DE3727678C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3727678C2 DE3727678C2 DE3727678A DE3727678A DE3727678C2 DE 3727678 C2 DE3727678 C2 DE 3727678C2 DE 3727678 A DE3727678 A DE 3727678A DE 3727678 A DE3727678 A DE 3727678A DE 3727678 C2 DE3727678 C2 DE 3727678C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- film
- alloy
- pattern
- mask
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61195991A JPS6351632A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | X線露光用マスクとその製造方法 |
JP6625487A JPH0628230B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | X線露光用マスクおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3727678A1 DE3727678A1 (de) | 1988-02-25 |
DE3727678C2 true DE3727678C2 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | 1992-05-07 |
Family
ID=26407431
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19873727678 Granted DE3727678A1 (de) | 1986-08-20 | 1987-08-19 | Roentgenmaske und verfahren zur herstellung einer roentgenmaske |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4873162A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) |
DE (1) | DE3727678A1 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0563251A1 (en) * | 1990-12-20 | 1993-10-06 | Exxon Chemical Patents Inc. | Uv/eb curable butyl copolymers for lithographic and corrosion-resistant coating applications |
JP3071876B2 (ja) * | 1991-01-08 | 2000-07-31 | 株式会社東芝 | X線マスク、その製造方法、及びこれを用いた露光方法 |
US5178975A (en) * | 1991-01-25 | 1993-01-12 | International Business Machines Corporation | High resolution X-ray mask having high aspect ratio absorber patterns |
JPH05343299A (ja) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | X線マスク及びx線マスクの製造方法 |
US5318687A (en) * | 1992-08-07 | 1994-06-07 | International Business Machines Corporation | Low stress electrodeposition of gold for X-ray mask fabrication |
US5677090A (en) * | 1995-02-23 | 1997-10-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making X-ray mask having reduced stress |
JP3578872B2 (ja) * | 1995-10-26 | 2004-10-20 | 三菱電機株式会社 | X線マスクの製造方法および加熱装置 |
JP3588222B2 (ja) * | 1997-03-24 | 2004-11-10 | 三菱電機株式会社 | X線マスクの製造方法 |
JPH11288863A (ja) | 1998-04-01 | 1999-10-19 | Mitsubishi Electric Corp | X線マスクおよびその製造方法 |
TW352419B (en) * | 1998-06-04 | 1999-02-11 | United Microelectronics Corp | Composition of X-ray mask |
US6106351A (en) * | 1998-09-02 | 2000-08-22 | Micron Technology, Inc. | Methods of manufacturing microelectronic substrate assemblies for use in planarization processes |
JP2000100698A (ja) | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Mitsubishi Electric Corp | X線マスクおよびその製造方法 |
US9145332B2 (en) | 2012-08-16 | 2015-09-29 | Infineon Technologies Ag | Etching apparatus and method |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4037111A (en) * | 1976-06-08 | 1977-07-19 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Mask structures for X-ray lithography |
JPS60220933A (ja) * | 1984-04-18 | 1985-11-05 | Nec Corp | X線露光マスク及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61116358A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-03 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク材料 |
JPH0682602B2 (ja) * | 1985-08-16 | 1994-10-19 | 株式会社日立製作所 | X線リングラフィー用マスクおよびその製造方法 |
-
1987
- 1987-08-14 US US07/085,210 patent/US4873162A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-08-19 DE DE19873727678 patent/DE3727678A1/de active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4037111A (en) * | 1976-06-08 | 1977-07-19 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Mask structures for X-ray lithography |
JPS60220933A (ja) * | 1984-04-18 | 1985-11-05 | Nec Corp | X線露光マスク及びその製造方法 |
US4634643A (en) * | 1984-04-18 | 1987-01-06 | Nec | X-ray mask and method of manufacturing the same |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
US-Z.: Solid State Techn. Jan. 1980, S. 53-58 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3727678A1 (de) | 1988-02-25 |
US4873162A (en) | 1989-10-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3727678C2 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | ||
DE3528087C2 (de) | Substrat für Solarzellen aus amorphem Silicium | |
DE2839535C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Meßkörpers für Interferenzmessungen von Schichtdicken eines einkristallinen Körpers und Verwendung dieses Meßkörpers für die Herstellung eines Halbleiterkörpers | |
DE60307017T2 (de) | Rohling für Halbton-Phasenschiebermaske, sowie Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2536718C3 (de) | Verfahren zur Herstellung geätzter Strukturen in Festkörperoberflächen durch Ionenätzung und Bestrahlungsmaske zur Verwendung in diesem Verfahren | |
DE2738384C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
DE19525745A1 (de) | Verfahren zur Bildung eines Abdeckungsmusters | |
DE2922791A1 (de) | Verfahren zum trockenaetzen von aluminium und aluminiumlegierungen | |
DE3539201C2 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | ||
DE69523165T2 (de) | Phasenschiebermasken-rohling und verfahren zu seiner herstellung | |
DE3119682C2 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | ||
DE4102422A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer in mehreren ebenen angeordneten leiterstruktur einer halbleitervorrichtung | |
DE19944039A1 (de) | Rohling für eine Phasenverschiebungs-Photomaske, Phasenverschiebungs-Photomaske, Verfahren zur Herstellung derselben und Vorrichtung zum Herstellen des Rohlings | |
DE3783239T2 (de) | Roentgenstrahlmaske. | |
DE68902591T2 (de) | Roentgenstrahl-absorptionsmittel fuer roentgenstrahllithographie und herstellung durch zerstaeubung. | |
EP0298274A1 (de) | Verfahren zum Strukturieren einer Kupfer- und/oder Permalloyschicht mittels Trockenätzen | |
EP0372645A2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Maskenträgers aus SiC für Strahlungslithographie-Masken | |
DE2835577A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines duennfilmmagnetkopfes und duennfilmmagnetkopf mit einem nickel-eisen-muster mit boeschungen | |
DE3903699C2 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | ||
DE60105904T2 (de) | Rohling für Phasenschiebermaske, Phasenschiebermaske und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE10349087A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbton-Phasenverschiebungsmasken-Rohlingen | |
DE10330795B4 (de) | Kohlenstoff-Hartmaske mit einer Stickstoff-dotierten Kohlenstoffschicht als haftfähiger Schicht zur Haftung auf Metall oder metallhaltigen anorganischen Materialien und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE19747775C2 (de) | Röntgenstrahlenabsorber in einer Röntgenstrahlenmaske und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE4316114C2 (de) | Röntgenstrahlen-Maske und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
EP0306091B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Maske für Strahlungslithographie |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) |