DE19747775C2 - Röntgenstrahlenabsorber in einer Röntgenstrahlenmaske und Verfahren zur Herstellung desselben - Google Patents

Röntgenstrahlenabsorber in einer Röntgenstrahlenmaske und Verfahren zur Herstellung desselben

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Röntgenstrahlenabsorber in einer Röntgenstrahlenmaske, sowie ein Verfahren zur dessen Herstellung.
Aus der DE 31 19 682 C2 ist bereits eine spannungskompensierte zwei­ schichtige Absorberstruktur für eine Röntgenstrahlenmaske bekannt, die aus Wo-Mo besteht.
Darüber hinaus ist ein Röntgenstrahlen-Absorber mit amorpher Phase aus der DE 43 16 114 A1 bekannt.
Die optische lithographische Belichtungstechnik, eine der führenden Techniken, die derzeit von der Halbleiterindustrie verwendet wird, hat nahezu die technischen und wirtschaftlichen Grenzen erreicht. Als Alter­ native zu der optischen lithographischen Belichtungstechnik zieht seit kurzem die Röntgenstrahl-Lithographie viel Aufmerksamkeit auf sich. Die Entwicklung von Röntgenstrahlenmasken ist der wichtigste Faktor für die Röntgenstrahl-Lithographie.
Eine allgemeine Röntgenstrahlenmaske umfaßt, wie in Fig. 1 gezeigt, eine Membran 1 aus Siliziumnitrid (SiN) oder Siliziunkarbid (SiC), ein Röntgen­ strahlenabsorbtionsmuster 2 aus einem Schwermetall, wie Wolfram (W) oder Tantal (Ta) mit einer hohen Röntgenstrahlenabsorbtion auf einem vorbestimmten Teil der Membran 1 und ein Siliziumsubstrat 3, das unter der Membran 1 ausgebildet ist, von welcher die untere Oberfläche gegenü­ ber dem Röntgenstrahlenabsorbtionsmuster 2 freigelegt ist.
Da der Röntgenstrahlenabsorber Röntgenstrahlen absorbiert, muß er ge­ genüber Röntgenstrahlen stabil sein. Darüber hinaus darf trotz der durch Röntgenstrahlenabsorbtion erzeugten Wärme eine Musterverschiebung kaum sattfinden. Der Grund für das Auftreten einer Musterverschiebung besteht darin, daß die Röntgenstrahlenabsorbtion bewirkt, daß der Rönt­ genstrahlenabsorber verformt wird. Das heißt, die Absorbtion von Rönt­ genstrahlen ändert die Rest- oder Eigenspannung des Röntgenstrahlenab­ sorbers. Um dieses Problem zu vermeiden sollte dementsprechend die Restspannung verringert werden, die erzeugt wird, wenn der Röntgen­ strahlenabsorber gebildet wird.
Bei einem Verfahren zur Reduzierung der Restspannung des Röntgen­ strahlenabsorbers wird eine 10 nm dicke α - W Keimschicht mit einem Ver­ dampfungsverfahren gebildet und dann wird Wolfram gesputtert, wenn die Temperatur eines Substrats 200°C ist, um so einen Röntgenstrahlen­ absorber mit niedriger Spannung zu bilden.
Bei einem anderen Verfahren wird Wolfram mit einem Sputter-Verfahren abgeschieden, und dann wird ein schneller thermischer Anlassprozeß über das Wolfram ausgeführt, um dadurch die Restspannung abzuschwä­ chen. Bei einem weiteren Verfahren wird erst Wolfram abgeschieden. Auf der Oberfläche des Röntgenstrahlenabsorbers wird ein Ionenimplanta­ tionsprozeß durchgeführt mit einem Inertgas wie Neon (Ne), Argon (Ar) oder Krypton (Kr), wodurch die verbleibende Spannung abgeschwächt wird. Bei noch einem anderen Verfahren werden, nachdem Wolframnitrid (WN) und Wolfram-Titan (WTi) amorpher Phase abgeschieden sind, diese bei einer Temperatur von 300-400°C angelassen oder wärmebehandelt.
Die herkömmlichen Verfahren zur Herstellung von Röntgenstrahlenab­ sorbern in einer Röntgenstrahlenmaske mit niedriger Spannung weisen jedoch die folgenden Probleme auf.
Erstens, da ein Anlaß- oder Wärmebehandlungsprozeß und ein Ionenim­ plantationsprozeß erforderlich sind, um die Rest- oder Eigenspannung ei­ nes Röntgenstrahlenabsorbers einzustellen, wird der gesamte Herstel­ lungsprozeß komplex und eine Röntgenstrahlenmaske, die ein Mikrodi­ mensionsmuster benötigt, wird verunreinigt. Zweitens, da die feine Struk­ tur des Röntgenstrahlenabsorbers in kristalliner Phase vorliegt, wird der Wert seiner Oberflächenrauhigkeit etwa 6-10 nm entsprechend der Größe der Kristallkörner. Dementsprechend hat das Mikro-Röntgenstrahlenab­ sorbtionsmuster einen schlechten Einfluß auf das Mustern und Ätzen des Röntgenstrahlenabsorbers. Drittens, selbst wenn der Absorber mit einer amorphen Struktur keine Korngrenzen aufweist, so daß seine Spannung nicht geändert wird und die Oberflächenrauhigkeit hervorragend genug ist, um die Defekte des Absorbers mit Kristallstruktur auszugleichen, ist die Differenz der durch die Wärmebehandlung erreichten Spannungsän­ derungen zu klein, um seine Restspannung einzustellen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen spannungskompensierten und oberflächenglatten Röntgenstrah­ lenabsorber in einer Röntgenstrahlenmaske sowie ein Herstellungsver­ fahren dafür bereitzustellen.
Diese Aufgabe wird durch den Röntgenstrahlenabsorber nach Anspruch 1 bzw. 4 bzw. das Verfahren zur Herstellung eines Röntgenstrahlenabsorbers nach Anspruch 8 gelöst.
Der erfindungsgemäße Röntgenstrahlenabsorber weist eine Doppel­ schichtstruktur auf, die allein unter Benutzung eines Abscheideverfah­ rens erzeugt wird, um ihre Rest- oder Eigenspannung einzustellen, wo­ durch der gesamte Prozeß vereinfacht wird.
Insbesondere hat der erfindungsgemäße Röntgenstrahlenabsorber eine Oberfläche, die von einer amorphen Phase gebildet ist, so daß die Oberflä­ chenrauhigkeit verbessert, also glatter ist.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung sind in den Unteransprü­ chen sowie der folgenden Beschreibung erläutert.
Die Erfindung wird im folgenden beispielsweise anhand der Zeichnung nä­ her erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Schnittdarstellung der Struktur einer allgemeinen Röntgen­ strahlenmaske;
Fig. 2 eine Schnittdarstellung eines Röntgenstrahlenabsorbers in einer Röntgenstrahlenmaske nach der Erfindung;
Fig. 3 ein Diagramm, das die Spannungsänderung entsprechend einem Abscheidungsdruck von Wolfram und Wolframnitrid zeigt;
Fig. 4 ein Diagramm, das eine Analyse der Röntgenstrahlbeugung zum Er­ kennen einer kristallinen Struktur des Materials zeigt;
Fig. 5 ein Diagramm, das eine Analyse der Röntgenstrahlbeugung eines Wolframnitridabsorbers entsprechend eines vierten Ausführungsbeispiels der Erfindung zeigt;
Fig. 6 ein Diagramm, das die Spannungsänderung durch Wärmebehand­ lung des Wolframnitridabsorbers entsprechend dem vierten Ausführungs­ beispiel der Erfindung zeigt; und
Fig. 7 ein Diagramm, das die Änderung der Spannung durch Wärmebe­ handlung des Zweischichtabsorbers zeigt.
Wie Fig. 2 zeigt, weist der Absorber 12 eine Zweischichtstruktur auf, die aus einer ersten auf einer Membran 11 ausgebildeten Schicht 12a mit kri­ stalliner Phase und einer zweiten auf der ersten Schicht 12a ausgebildeten Schicht 12b mit amorpher Phase zusammengesetzt ist.
Derartige Absorber mit Zweischichtstruktur lassen sich in zwei Typen ein­ teilen.
Bei einem Absorber vom einen Typ besteht die erste Schicht 12a aus einem hochschmelzenden Metall kristalliner Phase mit Zugspannung und die zweite Schicht besteht aus hochschmelzenden Metall amorpher Phase mit Druckspannung. Der Absorber weist also eine Zweischichtstruktur auf, die aus amorphem Wolframtitan (WTi)/kristallinem Wolfram (W), amor­ phem Wolframnitrid (WN)/kristallinem Wolfram, oder amorphem Tantal­ borid (Ta4B)/kristallinem Tantal (Ta) besteht.
Bei einem Absorber vom anderen Typ besteht die erste Schicht 12a aus ei­ nem hochschmelzenden Metall kristalliner Phase mit Druckspannung, und eine zweite Schicht 12b besteht aus einem hochschmelzenden Metall amorpher Phase mit Druckspannung. Der Absorber weist also eine Zwei­ schichtstruktur auf, die zum Beispiel aus amorphem Wolframnitrid (WN)/kristallinem Wolframnitrid (WN) besteht.
Die Gründe dafür, daß ein Absorber eine Zweischichtstruktur aufweist, werden im folgenden erläutert.
Erstens ist es einfach die Gesamtspannung eines Absorbers einzustellen. Im ersten oben erläuterten Fall ist die Spannung der ersten Schicht 12a entgegengesetzt zu der zweiten Schicht 12b, so daß die gesamte Restspan­ nung des Absorbers 12 abnimmt. Im zweiten Fall ist es einfach, die Ge­ samtrestspannung des Absorbers einzustellen, da die erste Schicht 12a, das kristalline Wolframnitrid, eine große Differenz der Spannungsände­ rungen während einer Wärmebehandlung aufweist.
Zweitens kann die Sauerstoffdiffusion in den Absorber 12 verhindert wer­ den und die Rauhigkeit seiner Oberfläche wird hervorragend. Es läßt sich also eine besonders glatte Oberfläche des Absorbers erreichen. In den vor­ erwähnten ersten und zweiten Fällen hindert die amorphe Phase der an der Oberfläche des Absorbers gebildeten zweiten Schicht 12b Luftsauerstoff daran entlang der Kristallkorngrenzen in den Absorber 12 zu diffundieren, so daß Änderungen der Rest- oder Eigenspannung des Absorbers 12 besei­ tigt werden können, die sonst im Laufe der Zeit auftreten, und die Oberflä­ chenrauhigkeit des Absorbers auf etwa 1 nm verringert werden kann.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele von Verfahren zum Herstellen eines Absorbers mit der vorhergehenden Struktur erläutert.
Erstes Ausführungsbeispiel
Zuerst wird auf einer Membran 11 kristallines Wolfram 12a mit einem Sputterprozeß unter Benutzung von Argongas allein abgeschieden. Dann wird auf dem Wolfram amorphes Wolframnitrid 12b mit einem reaktiven Sputterprozeß durch Hinzufügen von 10 Vol.-% Stickstoff als reaktivem Gas abgeschieden, wodurch ein Röntgenstrahlenabsorber mit einer Zweischichtstruk­ tur gebildet wird. In diesem Fall ist der Abscheidungsdruck für Wolfram im Bereich von 3,5-6 mTorr und der für Wolframnitrid im Bereich von 1,5-3,5 mTorr.
Der Grund dafür, daß der Abscheidungsdruck wie oben beschrieben ist, besteht darin, daß Wolfram unter einem Abscheidungsdruck von etwa 3,5-6 mTorr eine Zugspannung aufweist und Wolframnitrid unter einem Abscheidungsdruck von weniger als etwa 3,5 mTorr eine Druckspannung aufweist wie in Fig. 3 gezeigt ist. Die Kurven in Fig. 3 zeigen Spannungsän­ derungen entsprechend den Abscheidungsdrücken von Wolfram und Wol­ framnitrid.
Hinsichtlich der Kristallstruktur weist Wolfram ungeachtet seines Abscheidungsdrucks ein raumzentriertes kubisches Gitter auf. Wolframnitrid ist amorph, wenn sein Abscheidungsdruck kleiner als 3,5 mTorr und das Gasverhältnis von N2/(Ar + N2) kleiner ist als 0,1 (also weniger als 40 At.-% von WN ist im Wolframnitrid enthaltener Stickstoff). Im Gegensatz dazu weist es ein flächenzentriertes kubisches Gitter auf, wenn sein Abscheidungsdruck größer als 3,5 mTorr und das Verhältnis von N2/(Ar + N2) größer als 0,1 ist.
Wie die in Fig. 4 dargestellte Kurve einer Analyse von Röntgenstrahlenbeu­ gung zeigt, können die oben beschriebenen Strukturen klar festgestellt werden. Wenn Röntgenstrahlen unter einem vorbestimmten Winkel auf die atomare Struktur von Wolfram auftreffen, weist die Intensität der Rönt­ genstrahlen eine Spitze infolge der kristallinen Phase von Wolfram auf. Wenn sie auf die atomare Struktur von Wolframnitrid unter einem vorbe­ stimmten Winkel auftrifft, ist der Intensitätsverlauf der Röntgenstrahlen sehr glatt, wegen der amorphen Phase von Wolframnitrid.
Der Röntgenstrahlenabsorber weist eine Zweischichtstruktur aus kristal­ linem Wolfram mit Zugspannung und amorphem Wolframnitrid mit Druckspannung auf, so daß die Restspannung des Röntgenstrahlenabsor­ bers wegen der entgegengesetzten Spannungen eine niedrige Zugspan­ nung wird. Zusätzlich wird seine Oberflächenrauhigkeit kleiner als 1 nm. Im Vergleich mit der Oberflächenrauhigkeit (6-10 nm) eines konventio­ nellen Röntgenstrahlenabsorbers ist die Oberflächenrauhigkeit des erfin­ dungsgemäßen Röntgenstrahlenabsorbers signifikant verbessert.
Ferner werden, wenn Wolfram und Wolframnitrid mit vorbestimmten Ab­ scheidungsdrücken abgeschieden werden, ihre Dicken wegen der Span­ nung von Wolframnitrid eingestellt, wodurch seine Restspannung auf we­ niger als 1 × 109 dyn/cm2 fällt. Wenn zum Beispiel kristallines Wolfram unter einem Druck von 4 mTorr abgeschieden wird und amorphes Wol­ framnitrid, in welchem die Stickstoffmenge 30% ist, unter einem Druck von 3 mTorr abgeschieden wird, und ein Dickenverhältnis von kristalli­ schem zum amorphen 2 : 1 ist, so wird ein Röntgenstrahlenabsorber gebil­ det, der eine niedrige Zugspannung von 8 × 108 dyn/cm2 aufweist.
Zweites Ausführungsbeispiel
Nachdem kristallines Wolfram 12a auf einer Membran 11 mit einem Sput­ terprozeß unter Benutzung von Argongas allein abgeschieden ist, wird amorphes Wolframtitan 12b, in welchem der Anteil von Titan (Ti) weniger als 5 Gew.-% ist, abgeschieden, um dadurch einen Röntgenstrahlenabsor­ ber 12 mit doppelten Schichten zu bilden.
Dabei liegt der Abscheidungsdruck für Wolfram im Bereich von 3,5-6 mTorr und der Abscheidungsdruck von Wolframtitan ist in einem Bereich von 1,5-3,5 mTorr. Ein Dickenverhältnis von Wolfram zu Wolframtitan ist so eingestellt, daß die Restspannung des Röntgenstrahlenabsorbers eine niedrige Zugspannung wird.
Drittes Ausführungsbeispiel
Auf einer Membran 11 wird kristallines Tantal 12a mit einer Zugspan­ nung unter mehr als 3,5 mTorr aufgesputtert. Als nächstes wird auf dem Tantal amorphes Tantalborid unter weniger als 3,5 mTorr abgeschieden, um dadurch einen Röntgenstrahlenabsorber 12 mit geringer Zugspan­ nung von weniger als 9 × 108 dyn/cm2 zu bilden.
Dabei sind die Restspannung und die Kristallstruktur von Tantal ähnlich zu denen von Wolfram, und das Tantalborid ist amorph und weist wie Wol­ framnitrid eine Druckspannung unter weniger als 4 mTorr auf unter der Bedingung, daß das Verhältnis von Tantal zu Bor 4 : 1 ist. Die Spannung des Röntgenstrahlenabsorbers wird eingestellt durch das Dickenverhält­ nis von amorphem Tantalborid (Ta4B) zu Tantal.
Viertes Ausführungsbeispiel
Entsprechend dem vierten Ausführungsbeispiel wird ein Wolframtarget als Material für einen Absorber benutzt. Ein reaktiver Sputterprozeß unter Benutzung eines Gasgemischs von Argon (Ar) und Stickstoff (N2) wird be­ nutzt, um einen Wolframnitrid(WNX)-Absorber mit Zweischichtstruktur herzustellen.
Zuerst wird unter Benutzung eines Sputtergases mit einem Gasverhältnis von N2/(Ar + N2) von mehr als 0,1 unter einem Abscheidungsdruck von 3,5 mTorr kristallines Wolframnitrid auf einer Membran abgeschieden. Nachfolgend wird unter Benutzung eines Gasverhältnisses N2/(Ar + N2) von 0,05 unter einem Abscheidungsdruck von 3,5 mTorr amorphes Wol­ framnitrid auf dem Wolframnitrid kristalliner Phase abgeschieden, um da­ durch einen Absorber herzustellen. Mit anderen Worten hat der Absorber eine Doppelschichtstruktur, die aus amorphem Wolframnitrid/kristalli­ nem Wolframnitrid zusammengesetzt ist. Der Grund dafür, daß in diesem Fall die Abscheidungsdrücke für beide Wolframnitridarten mit unter­ schiedlichen Phasen die gleichen sind, wird im folgenden erläutert. Wenn der Anteil von im Sputtergasgemisch enthaltenem Stickstoff kleiner als 10 Vol.-% ist, weist das Wolframnitrid eine amorphe Phase auf. Wenn der An­ teil von enthaltenem Stickstoff größer als 10 Vol.-% ist, weist das Wolfram­ nitrid eine kristalline Phase auf.
Wie die in Fig. 5 gezeigte Kurve der Intensitätsverteilung der Röntgenbeu­ gung an einem Wolframnitridabsorber zeigt, hat, wenn Röntgenstrahlen unter einem vorbestimmten Winkel auf die atomare Struktur von Wolfram­ nitrid auffällt, das kristalline Wolframnitrid mit mehr als 10 Vol.-% Stick­ stoff im Gasgemisch eine scharfe Spitze in der Linie der Röntgenstrahlin­ tensität, da es in kristalliner Phase (β - W2N) vorliegt. Amorphes Wolfram­ nitrid mit weniger als 10 Vol.-% Stickstoff weist eine glatte Kurve in der Li­ nie der Röntgenintensität auf.
Der auf diese Weise hergestellte Absorber wird bei einer Temperatur von mehr als etwa 200°C wärmebehandelt, um so eine niedrige Spannung in­ nerhalb von ±10 MPa aufzuweisen.
Der Grund für das Einstellen der Spannung des Absorbers durch Einstel­ len der Wärmebehandlungstemperatur entsprechend dem vierten Ausfüh­ rungsbeispiel wird nun mit Bezug auf Fig. 6 erläutert. Ein Wolframnitrid- Dünnfilm amorpher Phase, der unter Benutzung eines Sputtergasge­ mischs abgeschieden wurde, in welchem die Menge von Stickstoff 5 Vol.-% ist, weist eine Dichte von 17 g/cm3 auf. Die frühe Spannung ist jedoch mit -400 MPa beträchtlich hoch und es ist schwierig durch eine Wärmebe­ handlung den Film so einzustellen, daß er eine niedrige Spannung auf­ weist. Der Wolframnitrid-Dünnfilm kristalliner Phase, der unter Benut­ zung eines Sputtergasgemischs abgeschieden wurde, in welchem der An­ teil von Stickstoff 10 Vol.-% beträgt, hat eine Dichte von 15 g/cm3, die kleiner ist als die des amorphen Wolframnitrids. Seine anfängliche oder frühe Spannung ist jedoch mit -250 MPa niedrig und die Differenz der Spannungsänderungen ist groß genug um den Absorber durch Wärme­ behandlung so einzustellen, daß er eine geringe Spannung besitzt. Gleich­ wohl diffundiert Sauerstoff wegen vorhandener Kristallkorngrenzen, wo­ durch die Restspannung des Dünnfilms geändert wird.
Entsprechend dem vierten Ausführungsbeispiels werden der Vorteil des kristallinen Wolframnitrids, bei dem es einfach ist die Spannung durch Wärmebehandlung einzustellen, und der Vorteil des amorphen Wolfram­ nitrids, das eine hohe Dichte von mehr als 15 g/cm3 zum Verhindern einer Sauerstoffdiffusion in den Absorber und zum Erhalten der glatten Oberflä­ che des Absorbers sowie der guten Absorption von Röntgenstrahlung aufweist, bei der Herstellung eines guten Absorbers genutzt. Daneben kann eine Wär­ mebehandlungstemperatur für gute Anfangsspannung und niedrige Spannung des Absorbers durch Variieren des Dickenverhältnisses von amorphem zu kristallinem Wolframnitrid eingestellt werden.
Fig. 7 zeigt die Spannungsänderungen durch Wärmebehandlung von Zwei­ schichtabsorbern mit Dickenverhältnissen von 1 : 2, 1 : 1 und 2 : 1, die bei ei­ ner geeigneten Temperatur wärmebehandelt wurden, um geringe Span­ nung aufzuweisen.
Der Röntgenstrahlenabsorber einer Röntgenstrahlenmaske und das Ver­ fahren zur Herstellung desselben haben die folgenden Vorteile.
Erstens, da es leicht ist eine Spannung durch einen Wärmebehand­ lungsprozeß einzustellen, können Röntgenstrahlenmasken mit einem Ab­ sorber mit geringer Spannung hergestellt werden. Zum Zweiten können Röntgenstrahlenmasken mit einem Absorber mit hoher Stabilität herge­ stellt werden, da die Differenz von Spannungsänderungen durch Verhin­ dern der Sauerstoffdiffusion in den Röntgenstrahlenabsorber reduziert ist. Da die amorphe obere Schicht jeweils das Eindiffundieren von Sauer­ stoff in den Absorber weitgehend verhindert, treten auch im Laufe der Zeit kaum durch Sauerstoffdiffusion bewirkte Spannungsänderungen auf. Zum Dritten ist die Erfindung vorteilhaft beim Ausbilden feiner Muster des Absorbers mittels eines Ätzprozesses, da die Oberflächenrauhigkeit eines Absorbers exzellent, also sehr gering ist. Viertens kann ein Absorber von hoher Dicht mit guter Röntgenstrahlenabsorption hergestellt werden. Da der Absorber eine Zweischichtstruktur sowohl mit Zugspannung als auch mit Druckspannung aufweist, wird schließlich die Einstellung der Span­ nung erleichtert und der Gesamtprozeß vereinfacht.

Claims (21)

1. Röntgenstrahlenabsorber in einer Röntgenstrahlenmaske, die ein Substrat und eine Membran (11) aufweist, mit:
  • - einer in einem vorbestimmten Bereich auf einer Oberfläche der Membran (11) ausgebildeten ersten Schicht (12a) kristalliner Phase, und
  • - einer auf der ersten Schicht (12a) ausgebildeten zweiten Schicht (12b) amorpher Phase.
2. Röntgenstrahlenabsorber nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß die erste Schicht (12a) aus Wolfram, Tantal oder Wolframnitrid besteht.
3. Röntgenstrahlenabsorber nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß die zweite Schicht (12b) aus Wolframnitrid, Wolframtitan oder Tantalborid (Ta4B) besteht.
4. Röntgenstrahlenabsorber in einer Röntgenstrahlenmaske, die ein Substrat und eine Membran (11) aufweist, mit:
  • - einer ersten hochschmelzenden Metallschicht (12a) kristalliner Phase, die auf einem vorbestimmten Bereich einer Oberfläche auf der Membran (11) ausgebildet ist, um eine Zugspannung oder eine Druckspannung aufzuweisen, und
  • - einer zweiten hochschmelzenden Metallschicht (12b) amorpher Phase, die auf der ersten hochschmelzenden Metallschicht (12a) ausgebildet ist, um eine Druckspannung aufzuweisen.
5. Röntgenstrahlenabsorber nach Anspruch 4, dadurch gekennzeich­ net, daß die erste hochschmelzende Metallschicht (12a) entweder aus Wolfram oder aus Tantal besteht.
6. Röntgenstrahlenabsorber nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die zweite hochschmelzende Metallschicht (12b) aus Wol­ framnitrid, Wolfram-Titan oder Tantalborid (Ta4B).
7. Röntgenstrahlenabsorber nach Anspruch 4, dadurch gekennzeich­ net, daß die erste und zweite hochschmelzende Metallschicht (12a, 12b) aus Wolframnitrid bestehen.
8. Verfahren zum Herstellen eines Röntgenstrahlenabsorbers (12) in ei­ ner Röntgenstrahlenmaske, die ein Substrat und eine Membran (11) auf­ weist, mit folgenden Schritten:
  • - in einem vorbestimmten Bereich auf einer Oberfläche der Membran (11) wird eine erste Schicht (12a) mit kristalliner Phase ausgebildet, und
  • - auf der ersten Schicht (12a) wird eine zweite Schicht (12b) mit amorpher Phase ausgebildet.
9. Verfahren nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
  • - Abscheiden von kristallinem Wolfram als erste Schicht auf die Membran (11), und
  • - Abscheiden von amorphem Wolframnitrid oder amorphem Wolfram-Titan als zweite Schicht auf dem Wolfram.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Wolfram unter einem Druck von 3,5-6 mTorr abgeschieden wird und daß Wolframnitrid oder daß Wolfram-Titan unter einem Druck von 1,5-3,5 mTorr abgeschieden werden.
11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß die im Wolframnitrid enthaltene Menge von Stickstoff kleiner als 40 At.-% ist und daß die im Wolfram-Titan enthaltene Menge von Titan kleiner als 5 Gew.-% ist.
12. Verfahren nach Anspruch 9, 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannung des Absorbers (12) durch das Dickenverhältnis von Wol­ fram und Wolframnitrid oder das Dickenverhältnis von Wolfram und Wol­ fram-Titan eingestellt wird.
13. Verfahren nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
  • - Abscheiden von kristallinem Tantal als erste Schicht auf die Membran (11), und
  • - Abscheiden von amorphem Tantalborid (Ta4B) als zweite Schicht auf dem Tantal.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Tantal unter einem Druck von mehr als 3,5 mTorr abgeschieden wird, und daß das Tantalborid unter einem Druck von weniger als 3,5 mTorr abge­ schieden wird.
15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannung des Absorbers (12) durch das Dickenverhältnis von Tantal und Tantalborid eingestellt wird.
16. Verfahren nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
  • - Abscheiden einer ersten Wolframnitrid-(WNX)-Schicht kristalliner Phase als erste Schicht auf der Membran (11),
  • - Abscheiden eines zweiten Wolframnitrids amorpher Phase als zweite Schicht auf dem er­ sten Wolframnitrid, und
  • - Wärmebehandeln der ersten und zweiten Wolframnitrid-(WNX)-Schich­ ten (12a, 12b).
17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die er­ sten und zweiten Wolframnitrid-(WNX)-Schichten (12a, 12b) unter einem Druck von 1-5 mTorr abgeschieden werden.
18. Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und zweiten Wolframnitrid-(WNX)-Schichten (12a, 12b) in ei­ nem Gas-Verhältnis von N2/(Ar + N2) von 0,03-0,15 abgeschieden werden.
19. Verfahren nach Anspruch 16, 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, daß Spannungen der ersten und zweiten Wolframnitrid-(WNX)-Schichten (12a, 12b) durch die Wärmebehandlungstemperatur eingestellt werden.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 19, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Wärmebehandlungstemperatur höher ist als 200°C.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 20, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Wärmebehandlungstemperatur durch das Dickenver­ hältnis der ersten und zweiten Wolframnitrid-(WNX)-Schichten (12a, 12b) eingestellt wird.
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