DE3780327T2 - Herstellungsverfahren einer halbleiter-kristallschicht. - Google Patents
Herstellungsverfahren einer halbleiter-kristallschicht.Info
- Publication number
- DE3780327T2 DE3780327T2 DE8787103147T DE3780327T DE3780327T2 DE 3780327 T2 DE3780327 T2 DE 3780327T2 DE 8787103147 T DE8787103147 T DE 8787103147T DE 3780327 T DE3780327 T DE 3780327T DE 3780327 T2 DE3780327 T2 DE 3780327T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- forming
- crystal
- main surface
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H10P14/3814—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/40—Crystalline structures
- H10D62/405—Orientations of crystalline planes
-
- H10P14/2905—
-
- H10P14/3238—
-
- H10P14/3242—
-
- H10P14/3411—
-
- H10P14/3466—
-
- H10P14/382—
-
- H10P34/42—
-
- H10P90/1912—
-
- H10W10/181—
-
- H10P14/20—
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/903—Dendrite or web or cage technique
- Y10S117/904—Laser beam
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61048468A JPS62206816A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 半導体結晶層の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3780327D1 DE3780327D1 (de) | 1992-08-20 |
| DE3780327T2 true DE3780327T2 (de) | 1993-03-11 |
Family
ID=12804203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE8787103147T Expired - Fee Related DE3780327T2 (de) | 1986-03-07 | 1987-03-05 | Herstellungsverfahren einer halbleiter-kristallschicht. |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4861418A (enExample) |
| EP (1) | EP0236953B1 (enExample) |
| JP (1) | JPS62206816A (enExample) |
| DE (1) | DE3780327T2 (enExample) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01162376A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2980920B2 (ja) * | 1989-08-03 | 1999-11-22 | 日本エービーエス株式会社 | 車両用液圧ブレーキ制御装置 |
| DE69127395T2 (de) * | 1990-05-11 | 1998-01-02 | Asahi Glass Co Ltd | Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilm-Transistors mit polykristallinem Halbleiter |
| US5155559A (en) * | 1991-07-25 | 1992-10-13 | North Carolina State University | High temperature refractory silicide rectifying contact |
| DE4128333A1 (de) * | 1991-08-27 | 1993-03-04 | Fischer Armin | Verfahren zum gettern von soi-schichten |
| JP3453436B2 (ja) * | 1994-09-08 | 2003-10-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体層を溶融再結晶化するための装置 |
| US5893948A (en) * | 1996-04-05 | 1999-04-13 | Xerox Corporation | Method for forming single silicon crystals using nucleation sites |
| US6066571A (en) * | 1997-01-10 | 2000-05-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of preparing semiconductor surface |
| TWI253179B (en) * | 2002-09-18 | 2006-04-11 | Sanyo Electric Co | Method for making a semiconductor device |
| JP4326477B2 (ja) * | 2003-05-14 | 2009-09-09 | シャープ株式会社 | 半導体薄膜の結晶化方法 |
| JP4986415B2 (ja) * | 2004-06-14 | 2012-07-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US8389099B1 (en) | 2007-06-01 | 2013-03-05 | Rubicon Technology, Inc. | Asymmetrical wafer configurations and method for creating the same |
| US8348720B1 (en) | 2007-06-19 | 2013-01-08 | Rubicon Technology, Inc. | Ultra-flat, high throughput wafer lapping process |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4371421A (en) * | 1981-04-16 | 1983-02-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Lateral epitaxial growth by seeded solidification |
| US4448632A (en) * | 1981-05-25 | 1984-05-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of fabricating semiconductor devices |
| US4494300A (en) * | 1981-06-30 | 1985-01-22 | International Business Machines, Inc. | Process for forming transistors using silicon ribbons as substrates |
| JPS5893221A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-02 | Toshiba Corp | 半導体薄膜構造とその製造方法 |
| JPS58130517A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-04 | Hitachi Ltd | 単結晶薄膜の製造方法 |
| US4479846A (en) * | 1982-06-23 | 1984-10-30 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of entraining dislocations and other crystalline defects in heated film contacting patterned region |
| JPS5945996A (ja) * | 1982-09-03 | 1984-03-15 | Nec Corp | 半導体の気相成長方法 |
| JPS59108313A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体単結晶層の製造方法 |
| US4592799A (en) * | 1983-05-09 | 1986-06-03 | Sony Corporation | Method of recrystallizing a polycrystalline, amorphous or small grain material |
| US4545823A (en) * | 1983-11-14 | 1985-10-08 | Hewlett-Packard Company | Grain boundary confinement in silicon-on-insulator films |
| US4564403A (en) * | 1984-01-27 | 1986-01-14 | Sony Corporation Research Center | Single-crystal semiconductor devices and method for making them |
| US4590130A (en) * | 1984-03-26 | 1986-05-20 | General Electric Company | Solid state zone recrystallization of semiconductor material on an insulator |
| DE3685732T2 (de) * | 1985-12-20 | 1993-01-21 | Agency Ind Science Techn | Verfahren zur herstellung einer monokristallinen duennen schicht. |
| JPS62160712A (ja) * | 1986-01-09 | 1987-07-16 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体装置の製造方法 |
| DE3779672T2 (de) * | 1986-03-07 | 1993-01-28 | Iizuka Kozo | Verfahren zum herstellen einer monokristallinen halbleiterschicht. |
-
1986
- 1986-03-07 JP JP61048468A patent/JPS62206816A/ja active Granted
-
1987
- 1987-03-05 DE DE8787103147T patent/DE3780327T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-03-05 EP EP87103147A patent/EP0236953B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-03-06 US US07/022,402 patent/US4861418A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0236953B1 (en) | 1992-07-15 |
| EP0236953A3 (en) | 1989-07-26 |
| JPH0476490B2 (enExample) | 1992-12-03 |
| DE3780327D1 (de) | 1992-08-20 |
| US4861418A (en) | 1989-08-29 |
| JPS62206816A (ja) | 1987-09-11 |
| EP0236953A2 (en) | 1987-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3779672T2 (de) | Verfahren zum herstellen einer monokristallinen halbleiterschicht. | |
| DE69515020T2 (de) | Verfahren zum Züchten eines Halbleiterkristalls | |
| DE2416550C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit versetzungsfreiem Übergitterstrukturkristall | |
| DE3780327T2 (de) | Herstellungsverfahren einer halbleiter-kristallschicht. | |
| DE3750076T2 (de) | Verfahren zur Veränderung der Eigenschften von Halbleitern. | |
| DE3224604C2 (enExample) | ||
| DE4138121C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle | |
| DE69120745T2 (de) | Verfahren zur Züchtung eines dünnen kristallinen Films | |
| DE3486006T2 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiterlasern. | |
| DE2555155C2 (enExample) | ||
| DE2423816A1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen und durch dieses verfahren hergestellte halbleiteranordnungen | |
| DE10306550B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Bilden einer Halbleiterdünnschicht | |
| DE10009876B4 (de) | Verfahren zum Bilden eines einkristallinen Films | |
| DE2517252A1 (de) | Halbleiterelement | |
| EP0002658B1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
| DE4427715C1 (de) | Komposit-Struktur mit auf einer Diamantschicht und/oder einer diamantähnlichen Schicht angeordneter Halbleiterschicht sowie ein Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE19820441A1 (de) | Verfahren zum Kristallisieren einer amorphen Siliziumschicht und Herstellungsverfahren für einen Dünnschichttransistor | |
| DE69124173T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers | |
| DE69330583T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Kristalls und Halbleiteranordnung | |
| DE69114162T2 (de) | Verfahren zum Züchten eines Kristalls. | |
| DE2929719C2 (de) | Halbleiterlaser | |
| DE3685732T2 (de) | Verfahren zur herstellung einer monokristallinen duennen schicht. | |
| DE3779547T2 (de) | Halbleiteranordnung mit einer epitaktischen schicht auf einem einkristallinen substrat mit nicht angepasstem gitter. | |
| DE3932277A1 (de) | Halbleitereinrichtung und verfahren zu ihrer herstellung | |
| DE3502757C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Einkristallkeimen für Einkristall-Halbleiteranordnungen |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |