DE3808579A1 - Verbesserte isolation fuer transistoren mit einer pilot-struktur - Google Patents

Verbesserte isolation fuer transistoren mit einer pilot-struktur

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft Transistoren mit einer Pilot- Struktur.
Halbleiterelemente schließen häufig zusätzlich zu dem Hauptele­ ment eine Pilot-Struktur oder ein Pilot-Element ein, das eine verkleinerte Version des Hauptelementes darstellt. Hauptelement und Pilot-Element sind monolithisch auf dem gleichen Halbleiter­ chip ausgebildet, und der Strom durch das Pilot-Element ist im allge­ meinen proportional zum Strom durch das Hauptelement. Entsprechend kann man durch Messen des Stromes durch das Pilot-Element eine vernünftig genaue Anzeige des Stromes durch das Hauptelement er­ halten. Wenn der Strom durch das Pilot-Element ein vorbestimmtes Niveau erreicht, das einen gefährlich hohen Strom durch das Haupt­ element anzeigt, dann kann das Hauptelement abgeschaltet werden, wodurch eine Beschädigung des Hauptelementes oder von mit dem Hauptelement verbundenen Elementen vermieden wird.
Um ein unerwünschtes Sperren zwischen dem Hauptelement und dem Pilot-Element zu verhindern wurden zwei oder mehr beabstandete Kanalbereiche zwischen dem Hauptelement und dem Pilot-Element ausgebildet. Der Kanalbereich, der dem Hauptelement am nächsten ist, wurde üblicherweise mit dem Hauptelement verbunden und der Kanalbereich, der dem Pilot-Element am nächsten ist, wurde übli­ cherweise mit dem Pilot-Element verbunden. Um die Leitfähigkeit des Bereiches zwischen den Kanalbereichen zu steuern, wurde über diesen Bereich eine Elektrode isoliert angeordnet. Die Gate-Elek­ trode wurde üblicherweise mit den Gate-Elektroden des Haupt- und Pilot-Elementes oder alternativ mit dem Kanalbereich, der dem Hauptelement am nächsten ist, verbunden.
Zusätzlich zum Messen des Stromes ist es auch erwünscht, das Pilot-Element zum Messen der Betriebsspannung des Hauptelementes zu benutzen. Bei Anwendungen zur Spannungsmessung kann sich je­ doch ein merklicher Spannungsunterschied zwischen dem Hauptele­ ment und dem Pilot-Element entwickeln, der Strom vom Pilot-Ele­ ment durch die beanstandeten Kanalbereiche zum Hauptelement ab­ leiten kann. Dadurch kann das Pilot-Element nicht in der Lage sein, einen drohenden Überspannungszustand anzuzeigen, was poten­ tiell zerstörerische Folgen hat.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine verbesserte Isolationsstruktur zwischen dem Hauptelement und dem Pilot-Ele­ ment eines Halbleiterelementes zu schaffen, das für praktische Zwecke die obengenannten Beschränkungen vermeidet.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine verbesserte Isolations­ struktur geschaffen, die es gestattet, die Pilot-Struktur für Anwendungen zur Spannungsmessung zu benutzen. Dies wird bei der dargestellten Ausführungsform dadurch erreicht, daß man eine Me­ tallisierungsschicht aufbringt, die Elektrode zwischen den Kanal­ bereichen mit dem Kanalbereich kurzschließt, der dem Pilot-Element am nächsten liegt. Es wird angenommen, daß eine solche Anordnung das Anschalten des parasitären Feldeffekt-Transistors der Isola­ tionsstruktur vermeidet, was die Ableitung des Stromes durch die Isolationsstruktur verhindert. Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung umfaßt die Isolationsstruktur zusammenhän­ gende, geschlossene Schleifen bildende Kanalbereiche, die das Pilot-Element vollständiger vom Hauptelement isolieren.
Im folgenden wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeich­ nung näher erläutert. Im einzelnen zeigen:
Fig. 1 ein schematisches Diagramm eines typischen Transistors mit isoliertem Gate,
Fig. 2 eine Draufsicht auf einen Transistor mit isoliertem Gate, der eine Isolationsstruktur gemäß einer bevor­ zugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung auf­ weist und
Fig. 3 eine Querschnittsansicht des Elementes nach Fig. 2 längs der Linie 3-3.
Fig. 1 gibt eine schematische Darstellung eines Transistor-Ele­ mentes 10 mit isoliertem Gate wieder. Obwohl die veranschaulichte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Zusammenhang mit einem solchen Transistor mit isoliertem Gate erläutert werden wird, sollte doch klar sein, daß die vorliegende Erfindung auch auf andere Transistor-Elemente mit einer Pilot-Struktur oder einem solchen Element anwendbar ist. Der Transistor 10 mit isoliertem Gate kann als einen Feldeffekt-Transistor 12 einschließend gedacht werden, der mit der Basis B eines bipolaren Transistors 14 gekop­ pelt ist. Wird der Feldeffekt-Transistor 12 durch ein Steuersig­ nal, das an das Gate G des Transistors 12 gelegt wird, angeschal­ tet, dann injiziert er Ladungsträger in die Basis B des bipolaren Transistors 14. Dies wiederum läßt den Emitter E Ladungsträger emittieren, die vom Kollektor C des bipolaren Transistors 14 ge­ sammelt werden. Source S und Kollektor C der Transistoren 12 und 14 sind als mit einem gemeinsamen Anschluß 16 geerdet dargestellt. Der Emitter E des Transistors 14 seinerseits ist durch einen An­ schluß 18 mit dem Ausgang verbunden.
Fig. 2 gibt eine teilweise schematische Darstellung der Drauf­ sicht eines Halbleiterelementes eines Transistors 10 mit isolier­ tem Gate wieder, der eine bevorzugte Ausführungsform der vorlie­ genden Erfindung aufweist. Der Klarheit halber sind gewisse Me­ tallisierungs- und Isolationsschichten weggelassen worden. Das Element 100 schließt ein Hauptelement 20 ein, das mehrere Zellen 22 umfaßt. Das Element 100 schließt weiter ein Pilot-Element 24 ein, das mehrere Zellen 26 umfaßt. Wie im folgenden noch detail­ lierter erläutert, sind die Pilot-Zellen 26 im wesentlichen iden­ tisch mit den Zellen 22 des Hauptelementes, doch gibt es weniger Zellen 26 als 22. Das Hauptelement 20 kann eine Anzahl von Zellen aufweisen, die in die Hunderte oder Tausende geht, während das Pilot-Element 24 beispielsweise nur eine Handvoll Zellen 26 umfaßt.
Eine Isolationsstruktur 28 isoliert die Zellen 26 des Pilot-Elemen­ tes 24 von den Zellen 22 des Hauptelementes 20. Gemäß der vorlie­ genden Erfindung ist die Isolationsstruktur 28 so ausgebildet, daß ein parasitäres Anschalten des Transistors verhindert wird, selbst beim Anwenden der Pilot-Struktur 24 zur Spannungsmessung.
Fig. 3, die eine Teilquerschnittsansicht des Elementes der Fig. 2 ist, gibt eine typische Hauptelementzelle 22 wieder, die einen tief eindiffundierten P⁺-Bereich 30 einschließt, der in einer epi­ taxialen N⁻-Schicht 32 gebildet ist, die über einem P⁺-Substrat 34 liegt. Die P⁺-Bereiche 30 der Hauptelementzellen 22 sind durch eine Metallisierungsschicht miteinander verbunden, die durch einen Leiter 36 dargestellt ist, die mit einem Anschluß 16 des Elementes 100 verbunden ist. Jeder der Bereiche 30 wirkt als ein Kollektor­ bereich eines bipolaren Transistors. Die epitaxiale N⁻-Schicht 32 und das P⁺-Substrat 34 werden als Basis- und Emitterbereiche des bipolaren Transistors betrieben. Es ist jedoch darauf hinzuweisen, daß unter anderen Vereinbarungen die Bezeichnungen der Bereiche 30 und des Substrates 34 andere sind. Dies bedeutet, daß das Substrat 34 als Kollektorbereich und die Bereiche 30 der Zellen 22 als Emit­ terbereiche des Elementes bezeichnet werden.
Zentriert auf jedem P⁺-Diffusionsbereich 30 ist ein flacherer P-Be­ reich 38. Innerhalb der überlappenden P-Bereiche 30 und 38 ist ein ringartiger N⁺-Diffusionsbereich 40 vorhanden, der als Source-Be­ reich der Zelle 22 wirkt. Die Sourcebereiche 42 der Zellen 22 sind miteinander und mit den Kollektorbereichen 30 des Metallisierungs­ schichtleiters 36 verbunden. Wie in Fig. 3 gezeigt, hat der Sour­ cebereich 40 einen Abstand von der benachbarten Peripherie des P-Bereiches 38, um zwischen dem Sourcebereich 40 und dem benach­ barten N⁻-Abschnitt 44 der Epitaxialschicht 32 einen Kanalbereich 42 zu bilden, der als Drain wirkt.
Über jedem der Kanalbereiche 42 und den benachbarten Oberflächen­ bereichen 44 der N⁻-Epitaxialschicht 32 ist eine Polysilizium- Gate-Elektrode 46 angeordnet, die durch eine Isolationsschicht 48 von der Oberfläche des Kanalbereiches 42 und dem Epitaxialschicht- Abschnitt 44 isoliert ist. Die Polysilizium-Gate-Elektrode 46 ist durch einen Leiter 50 mit dem Anschluß des Elementes 100 für das Gate-Steuersignal verbunden. Somit bilden die Sourcebereiche 40, die Kanalbereiche 42, die Gate-Elektrode 46 und die N⁻-Epita­ xialschicht 32 als Drain einen Feldeffekt-Transistor, der nach dem Anschalten Ladungsträger in die Basis (die N⁻-Epitaxialschicht 32) des bipolaren Transistors injiziert.
Die Zellen 26 des Pilot-Elementes 24 sind auch in der N⁻-Epita­ xialschicht 32 gebildet, und sie sind im wesentlichen identisch mit den Zellen 22 des Hauptelementes 20. Demgemäß sind die ent­ sprechenden Strukturelemente der Pilot-Zellen 26 mit den gleichen Bezugsziffern versehen, wie die der Hauptelementzellen 22, wobei bei den Bezugsziffern der Zellen 26 zusätzlich zur Unterscheidung ein Häkchen (′) verwendet ist. Die Gate-Elektroden-Leiter 50 und 50′ sind durch eine nicht dargestellte Metallisierungsbrücke ver­ bunden, so daß das Gate-Steuersignal sowohl an die Gate-Elektrode 46 des Hauptelementes 20 und die Gate-Elektrode 46′ des Pilot-Ele­ mentes 24 gelegt ist. Wenn daher das Hauptelement 20 angeschaltet wird, schaltet das Pilot-Element 24 ebenfalls an, und es wird ein durch beide fließender Strom erzeugt. Der vom Pilot-Element 24 er­ zeugte Strom ist proportional zu dem durch das Hauptelement 20 fließenden Strom , aber geringer, da das Pilot-Element 24 weniger Zellen aufweist als das Hauptelement. Eine in Fig. 3 durch einen Leiter 52 veranschaulichte Metallisierungsschicht verbindet jeden der Sourcebereiche 40′ und der Kollektorbereiche 30′ des Pilot- Elementes 24. Der Metallisierungsschicht-Leiter 52 ist mit einem nicht dargestellten Source/Kollektor-Ausgang des Pilot-Elementes verbunden, der die Überwachung des Stromes des Pilot-Elementes 24 gestattet.
Um den Strom des Pilot-Elementes 24 besser von dem des Hauptele­ mentes 20 zu isolieren, ist eine neue Isolationsstruktur 28 ge­ schaffen, die ein Paar beabstandeter, konzentrischer, ringartiger Isolationskanäle 60 und 62 einschließt, die das Pilot-Element 24 umgeben. Wie in Fig. 3 gezeigt sind die Isolationskanäle 60 und 62 durch tiefe P⁺-Diffusionen in die Epitaxialschicht 32 gebildet. Wie am besten in Fig. 2 ersichtlich, bilden die Isolationskanäle 60 und 62 zusammenhängende und geschlossene Schleifen, so daß die Zellen 26 des Pilot-Elementes vollkommen eingekreist sind. Obwohl die Kanäle 60 und 62 mit einer rechteckigen Gestalt dargestellt sind, sollte doch klar sein, daß auch andere Gestalten möglich sind.
Der Metallisierungsschicht-Leiter 36 verbindet den Isolationska­ nal 60 (der dem Hauptelement am nächsten ist) mit dem Ausgangsan­ schluß 16 von Source/Kollektor des Hauptelementes, wobei der An­ schluß 16 in der gezeigten Ausführungsform geerdet ist. Über der Oberfläche 64 der N⁻-Epitaxialschicht 32 ist eine Polysilizium- Elektrode 66 zwischen den Isolationskanälen 60 und 62 isoliert angeordnet. Eine Oxidschicht 68 isoliert die Elektrode 66 von der Oberfläche 64 der Epitaxialschicht 32. Gemäß der vorliegenden Er­ findung wird die Elektrode 66 über dem Bereich 64 zwischen den Isolationskanälen 60 und 62 durch eine Metallisierungsschicht 70 zum Isolationskanal 62, der dem Pilot-Element 24 am nächsten liegt, kurzgeschlossen. Der Metallisierungsschicht-Leiter 52, der die Sourcebereiche 40′ und die Kollektorbereiche 30′ mit dem Source/ Kollektor-Ausgang des Pilot-Elementes 24 verbindet, verbindet auch die kurzschließende Metallisierungsschicht 70 mit dem Source/Kol­ lektor-Ausgang des Pilot-Elementes 24.
Bei Anwendungen zur Spannungsmessung kann die Spannung des Source/ Kollektor-Ausgangs des Pilot-Elementes die Spannung des Source/ Kollektor-Ausgangs des Hauptelementes um ein oder mehr Volt über­ steigen. Da die Ausgangsspannung des Pilot-Elementes an den be­ nachbarten Isolationskanal 62 gelegt ist, und der Isolationskanal 60, der dem Hauptelement am nächsten liegt, geerdet ist, kann zwi­ schen die Isolationskanäle 60 und 62 eine merkliche Potentialdif­ ferenz gelegt werden. Denkt man sich den Isolationskanal 62 als den Sourcebereich eines parasitären Feldeffekt-Transistors und den Isolationskanal 60 als den Drain-Bereich des parasitären Transistors, dann stellt die Metallisierungsschicht 70, die den "Source"-Bereich 62 mit der "Gate"-Elektrode 66 kurzschließt, sicher, daß der parasitäre Transistor selbst bei Anwendungen für die Spannungsmessung nicht anschaltet, bei der sich ein relativ großer Spannungsunterschied zwischen dem Pilot-Element und dem Hauptelement entwickeln kann.
Zum Vergleich sei darauf hingewiesen, daß bei den Elementen nach dem Stande der Technik mit einem Paar beabstandeter Bereiche zwi­ schen dem Hauptelement und einem Pilot-Element das Kuppeln der Elektrode, die isoliert über der Fläche zwischen den beiden Berei­ chen mit den Gate-Elektroden des Haupt- oder Pilot-Elementes liegt oder das Kuppeln der Elektrode mit dem Bereich, der dem Hauptelement am nächsten ist, nicht sicherstellt, daß ein solcher parasitärer Transistor nicht anschaltet. Schaltet dieser parasitäre Transistor an, dann kann der vom Pilot-Element erzeugte Strom über den para­ sitären Transistor vom Source/Kollektor-Ausgang des Pilot-Elemen­ tes zum Source/Kollektor-Ausgang des Hauptelementes umgeleitet werden. Der Source/Kollektor-Strom des Pilot-Elementes würde daher an seinem Ausgang die ganze Größe des Hauptelement-Stromes nicht richtig wiedergeben. Ein Überstrom- (oder Überspannungs-)Zustand kann daher unentdeckt bleiben und die Zerstörung des Elementes selbst oder von Komponenten, die mit dem Ausgang des Hauptelemen­ tes verbunden sind, verursachen. Die Metallisierungsschicht 70 der dargestellten Ausführungsform hindert den parasitären Transis­ tor der Isolationsstruktur 28 jedoch am Anschalten. Folglich gibt der Pilot-Strom den wahren Strom (oder die Spannung) des Hauptele­ mentes richtiger wieder. Darüber hinaus fördert die zusammenhän­ gende, eine geschlossene Schleife bildende Konfiguration der Iso­ lationskanäle 60 und 62 die Isolationseigenschaften der Struktur 28.
Dem Fachmann sind natürlich Modifikationen der vorliegenden Er­ findung in ihren verschiedenen Aspekten zugänglich, wobei sich manche dieser Modifikationen aus der Kenntnisnahme der vorliegen­ den Anmeldung ergeben, während andere übliche Ausführungsformen auf dem Gebiet der Elektronik sind. So ist eine Isolationsstruk­ tur gemäß der vorliegenden Erfindung auch auf andere Elemente als die hier im Zusammenhang mit der erläuterten Ausführungsform beschriebenen Transistoren mit isoliertem Gate (Feldeffekt-Tran­ sistoren) anwendbar. Auch sind andere Ausführungsformen mit ihren spezifischen Besonderheiten unabhängig von der bestimmten Anwen­ dung möglich. Die vorliegende Erfindung ist daher nicht auf die besonders beschriebene Ausführungsform beschränkt.

Claims (7)

1. Monolithisches Halbleiterelement mit:
einem Hauptelement (20),
einem Pilot-Element (24),
einem ersten Isolationsbereich (62), der zwischen dem Hauptelement und dem Pilot-Element angeordnet ist, wobei dieser erste Isolationsbereich elektrisch mit dem Pilot- Element gekoppelt ist,
einem zweiten Isolationsbereich (60), der einen Abstand vom ersten Isolationsbereich hat, wobei der zweite Iso­ lationsbereich elektrisch an das Hauptelement gekoppelt und zwischen dem ersten Isolationsbereich und dem Haupt­ element angeordnet ist und der erste und zweite Isolations­ bereich zwischen sich einen Gate-Bereich definieren,
einer Gate-Elektrode (46), die isolierend über dem Gate­ bereich zwischen dem ersten und zweiten Isolationsbereich angeordnet ist und
einer Einrichtung (50) zum elektrischen Koppeln der Gate- Elektrode mit dem ersten Isolationsbereich, wodurch eine beträchtliche Leitung vom ersten Isolationsbereich zum zweiten Isolationsbereich verhindert wird.
2. Monolithisches Halbleiterelement mit
einem Hauptelement (20), das mehrere Zellen (22) umfaßt, von denen jede einen Sourcebereich (40) einschließt,
einem Pilot-Element (24), das mehrere Zellen (26) umfaßt, von denen jede einen Sourcebereich (40′) einschließt,
einem ersten isolierenden Kanalbereich (62), der zwischen den Hauptzellen und den Pilot-Zellen angeordnet ist und die Pilot-Zellen einkreist, wobei der genannte erste Ka­ nalbereich elektrisch mit dem Sourcebereich des Pilot- Elementes gekoppelt ist,
einem zweiten isolierenden Kanalbereich (60), der im Ab­ stand von dem ersten Kanalbereich angeordnet ist, wobei dieser zweite Kanalbereich elektrisch mit den Sourceberei­ chen des Hauptelementes gekoppelt und zwischen dem ersten Kanalbereich und den Hauptzellen angeordnet ist und die ersten und zweiten Kanalbereiche zwischen sich einen Gate- Bereich begrenzen,
einer Gate-Elektrode (46), die zwischen dem ersten und zweiten Kanalbereich über dem Gate-Bereich isoliert ange­ ordnet ist und
einer Einrichtung zum elektrischen Koppeln der Gate-Elek­ trode mit dem ersten Kanalbereich, worin eine beträcht­ liche Leitung von dem ersten Kanalbereich zum zweiten Ka­ nalbereich verhindert ist.
3. Element nach Anspruch 2, worin die Kupplingseinrichtung eine Metallisierungsschicht in Kontakt mit der Gate-Elek­ trode und dem ersten isolierenden Kanalbereich ist.
4. Element nach Anspruch 2, worin das Hauptelement und das Pilot-Element beide Transistoren mit isoliertem Gate sind.
5. Element nach Anspruch 2, worin der erste und der zweite Kanalbereich jeweils konzentrische, zusammenhängende und geschlossene Schleifen bilden.
6. Monolithisches Halbleiterelement mit
einer Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeits­ typs,
einem Hauptelement mit mehreren elektrisch miteinander verbundenen Zellen, die innerhalb der Halbleiterschicht ausgebildet sind, wobei jede Hauptzelle einen Sourcebe­ reich und einen Gate-Bereich einschließt,
einem Pilot-Element, das mehrere miteinander verbundene Zellen umfaßt, die innerhalb der Halbleiterschicht aus­ gebildet sind, wobei jede Pilot-Zelle einen Sourcebereich und einen Gate-Bereich einschließt,
einem ersten zusammenhängenden, eine geschlossene Schlei­ fe bildenden Bereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der zwischen den Hauptzellen und den Pilot-Zellen ange­ ordnet ist und die Pilot-Zellen einschließt, wobei dieser erste zusammenhängende Bereich elektrisch mit den Pilot- Zellen gekoppelt ist,
einem zweiten zusammenhängenden, eine geschlossene Schlei­ fe bildenden Bereich, der einen Abstand von dem ersten zusammenhängenden Bereich aufweist und diesen einschließt, wobei der zweite zusammenhängende Bereich elektrisch mit den Hauptelementzellen gekoppelt und zwischen dem ersten zusammenhängenden Bereich und den Hauptzellen angeordnet ist und der erste und der zweite zusammenhängende Bereich zwischen sich einen Gate-Bereich begrenzen,
einer Gate-Elektrode, die isolierend zwischen dem ersten und dem zweiten zusammenhängenden Bereich über dem Gate- Bereich angeordnet ist und
einer Einrichtung zum elektrischen Kuppeln der Gate-Elek­ trode mit dem ersten zusammenhängenden Bereich, worin eine beträchtliche Leitung vom ersten zusammenhängenden Bereich zum zweiten zusammenhängenden Bereich verhindert ist.
7. Monolithischer Transistor mit isoliertem Gate mit einem Halbleitersubstrat, das einen Emitterbereich bil­ det,
einer epitaxialen Halbleiterschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist und einen Bereich bildet, der als Drain und Basis wirkt,
mehreren Hauptkollektorbereichen, die innerhalb der Epi­ taxialschicht ausgebildet sind, wobei jeder Hauptkollek­ torbereich einen Haupt-Sourcebereich aufweist, der inner­ halb des Hauptkollektorbereiches ausgebildet ist und einen Abstand von dessen Kante aufweist, um dadurch einen Ka­ nalbereich zwischen dem Haupt-Sourcebereich und dem be­ nachbarten Drain- und Basisbereich zu definieren,
einer ersten Metallisierungsschicht, die die Hauptkollek­ tor- und-Sourcebereiche miteinander verbindet, mehreren Pilot-Kollektorbereichen, die innerhalb der Epi­ taxialschicht ausgebildet sind, wobei jeder Pilot-Kollek­ torbereich einen Pilot-Source-Bereich aufweist, der in­ nerhalb des Pilot-Kollektor-Bereiches ausgebildet ist und einen Abstand von dessen Kante aufweist, um dadurch einen Kanalbereich zwischen dem Pilot-Source-Bereich und dem benachbarten Drain- und Basisbereich zu begrenzen,
einer zweiten Metallisierungsschicht, die den Pilot-Source­ und-Kollektorbereich miteinander verbindet,
mehreren miteinander verbundenen Gate-Elektroden, die iso­ liert über den Haupt- und Pilot-Kanalbereich angeordnet sind,
einem ersten zusammenhängenden, eine geschlossene Schlei­ fe bildenden Isolationskanalbereich, der zwischen dem Hauptkollektorbereich und dem Pilot-Kollektor-Bereich an­ geordnet ist und die Pilot-Kollektor-Bereiche ein­ schließt;
einem zweiten zusammenhängenden, eine geschlossene Schlei­ fe bildenden Isolationskanalbereich, der einen Abstand von dem ersten zusammenhängenden Bereich aufweist und diesen einschließt, wobei der zweite zusammenhängende Bereich elektrisch mit dem Haupt-Source- und- Kollektorbe­ reich gekoppelt und zwischen dem ersten zusammenhängenden und dem Hauptkollektorbereich angeordnet ist, wobei der erste und der zweite zusammenhängende Bereich zwischen sich einen Gate-Bereich definieren,
einer Gate-Elektrode, die isoliert über dem Gate-Bereich zwischen dem ersten und dem zweiten zusammenhängenden Bereich angeordnet ist und
einem Metallisierungsschicht-Leiter, der elektrisch die Gate-Elektrode mit dem ersten zusammenhängenden Bereich koppelt, worin eine beträchtliche Leitung von dem ersten zusammenhängenden Bereich zum zweiten zusammenhängenden Bereich verhindert ist.
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