DE3831148C1 - - Google Patents

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DE3831148C1
DE3831148C1 DE19883831148 DE3831148A DE3831148C1 DE 3831148 C1 DE3831148 C1 DE 3831148C1 DE 19883831148 DE19883831148 DE 19883831148 DE 3831148 A DE3831148 A DE 3831148A DE 3831148 C1 DE3831148 C1 DE 3831148C1
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Description

Stand der Technik
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen einer glatten Ober­ fläche eines keramischen Substrates für die Beschichtung mit einer dünnen Schicht mit Halbleiter- und/oder Transistorfunktion.
In vielen Anwendungsfällen ist es wünschenswert, integrierte Schaltun­ gen mit Halbleiterschichten auf einem isolierenden Substrat aufzubrin­ gen. Hierzu bieten sich als isolierende Substrate insbesondere kerami­ sche Substrate an. Diese keramischen Substrate haben jedoch wiederum den Nachteil, daß ihre Oberfläche relativ rauh und porös ist, so daß die eigentliche Halbleiterschicht keine gleichmäßige Dicke über ihre gesamte Fläche aufweist. Auch das Aufbringen und die Eigenschaften der Halbleiterschicht im Dünn- oder Dickschichtverfahren werden durch die rauhe Oberfläche des keramischen Substrates negativ beeinflußt.
Aus der DE-AS 25 26 553 ist eine elektronische Schichtschaltung be­ kannt, bei der auf einem Substrat eine Schaltungsebene in Dünnschicht­ technik aufgebracht und von einer benachbarten in Dickschichttechnik hergestellten Schaltungsebene durch eine Isolierschicht aus amorphem Glas getrennt ist. Hierdurch sollen die Vorteile der Dickschichtschal­ tung mit denen einer in Dünnschichttechnik hergestellten Schaltungs­ ebene verbunden werden. Sollte es sich jedoch bei dem Substrat um ein keramisches Substrat handeln, so bleiben die oben beschriebenen Nach­ teile bezüglich der in Dünnschichttechnik aufgebrachten Schaltungs­ ebene bestehen.
In der DE-OS 23 25 774 wird ein mit einer oberflächenglatten Schicht bedeckter oberflächenrauher Körper, insbesondere ein Ferritkern aufge­ zeigt, bei dem als Zwischenschicht auf dem oberflächenrauhen Körper ein vorzugsweise niedrig schmelzendes Glaslot aufgebracht ist. Dabei bildet das aufgeschmolzene Glaslot einen porenlosen Überzug und ist derart glatt, daß alle in Frage kommenden Bearbeitungstechniken zur Erzeugung von Leiterbahnen, nämlich Laserstrahl-Behandlung, Sieb­ druck-Technik, Maskentechnik und das Ätzverfahren, möglich sind. Somit bezieht sich dieses Verfahren nicht auf die Herstellung einer Schicht mit einer Halbleiter- und/oder Transistorfunktion auf einem isolieren­ den Substrat.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine weitestgehend glatte und ebene Oberfläche eines keramischen Substrates zu erzeugen, welche für die Aufbringung einer dünnen Schicht mit Halbleiter- und/oder Transistorfunktion geeignet ist und ein Höchstmaß an Fertigungssicher­ heit für die aufzubringende Schicht gewährleistet. Gelöst wird diese Aufgabe durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1.
Das Verfahren mit den Merkmalen des Hauptanspruches beinhaltet, daß das keramische Substrat zuerst durch Schleifen und/oder Polieren ge­ glättet und sodann auf dieses geglättete keramische Substrat eine glasartige, porenfreie Schicht aufgebracht wird. Bevorzugt wird danach diese glasartige, porenfreie Schicht nochmals poliert. Hierdurch er­ hält man die erwünschte Oberflächenqualität, so daß Schichten mit einer Halbleiter- und/oder Transistorfunktion ohne weiteres aufge­ bracht werden können.
Derartige Schichten sind beispielsweise CdSe (Cadium-Selenid)-Schichten und undotierte oder dotierte a-Si:H (amorphe Silicium­ schichten mit hohem Wasserstoffgehalt). Diese letztgenannten Schichten werden in der Regel nach physikalischen oder chemischen Verfahren, z.B. Aufdampfen, plasmaunterstützte Gasphasenabscheidung usw., aufgebracht.
Als keramisches Substrat wird bevorzugt Polytitanat verwen­ det, jedoch soll hierauf die Erfindung nicht beschränkt sein.
Als Verfahren zum Aufbringen der glasartigen, porenfreien Schicht soll bevorzugt das Dickschichtverfahren angewendet werden. Nähere Angaben über dieses Verfahren finden sich in der oben genannten DE-AS 25 26 553 bzw. dem dort genann­ ten Stand der Technik.
Als weiteres bevorzugtes Verfahren zum Aufbringen der glasartigen, porenfreien Schicht wird die chemische oder plasmaunterstützte Gasphasenabscheidung des SiO2 genannt. Hierdurch lassen sich insbesondere sehr dünne Schichten erzeugen.
Als letztes noch bevorzugtes Verfahren soll das Aufbringen einer CVD-Si-Schicht (CVD = Chemical Vapor Deposition) genannt werden, die anschließend durch thermische Oxidation in SiO2 umgewandelt wird.

Claims (6)

1. Verfahren zum Erzeugen einer glatten Oberfläche eines keramischen Substrates für die Beschichtung mit einer dünnen Schicht mit Halblei­ ter- und/oder Transistorfunktion, dadurch gekennzeichnet, daß das ke­ ramische Substrat durch Schleifen und/oder Polieren geglättet und so­ dann eine glasartige, porenfreie Schicht aufgebracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Glas­ schicht in Dickschichttechnik aufgedruckt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine SiO2-Schicht mittels chemischer oder plasmaunterstützter Gasphasen­ abscheidung aufgebracht wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine SiO2-Schicht aufgebracht wird, die durch thermische Oxidation einer mittels chemischer Gasphasenabscheidung hergestellten Si-Schicht ge­ wonnen wird.
5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die aufgebrachte glasartige, porenfreie Schicht poliert wird.
6. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß als keramisches Substrat Polytitanat verwendet wird.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999020574A1 (en) * 1997-10-17 1999-04-29 Tsl Group Plc Production of quartz glass articles having high surface purity
WO2003026008A2 (de) * 2001-08-31 2003-03-27 Siemens Aktiengesellschaft Leistungselektronikeinheit

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014074229A1 (en) 2012-11-09 2014-05-15 Dow Corning Corporation Method for preparing an organo-functional silane

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2325774A1 (de) * 1973-05-21 1974-12-19 Siemens Ag Mit einer oberflaechenglatten schicht bedeckter oberflaechenrauher koerper sowie verfahren zu seiner herstellung
DE2526553B2 (de) * 1975-06-13 1977-09-29 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Mehrlagige elektronische schichtschaltung und verfahren zu ihrer herstellung

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1544208A1 (de) * 1966-04-20 1970-07-02 Ibm Deutschland Verfahren zum Erzeugen einer Schicht in Form eines Musters auf der Oberflaeche eines Koerpers
US4004052A (en) * 1974-03-08 1977-01-18 Vera Ivanovna Bystrova Process for producing non-porous coating for corundum substrates
JPH0654604B2 (ja) * 1986-02-03 1994-07-20 住友金属鉱山株式会社 誘電体磁器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2325774A1 (de) * 1973-05-21 1974-12-19 Siemens Ag Mit einer oberflaechenglatten schicht bedeckter oberflaechenrauher koerper sowie verfahren zu seiner herstellung
DE2526553B2 (de) * 1975-06-13 1977-09-29 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Mehrlagige elektronische schichtschaltung und verfahren zu ihrer herstellung

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999020574A1 (en) * 1997-10-17 1999-04-29 Tsl Group Plc Production of quartz glass articles having high surface purity
WO2003026008A2 (de) * 2001-08-31 2003-03-27 Siemens Aktiengesellschaft Leistungselektronikeinheit
WO2003026008A3 (de) * 2001-08-31 2003-08-21 Siemens Ag Leistungselektronikeinheit
US6846987B2 (en) 2001-08-31 2005-01-25 Siemens Aktiengesellschaft Power electronics component

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