DE3701655A1 - Halbleiterlaseranordnung - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiterlaseran­ ordnung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches 1. Bei der Erfindung geht es speziell um eine Halbleiter­ laseranordnung, die bis zu hoher Ausgangsleistung Laser­ licht erzeugt, das in der Mode mit einer Phasenverschie­ bung von 0° schwingt.

Halbleiterlaseranordnung, die als Lichtquelle für op­ tische Platten, Laserdrucker, optische Meßsysteme etc. nützlich sind, müssen hohe Ausgangsleistung bringen. Her­ kömmliche Halbleiterlaseranordnungen mit einer einzigen Wellenleiterstruktur können allerdings bestenfalls ledig­ lich eine Ausgangsleistung von 60 bis 70 mW bringen, selbst wenn man ihren "Fenstereffekt" berücksichtigt und/oder eine Steuerung des Reflektionsfaktors an ihren Facetten. Es wurden bereits Halbleiterlaseranordnungen untersucht, bei denen mehrere Wellenleiter parallel zu­ einander lagen, um eine optische Phasenkopplung zwischen benachbarten Wellenleitern zu erhalten; mit solchen An­ ordnungen kann man Laserlicht mit bestimmter Schwingungs­ art (Mode) erhalten, beispielsweise mit einer Mode mit einer Phasenverschiebung von 0°, womit man einen ein­ zigen schmalen Strahl mit hoher Ausgangsleistung erhält. Allerdings ist die optische Phasenverschiebung zwischen benachbarten Wellenleitern dieser Anordnungen gleich 180°, womit Ausgangslicht mit zwei Strahlen emittiert wird, zwischen denen ein bestimmter Winkel ist, was zu einem Fernfeldmuster mit zwei "peaks" bzw. Spitzenwerten führt. Derartiges Laserlicht kann nicht mittels irgend­ welcher bekannten optischen Linsen zu einem diffraktions­ begrenzten Lichtfleck konzentriert werden. Will man diese Halbleiterlaseranordnungen als Lichtquellen für optische Platten, Laserdrucker etc. anwenden, so müssen sie in einer einzigen Mode schwingen und ihre Ausgangs­ leistung in einem einzigen, schmalen Lichtstrahl abgeben.

Die Fig. 4 und 5 zeigen eine herkömmliche Halbleiter­ laseranordnung, die wie folgt hergestellt wurde: Auf der (001)-Ebene eines p-GaAs-Substrates 101 wurden mittels Flüssigphasenepitaxie aufeinanderfolgend eine n⁺-Al_0,1Ga_0,9As-Stromblockierungsschicht 102 mit einer Dicke von 0,7 µm und eine n-GaAs-Oberflächenschutz­ schicht 103 mit einer Dicke von 0,1 µm ausgebildet. Darauf wurden drei geradlinige Kanäle 108 parallel zu­ einanderliegend gebildet, welche sowohl durch die Ober­ flächenschutzschicht 103 und die Stromblockierungsschicht 102 hindurch in das p-GaAs-Substrat 101 reichten. Jeder dieser Kanäle 108 hat eine Breite von 4 µm und eine Tiefe von ca. 1 µm. Der Abstand von der Mitte des einen Kanales zur Mitte des benachbarten Kanales liegt bei 5 µm. Diese Kanäle 108 sind unter rechtem Winkel zur (110)-Ebene, die mit den Facetten der Anordnung überein­ stimmt. Sodann wurden durch Flüssigphasenepitaxie fol­ gende Schichten aufeinanderfolgend aufgetragen: Auf der n-GaAs-Oberflächenschutzschicht 103 einschließlich den Kanälen 108 wurde eine p-Al_0,42Ga_0,58As-Abdeck­ schicht 104 mit einer Dicke von 0,2 µm in den Abschnit­ ten außerhalb der Kanäle 108 aufgetragen, sowie eine p- oder n-Al_0,14Ga_0,86As-Aktivschicht 105 mit einer Dicke von 0,08 µm, eine n-Al_0,42Ga_0,58As-Abdeckschicht 106 mit einer Dicke von 0,8 µm und eine n⁺-GaAs-Kon­ taktschicht 107 mit einer Dicke von 1,5 µm. Da die Kanäle 108 mit der p-Abdeckschicht 104 gefüllt sind, ist die Oberfläche der Schichten 104, 105 und 106 und 107 eben. Sodann wurden die Oberseite der Kontaktschicht 107 und die Rückseite des Substrates 101 einer Dampf­ abscheidebehandlung mit metallischen Materialien unter­ zogen und dann erwärmt, um dort ohmsche Kontakte von Legierungen der metallischen Materialien zu bilden. Darauf wurde ein Abspalten in der (110)-Ebene des Wafers durchgeführt, womit man eine herkömmliche Halb­ leiterlaseranordnung erhielt.

Die optische Feldverteilung der von der herkömmlichen Laseranordnung erzeugten Lichtstrahlen sowie das mit dieser herkömmlichen Halbleiterlaseranordnung erhaltene Fernfeldmuster sind in den Fig. 6 bzw. 7 dargestellt, aus denen hervorgeht, daß die optische Phasenverschie­ bung zwischen benachbarten Wellenleitern 180° ist.

Der Grund dafür, daß die herkömmlichen Halbleiterlaser­ anordnungen, die mehrere Wellenleiter enthalten, in einer Mode mit einer Phasenverschiebung von 180° arbei­ ten, liegt darin, daß das Laserlicht in dem optischen Kopplungsbereich zwischen den benachbarten Wellenleitern absorbiert wird, was die Schwellwertverstärkung der Mode mit der Phasenverschiebung von 180° signifikant klein macht.

Das oben beschriebene Phänomen, daß die herkömmlichen Halbleiterlaseranordnungen in einer Mode mit einer Phasen­ verschiebung von 180° arbeiten, kann auch unter Bezug­ nahme auf Fig. 8 erklärt werden. Dort ist die Abhängig­ keit der Schwellwertverstärkung aller möglichen Moden (ν=1, 2 und 3), einer Anordnung mit drei Laserreso­ nanzräumen bezogen auf die Differenz des Brechungsindex in Querrichtung aufgetragen. Diese Abhängigkeit erhält man durch eine rechnerische Analyse der Wellenleiter. Aus Fig. 8 kann man auch erkennen, daß die herkömmliche Halbleiterlaseranordnung selektiv und stabil in der Mode mit 180° Phasenverschiebung schwingt. Wie oben erwähnt, erhält man mit dieser Mode mit 180° Phasen­ verschiebung ein Fernfeldmuster mit zwei Spitzenwerten, was zu Schwierigkeiten führt, das Laserlicht mittels irgendwelcher bekannter optischer Linsen zu einem ein­ zigen diffraktionsbegrenzten Lichtfleck zu konzentrieren. Darüber hinaus schwingt die bekannte Halbleiterlaser­ anordnung auch in Moden, die zwischen der Mode von 0° Phasenverschiebung und der von 180° Phasenverschiebung liegen, so daß Ausgangslicht mit vielen Strahlen er­ zeugt wird. Darüber hinaus werden zwei oder mehrere Moden ohne Interferenzen zwischen sich gemischt, so daß man Ausgangslicht mit breiten Strahlen erhält.

Eine Halbleiterlaseranordnung mit einer wirksamen index­ geführten Struktur, bei der die optischen Verluste in der optischen Kopplungszone gleich 0 sind, wurde bereits vorgeschlagen und ist in Fig. 9 dargestellt. Die Her­ stellung dieser Laseranordnung geschieht wie folgt: Auf der (001)-Ebene eines p-GaAs-Substrates 111 werde auf­ einanderfolgend durch Kristallwachstumstechnik wie z. B. metallorganische Dampfabscheidung (MOCVD), Molekular­ strahlepitaxie (MBE), Flüssigphasenepitaxie (LPE) usw. folgende Schichten aufgetragen: eine n-Al _x Ga_1-x As-Abdeck­ schicht 112 mit einer Dicke von 0,8 µm, eine n- oder p-Al _y Ga_1-y As-Aktivschicht 113 mit einer Dicke von 0,1 µm, eine n-Al _x Ga_1-x As-Abdeckschicht 114 mit einer Dicke von 0,8 µm und eine p⁺-GaAs-Kontaktschicht 115 mit einer Dicke von 0,1 µm. Sodann werden auf beiden Seiten des Wafers ohmsche Kontakte hergestellt. Darauf werden paral­ lel zueinanderliegend in dem Wafer drei Mesa-Streifen 116 mittels Photolithographie und einer reaktiven Ionen­ strahlätztechnik derart ausgebildet, daß der Teil der n-Abdeckschicht 114, der der Außenseite der Mesa-Streifen 116 entspricht, eine Dicke von 0,3 µm hat. Jeder der Mesa-Streifen 116 hat eine Breite von 3 µm und eine Höhe von 1,5 µm. Der Abstand von der Mitte des einen Mesa-Streifens zu der Mitte des benachbarten Mesa-Strei­ fens ist 4 µm. Diese Mesa-Streifen 116 werden in der 10-Richtung des Substrates 111 ausgerichtet. Sodann wird in der (10)-Ebene des Wafers ein Abspalten durch­ geführt, so daß man eine Laseranordnung 117 mit einer Hohlraumlänge von ca. 250 µm erhält.

Die Quermode der Schwingung, die man mit dieser index­ geführten Laseranordnung erhält, ist aus mehreren Moden zusammengesetzt. Dieses Phänomen kann wie folgt erklärt werden: diese indexgeführte Laseranordnung schwingt gleichzeitig in allen möglichen Moden, da in dem op­ tischen Kopplungsbereich keine Absorption von Licht auftritt und da alle möglichen Moden die gleiche Schwell­ wertverstärkung haben, während die Laseranordnung der Fig. 4 selektiv in der Mode mit der Phasenverschiebung von 180° schwingt, da dort das Licht in dem optischen Kopplungsbereich signifikant absorbiert wird. Die Breite der Ausgangsstrahlen, die mit dieser Laseranordnung er­ zeugt werden, die mit einer Vielzahl von Moden schwingt, ist ein Vielfaches des begrenzten Diffraktionswertes, der zu den Schwierigkeiten in der praktischen Anwendung der Laseranordnung führt.

Wie oben erwähnt, schwingen die bekannten Halbleiter­ laser mit vielen Moden, was zu Ausgangslicht mit zwei oder mehreren Strahlen führt und damit zu Schwierig­ keiten bei der praktischen Anwendung der Laseranordnung als Lichtquelle in optischen Systemen von Laserdruckern, optischen Speichern etc.

Mit der Erfindung sollen diese Schwierigkeiten beseitigt werden. Aufgabe der Erfindung ist es daher, die bekannte Halbleiterlaseranordnung dahingehend zu verbessern, daß Ausgangslicht hoher Leistung mit einem einzigen, schmalen Strahl erzeugt wird.

Die Halbleiterlaseranordnung nach der Erfindung, die die oben beschriebenen sowie weitere zahlreiche Nachteile des Standes der Technik vermeidet, enthält einen aktiven Wellenleiter, der sich von einer lichtemittierenden Facette zu einer anderen lichtemittierenden Facette erstreckt, wobei der aktive Wellenleiter aus einem Hauptabschnitt, der sich in Oszillationsrichtung von der einen lichtemittierenden Facette erstreckt und einen Verlustwellenleiter enthält, sowie aus mehreren parallelen Verzweigungsabschnitten, die sich vom Ende des Hauptabschnittes zu der anderen lichtemittierenden Facette erstrecken und einen direkten Indexwellenleiter (real index waveguide) enthalten, zusammengesetzt ist.

In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist der aktive Wellenleiter innerhalb einer Aktivschicht ausgebildet, die einem Mesa-Wellenleiter entspricht, der in der Nähe der Aktivschicht angeordnet ist, wobei ein optisches Absorptionsmittel in Oszillationsrichtung auf beiden Seiten des Hauptabschnittes des Mesa-Wellenleiters, der dem Hauptabschnitt des aktiven Wellenleiters entspricht, angeordnet ist, womit der verlustbehaftete Wellenleiter im Hauptabschnitt des aktiven Wellenleiters geschaffen wird.

In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel hat der Mesa- Wellenleiter die Form eines "Y".

Mit der Erfindung werden folgende Ziele erreicht:

• 1. Er wird eine Halbleiterlaseranordnung geschaffen, bei der das Laserlicht in einer einzigen Mode schwingt; und
• 2. es wird eine Halbleiterlaseranordnung geschaffen, bei der eine Substanz, die als optisches Absorp­ tionsmittel wirkt, in Oszillationsrichtung auf beiden Seiten des einzigen Hauptabschnittes eines Mesa-Wellenleiters, der dem aktiven Wellenleiter entspricht, angeordnet ist, was zu einer Schwin­ gung mit einer einzigen Mode mit einer Phasen­ verschiebung von 0° führt und zwar bis zu hohen Werten der Ausgangsleistung.

Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungs­ beispielen im Zusammenhang mit der Zeichnung ausführ­ licher erläutert. Es zeigt:

Fig. 1a) bis 1d) schematische Diagramme zur Erläuterung des Herstellprozesses der Halbleiterlaseranord­ nung nach der Erfindung;

Fig. 2a) bzw. 2b) Querschnitte der Halbleiterlaseranordnung, die gemäß dem Herstellprozeß der Fig. 1 hergestellt wurden;

Fig. 3 ein Diagramm des Fernfeldmusters, das mit der Halbleiterlaseranordnung nach Fig. 1 erreicht wird;

Fig. 4 eine geschnittene, stirnseitige Ansicht einer herkömmlichen Halbleiterlaseranordnung;

Fig. 5 eine perspektivische Ansicht eines Wafers einer herkömmlichen Halbleiterlaseranordnung gemäß Fig. 4;

Fig. 6 ein Diagramm der optischen Fernfeldverteilung der herkömmlichen Halbleiterlaseranordnung nach Fig. 4;

Fig. 7 ein Diagramm des Fernfeldmusters, das mit der herkömmlichen Halbleiterlaseranordnung gemäß Fig. 4 erhalten wird;

Fig. 8 ein Diagramm der theoretischen Analyse der Schwellwertverstärkung bei verschiedenen Moden der herkömmlichen Halbleiterlaseranordnung gemäß Fig. 4; und

Fig. 9 eine perspektivische Ansicht einer weiteren herkömmlichen Halbleiterlaseranordnung.

Die Halbleiterlaseranordnung nach der Erfindung hat an beiden Seiten eines einzigen Abschnittes eines aktiven Wellenleiters einen Bereich optischer Verluste, womit man eine Schwingung in der Mode mit der Phasenverschie­ bung von 0° erhält, so daß Licht mit hoher Ausgangs­ leistung, das zu einem Lichtfleck mit begrenzter Diffrak­ tion konzentriert werden kann, erzeugbar ist.

Die Fig. 1 (a) bis 1 (d) zeigen einen Herstellungsprozeß der Halbleiterlaseranordnung nach der Erfindung. Wie in Fig. 1 (a) dargestellt, werden mittels Flüssigphasen­ epitaxie (LPE), organisch-chemischem Metalldampfab­ scheiden (MOCVD), Molekularstrahlepitaxie (MBE), Dampf­ phasenepitaxie (VPE) oder ähnlichem folgende Schichten aufgebracht, wobei 0≦y×≦1: auf der (001)-Ebene eines n-GaAs-Substrates 1 werden aufgebracht:

• eine n-Al _x Ga_1-x As-Abdeckschicht 2 mit einer Dicke von 1,0 µm,
  eine Al _y Ga_1-y As-Aktivschicht 3 mit einer Dicke von 0,1 µm,
  eine p-Al _x Ga_1-x As-Abdeckschicht 4 mit einer Dicke von 0,8 µm und
  eine p⁺-GaAs-Kontaktschicht 5 mit einer Dicke von 0,4 µm.

Darauf wird, wie in Fig. 1 (b) gezeigt, eine "Y"-ge­ formter Mesa 50 mittels Photolithographie und einer re­ aktiven Ionenstrahlätztechnik unter Anwendung von Chlor­ gas derart in der p-Al _x Ga_1-x As-Schicht 4 durch die GaAs-Kontaktschicht 5 hindurch ausgebildet, daß die p-Al _x Ga_1-x As-Schicht 4 auf der Aktivschicht 3 eine Dicke von 0,2 µm hat. Der "Y"-geformte Mesa 50 besitzt zwei Verzweigungsabschnitte 50 a und 50 a, mit einem Zwischenraum von 1,5 µm, wobei beide Verzweigungsab­ schnitte eine Breite von jeweils 3,5 µm haben und wobei der Hauptabschnitt 50 b eine Breite von 5,5 µm hat.

Sodann wird, wie in Fig. 1 (c) gezeigt, ein Si₃N₄-Film 9 mit einer Dicke von 0,4 bis 0,5 µm mittels plasma­ unterstütztem chemischem Dampfabscheiden (PP-CVD) auf dem Wafer aufgebracht, worauf eine Photolithographie­ behandlung und eine reaktive Ionenätzbehandlung mit Flon-Gas folgt, um die Teile des Si₃N₄-Filmes 9 auf beiden Seiten des Hauptabschnittes 50 b des "Y"-geformten Mesas 50 zu entfernen, womit man Ausnehmungen 20 auf beiden Seiten des Hauptabschnittes 50 b erhält.

Darauf wird, wie in Fig. 1(d) gezeigt, eine n-GaAs- optische Absorptionsschicht 6 mit einer Dicke von 0,5 bis 1,5 µm auf dem Wafer ausgebildet und zwar mittels organisch-chemischem Metalldampfabscheiden. Dies er­ folgt so, daß die optische GaAs-Absoptionsschicht 6 nur auf der AlGaAs/GaAs-Ausnehmung 20 erfolgt, sie jedoch nicht auf dem Si₃N₄-Film 9 aufgewachsen wird.

Schließlich wird der Wafer geätzt, um in dem Si₃N₄- Film 9, der auf dem "Y"-geformten Mesa 50 aufgebracht ist, Löcher zu bilden, wie in den Fig. 2 (a) und (b) gezeigt. Sodann werden p-ohmsche Kontakte 10 durch diese Löcher hindurch auf jedem Abschnitt des "Y"-geformten Mesas 50 ausgebildet, sowie ein n-ohmscher Kontakt 11 auf der gesamten Fläche der Rückseite des Substrates 1, womit man eine Halbleiterlaseranordnung erhält.

Fig. 2 zeigt einen Querschnitt des Verzweigungsabschnit­ tes 50 a des "Y"-geformten Mesas 50 der Halbleiterlaser­ anordnung, während Fig. 2 einen anderen Querschnitt von dessen Hauptabschnitt 50 b zeigt. Auf beiden Seiten des Hauptabschnittes 50 b ist die GaAs-Schicht 6 angeordnet, die als optisches Absorptionsmittel für Licht innerhalb der Aktivschicht 3 wirkt (d. h. man erhält einen verlust­ behafteten Wellenleiter im Bereich der Aktivschicht 3, die dem Hauptabschnitt 50 b entspricht), während beide Seiten des Verzweigungsabschnittes 50 a mit dem Si₃N₄- Film 9 bedeckt sind, so daß dort keine optische Absorp­ tion stattfindet (d. h. man erhält in dem Bereich der Aktivschicht 3, die den Verzweigungsabschnitten 50 a entspricht, einen indexgeführten Wellenleiter (real index waveguide)).

Wie oben erwähnt, hat die Halbleiterlaseranordnung eine verlustbehaftete Wellenleiterstruktur sowie eine index­ geführte Struktur in seiner Achse, so daß die Differenz der optischen Verluste zwischen der Mode mit der Phasen­ verschiebung von 0° und anderen Moden höherer Ordnung insgesamt aus folgenden Gründen maximiert werden kann: wenn die verlustbehaftete Wellenleiterstruktur in dem gesamten Bereich des "Y"-geformten Mesas der Halbleiter­ laseranordnung ausgebildet ist, sind die Verluste in der Mode mit der Phasenverschiebung von 0° kleiner als diejenigen von Moden höherer Ordnung in dem Hauptab­ schnitt des "Y"-geformten Mesas, während Verluste bei den Moden höherer Ordnung in den Verzweigungsabschnitten des "Y"-geformten Mesas kleiner sind als die der Mode mit der Phasenverschiebung von 0°. Wenn andererseits die reelle, indexgeführte Wellenleiterstruktur vom ge­ samten Bereich des "Y"-geformten Mesas der Laseranord­ nung gebildet ist, so wird die Differenz der Verluste zwischen der Mode mit der Phasenverschiebung von 0° und den Moden höherer Ordnung sowohl im Hauptabschnitt als auch in den Verzweigungsabschnitten des "Y"-ge­ formten Mesas nahezu Null. In beiden Fällen schwingt die Laseranordnung in einer gemischten Mode mit der 0°-Phasenverschiebungsmode und mit Moden höherer Ord­ nung, wenn die Ausgangsleistung einen bestimmten Wert (z.B. 60 mW) überschreitet, was zu einem gestörten Fernfeldmuster führt. Darüber hinaus wird die Ausgangs­ leistungcharakteristik hinsichtlich des Stromes nicht­ linear, was ebenfalls zu Schwierigkeiten bei der prak­ tischen Anwendung der Laseranordnung führt. Da nach der Erfindung die Verzweigungsabschnitte 50 a des "Y"-geform­ ten Mesas 50 eine reelle, indexgeführte Wellenleiter­ struktur bilden, während der Abschnitt 50 b des "Y"-ge­ formten Mesas 50 einen verlustbehafteten Wellenleiter bildet, werden die Verluste in der Mode mit der Phasen­ verschiebung von 0° kleiner als die Moden höherer Ord­ nung und zwar sowohl in den Verzweigungsabschnitten 50 a als auch in dem Hauptabschnitt 50 b, was zu einer Maxi­ mierung der Verlustdifferenz zwischen der 0°-Phasen­ verschiebungsmode und den Moden höherer Ordnung führt.

Es wurde tatsächlich beobachtet, daß die Halbleiter­ laseranordnung, die gemäß obiger Beschreibung aufgebaut war, eine Ausgangsleistung von etwa 100 mW brachte und dabei mit einem einzigen diffraktionsbegrenzten Strahl, der der Mode mit der Phasenverschiebung von 0° entsprach. Das mit diesem Laser erhaltene Fernfeldmuster ist in Fig. 3 gezeigt, woraus ersichtlich ist, daß es nur eine einzige Spitze aufweist.

Die Erfindung ist nicht auf das obige Ausführungsbei­ spiel beschränkt. Vielmehr ist sie auch auf solche laser­ oszillierende Strukturen anwendbar, die sich von dem obigen Ausführungsbeispiel unterscheiden, beispielsweise auf Anwendungen, die unterschiedliche Polarität bezüg­ lich des obigen Ausführungsbeispieles haben, auf Anord­ nungen, die andere Halbleitermaterialien als die oben beschriebenen Materialien verwenden und auf Anordnungen, bei denen die Materialien für die optische Absorption, deren Form und Lage sich von dem optischen Absorptions­ mittel gemäß obigem Ausführungsbeispiel unterscheiden.

Es sei darauf hingewiesen, daß verschiedene Modifika­ tionen von einem Fachmann durchgeführt werden können, ohne daß der Schutzumfang und das Wesen der Erfindung verlassen werden. Entsprechend sei darauf hingewiesen, daß der Schutzumfang der Patentansprüche nicht durch die obige Beschreibung eingeschränkt wird und daß die Patentansprüche alle patentfähigen Merkmale der vorlie­ genden Erfindung enthalten, einschließlich all die­ jenigen Merkmale, die von dem Fachmann des vorliegenden Gebietes als Äquivalente angesehen werden.

Claims (3)

1. Halbleiterlaseranordnung mit einem aktiven Wellen­ leiter, der sich von einer licht-emittierenden Facette zu einer anderen licht-emittierenden Facette erstreckt, dadurch gekennzeichnet, daß der aktive Wellenleiter aus einem einzigen Hauptabschnitt (50 b) und mehreren parallelen Verzweigungsabschnitten (50 a) zusammengesetzt ist, wobei sich der Hauptabschnitt (50 b) in Oszillationsrichtung von der einen licht­ emittierenden Facette erstreckt und einen verlust­ behafteten Wellenleiter bildet und wobei sich die Verzweigungsabschnitte (50 a) von dem Ende des Haupt­ abschnittes (50 b) zu der anderen licht-emittierenden Facette erstrecken und einen direkt indexgeführten Wellenleiter bilden.

2. Halbleiterlaseranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der aktive Wellenleiter inner­ halb einer Aktivschicht gebildet ist, die einem Mesa entspricht, der in der Nähe der Aktivschicht angeordnet ist, wobei ein optisches Absorptions­ mittel (6) an beiden Seiten des Hauptabschnittes des Mesas, der dem Hauptabschnitt (50 b) des aktiven Wellenleiters entspricht, in Oszillationsrichtung angeordnet ist, wodurch der verlustbehaftete Wellen­ leiter im Hauptabschnitt des aktiven Wellenleiters geschaffen wird.

3. Halbleiterlaseranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Mesa "Y"-förmig ist.