenelektroden in sinus­ förmiger Konfiguration ausgebildet ist.
3. Einrichtung für eine akustische Oberflächenwelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten Sammelschienenelektroden entlang den Umhüllenden der überlappenden Abschnitte der Elektroden der zweiten Elektrodengruppe ausgebildet sind.
4. Einrichtung für eine akustische Oberflächenwelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Elektrodengruppe aus vielen Paaren von den Elektroden unterschiedlichen Potentials bestehen, die in einem Abstand, der gleich der Breite der Elektrode ist, von den jeweiligen Symmetriepunkten angeordnet sind.
5. Einrichtung für eine akustische Oberflächenwelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Eingangs­ wandler oder der Ausgangswandler, der zusammengesetzt ist aus den ersten Sammelschienenelektroden, den zweiten Sammelschienenelektroden, der ersten Elektro­ dengruppe und der zweiten Elektrodengruppe zusätzlich eine Meanderelektrode aufweist, die derart angeordnet ist, daß sie sich meanderförmig durch die zweite Elektrodengruppe schlängelt und in Verbindung einen unidirektionalen Wandler vom Gruppentyp bildet.
6. Einrichtung für eine akustische Oberflächenwelle, die aufweist:
ein piezoelektrisches Substrat;
einen Eingangswandler, der aus Interdigitalelektroden zusammengesetzt ist und auf dem Substrat ausgebildet ist;
einen Ausgangsinterdigitalwandler, der aus Inter­ digitalelektroden zusammengesetzt ist und auf dem Substrat ausgebildet ist; wobei wenigstens der Ein­ gangswandler oder der Ausgangswandler zusammengesetzt ist aus:
Sammelschienenelektroden, die die Kanten der Elektroden gleichen Potentials der Interdigitalelektroden fluch­ tend verbinden;
einer Elektrodengruppe mit unregelmäßigem Abstand, die aus Elektroden besteht, die in unregelmäßigen Abständen angeordnet sind und mit einem ihrer Enden mit einer der Sammelschienenelektroden verbunden ist, wobei die anderen Enden von wenigstens einem Teil der Elektroden mit den Elektroden unterschiedlichen Potentials überlappt sind, wodurch die Quellen für die akustischen Oberflächenwelle gebildet sind, und jede der benachbarten Elektroden, die die gleiche Breite und die gleiche Länge haben ein Paar bilden und das Metallisierungsverhältnis g/p, das das Ver­ hältnis der Breite g der Elektrode und des mittigen Zwischenabstands p zwischen benachbarten Elektroden ist, im Bereich von 0,1g/p0,4 oder 0,6g/p0,9 variiert ist, in Abhängigkeit von diesem Paar, wodurch eine unerwünschte Reflexion, die an der Grenze der Elektrode erzeugt wird, unterdrückt wird.
7. Einrichtung für eine akustische Oberflächenwelle gemäß Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der mittige Zwischenabstand zwischen benachbarten Elek­ troden, die die Elektrodengruppe mit unregelmäßigem Abstand bilden, konstant ist und daß die Breite der Elektrode in Abhängigkeit von dem Paar variiert, wodurch das Metallisierungsverhältnis g/p im Bereich von 0,1g/p0,4 oder 0,6g/p0,9 in Abhängig­ keit von dem Paar variiert.
8. Einrichtung für eine akustische Oberflächenwelle nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Eingangs­ wandler oder der Ausgangswandler, der zusammengesetzt ist aus den Sammelschienenelektroden und der Elektro­ dengruppe mit unregelmäßigem Abstand zusätzlich eine Meanderelektrode aufweist, die derart angeordnet ist, daß sie sich meanderförmig durch die Elektrodengruppe mit unregelmäßigem Abstand hindurchschlängelt und in Kombination einen unidirektionalen Wandler vom Gruppen­ typ bildet.
DE3838383A 1987-11-13 1988-11-11 Einrichtung fuer akustische oberflaechenwellen mit ueberlappungsgewichtetem wandler, der mit einer elektrodengruppe mit unregelmaessigem abstand versehen ist Granted DE3838383A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62285338A JP2590347B2 (ja) 1987-11-13 1987-11-13 弾性表面波装置
JP62323960A JP2574828B2 (ja) 1987-12-23 1987-12-23 弾性表面波装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3838383A1 true DE3838383A1 (de) 1989-06-01
DE3838383C2 DE3838383C2 (de) 1992-11-26

Family

ID=26555840

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3838383A Granted DE3838383A1 (de) 1987-11-13 1988-11-11 Einrichtung fuer akustische oberflaechenwellen mit ueberlappungsgewichtetem wandler, der mit einer elektrodengruppe mit unregelmaessigem abstand versehen ist

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4918349A (de)
DE (1) DE3838383A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4330438B4 (de) * 1992-09-09 2010-07-01 Hitachi, Ltd. Oberflächenakustikwelleneinrichtung

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2847438B2 (ja) * 1991-03-29 1999-01-20 三井金属鉱業株式会社 弾性表面波素子
US5162689A (en) * 1991-05-01 1992-11-10 Motorola, Inc. Single-phase uni-directional acoustic wave transducer
JP2844968B2 (ja) * 1991-06-27 1999-01-13 日本電気株式会社 弾性表面波フィルタ用重み付け電極
DE4227340C2 (de) * 1991-08-22 1995-09-21 Hitachi Ltd Oberflächenwellen-Bauelement
US5216312A (en) * 1992-02-28 1993-06-01 Hewlett-Packard Company Fluid sensing device having reduced attenuation of shear transverse waves
US5220234A (en) * 1992-03-02 1993-06-15 Hewlett-Packard Company Shear transverse wave device having selective trapping of wave energy
US5321331A (en) * 1992-03-13 1994-06-14 Hewlett-Packard Company Double-sided fluid sensor for reduced attenuation of shear transverse waves
DE19512251C2 (de) * 1995-03-31 1997-04-03 Siemens Ag Interdigitalwandler für ein Oberflächenfilter
DE19548045A1 (de) * 1995-12-21 1997-07-03 Siemens Matsushita Components Mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Filter -OFW-Filter
JPH11225038A (ja) * 1998-02-06 1999-08-17 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
DE19808549B4 (de) * 1998-02-28 2008-07-10 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Kammstruktur sowie Beschleunigungssensor und Antrieb mit dieser Kammstruktur
DE10010089A1 (de) * 2000-03-02 2001-09-06 Epcos Ag Oberflächenwellenwandler mit optimierter Reflexion
US7050155B2 (en) 2001-10-30 2006-05-23 Pixelligent Technologies Llc Advanced exposure techniques for programmable lithography
US7744732B2 (en) * 2005-04-06 2010-06-29 Leviton Manufacturing Company, Inc. Continuous plating system and method with mask registration
DE102010055628B4 (de) * 2010-12-22 2018-09-06 Snaptrack, Inc. Elektroakustischer Resonator

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1360235A (en) * 1971-04-17 1974-07-17 Marconi Co Ltd Acoustic surface wave devices
US3866154A (en) * 1973-12-03 1975-02-11 Westinghouse Electric Corp Broadband unidirectional surface wave transducer
JPS5556716A (en) * 1978-10-24 1980-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Elastic surface wave device
JPS5558614A (en) * 1978-10-26 1980-05-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Elastic surface wave device
JPS55154815A (en) * 1979-05-21 1980-12-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Elastic surface wave filter
JPS5654114A (en) * 1979-10-11 1981-05-14 Nec Corp Reed screen shape converter of elastic surface wave
JPS5715519A (en) * 1980-07-01 1982-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Elastic surface wave device
JPS57147318A (en) * 1981-03-09 1982-09-11 Toshiba Corp Surface acoustic wave filter element
EP0088400A2 (de) * 1982-03-08 1983-09-14 Siemens Aktiengesellschaft Interdigitalwandler mit Unterdrückung reflektierter Störsignale
US4429246A (en) * 1980-12-18 1984-01-31 Toko, Inc. Group-arranged type surface acoustic wave transducer
JPS59117309A (ja) * 1982-12-23 1984-07-06 Toshiba Corp 弾性表面波装置
EP0176786A2 (de) * 1984-09-03 1986-04-09 Epprecht, Georg, Prof., Dr. Wandler für SAW-Anordnung
US4602228A (en) * 1983-11-30 1986-07-22 Hitachi, Ltd. Surface acoustic wave filter
US4680497A (en) * 1986-04-28 1987-07-14 Northern Telecom Limited Surface acoustic wave devices

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2618210C3 (de) * 1976-04-26 1980-03-13 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Wandlerelektroden für Filter oder Verzögerungsleitungen nach dem Oberflächenwellenprinzip
US4160963A (en) * 1977-07-21 1979-07-10 Texas Instruments Incorporated Plural supply path acoustic surface wave device
JPS5566118A (en) * 1978-11-13 1980-05-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Elastic surface wave device
FR2520171A1 (fr) * 1982-01-15 1983-07-22 Thomson Csf Ligne a retard acoustique dispersive a ondes de surface

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1360235A (en) * 1971-04-17 1974-07-17 Marconi Co Ltd Acoustic surface wave devices
US3866154A (en) * 1973-12-03 1975-02-11 Westinghouse Electric Corp Broadband unidirectional surface wave transducer
JPS5556716A (en) * 1978-10-24 1980-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Elastic surface wave device
JPS5558614A (en) * 1978-10-26 1980-05-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Elastic surface wave device
JPS55154815A (en) * 1979-05-21 1980-12-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Elastic surface wave filter
JPS5654114A (en) * 1979-10-11 1981-05-14 Nec Corp Reed screen shape converter of elastic surface wave
JPS5715519A (en) * 1980-07-01 1982-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Elastic surface wave device
US4429246A (en) * 1980-12-18 1984-01-31 Toko, Inc. Group-arranged type surface acoustic wave transducer
JPS57147318A (en) * 1981-03-09 1982-09-11 Toshiba Corp Surface acoustic wave filter element
EP0088400A2 (de) * 1982-03-08 1983-09-14 Siemens Aktiengesellschaft Interdigitalwandler mit Unterdrückung reflektierter Störsignale
JPS59117309A (ja) * 1982-12-23 1984-07-06 Toshiba Corp 弾性表面波装置
US4602228A (en) * 1983-11-30 1986-07-22 Hitachi, Ltd. Surface acoustic wave filter
EP0176786A2 (de) * 1984-09-03 1986-04-09 Epprecht, Georg, Prof., Dr. Wandler für SAW-Anordnung
US4680497A (en) * 1986-04-28 1987-07-14 Northern Telecom Limited Surface acoustic wave devices

Non-Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 55056716 A. In: Patents Abstracts of Japan, Sect.E Vol.4 (1980), Nr.91 (E-17) *
JP 55058614 A. In: Patents Abstracts of Japan, Sect.E Vol.4 (1980), Nr.91 (E-17) *
JP 55154815 A. In: Patents Abstracts of Japan, Sect.E Vol.5 (19819, Nr.27 (E-46) *
JP 56054114 A. In: Patents Abstracts of Japan, Sect.E, Vol.5 (1981), Nr.117 (E-67) *
JP 57015519 A. In: Patents Abstracts of Japan, Sect.E Vol.6 (1982), Nr.77 (E-106) *
JP 57147318 A. In: Patents Abstracts of Japan, Sect.E Vol.6 (1982), Nr.247 (E-146) *
JP 59117309 A. In: Patents Abstracts of Japan, Sect.E Vol.8 (1984), Nr.235 (E-275) *
SMITH, W.R.: Experimental Distinction Between Crossed-Field and In-Line Three-Port Circuit Models for Interdigital Transducers. In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Nov.1974, S.960-964 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4330438B4 (de) * 1992-09-09 2010-07-01 Hitachi, Ltd. Oberflächenakustikwelleneinrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
US4918349A (en) 1990-04-17
DE3838383C2 (de) 1992-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3838383C2 (de)
DE2824371A1 (de) Akustisches oberflaechenwellenfilter
DE2846510C2 (de)
DE2045534B2 (de) Oberflächenwellenfilter
DE2848267C3 (de) Akustische Oberflachenwelleneinrichtung
DE19753664B4 (de) Oberflächenwellen-Resonatorfilter
DE2536408A1 (de) Oberflaechenschallwellen-einrichtung
DE3025871A1 (de) Akustische oberflaechenwelleneinrichtung
DE2831584C2 (de) Wandler für akustische Oberflächenwellen und Filter auf der Basis dieser Wandler
DE2739688A1 (de) Elektro-akustische vorrichtung mit einem schallfuehrungselement und elektro- akustischen wandlern
DE3236631C2 (de)
DE2512671A1 (de) Mit akustischen oberflaechenwellen in einem ausgewaehlten frequenzbereich arbeitendes geraet
DE2820046C2 (de) Akustisches Oberflächenwellen- Bauelement
DE2224497A1 (de) Elektromechanisches Filter
DE2754494C2 (de) Akustisches Oberflächenwellenfilter
DE2546193A1 (de) Vorrichtung fuer elastische oberflaechenwellen
DE3227087C2 (de) Bandfilterverstärkerschaltung
DE2610183A1 (de) Wellenfilter mit akustischer oberflaechenleitung
DE19606690B4 (de) Oberflächenwellenresonator mit einer Transversalmodus-Welligkeit am Resonanzpunkt
DE10358347B4 (de) Oberflächenwellenfilter
DE2220924C3 (de) Oberflächenwellenfilter für einen Farbfernsehempfänger
DE2314642A1 (de) Filter fuer akustische wellen
DE2811791A1 (de) Gedruckte schaltungsplatte, insbesondere fuer fernsehempfaenger
DE2945643C2 (de)
EP1190484B1 (de) Wandler für akustische oberflächenwellen

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition