DE3832126A1 - Informationsspeichermedium - Google Patents

Informationsspeichermedium

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Description

Die Erfindung betrifft ein Informationsspeichermedium, z. B. eine optische Platte, zur Aufzeichnung oder Löschen von Information durch Phasentransformation oder -übergang einer Aufzeichnungsschicht bei Bestrahlung mit einem Lichtstrahl, z. B. einem Laserstrahl.
Eine optische Platte vom Phasenübergangstyp stellt ein typisches Beispiel für eine optische Platte dar, die eine Löschung von Information gestattet. Wird ein Teil einer Aufzeichnungsschicht einer optischen Platte vom Phasenübergangstyp mit einem Laserstrahl bestrahlt, erfährt dieser Teil eine Phasentransformation bzw. einen Phasenübergang zwischen einer kristallinen Phase und einer amorphen Phase, und zwar in Abhängigkeit von den Bedingungen, unter denen die Bestrahlung mit dem Laserstrahl erfolgt. Hierbei wird eine Information entweder auf der optischen Platte aufge­ zeichnet oder von der optischen Platte gelöscht.
Werkstoffe, bei denen eine solche Phasentransformation bzw. ein solcher Phasenübergang möglich ist, sind Halbleiter, Halbleiterverbindungen und Metallegierungen, z. B. Te, Ge, TeGe, InSe, SbSe und SbTe. Solche Werkstoffe können selektiv in kristallinen Zustand oder amorphen Zustand gebracht werden. Die komplexen Beugungsindizes dieser Werkstoffe, die durch N=n-ik ausgedrückt werden, unterscheiden sich zwischen dem einen dieser Zustände und dem anderen in er­ heblichem Maße. Die genannten beiden Zustände können durch Wärmebehandlung mittels eines Laserstrahls alternierend um­ gekehrt werden, wobei es entweder zu einer Informations­ aufzeichnung oder -löschung kommt (vgl. S. R. Ovshinsky in "Metallurgical Transactions" 2, 641 [1971]).
Sämtliche der genannten Werkstoffe, deren Phase unter Informationsaufzeichnung bzw. -löschung zwischen amorph und kristallin veränderbar ist, besitzen jedoch eine niedrige Kristallisationsgeschwindigkeit. Dies führt dazu, daß die zur anfänglichen Kristallisation und Informations­ löschungskristallisation erforderlichen Perioden unerwünscht lang sind.
Neben dem geschilderten Verfahren existiert auch noch ein System, bei dem Information mittels einer reversiblen Phasen­ transformation zwischen unterschiedlichen kristallinen Phasen durch Ändern der Bestrahlungsbedingungen mit dem Laserstrahl aufgezeichnet oder gelöscht wird (vgl. JP-OS (Kokai) 61-134944). Ein typisches Beispiel für einen dabei benutzten Werkstoff ist eine In-Sb-Legierung.
Bei Bestrahlung mit einem niedrigenergetischen Laserstrahl relativ langen Impulses wird das Korn eines Dünnfilms aus einer In-Sb-Legierung in ein kleinkristallines Korn umge­ wandelt. Dieses kleinkristalline Korn wächst bei Bestrahlung mit einem höherenergetischen Laserstrahl mit kurzem Impuls rasch zu einem relativ großkristallinen Korn. Die komplexen Beugungsindizes dieser beiden Kristallstrukturen unter­ scheiden sich voneinander erheblich. Wird von einer Auf­ zeichnungsschicht durch Bestrahlen mit einem Laserstrahl Information abgelesen, werden die Kristallzustände auf der Basis eines Unterschieds zwischen den durch die Aufzeich­ nungsschicht reflektierten Lichtmengen unterschieden.
Von den In-Sb-Systemen besitzt eine intermetallische In₅₀Sb₅₀-Verbindung eine hohe Kristallisationsgeschwindigkeit. Die tatsächliche Informationsaufzeichnung bereitet jedoch Schwierigkeiten, da keine (später beschriebene) Sb-Abscheidung erfolgt.
Ist der In-Gehalt der Aufzeichnungsschicht höher als der Sb-Gehalt, läßt sich nicht immer eine vollständige Phasen­ transformation gewährleisten, so daß manchmal eine Infor­ mationsaufzeichnung nicht möglich wird.
Ist der Sb-Gehalt der Aufzeichnungsschicht höher als der In-Gehalt, geht die Aufzeichnungsschicht bei Bestrahlung mit einem Laserstrahl in eine Mischphase aus intermetallischem InSb-Kristallkorn und Sb-Kristallkorn über. Die Größe des Sb-Kristallkorns ändert sich mit den Bedingungen, unter denen die Bestrahlung mit dem Laserstrahl erfolgt. Auf diese Weise läßt sich die Information aufzeichnen.
Da jedoch Sb eine geringe Kristallwachstumsgeschwindigkeit aufweist, verlängern sich die Initialisierungsdauer und Löschungsdauer für die Aufzeichnungsschicht derart, daß kein Hochgeschwindigkeitsbetrieb möglich wird. Insbesondere können Initialisierungsfehler und eine unvollständige Löschung auftreten. Wird beim "Beschreiben" die optische Platte mit hoher Geschwindigkeit gedreht, kann das Kristallkorn nicht in ausreichendem Maße wachsen, so daß es zu einer un­ zureichenden Aufzeichnung kommt.
Der Erfindung lag die Aufgabe zugrunde, ein Informations­ speichermedium mit guten Informationsspeichereigenschaften zu schaffen, bei dem sowohl die Initialisierung einer Auf­ zeichnungsschicht als auch die Informationslöschung mit hoher Geschwindigkeit vorgenommen werden können.
Gegenstand der Erfindung ist somit ein Informationsspeicher­ medium aus einem Substrat und einer darauf befindlichen Aufzeichnungsschicht, die bei Ändern der Bestrahlungsbedin­ gungen mit einem Lichtstrahl einen reversiblen Phasen­ übergang bzw. eine reversible Phasentransformation zwischen unterschiedlichen Phasen erfährt.
Die Aufzeichnungsschicht enthält eine aus vier Elementen bestehende In-Sb-Te-Au-Legierung einer Zusammensetzung
  • a) In50-x Sb₅₀Te y Au z , worin x, y und z in Atom-% ausgedrückt sind und x=y+z,y≧2z und 1≦x≦6;
  • b) In50-x Sb50-x Te y Au z , worin x, y und z in Atom-% ausgedrückt sind, 2x=y+z und 0 <x≦10, oder
  • c) (In100-x Sb x )100-y-z Te y Au z , worin x, y und z in Atom-% ausgedrückt sind und 48≦x≦52 und 0,05≦y+z≦5.
Durch Ändern der Bedingungen, unter denen die Bestrahlung mit dem Laserstrahl erfolgt, erfährt In50-x Sb₅₀Te y Au z - Legierung einen Phasenübergang zwischen einer Mischphase aus feinem Korn einer intermetallischen InSb-Verbindung und Sb x Te y Au z -Kristallkorn und einer Mischphase aus feinem Korn einer intermetallischen InSb-Verbindung und amorphem Sb x Te y Au z . Die In50-x Sb₅₀Te y Au z -Legierung andererseits erfährt einen Phasenübergang zwischen einer Mischphase aus feinem Korn einer intermetallischen InSb-Verbindung und Te y Au z -Kristallkorn und einer Mischphase aus feinem Korn der intermetallischen InSb-Verbindung und amorphem Te y Au z . Die Legierung (In100-x Sb x )100-y-z Te y Au z erfährt schließlich einen Phasenübergang zwischen einer Mischphase aus feinem Korn einer intermetallischen InSb-Verbindung und einer kristallinen InTeAu- oder SbTeAu-Legierung und einer Misch­ phase aus feinem Korn der intermetallischen InSb-Verbindung und einer amorphen InTeAu- oder SbTeAu-Legierung. Fällt die Zusammensetzung der jeweiligen Legierung in den erfindungsgemäß festgelegten Bereich, ist die Phasenübergangsge­ schwindigkeit der InTeAu- und SbTeAu-Legierungen zwischen kristalliner und amorpher Phase sehr hoch, so daß eine Informationsaufzeichnung auf der bzw. eine Informations­ löschung von der Aufzeichnungsschicht mit hoher Geschwindigkeit abläuft. Da darüber hinaus die Kristallisations­ geschwindigkeit der intermetallischen InSb-Verbindung selbst sehr hoch ist, erfolgt auch eine anfängliche Kristallisation der Aufzeichnungsschicht, die üblicher­ weise nach der Ablagerung in amorpher Phase vorliegt, mit sehr hoher Geschwindigkeit.
Da ein Information tragender Teil (im folgenden als "In­ formationsfeld" bezeichnet) der Aufzeichnungsschicht eine chemisch stabile feinkristalline intermetallische InSb- Verbindung enthält, ist die Informationsstabilität hoch. Infolge Anwesenheit von Te und Au ist auch der Signalpegel (Unterschied zwischen dem Aufzeichnungsfeld und dem Leer­ feld) der Aufzeichnungsinformation sehr hoch.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnungen näher erläutert. Im einzelnen zeigen:
Fig. 1 einen Querschnitt durch eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Informationsspeichermediums in Form einer optischen Platte;
Fig. 2 eine schematische Darstellung einer zur Herstellung des in Fig. 1 dargestellten Informationsspeicher­ mediums in Form einer optischen Platte verwendeten Zerstäubungsvorrichtung;
Fig. 3 eine Plandarstellung der Zerstäubungsvorrichtung und
Fig. 4 eine schematische Darstellung eines optischen Systems zur Aufzeichnung von Information in dem in Fig. 1 dargestellten Informationsspeicher­ medium bzw. zur Ablesung oder Löschung von In­ formation von diesem.
Im folgenden wird die Erfindung an Hand bevorzugter Ausführungs­ formen näher erläutert.
Wird eine Aufzeichnungsschicht aus einer In50-x Sb₅₀Te y Au z - Legierung mit x=y+z,y≧2z und 1≦x≦6 mit optischem Licht bestrahlt, erfährt sie einen Phasenübergang zwischen einer Mischphase aus feinem Korn einer intermetallischen InSb-Verbindung und Sb x Te y Au z -Kristallkorn und einer Misch­ phase aus feinem Korn der intermetallischen InSb-Verbindung und amorphem Sb x Te y Au z . Bei Initialisierung oder Informa­ tionslöschung wird die Aufzeichnungsschicht in eine Misch­ phase aus feinem Korn der intermetallischen InSb-Verbindung und Sb x Te y Au z -Kristallkorn gebracht. Bei der Informations­ aufzeichnung wird die Aufzeichnungsschicht in eine Misch­ phase aus feinem Korn der intermetallischen InSb-Verbindung und amorphem Sb x Te y Au z gebracht. In anderen Worten gesagt, läßt sich - da die Sb x Te y Au z -Legierung zwei verschiedene Phasen, nämlich eine kristalline und eine amorphe Phase, annehmen kann - eine Information durch Nachweisen des Reflexionsunterschieds zwischen diesen beiden Phasen ab­ lesen.
Wie erwähnt, wird eine Informationsaufzeichnung schwierig, wenn die Aufzeichnungsschicht der optischen Platte aus einer aus zwei Elementen bestehenden In x Sb100-x -Legierung besteht und x 50 Atom-% oder mehr übersteigt. Es wurde nun versucht, das In in der intermetallischen InSb- Verbindung teilweise durch Te zu ersetzen, um dadurch die Aufzeichnungseigenschaften der aus der InSb-Legierung be­ stehenden Aufzeichnungsschicht zu verbessern. Hierbei hat es sich gezeigt, daß dann, wenn die Aufzeichnungsschicht eine Zusammensetzung In50-x Sb₅₀Te x aufweist und x (in Atom-%) in einen Bereich von 0,5<x≦5 fällt, bei Bestrahlung mit optischem Licht, z. B. einem Laserstrahl, die Aufzeichnungs­ schicht einen Phasenübergang zwischen unterschiedlichen Phasen erfahren kann.
Wenn insbesondere zur Informationsaufzeichnung die Auf­ zeichnungsschicht mit einem Laserstrahl kurzen Impulses und relativ hoher Leistung bestrahlt wird, geht der bestrahlte Teil der Schicht in eine Mischphase aus feinem Korn einer intermetallischen InSb-Verbindung (In₅₀Sb₅₀) und amorphem SbTe über. Wenn andererseits die Aufzeichnungsschicht zur Löschung oder Initialisierung mit einem Laserstrahl langen Impulses und relativ niedriger Leistung bestrahlt wird, geht der bestrahlte Teil in eine Mischphase aus feinem Korn einer intermetallischen InSb-Verbindung und ins Gleich­ gewicht gesetztem SbTe-Kristallkorn über. Eine intermetallische InSb-Verbindung besitzt eine sehr hohe Kristallisations­ geschwindigkeit. Bei einer Bestimmung der Kristallisationsdauer einer amorphen intermetallischen InSb-Verbindung mit Hilfe einer statischen Meßvorrichtung wurde die Leistung des Laserstrahls auf 9 mW eingestellt und die Impulsbreite variiert. Werden Laserstrahlen auf die intermetallischen InSb- Verbindung unter Änderung der Impulsbreite gerichtet, kommt es zu einer Kristallzustandsänderung bei einer Impulsbreite des auftreffenden Laserstrahls von etwa 15 ns als Minimum­ wert. Wenn zur Bildung einer Aufzeichungsschicht reines Te verwendet wird und die Messung unter Verwendung einer statischen Meßvorrichtung erfolgt, ist die Kristallisationsge­ schwindigkeit mit mindestens 50 ns als Minimum sehr hoch. Im Gegensatz dazu beträgt die Kristallisationsgeschwindigkeit der SbTe-Legierung etwa 1 µs. Diese ist - wie der ge­ nannten Publikation zu entnehmen ist - recht niedrig. Wenn der Te-Gehalt der aus drei Elementen bestehenden beschriebenen Legierung gering ist, ist die Kristallisationsgeschwindigkeit groß, so daß die für eine Kristallisation erforderliche Be­ strahlungsdauer mit dem Laserstrahl kurz ist. Wenn jedoch der Te-Gehalt der Legierung ansteigt, sinkt auch die Kristallisationsgeschwindigkeit der SbTe-Legierung. Dies führt zu einer Verlängerung der zu einer Kristallisation erforderlichen Bestrahlungsdauer mit dem Laserstrahl. In anderen Worten gesagt, verlängert sich mit zunehmendem Te- Gehalt die Löschungsdauer. Bei der aus drei Elementen be­ stehenden In50-x Sb50Te x -Legierung ist es die SbTe-Legierung und nicht die intermetallische InSb-Verbindung, die zu einer Informationsaufzeichnung beiträgt. Folglich läßt sich die Größe eines Wiedergabesignals nicht erhöhen, sofern nicht in der Aufzeichnungsschicht eine bestimmte Menge Te ent­ halten ist. Genauer gesagt sind - da die SbTe-Legierung einen Phasenübergang zwischen einem kristallinen Zustand und einem amorphen Zustand erfährt - der Intensitätsunterschied des reflektierten Lichts zwischen den beiden Zuständen groß und der Pegel eines Wiedergabesignals hoch. Da der Intensitäts­ unterschied für das reflektierte Licht bei der intermetallischen InSb-Verbindung zwischen kristallinem und amorphem Zu­ stand gering ist, trägt die intermetallische InSb-Verbindung dagegen nicht zu einer Informationsaufzeichnung bei. Wenn folglich eine Aufzeichnungsschicht unter Verwendung der aus den drei Elementen bestehenden Legierung gebildet wird, ist es für eine wirksame Informationsaufzeichnung unvermeidlich, die Kristallisationsgeschwindigkeit bis zu einem gewissen Grad zu vermindern.
Die folgende Tabelle I enthält Angaben über die Kristallisa­ tionsdauer bei Bestrahlung mit einem Laserstrahl und eine Reflexionsänderung (Relativwert) zwischen Aufzeichnungsteilen und Löschungsteilen bei Bestimmung mittels eines statischen Meßgeräts und Ändern des Te-Gehalts der aus drei Elementen bestehenden InSbTe-Legierung.
Tabelle I
Aus Tabelle I geht hervor, daß im Falle, daß der Te-Gehalt 5 Atom-% oder weniger beträgt, die Kristallisationsdauer kürzer ist, d. h. höchstens etwa ¹/₁₀ derjenigen von In₄₅Sb₅₅ (2-3 µs) beträgt, so daß eine relativ hohe Kristallisationsgeschwindigkeit gewährleistet ist.
Im Zuge der Entwicklung hochdichter und mit hoher Ge­ schwindigkeit arbeitender optischer Platten besteht ein Bedarf nach hohem Kontrast in dem Aufzeichnungsteil und einer hohen Löschungsgeschwindigkeit (die Dauer der Be­ strahlung mit dem Laserstrahl beträgt 100 ns oder weniger). Wenn folglich eine In50-x Sb₅₀Te x -Legierung als Werkstoff für die Aufzeichnungsschicht verwendet wird, sind einer beiden Anforderungen an einen hohen Kontrast und eine hohe Löschungsgeschwindigkeit genügenden Zusammensetzung unvermeidlich sehr enge Grenzen gesetzt.
Wenn im Gegensatz dazu die Aufzeichnungsschicht eine Zu­ sammensetzung innerhalb des erfindungsgemäß festgelegten Be­ reichs aufweist, lassen sich selbst dann, wenn die Platte mit sehr hoher Geschwindigkeit gedreht wird sehr rasch eine Kristallisation herbeiführen und gute Initialisierungs- und Löschungscharakteristika erreichen. Ferner ist auch ein ausreichend hoher Kontrast zwischen Aufzeichnungsfeld und Leerfeld erreichbar.
Der Grund dafür, warum der Zusatz einer geringen Menge Au zu der InSeTe-Legierung die Kristallisationsdauer ver­ kürzt, dürfte folgender sein. Wenn Au der InSbTe-Legierung zulegiert wird, wird die durch Erhöhen der Te-Menge in der Legierung gebildete Te-Kettenstruktur durch AuTe₂-Bindungen unterbrochen. Wird der Te-Gehalt erhöht, sinkt die Kristallisationsgeschwindigkeit von SbTe infolge der Te- Kettenstruktur. Wenn andererseits das Te teilweise durch Au ersetzt wird, wird die Te-Kettenstruktur unter Erhöhung der Kristallisationsgeschwindigkeit unterbrochen. Wenn die Gesamtmenge an Te und Au unter 1 Atom-% liegt, wird in diesem Falle der Kontrast zwischen dem Aufzeichnungsfeld und dem Leerfeld extrem gering. Wenn die Gesamtmenge 6 Atom-% über­ steigt, sinkt die Kristallisationsgeschwindigkeit. Folglich wird die Gesamtmenge an Te und Au auf einen Bereich von 1-6 Atom-% festgelegt. Macht der Te-Gehalt weniger als das Doppelte des Au-Gehalts aus, wird der Kontrast extrem gering. Folglich wird der Te-Gehalt so eingestellt, daß er zumindest das Zweifache des Au-Gehalts beträgt.
Wenn die Aufzeichnungsschicht aus einer In50-x Sb50-x Te y Au z -Legierung mit 2x=y+z und 0 <x≦10 besteht, erfährt sie bei Bestrahlung mit einem Lichtstrahl in Abhängigkeit von den Bestrahlungsbedingungen einen Phasenübergang zwischen einer Mischphase aus feinem Korn einer inter­ metallischen InSb-Verbindung und Te y Au z -Kristallkorn und einer Mischphase aus feinem Korn der intermetallischen InSb-Verbindung und amorphem Te y Au z . Bei der Initialisierung und Informationslöschung wird die Aufzeichnungsschicht in eine Mischphase aus feinem Korn einer intermetallischen InSb-Verbindung und Te y Au z -Kristallkorn gebracht. Bei der Informationsaufzeichnung wird das Aufzeichnungsfeld in eine Mischphase aus feinem Korn einer intermetallischen InSb-Verbindung und amorphem Te y Au z gebracht. Da Te y Au z in zwei unterschiedliche Phasen, nämlich eine kristalline und amorphe Phase, gebracht werden kann, läßt sich eine Information auf Grund eines Reflexionsunterschieds zwischen diesen beiden Phasen ablesen. In diesem Fall ist der In­ formationsaufzeichnungs-/-löschungs-Mechanismus ähnlich demjenigen im Falle einer einen Überschuß an Sb enthaltenden InSb-Legierung. Bei Bestrahlung mit optischem Licht hoher Leistung und kurzer Impulsbreite geht jedoch Te y Au z sehr leicht in die amorphe Phase über. Bei Bestrahlung mit optischem Licht geringer Leistung und langer Impuls­ breite kristallisiert es sehr rasch. Darüber hinaus besitzt die intermetallische InSb-Verbindung eine sehr hohe Kristallisationsgeschwindigkeit. Wenn folglich die Auf­ zeichnungsschicht die angegebene Zusammensetzung aufweist, lassen sich Initialisierung und Informationsaufzeichnung/ Informationslöschung mit sehr hoher Geschwindigkeit bewerk­ stelligen. Insbesondere bei der Initialisierung und In­ formationslöschung lassen sich somit eine unvollständige Initialisierung und Löschung in erheblichem Maße verringern.
Die Funktion von Au besteht - wie beschrieben - vermutlich in einer Unterbrechung der Te-Kettenstruktur. Wenn folglich die Platte mit sehr hoher Geschwindigkeit von 1500 bis 1800 Umdrehung/min gedreht wird, läßt sich die TeAu-Le­ gierung mit hoher Geschwindigkeit aus der amorphen in die kristalline Phase transformieren.
Wenn x<10, wird in diesem Falle der Wert oder Pegel des Wiedergabe­ signals der aufgezeichneten Information gering. Folglich wird x auf einen Wert 0<x≦10 eingestellt.
Wenn die Aufzeichnungsschicht aus einer (In100-x Sb x )100-y-z Te y Au z -Legierung mit 48≦x≦52 und 0,05≦y+z≦5 besteht und mit optischem Licht bestrahlt wird, erfährt sie in Abhängigkeit von den Bestrahlungsbe­ dingungen einen Phasenübergang zwischen einer Mischphase aus feinem Korn einer intermetallischen InSb-Verbindung und feinem InTeAu- oder SbTeAu-Kristallkorn und einer Mischphase aus amorphem InTeAu oder SbTeAu und feinem Korn einer intermetallischen InSb-Verbindung. Bei der Initiali­ sierung oder Informationslöschung wird die Aufzeichnungsschicht in eine Mischphase aus feinem Korn einer inter­ metallischen InSb-Verbindung und feinem InTeAu- oder SbTeAu- Kristallkorn gebracht. Bei der Informationsaufzeichnung wird das Aufzeichnungsfeld in eine Mischphase aus amorphem InTeAu oder SbTeAu und feinem Korn einer intermetallischen InSb-Verbindung gebracht.
Auch in diesem Falle ist die InTeAu- oder SbTeAu-Kristalli­ sationsgeschwindigkeit wegen der bereits geschilderten Unterbrechungsfunktion von Au in der amorphen Te-Ketten­ struktur sehr hoch. Selbst wenn die Platte mit sehr hoher Geschwindigkeit gedreht wird, lassen sich die Initialisierung und Informationslöschung mit sehr hoher Geschwindigkeit bewerkstelligen. Wenn die Aufzeichnungsschicht aus einer Legierung der angegebenen Zusammensetzung hergestellt ist, läßt sich die Platte ohne Schwierigkeiten herstellen, da die In- und Sb-Mengen in bestimmter Weise begrenzt sind. Fällt x außerhalb des Bereichs 48≦x≦52, sinkt in höchst unvorteilhafter Weise die InSb-Grundkristallisationsge­ schwindigkeit sehr stark ab. Folglich wird x durch 48≦x≦52 definiert. Werden die Te- und Au-Mengen derart gewählt, daß ihre Gesamtmenge 0,05% oder mehr beträgt, läßt sich der Kontrast zwischen dem Aufzeichnungsfeld und dem Leerfeld erhöhen. Wenn jedoch die Gesamtmenge 5% über­ steigt, sinkt die Kristallisationsgeschwindigkeit in hohem Maße. Folglich werden y und z derart eingestellt, daß sie der Bedingung 0,05≦y+z≦5 genügen.
Bei sämtlichen beschriebenen Zusammensetzungen ist in der Aufzeichnungsschicht eine feinkristalline intermetallische InSb-Verbindung hoher chemischer Stabilität enthalten. Folglich ist auch die aufgezeichnete Information hochstabil.
In besonders vorteilhafter Ausführungsform besitzt ein erfindungs­ gemäßes Informationsspeichermedium in Form einer optischen Platte die in Fig. 1 dargestellte Bauweise. Ein Substrat 11 besteht aus einem durchsichtigen Material, z. B. Glas oder einem Polycarbonatharz, das über die Zeit hinweg kaum zerstörungsanfällig ist. In dem Substrat 11 ist eine Ausnehmung gebildet. Auf dem Substrat 11 sind in der ange­ gebenen Reihenfolge eine Schutzschicht 12, eine Aufzeichnungs­ schicht 13 und Schutzschichten 14 und 15 vorgesehen. Die Schichten 12 und 14 bestehen aus SiO₂ und dienen dazu, die Schicht 13 gegen ein Aufschmelzen unter Lochbildung zu schützen. Die Schicht 15 besteht aus einem UV-härtbaren Harz und dient dazu, die Oberseite der Platte gegen Be­ schädigung zu schützen. Die Schicht 13 besteht aus der In50-x Sb₅₀Te y Au z -Legierung (x=y+z; y≦2z; 1≦x≦6), der In50-x Sb50-x Te y Au z -Legierung (2x=y+z; 0 <x≦10), oder der (In100-x Sb x )100-y-z Te y Au z -Legierung (48≦x≦52, 0,05≦y+z≦5). Die Schicht 13 erfährt in Abhängigkeit von den Bedingungen, unter denen mit optischem Licht bestrahlt wird, einen Phasenübergang.
Gegebenenfalls können die Schutzschichten 12, 13 und 15 weggelassen werden.
Im folgenden wird unter Bezugnahme auf die in Fig. 2 und 3 schematisch dargestellten Zerstäubungsvorrichtung ein Ver­ fahren zur Herstellung der beschriebenen Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Informationsspeichermediums in Form einer optischen Platte näher erläutert. Im einzelnen zeigt Fig. 2 in schematischer Darstellung eine Zerstäubungsvor­ richtung zur Ausbildung der Aufzeichnungsschicht. Fig. 3 zeigt die Zerstäubungsvorrichtung in Aufsicht.
Eine zylindrische Reaktionskammer 21 besitzt in ihrer Wandung eine Austrittsöffnung 32 und eine Gaseinlaßöffnung 31. An die Austrittsöffnung 32 ist zum Evakuieren der Reaktions­ kammer 21 eine Kältepumpe angeschlossen. Eine nicht darge­ stellte Argonzufuhrvorrichtung ist an die Gaseinlaßöffnung 31 angeschlossen, um der Reaktionskammer 21 über die Gaseinlaß­ öffnung 31 gasförmiges Argon zuzuführen. Im oberen Teil der Reaktionskammer 21 liegt ein scheibenförmiges Substrat 11 waagerecht auf einer drehbaren Unterlage 22. Wird die dreh­ bare Unterlage 22 mit Hilfe eines nicht dargestellten Motors in Drehbewegung versetzt, dreht sich damit auch das Substrat 11. In der Reaktionskammer 21 sind an Hochfrequenzstrom­ quellen 37, 38, 39 bzw. 40 angeschlossene plattenförmige Elektroden 27, 28, 29 und 30 derart angeordnet, daß sie dem Substrat 11 gegenüberliegen. Auf den Elektroden 27, 28, 29 bzw. 30 befinden sich ein Target 23 aus einer In-Sb-Legierung gegebener Zusammensetzung, ein SiO₂-Target 24, ein Te-Target 25 bzw. ein Au-Target 26. Zwischen den verschiedenen Targets 23, 24, 25 und 26 und dem Substrat 11 befinden sich Ver­ schlüsse 33, 34, 35 und 36.
Um mit Hilfe der - wie beschrieben - aufgebauten Zerstäubungs­ vorrichtung eine Zerstäubung durchzuführen, wird zunächst die Reaktionskammer 21 mit Hilfe der Kältepumpe auf ein Vakuum von 133×10-6 Pa (10-6 Torr) evakuiert. Danach wird der Reaktionskammer 21 beispielsweise mit einer Strömungsge­ schwindigkeit von 10 SCCM gasförmiges Argon zugeführt, um darin den Gasdruck auf beispielsweise 667 mPa (5 mTorr) einzustellen. Danach wird dem SiO₂-Target 24 von der Hoch­ frequenzstromquelle 38 hochfrequente Energie von beispiels­ weise 200 W zugeführt, während das Substrat 11 mit 60/min (60 Umdrehungen/min) gedreht wird. Auf diese Weise wird auf dem Substrat 11 eine Schutzschicht 12 abgelagert. In dieser Stufe wird lediglich der Verschluß 34 offengehalten. Nach dem Schließen des Verschlusses 34 werden die Ver­ schlüsse 33, 35 und 36 geöffnet. Gleichzeitig wird dem Target 23 von der Hochfrequenzstromquelle 37 hochfrequente Energie von beispielsweise 200 W und den Targets 25 bzw. 26 von den Hochfrequenzstromquellen 39 bzw. 40 Energie von 20 W zugeführt, wobei sich eine Aufzeichnungsschicht 13 aus einer InSbTe-Au-Legierung gegebener Zusammensetzung bildet. Danach werden die Hochfrequenzstromquellen 37, 39 und 40 abgeschaltet und die Hochfrequenzstromquelle 38 erneut angeschaltet. Unter denselben Bedingungen wie im Falle der Schutzschicht 12 entsteht auf der Aufzeichnungsschicht 13 eine Schutzschicht 14.
Bei der Herstellung einer Aufzeichnungsschicht kann ein Target derselben Zusammensetzung, wie sie die herzustellende Aufzeichnungsschicht aufweisen soll, Verwendung finden. Andererseits können auch In-, Sb-, Te- und Au-Targets zur gemeinsamen Vier-Elementzerstäubung verwendet werden.
Der hierbei erhaltene Prüfling wird aus der Reaktionskammer 21 entnommen und durch Spinnbeschichtung mit einem UV-härtbaren Harz beschichtet. Nach Härtung des Harzes durch Bestrahlen mit UV-Strahlung erhält der Prüfling eine Schutzschicht 15.
Im folgenden wird die Betriebsweise des - wie beschrieben auf­ gebauten - Informationsspeichermediums in Form einer optischen Platte näher erläutert.
Initialisierung
Unmittelbar nach ihrer Bildung ist die Aufzeichnungsschicht 13 amorph. Folglich wird sie, um sie aufzuschmelzen, konti­ nuierlich mit einem Laserstrahl relativ geringer Energie und langer Impulsbreite bestrahlt. Danach wird die Schicht 13 zur Verfestigung schrittweise abgekühlt, so daß sie einen Phasenübergang in eine Mischphase aus feinem Kristall­ korn einer intermetallischen InSb-Verbindung und SbTeAu-, InTeAu- oder TeAu-Kristallkorn erfährt.
Aufzeichnung
Die initialisierte Schicht 13 wird - um sie aufzuschmelzen - mit einem Laserstrahl 18 relativ hoher Energie und kurzer Impulsbreite bestrahlt. Danach wird die Schicht 13 rasch abgekühlt, damit der bestrahlte Teil in eine Mischphase aus feinem Kristallkorn einer intermetallischen InSb-Ver­ bindung und amorphen SbTeAu, InTeAu oder TeAu übergeht. Auf diese Weise entsteht ein Aufzeichnungsfeld 19.
Ablesung
Die Aufzeichnungsschicht 13 wird mit einem Laserstrahl relativ niedriger Energie bestrahlt, um die Intensität des durch die Schicht 13 reflektierten Lichts unter Ablesung von Information zu ermitteln.
Löschung
Man bedient sich derselben Laserstrahlbestrahlungsbedingungen wie bei der Initialisierung und bestrahlt das Aufzeichnungs­ feld 19 unter diesen Bedingungen mit dem Laserstrahl. Hier­ bei kommt es zu einer Aufschmelzung, schrittweisen Abkühlung und Verfestigung des Aufzeichnungsfelds 19, wobei dieses wieder in eine Mischphase aus feinem Korn einer intermetalli­ schen InSb-Verbindung und SbTeAu-, InTeAu- oder TeAu-Kristallkorn unter Informationslöschung übergeht.
An Hand von Fig. 4 wird ein gesteuertes optisches System zur Aufzeichnung, Löschung oder Ablesung von Information auf bzw. von dem - wie beschrieben aufgebauten - Informations­ speichermedium in Form einer optischen Platte beschrieben.
Das optische System enthält eine Halbleiterlaserdiode 60 zur Aufzeichnung und Ablesung von Information und eine Halbleiterlaserdiode 62 zur Löschung von auf der optischen Platte aufgezeichneter Information. Ein aus der Diode 60 bzw. 62 emittierter Laserstrahl wird durch eine Linse 64 bzw. 66 gebündelt und mittels eines Spiegels 68 reflektiert. Das reflektierte Licht vom Spiegel 68 tritt in eine Linse 70 parallel zur optischen Achse ein und wird anschließend durch einen Spiegel 72 reflektiert. Der vom Spiegel 72 reflektierte Laserstrahl wird in einem Strahlteiler 74 und dann in eine Polarisationsplatte 76 einer Stärkung entsprechend etwa einem Viertel der Wellenlänge des verwendeten Laserstrahls geleitet. Danach tritt der Laserstrahl in eine Linse 78 ein und wird durch diese auf eine optische Platte 80 gebündelt. Die Linse 78 ist mit Hilfe eines nicht dargestellten An­ triebsmechanismus beweglich gelagert, wodurch eine radiale und axiale Einstellung der Lage der Linse 78 möglich wird. Die Platte 80 wird mit einer Geschwindigkeit von 10 ms-1 gedreht.
Das von der optischen Platte 80 reflektierte Licht tritt erneut in die Linse 78 ein und durch die Platte 76 hindurch. Zu diesem Zeitpunkt wird das Licht bei seiner Rückwärts- und Vorwärtsbewegung in der Platte 76 polarisiert, so daß es durch den Strahlteiler 74 reflektiert und zu einer Sammellinse 82 und einer säulenförmigen Linse 84 abgelenkt wird. Das von der optischen Platte 80 reflektierte Licht wird mittels eines Detektors 86 erfaßt. Die Linse 78 wird mittels des Antriebsmechanismus derart bewegt, daß der konvergierte Fleck von der Linse 78 auf die Platte 80 ge­ bündelt wird.
Bei der Aufzeichnung von Information wird ein pulsierender Lichtstrahl (Aufzeichnungsstrahl) entsprechend der aufzu­ zeichnenden Information aus der Laserdiode 60 emittiert. Der Aufzeichnungsstrahl wird auf eine vorgegebene Stelle der Aufzeichnungsschicht der optischen Platte 80 gerichtet. An der bestrahlten Stelle entsteht nach Ablauf der geschilderten Phasentransformation ein Aufzeichnungsfeld.
Bei der Ablesung von Information wird aus der Laserdiode 60 ein Laserstrahl mit der 0,1fachen Leistung des Aufzeichnungs­ strahls kontinuierlich emittiert. Dieser Laserstrahl tritt durch das Substrat der optischen Platte 80 hindurch und wird durch die Aufzeichnungsschicht reflektiert. Der Detektor 86 erfaßt die Intensität des von der Aufzeichnungsschicht re­ flektierten Lichts. In diesem Falle besitzen das Aufzeichnungsfeld und die sonstigen Stellen der Aufzeichnungsschicht - wie bereits erwähnt - eine unterschiedliche Kristallkorn­ größe, so daß die von diesen verschiedenen Stellen reflek­ tierten Lichtstrahlen eine unterschiedliche Intensität zeigen. Somit läßt sich - basierend auf dem Intensitätsunterschied der reflektierten Strahlen - die aufgezeichnete Information sicher ablesen.
Beim Löschen von Information wird aus der Laserdiode 62 kontinuierlich ein Löschlaserstrahl emittiert und auf das Aufzeichnungsfeld gerichtet. Dabei erfährt das Aufzeichnungs­ feld eine Phasentransformation, und zwar derart, daß es wieder in eine dem anderen Feld entsprechende feine Kristallkorn­ struktur übergeht. Hierbei erfolgt die Löschung der Informa­ tion.
Die folgenden Beispiele erläutern die Herstellung typischer erfindungsgemäßer Informationsspeichermedien und mit diesen durchgeführte charakteristische Tests.
Beispiel 1
Auf einem geriffelten Polycarbonatsubstrat wird mit Hilfe der in Fig. 2 dargestellten Argonzerstäubungsvorrichtung eine SiO₂-Schicht gebildet. Auf diese wird unter Bildung einer Aufzeichnungsschicht durch gemeinsame Vier-Elementzer­ stäubung ein Film aus einer In50-x Sb₅₀Te y Au z -Legierung aufgetragen. Auf der Aufzeichnungsschicht wird eine weitere SiO₂-Schicht vorgesehen. Danach wird zur Fertigstellung einer optischen Platte auf die SiO₂-Schicht ein UV-härtbarer Harzfilm aufgetragen. In verschiedenen Arbeitsgängen wird die Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht 13 geändert. Mit Hilfe der bereits genannten statischen Meßvorrichtung werden die Mindestkristallisationsdauer und der Kontrast zwischen dem Aufzeichnungsfeld und dem Leerfeld ermittelt. Die Tabelle II enthält Angaben über die dabei erhaltenen Ergebnisse.
Tabelle II
Aus Tabelle II ergibt sich folgendes: Wenn die Aufzeichnungs­ schicht eine Zusammensetzung innerhalb des erfindungsgemäß festgelegten Bereichs aufweist, liegt die Mindestkristallisa­ tionsdauer bei hohem Kontrast unter 100 ns. Wenn die Ge­ samtmenge an Te und Au 7 Atom-% beträgt, verlängert sich die Mindestkristallisationsdauer unangemessen. Wenn die Gesamtmenge an Te und Au 6 Atom-% oder weniger beträgt, jedoch der Te-Gehalt geringer ist als der doppelte Au-Gehalt, verschlechtert sich der Kontrast bei verlängerter Kristallisationsdauer. Diese Ergebnisse bestätigen die günstigen Eigenschaften einer Aufzeichnungsschicht aus der In50-x Sb₅₀Te y Au z -Legierung mit x=y+z,y≧2z und 1≦x≦6.-
Beispiel 2
Der gemäß Beispiel 1 hergestellte Prüfling wird mittels einer Prüfvorrichtung für dynamische Eigenschaften getestet. Zur Initialisierung des Prüflings nach der Abscheidung wird die Leistung des Laserstrahls auf 10 mW eingestellt. Die Umdrehungsgeschwindigkeit der Platten wird im Be­ reich von 1000-1800/min variert. Während der Drehung der Platte wird der Laserstrahl kontinuierlich emittiert. Zur Initialisierung von Aufzeichnungsschichten einer Zusammen­ setzung In50-x Sb₅₀Te y Au z , mit x=y+z und x=7 Atom-% oder mehr, muß derselbe Teil der Aufzeichnungsschicht während 4- oder 5maliger Umdrehung der Platte kontinuierlich mit dem Laserstrahl bestrahlt werden. Wenn jedoch die Bedingung 1≦x≦6 Atom-% eingehalten wird, muß zur an­ fänglichen Kristallisation selbst bei einer Umdrehungsge­ schwindigkeit von 1800/min derselbe Teil der Aufzeichnungs­ schicht lediglich während 1-3 Umdrehungen der Platte mit dem Laserstrahl bestrahlt werden.
Anschließend wird die Umdrehungsgeschwindigkeit der Platte auf 1500/min eingestellt und das initialisierte Feld des plattenförmigen Prüflings zur Informationsaufzeichnung mit einem pulsierenden Laserstrahl einer Leistung von 15 mW und einer Impulsbreite von 100 ns bestrahlt. Hierbei erhält man unabhängig vom x-Wert ein Wechselstromwiedergabesignal. Wenn jedoch x=7 Atom-%, ist die Amplitude des Wiedergabe­ signals gering.
Zur Informationslöschung wird in entsprechender Weise wie bei der Initialisierung auf die informationstragende Stelle bzw. das Informationsfeld kontinuierlich ein Laserstrahl einer Leistung von 10 mW gerichtet. Hierbei wird im Falle, daß 1≦x≦6 Atom-%, die Information praktisch vollständig gelöscht. Wenn jedoch x=7 Atom-%, findet eine unvoll­ ständige Löschung in einer Größenordnung von etwa ¼ des Wechselstromwiedergabesignals statt.
Beispiel 3
Entsprechend Beispiel 1 wird mit Hilfe der in Fig. 2 darge­ stellten Vorrichtung auf einem geriffelten Polycarbonat­ substrat eine 100 nm (1000 Å) dicke SiO₂-Schicht gebildet. Auf diese wird zur Bildung einer Aufzeichnungsschicht durch gemeinsame Vier-Elementzerstäubung ein 80 nm (800 Å) dicker In₄₄Sb₄₄Te₈Au₄-Legierungsfilm abgelagert. Auf die Auf­ zeichnungsschicht wird eine weitere 100 nm (1000 Å) dicke SiO₂-Schicht aufgetragen. Schließlich wird zur Herstellung einer optischen Platte (Prüfling A) auf die SiO₂-Schicht ein 10 µm dicker UV-härtbarer Harzfilm aufgetragen. In diesem Falle wird die Zusammensetzung der aus der In₄₄Sb₄₄Te₈Au₄-Legierung bestehenden Aufzeichnungsschicht durch gemeinsame Zerstäubung von InSb, Te und Au genau ein­ gestellt (dies ist der wesentlichste Faktor des Beispiels 3). In entsprechender Weise wie für den Prüfling A wird ein Prüfling B mit einer aus einer In₄₃Sb₅₇-Legierung bestehenden Aufzeichnungsschicht hergestellt. Unter Verwendung der Prüfvorrichtung für dynamische Eigenschaften werden die dynamischen Eigenschaften der Prüflinge A und B bestimmt. Bei der Bewertung bedient man sich eines Laserstrahls einer Wellenlänge von 830 nm. Zur Initialisierung erfolgt eine kontinuierliche Bestrahlung mit einem Laserstrahl einer Leistung von 8 mW. Zur Aufzeichnung erfolgt eine pulsierende Bestrahlung mit einem Laserstrahl einer Leistung von 10 mW, einer Impulsbreite von 200 ns und einem Tastverhältnis von 50%. Zur Löschung erfolgt eine kontinuierliche Bestrahlung mit einem Laserstrahl der­ selben Energie wie ihn auch der zur Initialisierung ver­ wendete Laserstrahl aufweist. Die Tabelle III enthält Angaben über die gewonnenen Ergebnisse:
Tabelle III
Die Umdrehungsgeschwindigkeit der Platte wird auf 400, 800, 1500 bzw. 1800/min eingestellt. In Tabelle III be­ deutet die Anzahl der zur Initialisierung erforderlichen Umdrehungen die Zahl der Umdrehungen der Platte, die zur Kristallisation einer einzelnen Spur erforderlich ist. Unter Wiedergabesignal des Aufzeichnungsfeldes ist die Amplitude eines Wechselstromsignals in bezug auf die Gleichstromkomponente bei der Wiedergabe des Aufzeichnungs­ feldes zu verstehen. In der Spalte "unvollständige Löschung" ist das Ausmaß an restlichen Wechselstromsignalen nach Be­ strahlen des Aufzeichnungsfeldes mit dem Löschlaserstrahl angegeben.
Es hat sich gezeigt, daß der Prüfling A eine geringere Anzahl an Initialisierungsumdrehungen erfordert und einen niedrigeren ungelöschten Signalwert aufweist als der Prüfling B. Diese Neigung wird mit zunehmender Umdrehungs­ geschwindigkeit der Platte noch deutlicher. Insbesondere dann, wenn die Umdrehungsgeschwindigkeit der Platte auf 1500/min eingestellt wird, wird zwar der Prüfling A, nicht dagegen der Prüfling B initialisiert. Wenn die Aufzeichnungsschicht eine Zusammensetzung dergestalt auf­ weist, daß die Sb-Ausscheidung einer üblichen InSb-Auf­ zeichnungsschicht durch Te y Au z ersetzt wird, hat es sich gezeigt, daß sich die Initialisierungs- und Löscheigen­ schaften verbessern lassen. Bezüglich der Aufzeichnungs­ eigenschaften ist der Prüfling A dem Prüfling B überlegen. Insbesondere bei einer Erhöhung der Umdrehungsgeschwindigkeit der Platte (Prüfling A) ist die Verschlechterung des Wiedergabesignalwerts gering, während beim Prüfling B mit erhöhter Umdrehungsgeschwindigkeit der Platte der Wiedergabe­ signalwert in erheblichem Maße beeinträchtigt wird. Mit anderen Worten gesagt, ist bei einer Erhöhung der Um­ drehungsgeschwindigkeit des Prüflings B das Kristallwachs­ tum von Sb bei der Bestrahlung mit einem Laserstrahl un­ zureichend. Im Gegensatz dazu ist selbst bei einer Erhöhung der Umdre­ hungsgeschwindigkeit des Prüflings A ein rascher Übergang der Te y Au z -Legierung in die amorphe Phase feststellbar.
Beispiel 4
Unter Verwendung von In50-x Sb₅₀Te y Au z -Legierungen mit wechselnden Werten für x, y und z werden optische Platten eines Aufbaus entsprechend demjenigen des Beispiels 1 her­ gestellt. Die erhaltenen Platten werden auf ihre dynamischen Eigenschaften hin untersucht. Die folgende Tabelle IV zeigt die erhaltenen Ergebnisse. Der Wert 2x wird auf 10, 15, 20 bzw. 30 Atom-% eingestellt. Weiterhin wird der Wert y derart eingestellt, daß er in die Bereiche 5≦y≦9, 8≦y≦14, 10≦y≦19 bzw. 15≦y≦29 fällt. Die Um­ drehungsgeschwindigkeit der Platte wird auf 1500/min ein­ gestellt. Unter diesen Bedingungen werden die Initialisierungs-, Aufzeichnungs- und Löscheigenschaften untersucht.
Tabelle IV
Die Bewertung ist folgende:
┤ = die entsprechende Eigenschaft ist gut;
× = die entsprechende Eigenschaft entspricht dem üblichen Wert;
∆ = die entsprechende Eigenschaft liegt zwischen gut und dem üblichen Wert.
Aus Tabelle IV geht hervor, daß die Initialisierungs-, Aufzeichnungs- und Löscheigenschaften dann gut sind, wenn 2x = weniger als 20, d. h. x = weniger als 10.
Beispiel 5
Unter Verwendung einer (In₄₈Sb₅₂)₉₆Te₃Au₁-Legierung wird ein plattenförmiger Prüfling entsprechend denjenigen der Beispiele 1 und 3 hergestellt und einer statischen Eigen­ schaftsbewertung unterworfen. Die nach der Abscheidung gebildete amorphe Aufzeichnungsschicht wird mit einem pulsierenden Laserstrahl einer Leistung von 9 mW bestrahlt. Es wird die zur Kristallisation des bestrahlten Teils er­ forderliche Impulsbreite ermittelt. Im vorliegenden Falle beträgt die Impulsbreite für die Kristallisation 65 ns. Die Legierung In₄₅Sb₅₅ erfordert dagegen zur Kristallisation 2-3 µs. Dies belegt, daß bei einer In₄₅Sb₅₅-Legierung die Kristallisationsgeschwindigkeit der Aufzeichnungs­ schicht stark verlängert ist.
Entsprechend Beispiel 2 wird der Prüfling des vorliegenden Beispiels auch auf seine dynamischen Eigenschaften hin untersucht. Hierbei zeigte es sich, daß - selbst im Falle, daß der Prüfling mit sehr hoher Umdrehungsgeschwindigkeit von 1800/min gedreht wird - der mit dem Laserstrahl be­ strahlte Teil der Platte während 1-3 Plattenumdrehungen einen Phasenübergang von einer amorphen in eine kristalline Phase erfährt. Von (In100-x Sb x )100-y-z Te y Au z -Legierungen zeigen diejenigen, die beiden Bedingungen 48≦x≦52 und 0,05≦y+z≦5 genügen, ebenso gute dynamische Eigen­ schaften wie die (In₄₈Sb₅₂)₉₆Te₃Au₁-Legierung.

Claims (15)

1. Informationsspeichermedium aus einem Substrat (11) und einer auf dem Substrat (11) befindlichen und einem reversiblen Phasenübergang zwischen unterschiedlichen Phasen durch Ändern der Bedingungen, unter denen ein Lichtstrahl auftreffen gelassen wird, unterworfenen Aufzeichnungsschicht (13), dadurch gekennzeichnet, daß die Aufzeichnungsschicht (13) eine Legierung der Zu­ sammensetzung In50-x Sb₅₀Te y Au z , worin x, y und z in Atom-% ausgedrückt sind, x=y+z,y≧2z und 1≦x≦6, enthält.
2. Medium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich zwischen dem Substrat (11) und der Auf­ zeichnungsschicht (13) eine erste Schutzschicht (12) vorgesehen ist.
3. Medium nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich auf der Aufzeichnungsschicht (13) eine zweite Schutzschicht (14) vorgesehen ist.
4. Medium nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich auf der zweiten Schutzschicht (14) eine Oberflächenschicht (15) vorgesehen ist.
5. Medium nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite der Schutzschichten (12, 14) ein dielektrisches Material enthalten.
6. Medium nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenschicht (15) ein Harz enthält.
7. Informationsspeichermedium aus einem Substrat (11) und einer auf dem Substrat (11) befindlichen und einem re­ versiblen Phasenübergang zwischen unterschiedlichen Phasen durch Ändern der Bedingungen, unter denen ein Lichtstrahl auftreffen gelassen wird, unterworfen Aufzeichnungsschicht (13), dadurch gekennzeichnet, daß die Aufzeichnungsschicht (13) eine Legierung der Zusammensetzung In50-x Sb₅₀Te y Au z , worin x, y und z in Atom-% ausgedrückt sind, 2x=y+z und 0 <x≦10, enthält.
8. Medium nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich zwischen dem Substrat (11) und der Aufzeich­ nungsschicht (13) eine erste Schutzschicht (12) vor­ gesehen ist.
9. Medium nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich auf der Aufzeichnungsschicht (13) eine zweite Schutzschicht (14) vorgesehen ist.
10. Medium nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich auf der zweiten Schutzschicht (14) eine Oberflächenschicht (15) vorgesehen ist.
11. Medium nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite der Schutzschichten (12, 14) ein dielektrisches Material enthalten.
12. Medium nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenschicht (15) ein Harz enthält.
13. Informationsspeichermedium aus einem Substrat (11) und einer auf dem Substrat (11) befindlichen und einem reversiblen Phasenübergang zwischen unterschiedlichen Phasen durch Ändern der Bedingungen, unter denen ein Lichtstrahl auftreffen gelassen wird, unterworfenen Aufzeichnungsschicht (13), dadurch gekennzeichnet, daß die Aufzeichnungsschicht (13) eine Legierung der Zu­ sammensetzung (In100-x Sb x )100-y-z Te y Au z , worin x, y und z in Atom-% ausgedrückt sind und 0,05≦y+z≦5, enthält.
14. Medium nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß zu­ sätzlich zwischen dem Substrat (11) und der Aufzeich­ nungsschicht (13) eine erste Schutzschicht (12), auf der Aufzeichnungsschicht (13) eine zweite Schutzschicht (14) und auf der zweiten Schutzschicht (14) eine Ober­ flächenschicht (15) vorgesehen sind.
15. Medium nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite der Schutzschichten (12, 14) ein di­ elektrisches Material und die Oberflächenschicht (15) ein Harz enthalten.
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