DE3827961A1 - Halbleiterlaser - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Halbleiterlaser gemäß
dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1, der eine Laserstruktur
aufweist, in der eine Transversal-Mode als Grundschwingung
erzeugt wird, und dessen Lebensdauer verlängert ist.
Zur Erzeugung eines Kristallwachstums wurde in großem Umfang
die Flüssigphasen-Epitaxietechnik herangezogen, um
Halbleiterlaser als Massenware zu produzieren. Statt der
Flüssigphasen-Epitaxietechnik (LPE-Technik) kam dann das
MO-CVD-Verfahren zum Einsatz (Metal Organic Chemical Vapor
Deposition Method bzw. metallorganisches Chemical-Vapor-Deposition-Verfahren),
mit dessen Hilfe sich Schichtdicken
exakt einstellen lassen und das sich zur Massenproduktion
mit verbessertem Herstellungswirkungsgrad und niedrigeren
Kosten eignet.
Die Fig. 4 zeigt einen Querschnitt durch einen konventionellen
SBA-(Self-Aligned Bent Active Layer)-Laser, der eine
Laserstruktur aufweist, die sich zur Herstellung mit Hilfe
des MO-CVD-Verfahrens eignet. Dieser Laser ist z. B. in der
offengelegten japanischen Patentpublikation Nr. 60-192 380
beschrieben. In der Fig. 4 ist ein GaAs-Substrat vom p-Typ
mit dem Bezugszeichen 1 versehen. Auf dem GaAs-Substrat 1
vom p-Typ liegt eine erste Abdeckschicht 2 (Plattierungs-
bzw. Überzugsschicht) aus AlGaAs vom p-Typ. Eine GaAs-Stromsperrschicht
3 vom n-Typ liegt auf der ersten AlGaAs-Abdeckschicht
2 vom p-Typ. Eine zweite AlGaAs-Abdeckschicht
4 (Plattierungs- bzw. Überzugsschicht) vom p-Typ liegt auf
der Stromsperrschicht 3. Eine aktive Schicht 5 aus AlGaAs
vom p-Typ oder n-Typ liegt auf der zweiten AlGaAs-Abdeckschicht
4 vom p-Typ. Eine AlGaAs-Abdeckschicht 6 (Plattierungs-
bzw. Überzugsschicht) vom n-Typ befindet sich auf
der aktiven Schicht 5. Eine GaAs-Kontaktschicht 7 vom n-Typ
liegt auf der AlGaAs-Abdeckschicht 6 vom n-Typ. Auf der
Kontaktschicht 7 befindet sich eine n-seitige Elektrode 8.
Eine p-seitige Elektrode 9 befindet sich an der unteren
Oberfläche des Substrats 1. Eine streifenförmige Ausnehmung
10 (Furche bzw. Rinne) ist in der Stromsperrschicht 3 vorhanden.
Bei diesem herkömmlichen SBA-Laser ist die Bodenbreite der
streifenförmigen Ausnehmung 10 etwa 2 µm groß, während die
Dicke der zweiten AlGaAs-Abdeckschicht 4 vom p-Typ etwa 0,2 µm
beträgt.
Diese Laserstruktur läßt sich durch zwei Kristallwachstumsvorgänge
mit Hilfe des MO-CVD-Verfahrens herstellen. Beim
ersten Kristallwachstumsvorgang werden auf dem GaAs-Substrat
1 vom p-Typ die erste AlGaAs-Abdeckschicht 2 vom p-Typ
und dann die GaAs-Stromsperrschchicht 3 vom n-Typ gebildet.
Nach dem ersten Kristallwachstumsvorgang wird die
streifenförmige Ausnehmung 10 durch einen geeigneten Ätzvorgang
erzeugt. Beim zweiten Kristallwachstumsvorgang werden
der Reihe nach die zweite AlGaAs-Abdeckschicht 4 vom p-Typ,
die aktive Schicht 5 und die AlGaAs-Abdeckschicht 6
auf dem Wafer erzeugt, so daß auf diese Weise eine Doppel-Heterostruktur
erhalten wird. Infolge des mit Hilfe des MO-CVD-Verfahrens
ausgeführten zweiten Kristallwachstumsvorgangs
wird eine aktive Schicht 5 gebildet, die eine durchgebogene
Konfiguration infolge der stufenartigen Ausbildung
der streifenförmigen Ausnehmung 10 aufweist.
Im folgenden wird die Wirkungsweise dieses Lasers näher beschrieben.
Wird eine Spannung an den Laser angelegt, derart, daß die
p-seitige Elektrode 9 positiv ist, so fließt ein Strom in
konzentrierter Weise durch den Aperturbereich der streifenförmigen
Ausnehmung 10. Es werden dann Löcher in den flachen
Teil 11 der aktiven Schicht 5 in der Nähe des Bodens
der streifenförmigen Ausnehmung 10 injiziert, und zwar von
der Seite der zweiten AlGaAs-Abdeckschicht 4 vom p-Typ,
während Elektronen ebenfalls in diesen Teil injiziert werden,
und zwar von der Seite der AlGaAs-Abdeckschicht 6 vom
n-Typ. Die Elektronen und Löcher rekombinieren, so daß
Licht emittiert wird. Übersteigt der Strom einen Schwellenstrom,
so entsteht innerhalb des Lasers eine Laserschwingung.
Die aktive Schicht 5 dieses SBA-Lasers weist eine
ähnliche durchgebogene Konfiguration wie die streifenförmige
Ausnehmung 10 auf, wobei sich in einer Ebene, die die
akive Schicht 5 im Bodenbereich der streifenförmigen Ausnehmung
10 enthält, der Brechungsindex in Horizontalrichtung
ändert. Demzufolge tritt die Laserschwingung im flachen
Teil 11 der durchgebogenen aktiven Schicht 5 auf, wobei
dieser Teil der aktive Bereich ist.
Beim herkömmlichen SBA-Halbleiterlaser mit dem oben beschriebenen
Aufbau beträgt die Bodenbreite der streifenförmigen
Ausnehmung etwa 2 µm, während der Abstand des aktiven
Bereichs zum Boden der streifenförmigen Ausnehmung nur
klein ist und etwa 0,2 µm beträgt. Durch einen derartigen
Aufbau wird ein großer aktiver Bereich erhalten, so daß die
Transversal-Mode der Laserschwingung relativ unstabil wird.
Der kleine Abstand des aktiven Bereichs zum Boden der
streifenförmigen Ausnehmung 10, der nur 0,2 µm beträgt, hat
zur Folge, daß die Neuwachstums-Grenzfläche, die eine hohe
Dichte von Kristallgitterdefekten und Versetzungen enthält,
in der Nähe der aktiven Schicht 5 liegt. Durch diese Kristallgitterdefekte
bzw. Versetzungen wird höchstwahrscheinlich
die Lebendauer des Halbleiterlasers begrenzt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Halbleiterlaser
vom SBA-Typ zu schaffen, bei dem eine Transversal-Mode
als Grundschwingung auftritt und der eine verlängerte
Lebensdauer aufweist.
Die Lösung der gestellten Aufgabe ist im kennzeichnenden
Teil des Patentanspruchs 1 angegeben. Vorteilhafte Ausgestaltungen
der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Ein Halbleiterlaser mit einer durchgebogenen aktiven
Schicht, die auf anderen Halbleiterschichten liegt, die eine
streifenförmige Ausnehmung mit umgekehrt trapezförmigem
Querschnitt entlang der stufenartigen Konfiguration der
Ausnehmung enthalten, zeichnet sich dadurch aus, daß eine
Bodenbreite (Wg) der streifenförmigen Ausnehmung kleiner
als 2 µm ist und der Abstand (d) des aktiven Bereichs vom
Bodenteil der streifenförmigen Ausnehmung oberhalb von 0,6 µm
liegt.
Vorzugsweise sind die Halbleiterschichten des Halbleiterlasers
mittels des MO-CVD-Verfahrens hergestellt (Metal
Organic Chemical-Vapor-Deposition-Verfahren).
Der Halbleiterlaser kann z. B. Materialien der Reihe
AlGaAs, AlGaInP oder InGaAsP enthalten.
Der umgekehrt trapezförmige Querschnitt liegt senkrecht zur
Längsrichtung der streifenförmigen Ausnehmung. Die kurze
Trapezseite liegt dabei dem Substrat am nächsten.
Die Zeichnung stellt neben dem Stand der Technik ein Ausführungsbeispiel
der Erfindung dar. Es zeigt
Fig. 1 eine perspektivische Schnittdarstellung eines
Halbleiterlasers nach der Erfindung,
Fig. 2 eine graphische Darstellung zur Erläuterung der
Beziehung zwischen der Anstiegsrate des Betriebsstroms
des SBA-Lasers und dem Abstand der Neuwachstums-Grenzfläche
vom aktiven Bereich,
Fig. 3 eine graphische Darstellung zur Erläuterung der
Beziehung zwischen der Breite des aktiven Bereichs
und der Breite der streifenförmigen Ausnehmung,
und
Fig. 4 eine perspektivische Schnittdarstellung durch einen
herkömmlichen SBA-Laser.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend unter
Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert.
Die Fig. 1 zeigt eine perspektivische Schnittdarstellung
eines Halbleiterlasers nach einem bevorzugten Ausführungsbeispiel
der Erfindung. In Fig. 1 ist ein GaAs-Substrat 1
vom p-Typ mit dem Bezugszeichen 1 versehen. Eine erste
AlGaAs-Abdeckschicht 2 (Plattierungs- bzw. Überzugsschicht)
vom p-Typ befindet sich auf dem GaAs-Substrat 1 vom p-Typ.
Eine GaAs-Stromsperrschicht 3 vom n-Typ liegt auf der ersten
AlGaAs-Abdeckschicht 2 vom p-Typ. Eine zweite AlGaAs-Abdeckschicht
4 (Plattierungs- bzw. Überzugsschicht) vom p-Typ
ist auf der Stromsperrschicht 3 angeordnet. Eine aktive
Schicht 5 aus AlGaAs (oder aus GaAs) vom p-Typ oder vom n-Typ
liegt auf der zweiten AlGaAs-Abdeckschicht 4 vom p-Typ.
Eine n-Typ AlGaAs-Abdeckschicht 6 (Plattierungs- bzw. Überzugsschicht)
liegt auf der aktiven Schicht 5. Eine n-Typ
GaAs-Kontaktschicht 7 befindet sich auf der AlGaAs-Abdeckschicht
6 (cladding layer) vom n-Typ. Eine n-seitige Elektrode
8 ist auf der Kontaktschicht 7 vorhanden, während eine
p-seitige Elektrode 9 auf der unteren Oberfläche des
Substrats 1 vorhanden ist. Eine streifenförmige Ausnehmung
10 (Furche bzw. Rinne oder dergleichen) befindet sich innerhalb
der Stromsperrschicht 3. Das Bezugszeichen 11 kennzeichnet
einen aktiven Bereich, während das Bezugszeichen
12 eine Neuwachstums-Grenzfläche bezeichnet.
Der Aufbau der jeweiligen Schichten dieses Ausführungsbeispiels
entspricht im wesentlichen demjenigen des in Fig. 4
gezeigten konventionellen SBA-Lasers. Beim Ausführungsbeispiel
nach der Erfindung ist jedoch die Bodenbreite Wg
kleiner als 2 µm (Wg < 2 µm), während der Abstand d oberhalb
von 0,6 µm liegt (d < 0,6 µm), und zwar im Gegensatz
zum Stand der Technik, bei dem Wg etwa 2 µm und der Abstand
d etwa 0,2 µm betragen.
Nachfolgend wird die Wirkungsweise des SBA-Lasers gemäß
diesem Ausführungsbeispiel der Erfindung näher beschrieben.
Die Fig. 2 zeigt die Beziehung zwischen dem Abstand d vom
aktiven Bereich 11 zur Neuwachstums-Grenzfläche 12 und der
Anstiegsrate des Betriebsstroms von einem Ausgangswert, wobei
die Anstiegsrate erhalten wird, wenn der SBA-Laser über
10 Stunden bei konstantem Lichtausgang von 5 mW und bei einer
relativ hohen Temperatur von 70°C betrieben wird. Es
handelt sich hierbei um die Anlauf- bzw. Beschleunigungsbedingung.
Wie anhand der Fig. 2 zu erkennen ist, ist die Anstiegsrate
des Betriebsstroms extrem groß, und zwar für einen
Bereich, in welchem der Abstand d kleiner als 0,5 µm
ist. Es treten daher Probleme bezüglich der Elemente-Lebensdauer
und der Betriebszuverlässigkeit auf. Im vorliegenden
Ausführungsbeispiel ist der Abstand d auf etwa 0,6 µm
gesetzt, wobei die Anstiegsrate des Betriebsstroms vom
Ausgangswert auf etwa unterhalb 5% gehalten werden kann.
Hierdurch ergibt sich eine hinreichend gute Lebensdauer für
den praktischen Gebrauch.
Die Fig. 3 zeigt eine typische Darstellung der Beziehung
zwischen der Breite Wa des aktiven Bereichs und der Bodenbreite
Wg der streifenförmigen Ausnehmung 11, wobei die
Breite Wa benachbart zur streifenförmigen Ausnehmung im
SBA-Laser liegt. Beim tatsächlichen Wachstumsvorgang unter
Anwendung des MO-CVD-Verfahrens wächst der Kristall in einer
solchen Richtung auf, daß er die streifenförmige Ausnehmung
bzw. Furche oder Rille begraben sollte. Es sollte
sich daher ein Winkel α bilden, der zwischen der Basis, die
durch den Boden der streifenförmige Ausnehmung gebildet
wird, und einer Linie liegt, die jeweils ein Ende des Bodens
der streifenförmige Ausnehmung mit einem Endbereich
des aktiven Bereichs verbindet, wobei der Winkel α kleiner
als 90° ist. Je länger somit der Abstand d von der Neuwachstums-Grenzfläche
12 wird, desto schmaler wird die
Breite des aktiven Bereichs 5. Der Winkel α hängt ebenfalls
von der Wachstumsbedingung bei Anwendung des MO-CVD-Verfahrens
ab, genauer gesagt von der Aufwachstemperatur T G . Die
praktische Aufwachstemperatur kann z. B. im Temperaturbereich
von 700 bis 850°C liegen. Je größer die Aufwachstemperatur
ist, desto größer ist der Winkel α, z. B. etwa 55°
bei 700°C und etwa 75° bei 850°C. Die Breite Wa des aktiven Bereichs
nimmt daher mit ansteigender Temperatur zu.
Die Breite Wa des aktiven Bereichs wird daher durch die
Breite Wg der streifenförmigen Ausnehmung, durch die Aufwachsbedingung
(Aufwachstemperatur) und die Dicke d der
zweiten AlGaAs-Abdeckschicht 4 vom p-Typ bestimmt. Um einen
SBA-Laser zu erhalten, der eine stabile Transversal-Mode
als Grundschwingung aufweist, und der ferner mit hoher Ausbeute
hergestellt werden kann, sollte in Übereinstimmung
mit experimentellen Daten die Breite Wa des aktiven Bereichs
unterhalb von 1,7 µm liegen.
Im vorliegenden Ausführungsbeispiel liegen die Breite Wg
unterhalb von 2 µm und die Dicke d bei etwa 0,6 µm, so daß
eine Breite Wa für den aktiven Bereich erhalten wird, die
etwas unterhalb von 1,7 µm bei 850°C liegt. Dies ist die
obere Grenze der Aufwachstemperatur. Hierdurch läßt sich
erreichen, daß eine stabile Transversal-Mode als Grundschwingung
erhalten wird. Liegt die Aufwachstemperatur unterhalb
von 850°C, so nimmt der Winkel α den Wert α < 75°
an, während die Breite Wa des aktiven Bereichs ebenfalls
unterhalb von 1,7 µm liegt. Auch in diesem Fall wird eine
stabile Transversal-Mode als Grundschwingung erzielt.
Gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wurde ein
AlGaAs-SBA-Laser auf einem GaAs-Substrat vom p-Typ hergestellt.
Es lassen sich aber auch ein Laser auf einem Substrat
vom n-Typ oder ein Laser aus einem anderen Material
in Übereinstimmung mit der Erfindung herstellen, der z. B.
Material der Serien AlGaInP oder InGaAsP enthält und der
ansonsten dieselbe Struktur einschließlich der durchgebogenen
aktiven Schicht aufweist.
Entsprechend der zuvor beschriebenen Erfindung wird die Bodenbreite
der streifenförmigen Ausnehmung im SBA-Laser auf
einen Wert unterhalb von 2 µm gesetzt, während der Abstand
von einem aktiven Bereich zur Neuwachstums-Grenzfläche auf
etwa 0,6 µm eingestellt wird. Die Neuwachstums-Grenzfläche
ist hierbei die Grenzfläche zwischen den Schichten 2 und 3,
wie in Fig. 1 zu erkennen ist. Die Breite des aktiven Bereichs
kann daher leicht auf einen Wert von kleiner als 1,7 µm
eingestellt werden, so daß sich eine stabile Transversal-Mode
(transverse mode) als Grundschwingung und eine
verlängerte Lebensdauer erzielen lassen.
Claims (3)
1. Halbleiter-Schichteinrichtung mit einer durchgebogenen
aktiven Schicht (5), welche auf anderen Halbleiterschichten
liegt, die eine streifenförmige Ausnehmung (10)
mit umgekehrt trapezförmigem Querschnitt entlang der stufenartigen
Konfiguration der Ausnehmung enthalten, dadurch
gekennzeichnet, daß
- - eine Bodenbreite (Wg) der streifenförmigen Ausnehmung (10) kleiner als 2 µm ist und
- - der Abstand (d) des aktiven Bereichs vom Bodenteil der streifenförmigen Ausnehmung (10) oberhalb von 0,6 µm liegt.
2. Halbleiterlaser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß seine Halbleiterschichten mittels des MO-CVD-Verfahrens
hergestellt sind.
3. Halbleiterlaser nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß er Materialien der Reihe AlGaAs, AlGaInP
oder InGaAsP enthält.
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