JPH11288863A - Ｘ線マスクおよびその製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクおよびその製造方法Info
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- JPH11288863A JPH11288863A JP8843698A JP8843698A JPH11288863A JP H11288863 A JPH11288863 A JP H11288863A JP 8843698 A JP8843698 A JP 8843698A JP 8843698 A JP8843698 A JP 8843698A JP H11288863 A JPH11288863 A JP H11288863A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 85
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 120
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 53
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 41
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 abstract 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 150000002343 gold Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アライメントマークと高い位置精度を有する
転写用回路パターンを備え、簡略化した製造工程により
製造することが可能なＸ線マスクを提供する。 【解決手段】 基板２上に、Ｘ線を透過するメンブレン
３を形成する。メンブレン３上に、Ｘ線の透過を遮るＸ
線吸収体４を形成する。基板２は、メンブレン３を露出
させる窓部１１を含む。Ｘ線吸収体４は、転写用回路パ
ターン１０と、窓部１１と平面的に重ならない領域に形
成されたアライメントマーク７とを含む。
転写用回路パターンを備え、簡略化した製造工程により
製造することが可能なＸ線マスクを提供する。 【解決手段】 基板２上に、Ｘ線を透過するメンブレン
３を形成する。メンブレン３上に、Ｘ線の透過を遮るＸ
線吸収体４を形成する。基板２は、メンブレン３を露出
させる窓部１１を含む。Ｘ線吸収体４は、転写用回路パ
ターン１０と、窓部１１と平面的に重ならない領域に形
成されたアライメントマーク７とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線マスクおよび
その製造方法に関し、より特定的には、転写用回路パタ
ーンの形成において位置検出に用いるアライメントマー
クを備えるＸ線マスクおよびその製造方法に関する。
その製造方法に関し、より特定的には、転写用回路パタ
ーンの形成において位置検出に用いるアライメントマー
クを備えるＸ線マスクおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程において、
配線などの回路パターンを半導体基板に転写する工程で
は、主に紫外線を利用したリソグラフィ技術が利用され
てきている。しかし、半導体装置の高集積化が進み、た
とえばＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）にお
いて、その記憶容量が１ギガビット（Ｇｂｉｔ）という
ように大容量化、高集積化が進むと、これに伴って、配
線などの回路パターンも従来よりもさらに微細化するこ
とが求められている。
配線などの回路パターンを半導体基板に転写する工程で
は、主に紫外線を利用したリソグラフィ技術が利用され
てきている。しかし、半導体装置の高集積化が進み、た
とえばＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）にお
いて、その記憶容量が１ギガビット（Ｇｂｉｔ）という
ように大容量化、高集積化が進むと、これに伴って、配
線などの回路パターンも従来よりもさらに微細化するこ
とが求められている。
【０００３】このような微細な回路パターンの転写を行
なう技術として、Ｘ線を用いたリソグラフィ技術が期待
されている。このＸ線を用いたリソグラフィ技術では、
露光に用いる光であるＸ線の波長（軟Ｘ線：波長＝５〜
２０ｎｍ）が従来用いられていた紫外線の波長に比べて
短いため、紫外線を用いた従来のリソグラフィ技術より
も、より解像度の高い微細な回路パターンを転写するこ
とができる。
なう技術として、Ｘ線を用いたリソグラフィ技術が期待
されている。このＸ線を用いたリソグラフィ技術では、
露光に用いる光であるＸ線の波長（軟Ｘ線：波長＝５〜
２０ｎｍ）が従来用いられていた紫外線の波長に比べて
短いため、紫外線を用いた従来のリソグラフィ技術より
も、より解像度の高い微細な回路パターンを転写するこ
とができる。
【０００４】このＸ線を用いたリソグラフィ技術では、
転写用の回路パターンが形成されているＸ線マスクが用
いられる。
転写用の回路パターンが形成されているＸ線マスクが用
いられる。
【０００５】図２７は、従来のＸ線マスクの構成を示す
断面図である。図２７を参照して、従来のＸ線マスクを
説明する。
断面図である。図２７を参照して、従来のＸ線マスクを
説明する。
【０００６】図２７を参照して、従来のＸ線マスクは、
基板１０２とメンブレン１０３とＸ線吸収体１０４とサ
ポートリング１０１とを備える。
基板１０２とメンブレン１０３とＸ線吸収体１０４とサ
ポートリング１０１とを備える。
【０００７】メンブレン１０３は、Ｘ線透過性の基板で
あり、基板１０２上に形成されている。また、メンブレ
ン１０３の膜厚は１〜３μｍ程度である。Ｘ線吸収体１
０４は、Ｘ線の透過を遮る材料によって構成されてお
り、メンブレン１０３上に形成されている。基板１０２
には窓部１１１が形成されており、この窓部１１１によ
り、メンブレン１０３の裏面が露出している。この窓部
１１１上に位置する領域において、Ｘ線吸収体１０４は
転写用の回路パターン形成部１１０を含む。基板１０２
の下面には、サポートリング１０１が設置されている。
あり、基板１０２上に形成されている。また、メンブレ
ン１０３の膜厚は１〜３μｍ程度である。Ｘ線吸収体１
０４は、Ｘ線の透過を遮る材料によって構成されてお
り、メンブレン１０３上に形成されている。基板１０２
には窓部１１１が形成されており、この窓部１１１によ
り、メンブレン１０３の裏面が露出している。この窓部
１１１上に位置する領域において、Ｘ線吸収体１０４は
転写用の回路パターン形成部１１０を含む。基板１０２
の下面には、サポートリング１０１が設置されている。
【０００８】Ｘ線吸収体１０４の転写用回路パターン形
成部１１０に形成されている回路パターンには、高い位
置精度および寸法精度が求められる。
成部１１０に形成されている回路パターンには、高い位
置精度および寸法精度が求められる。
【０００９】この転写用回路パターンを形成する工程と
しては、通常、以下のような工程が用いられる。まず、
Ｘ線吸収体１０４上にレジスト（図示せず）を塗布す
る。このレジストに電子線描画装置を用いて、転写用回
路パターンを描画する。そして、このレジストに現像処
理を施すことにより、転写用回路パターンのマスクパタ
ーン層を形成する。そして、このマスクパターンをマス
クとして、Ｘ線吸収体１０４をエッチングにより除去す
ることにより、転写用回路パターン層を形成する。
しては、通常、以下のような工程が用いられる。まず、
Ｘ線吸収体１０４上にレジスト（図示せず）を塗布す
る。このレジストに電子線描画装置を用いて、転写用回
路パターンを描画する。そして、このレジストに現像処
理を施すことにより、転写用回路パターンのマスクパタ
ーン層を形成する。そして、このマスクパターンをマス
クとして、Ｘ線吸収体１０４をエッチングにより除去す
ることにより、転写用回路パターン層を形成する。
【００１０】このようにして転写用回路パターンを形成
するため、レジストに転写用回路パターンを電子線描画
装置を用いて描画する工程での位置検出精度が、Ｘ線マ
スクの転写用回路パターンの位置精度および寸法精度に
大きな影響を及ぼす。
するため、レジストに転写用回路パターンを電子線描画
装置を用いて描画する工程での位置検出精度が、Ｘ線マ
スクの転写用回路パターンの位置精度および寸法精度に
大きな影響を及ぼす。
【００１１】ここで、電子線を用いた転写用回路パター
ンの描画工程は、具体的に以下のような工程を含む。ま
ず、Ｘ線吸収体１０４上にレジストが塗布されたＸ線マ
スクを、ＥＢカセットと呼ばれる治具へ装着する。次
に、電子線描画装置のロードロック室（真空状態を保っ
たまま電子線描画を行なうエリアにＸ線マスクを搬入す
るために事前にＸ線マスクの周囲を真空とするためのエ
リア）にＥＢカセットとともにＸ線マスクを搬入する。
次に、ロードロック室の内部を真空とする。次に、ロー
ドロック室から電子線描画を行なうエリアのステージ上
にＥＢカセットとともにＸ線マスクを搬入する。そし
て、電子線によって、Ｘ線マスクのレジスト上に転写用
の回路パターンを描画する。転写用回路パターンを電子
線を用いて描画する際には、ＥＢカセットもしくはステ
ージ上に設置されたアライメントマークの位置を検出・
参照しながら電子線描画を行なう。
ンの描画工程は、具体的に以下のような工程を含む。ま
ず、Ｘ線吸収体１０４上にレジストが塗布されたＸ線マ
スクを、ＥＢカセットと呼ばれる治具へ装着する。次
に、電子線描画装置のロードロック室（真空状態を保っ
たまま電子線描画を行なうエリアにＸ線マスクを搬入す
るために事前にＸ線マスクの周囲を真空とするためのエ
リア）にＥＢカセットとともにＸ線マスクを搬入する。
次に、ロードロック室の内部を真空とする。次に、ロー
ドロック室から電子線描画を行なうエリアのステージ上
にＥＢカセットとともにＸ線マスクを搬入する。そし
て、電子線によって、Ｘ線マスクのレジスト上に転写用
の回路パターンを描画する。転写用回路パターンを電子
線を用いて描画する際には、ＥＢカセットもしくはステ
ージ上に設置されたアライメントマークの位置を検出・
参照しながら電子線描画を行なう。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ところで、通常サンプ
ルの温度とロードロック室の内部と電子線描画を行なう
エリアとの間には温度差がある。また、ロードロック室
にて真空引きする際、ＥＢカセットやサンプルの温度は
低下する。このため、サンプルを電子線描画を行なうエ
リアのステージ上に搬入した後、ＥＢカセットおよびＸ
線マスクの温度は、電子線描画を行なうエリアの温度と
平衡状態に達するまで変化する。その結果、ステージ上
に搬入されたＥＢカセットおよびＸ線マスクがこの温度
変化により膨張あるいは収縮する。
ルの温度とロードロック室の内部と電子線描画を行なう
エリアとの間には温度差がある。また、ロードロック室
にて真空引きする際、ＥＢカセットやサンプルの温度は
低下する。このため、サンプルを電子線描画を行なうエ
リアのステージ上に搬入した後、ＥＢカセットおよびＸ
線マスクの温度は、電子線描画を行なうエリアの温度と
平衡状態に達するまで変化する。その結果、ステージ上
に搬入されたＥＢカセットおよびＸ線マスクがこの温度
変化により膨張あるいは収縮する。
【００１３】このとき、時間経過につれてＸ線マスク自
体の温度はある程度安定する。しかしながら、Ｘ線マス
クを支持しているＥＢカセットあるいはステージの温度
は安定するまで時間がかかる。これにより、電子線描画
を行なうエリア全体の温度が平衡状態となるまでは転写
用回路パターンの電子線による描画を精度良く行なうこ
とができなかった。
体の温度はある程度安定する。しかしながら、Ｘ線マス
クを支持しているＥＢカセットあるいはステージの温度
は安定するまで時間がかかる。これにより、電子線描画
を行なうエリア全体の温度が平衡状態となるまでは転写
用回路パターンの電子線による描画を精度良く行なうこ
とができなかった。
【００１４】したがって、従来、ステージ上にＸ線マス
クおよびＥＢカセットを搬入した後、電子線描画を行な
うエリア全体の温度が平衡状態に達するまで、Ｘ線マス
クを装着したＥＢカセットをステージ上に設置した状態
で長時間放置していた。そして、電子線描画を行なうエ
リア全体の温度が平衡状態に達した後、転写用回路パタ
ーンの電子線描画を行なっていた。
クおよびＥＢカセットを搬入した後、電子線描画を行な
うエリア全体の温度が平衡状態に達するまで、Ｘ線マス
クを装着したＥＢカセットをステージ上に設置した状態
で長時間放置していた。そして、電子線描画を行なうエ
リア全体の温度が平衡状態に達した後、転写用回路パタ
ーンの電子線描画を行なっていた。
【００１５】このように、電子線描画を行なうエリア全
体の温度が平衡状態になるまで放置しなければならない
ことは、結果としてＸ線マスクの製造工期の長期化の原
因となり、さらにはＸ線マスクの製造コストの上昇の要
因ともなっていた。
体の温度が平衡状態になるまで放置しなければならない
ことは、結果としてＸ線マスクの製造工期の長期化の原
因となり、さらにはＸ線マスクの製造コストの上昇の要
因ともなっていた。
【００１６】このような、転写用回路パターンの電子線
による描画を行なう前の放置時間の短縮のためには、Ｅ
Ｂカセットあるいはステージ上ではなく、Ｘ線マスク自
体にアライメントマークを形成することが考えられる。
これは、Ｘ線マスクにアライメントマークを形成すれ
ば、電子線描画を行なうエリア全体の温度が平衡状態に
ならなくても、Ｘ線マスクのみの温度が安定すれば、ア
ライメントマークの変位を防止できるためである。
による描画を行なう前の放置時間の短縮のためには、Ｅ
Ｂカセットあるいはステージ上ではなく、Ｘ線マスク自
体にアライメントマークを形成することが考えられる。
これは、Ｘ線マスクにアライメントマークを形成すれ
ば、電子線描画を行なうエリア全体の温度が平衡状態に
ならなくても、Ｘ線マスクのみの温度が安定すれば、ア
ライメントマークの変位を防止できるためである。
【００１７】アライメントマークを備えるＸ線マスクと
しては、Ｘ線マスクの表面上に電子ビーム反射係数の大
きい材料からなるアライメントマークを形成したＸ線マ
スクが、特開平２−１６６７２０号公報において提案さ
れている。図２８は、上記公報において提案されている
Ｘ線マスクの斜視図である。図２８を参照して、従来の
提案されたＸ線マスクを説明する。
しては、Ｘ線マスクの表面上に電子ビーム反射係数の大
きい材料からなるアライメントマークを形成したＸ線マ
スクが、特開平２−１６６７２０号公報において提案さ
れている。図２８は、上記公報において提案されている
Ｘ線マスクの斜視図である。図２８を参照して、従来の
提案されたＸ線マスクを説明する。
【００１８】図２８を参照して、従来の提案されたＸ線
マスクは、支持材料１０５と、Ｘ線透過材料１０６と、
Ｘ線吸収体１０４と、アライメントマーク１０７とを備
える。支持材料１０５上にはＸ線透過材料１０６が形成
されている。Ｘ線透過材料１０６上にはＸ線吸収体１０
４が形成されている。Ｘ線吸収体１０４上には、金の膜
からなるアライメントマーク１０７が形成されている。
マスクは、支持材料１０５と、Ｘ線透過材料１０６と、
Ｘ線吸収体１０４と、アライメントマーク１０７とを備
える。支持材料１０５上にはＸ線透過材料１０６が形成
されている。Ｘ線透過材料１０６上にはＸ線吸収体１０
４が形成されている。Ｘ線吸収体１０４上には、金の膜
からなるアライメントマーク１０７が形成されている。
【００１９】しかし、この従来の提案されたＸ線マスク
においては、アライメントマーク１０７（図３３参照）
を形成するために、Ｘ線吸収体１０４上に金の膜を形成
するプロセスが従来よりも余分に必要となる。これによ
り、Ｘ線マスクの製造工程が複雑化し、製造工期も長く
なるという問題があった。
においては、アライメントマーク１０７（図３３参照）
を形成するために、Ｘ線吸収体１０４上に金の膜を形成
するプロセスが従来よりも余分に必要となる。これによ
り、Ｘ線マスクの製造工程が複雑化し、製造工期も長く
なるという問題があった。
【００２０】また、特開平４−２９７０１６号公報にお
いては、Ｘ線吸収体上に位置基準となるアライメントマ
ークを形成しているＸ線マスクが開示されている。しか
し、この特開平４−２９７０１６号公報に開示されたＸ
線マスクでは、メンブレン上のマスクパターンを形成す
る領域にアライメントマークが形成されている。このた
め、マスクパターン形成用のパターンをレジストに描画
する際に生じる熱やレジスト応力緩和に起因する歪みに
より、アライメントマークの基準位置がずれてしまうと
いう問題があった。
いては、Ｘ線吸収体上に位置基準となるアライメントマ
ークを形成しているＸ線マスクが開示されている。しか
し、この特開平４−２９７０１６号公報に開示されたＸ
線マスクでは、メンブレン上のマスクパターンを形成す
る領域にアライメントマークが形成されている。このた
め、マスクパターン形成用のパターンをレジストに描画
する際に生じる熱やレジスト応力緩和に起因する歪みに
より、アライメントマークの基準位置がずれてしまうと
いう問題があった。
【００２１】本発明は、このような課題を解決するため
になされたものであり、本発明の１つの目的は、高い位
置精度を有する転写用回路パターンを備え、簡略化した
製造工程で製造することが可能なＸ線マスクを提供する
ことである。
になされたものであり、本発明の１つの目的は、高い位
置精度を有する転写用回路パターンを備え、簡略化した
製造工程で製造することが可能なＸ線マスクを提供する
ことである。
【００２２】本発明のもう１つの目的は、高い位置精度
を有する転写用回路パターンを備えるＸ線マスクを、簡
略化した工程により製造することが可能なＸ線マスクの
製造方法を提供することである。
を有する転写用回路パターンを備えるＸ線マスクを、簡
略化した工程により製造することが可能なＸ線マスクの
製造方法を提供することである。
【００２３】
【課題を解決するための手段】請求項１におけるＸ線マ
スクは、基板と、Ｘ線を透過するメンブレンと、Ｘ線の
透過を遮るＸ線吸収体とを備える。Ｘ線を透過するメン
ブレンは基板上に形成されている。Ｘ線吸収体は、メン
ブレン上に形成されている。基板は、メンブレンを露出
させる窓部を含む。Ｘ線吸収体は、転写用回路パターン
と、窓部と平面的に重ならない領域に形成されたアライ
メントマークとを含む。
スクは、基板と、Ｘ線を透過するメンブレンと、Ｘ線の
透過を遮るＸ線吸収体とを備える。Ｘ線を透過するメン
ブレンは基板上に形成されている。Ｘ線吸収体は、メン
ブレン上に形成されている。基板は、メンブレンを露出
させる窓部を含む。Ｘ線吸収体は、転写用回路パターン
と、窓部と平面的に重ならない領域に形成されたアライ
メントマークとを含む。
【００２４】このため、請求項１に記載の発明では、従
来の提案されたＸ線マスクのように、Ｘ線吸収体上にア
ライメントマークとなる金などの膜を形成する工程を追
加せずに、Ｘ線マスクのＸ線吸収体にアライメントマー
クを形成するので、従来より簡略化した製造工程でアラ
イメントマークを備えるＸ線マスクを得ることができ
る。
来の提案されたＸ線マスクのように、Ｘ線吸収体上にア
ライメントマークとなる金などの膜を形成する工程を追
加せずに、Ｘ線マスクのＸ線吸収体にアライメントマー
クを形成するので、従来より簡略化した製造工程でアラ
イメントマークを備えるＸ線マスクを得ることができ
る。
【００２５】そして、Ｘ線マスクに転写用回路パターン
を形成する工程において、このＸ線マスクに形成された
アライメントマークをＸ線マスクの位置検出に用いるこ
とができるので、従来のように転写用回路パターンの電
子線描画を行なうエリア全体の温度が平衡状態になるの
を待つことなく、高い精度を有する転写用回路パターン
を備えるＸ線マスクを製造することができる。
を形成する工程において、このＸ線マスクに形成された
アライメントマークをＸ線マスクの位置検出に用いるこ
とができるので、従来のように転写用回路パターンの電
子線描画を行なうエリア全体の温度が平衡状態になるの
を待つことなく、高い精度を有する転写用回路パターン
を備えるＸ線マスクを製造することができる。
【００２６】また、請求項１に記載の発明では、転写用
回路パターンを形成する領域から離れ、メンブレン下に
基板が存在する領域にアライメントマークが位置してい
る。これにより、転写用回路パターンを形成するための
マスクパターンを描画する工程において、窓部上に位置
するメンブレンに振動が発生した場合や、マスクパター
ンの描画工程に起因するレジスト応力緩和や熱により歪
みが発生した場合にも、アライメントマークの位置が大
きく変位することを防止できる。この結果、Ｘ線マスク
の位置検出の精度がアライメントマークの変位などによ
り悪化することを防止できる。これにより、より高い精
度を有する転写用回路パターンを備えるＸ線マスクを得
ることができる。
回路パターンを形成する領域から離れ、メンブレン下に
基板が存在する領域にアライメントマークが位置してい
る。これにより、転写用回路パターンを形成するための
マスクパターンを描画する工程において、窓部上に位置
するメンブレンに振動が発生した場合や、マスクパター
ンの描画工程に起因するレジスト応力緩和や熱により歪
みが発生した場合にも、アライメントマークの位置が大
きく変位することを防止できる。この結果、Ｘ線マスク
の位置検出の精度がアライメントマークの変位などによ
り悪化することを防止できる。これにより、より高い精
度を有する転写用回路パターンを備えるＸ線マスクを得
ることができる。
【００２７】請求項２におけるＸ線マスクは、請求項１
の構成において、アライメントマークがＸ線吸収体に形
成された開口部である。
の構成において、アライメントマークがＸ線吸収体に形
成された開口部である。
【００２８】このため、請求項２に記載の発明では、ア
ライメントマークを形成する工程において、転写用回路
パターンの形成工程に用いるエッチングなどの技術を適
用することができ、複雑な工程を追加することなくより
容易にアライメントマークを形成することができる。
ライメントマークを形成する工程において、転写用回路
パターンの形成工程に用いるエッチングなどの技術を適
用することができ、複雑な工程を追加することなくより
容易にアライメントマークを形成することができる。
【００２９】請求項３におけるＸ線マスクは、請求項１
または２の構成において、基板とＸ線吸収体との間に保
護膜をさらに備える。
または２の構成において、基板とＸ線吸収体との間に保
護膜をさらに備える。
【００３０】請求項４におけるＸ線マスクの製造方法で
は、基板上にＸ線を透過するメンブレンを形成する。メ
ンブレン上にＸ線の透過を遮るＸ線吸収体を形成する。
基板に、メンブレンを露出させる窓部を形成する。Ｘ線
吸収体上に第１のマスク層を形成する。第１のマスク層
上に第１のマスクパターンを描画する。第１のマスク層
を現像処理することにより、第１のマスクパターン層を
形成する。第１のマスクパターン層をマスクとして、Ｘ
線吸収体を除去することにより、アライメントマークと
して作用する開口部を窓部と平面的に重ならない領域に
形成する。
は、基板上にＸ線を透過するメンブレンを形成する。メ
ンブレン上にＸ線の透過を遮るＸ線吸収体を形成する。
基板に、メンブレンを露出させる窓部を形成する。Ｘ線
吸収体上に第１のマスク層を形成する。第１のマスク層
上に第１のマスクパターンを描画する。第１のマスク層
を現像処理することにより、第１のマスクパターン層を
形成する。第１のマスクパターン層をマスクとして、Ｘ
線吸収体を除去することにより、アライメントマークと
して作用する開口部を窓部と平面的に重ならない領域に
形成する。
【００３１】このため、請求項４に記載の発明では、従
来のＸ線マスクのようにアライメントマークを形成する
ためにＸ線吸収体上に金などの膜を形成する必要がな
い。このため、従来の提案されたＸ線マスクよりも簡略
化した工程により、アライメントマークを備えるＸ線マ
スクを容易に得ることができる。
来のＸ線マスクのようにアライメントマークを形成する
ためにＸ線吸収体上に金などの膜を形成する必要がな
い。このため、従来の提案されたＸ線マスクよりも簡略
化した工程により、アライメントマークを備えるＸ線マ
スクを容易に得ることができる。
【００３２】また、請求項４に記載の発明では、メンブ
レン下に基板が存在する領域にアライメントマークを形
成している。これにより、後述するように、転写用回路
パターンを形成するためのマスクパターンの描画工程に
おいて、窓部上に位置するメンブレンに振動が発生した
場合や、マスクパターンの描画工程に起因するレジスト
応力緩和や熱により歪みが発生した場合にも、アライメ
ントマークの位置が大きく変位することを防止できる。
この結果、Ｘ線マスクの位置検出の精度がアライメント
マークの変位などにより悪化することを防止できる。こ
れにより、より高い精度を有する転写用回路パターンを
備えるＸ線マスクを得ることができる。
レン下に基板が存在する領域にアライメントマークを形
成している。これにより、後述するように、転写用回路
パターンを形成するためのマスクパターンの描画工程に
おいて、窓部上に位置するメンブレンに振動が発生した
場合や、マスクパターンの描画工程に起因するレジスト
応力緩和や熱により歪みが発生した場合にも、アライメ
ントマークの位置が大きく変位することを防止できる。
この結果、Ｘ線マスクの位置検出の精度がアライメント
マークの変位などにより悪化することを防止できる。こ
れにより、より高い精度を有する転写用回路パターンを
備えるＸ線マスクを得ることができる。
【００３３】請求項５におけるＸ線マスクの製造方法
は、請求項４の構成において、第１のマスクパターン層
を除去する。Ｘ線吸収体上に第２のマスク層を形成す
る。開口部をアライメントマークとして第２のマスク層
上の位置検出に用いながら、第２のマスク層上に第２の
マスクパターンを描画する。第２のマスク層を現像処理
することにより、第２のマスクパターン層を形成する。
第２のマスクパターン層をマスクとして、Ｘ線吸収体を
除去することにより、転写用回路パターンを形成する。
は、請求項４の構成において、第１のマスクパターン層
を除去する。Ｘ線吸収体上に第２のマスク層を形成す
る。開口部をアライメントマークとして第２のマスク層
上の位置検出に用いながら、第２のマスク層上に第２の
マスクパターンを描画する。第２のマスク層を現像処理
することにより、第２のマスクパターン層を形成する。
第２のマスクパターン層をマスクとして、Ｘ線吸収体を
除去することにより、転写用回路パターンを形成する。
【００３４】このため、請求項５に記載の発明では、こ
の開口部をアライメントマークとして位置検出に用いる
ことができるので、従来のように転写用回路パターンの
電子線描画を行なうＥＢカセットの温度が平衡状態にな
るのを持つことなく、高い位置精度を有する転写用回路
パターンを備えるＸ線マスクを、簡略化した製造工程で
製造することができる。
の開口部をアライメントマークとして位置検出に用いる
ことができるので、従来のように転写用回路パターンの
電子線描画を行なうＥＢカセットの温度が平衡状態にな
るのを持つことなく、高い位置精度を有する転写用回路
パターンを備えるＸ線マスクを、簡略化した製造工程で
製造することができる。
【００３５】請求項６におけるＸ線マスクの製造方法
は、請求項４の構成において、開口部をアライメントマ
ークとして第１のマスク層上の位置検出に用いながら、
第１のマスク層上に、第２のマスクパターンを描画す
る。第１のマスク層を現像処理することにより、第２の
マスクパターン層を形成する。第２のマスクパターン層
をマスクとして、Ｘ線吸収体を除去することにより、転
写用回路パターンを形成する。
は、請求項４の構成において、開口部をアライメントマ
ークとして第１のマスク層上の位置検出に用いながら、
第１のマスク層上に、第２のマスクパターンを描画す
る。第１のマスク層を現像処理することにより、第２の
マスクパターン層を形成する。第２のマスクパターン層
をマスクとして、Ｘ線吸収体を除去することにより、転
写用回路パターンを形成する。
【００３６】このため、請求項６に記載の発明では、第
１および第２のマスクパターンを両方とも第１のマスク
層に描画するので、第２のマスクパターンを描画するた
めに第１のマスク層とは別のマスク層を形成するような
場合よりも、Ｘ線マスクの製造工程をより簡略化するこ
とができる。
１および第２のマスクパターンを両方とも第１のマスク
層に描画するので、第２のマスクパターンを描画するた
めに第１のマスク層とは別のマスク層を形成するような
場合よりも、Ｘ線マスクの製造工程をより簡略化するこ
とができる。
【００３７】請求項７におけるＸ線マスクの製造方法
は、請求項５または６のいずれか１項の構成において、
第１のマスクパターンを描画する工程が光による露光工
程を含み、第２のマスクパターンを描画する工程が電子
線による描画工程を含む。
は、請求項５または６のいずれか１項の構成において、
第１のマスクパターンを描画する工程が光による露光工
程を含み、第２のマスクパターンを描画する工程が電子
線による描画工程を含む。
【００３８】このため、請求項７に記載の発明では、第
１のマスクパターンを描画する工程に、電子線を用いた
露光方法よりも露光時間の短い光を用いた露光法を使用
するので、第１および第２のマスクパターンを描画する
ために電子線露光法を用いる場合より、Ｘ線マスクの製
造に要する時間を短縮することができる。
１のマスクパターンを描画する工程に、電子線を用いた
露光方法よりも露光時間の短い光を用いた露光法を使用
するので、第１および第２のマスクパターンを描画する
ために電子線露光法を用いる場合より、Ｘ線マスクの製
造に要する時間を短縮することができる。
【００３９】請求項８におけるＸ線マスクの製造方法
は、請求項５の構成において、第２のマスク層を形成す
る工程が、開口部が露出するようにＸ線吸収体上に第２
のマスク層を形成することを含む。
は、請求項５の構成において、第２のマスク層を形成す
る工程が、開口部が露出するようにＸ線吸収体上に第２
のマスク層を形成することを含む。
【００４０】このため、請求項８に記載の発明では、ア
ライメントマークとして作用する開口部の位置検出のた
めにこの開口部に電子線などを照射する場合にも、開口
部上にレジストなどが存在しない。これにより、この開
口部上にレジストがある場合に、上記電子線の照射によ
りレジストが変質し、開口部の電子線による位置検出を
阻害するといった問題の発生を防止できる。この結果、
アライメントマークの位置検出を精度よく行なうことが
できる。これにより、高い位置精度を有する第２のマス
クパターンを描画することができる。その結果、高い精
度を有する転写用回路パターンを備えるＸ線マスクを容
易に製造することができる。
ライメントマークとして作用する開口部の位置検出のた
めにこの開口部に電子線などを照射する場合にも、開口
部上にレジストなどが存在しない。これにより、この開
口部上にレジストがある場合に、上記電子線の照射によ
りレジストが変質し、開口部の電子線による位置検出を
阻害するといった問題の発生を防止できる。この結果、
アライメントマークの位置検出を精度よく行なうことが
できる。これにより、高い位置精度を有する第２のマス
クパターンを描画することができる。その結果、高い精
度を有する転写用回路パターンを備えるＸ線マスクを容
易に製造することができる。
【００４１】請求項９におけるＸ線マスクの製造方法
は、請求項５〜８のいずれか１項の構成において、開口
部を形成する工程が、Ｘ線吸収体を除去するための第１
のエッチング工程を含む。転写用回路パターンを形成す
る工程が、Ｘ線吸収体を除去するための第２のエッチン
グ工程を含む。第１および第２のエッチング工程は、そ
れぞれ異なる条件により行なわれる。
は、請求項５〜８のいずれか１項の構成において、開口
部を形成する工程が、Ｘ線吸収体を除去するための第１
のエッチング工程を含む。転写用回路パターンを形成す
る工程が、Ｘ線吸収体を除去するための第２のエッチン
グ工程を含む。第１および第２のエッチング工程は、そ
れぞれ異なる条件により行なわれる。
【００４２】このため、請求項９に記載の発明では、ア
ライメントマークとして作用する開口部の寸法と、転写
用回路パターンにおける配線パターンなどの寸法が異な
る場合に、それぞれのパターン寸法に適応したエッチン
グ条件を用いることが可能となる。この結果、開口部お
よび転写用回路パターンともに寸法精度よく形成するこ
とができる。これにより、高い寸法精度および位置精度
を有する転写用回路パターンを備えるＸ線マスクを得る
ことができる。
ライメントマークとして作用する開口部の寸法と、転写
用回路パターンにおける配線パターンなどの寸法が異な
る場合に、それぞれのパターン寸法に適応したエッチン
グ条件を用いることが可能となる。この結果、開口部お
よび転写用回路パターンともに寸法精度よく形成するこ
とができる。これにより、高い寸法精度および位置精度
を有する転写用回路パターンを備えるＸ線マスクを得る
ことができる。
【００４３】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態を説明する。
施の形態を説明する。
【００４４】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１によるＸ線マスクを示す断面図である。図１を参
照して、本発明の実施の形態１によるＸ線マスクを説明
する。
形態１によるＸ線マスクを示す断面図である。図１を参
照して、本発明の実施の形態１によるＸ線マスクを説明
する。
【００４５】図１を参照して、本発明の実施の形態１に
よるＸ線マスクは、サポートリング１と基板２とメンブ
レン３とＸ線吸収体４とを備える。基板２上にメンブレ
ン３を形成する。メンブレン３上にＸ線吸収体４を形成
する。基板２の下面にはサポートリング１が設置されて
いる。基板２には、メンブレン３の裏面を露出させるよ
うに窓部１１が形成されている。窓部１１上に位置する
領域において、Ｘ線吸収体４は転写用回路パターン１０
を含む。また、窓部１１とは平面的に重ならない領域、
つまり窓部１１の外側に位置する領域において、Ｘ線吸
収体４はアライメントマークとして作用する開口部７を
含む。
よるＸ線マスクは、サポートリング１と基板２とメンブ
レン３とＸ線吸収体４とを備える。基板２上にメンブレ
ン３を形成する。メンブレン３上にＸ線吸収体４を形成
する。基板２の下面にはサポートリング１が設置されて
いる。基板２には、メンブレン３の裏面を露出させるよ
うに窓部１１が形成されている。窓部１１上に位置する
領域において、Ｘ線吸収体４は転写用回路パターン１０
を含む。また、窓部１１とは平面的に重ならない領域、
つまり窓部１１の外側に位置する領域において、Ｘ線吸
収体４はアライメントマークとして作用する開口部７を
含む。
【００４６】このように、Ｘ線吸収体４にアライメント
マークとして作用する開口部７を形成しているので、従
来の提案されたＸ線マスクのように、アライメントマー
クとなる金などの膜をＸ線吸収体４上に成膜する必要が
ない。このため、このような金などの成膜工程を追加せ
ずに、アライメントマークを備えるＸ線マスクを得るこ
とができる。
マークとして作用する開口部７を形成しているので、従
来の提案されたＸ線マスクのように、アライメントマー
クとなる金などの膜をＸ線吸収体４上に成膜する必要が
ない。このため、このような金などの成膜工程を追加せ
ずに、アライメントマークを備えるＸ線マスクを得るこ
とができる。
【００４７】そして、後述するＸ線マスクの製造工程に
おいて、Ｘ線吸収体４における転写用回路パターンを形
成する工程において、この開口部７をＸ線マスク上の位
置検出に用いることができるので、高い位置精度を有す
る転写用回路パターンを形成することが可能となる。
おいて、Ｘ線吸収体４における転写用回路パターンを形
成する工程において、この開口部７をＸ線マスク上の位
置検出に用いることができるので、高い位置精度を有す
る転写用回路パターンを形成することが可能となる。
【００４８】また、転写用回路パターン１０が形成され
ている領域から離れ、メンブレン３下に基板２が存在す
る領域に開口部７が位置している。これにより、転写用
回路パターン１０を形成するためのマスクパターンを描
画する工程において、窓部１１上に位置するメンブレン
３に振動が発生した場合や、マスクパターンの描画工程
に起因するレジスト応力緩和や熱により歪みが発生した
場合にも、開口部７の位置が大きく変位することを防止
できる。この結果、Ｘ線マスクの位置検出の精度が開口
部７の変位などにより悪化することを防止できる。これ
により、より高い位置精度を有する転写用回路パターン
を形成することが可能となる。
ている領域から離れ、メンブレン３下に基板２が存在す
る領域に開口部７が位置している。これにより、転写用
回路パターン１０を形成するためのマスクパターンを描
画する工程において、窓部１１上に位置するメンブレン
３に振動が発生した場合や、マスクパターンの描画工程
に起因するレジスト応力緩和や熱により歪みが発生した
場合にも、開口部７の位置が大きく変位することを防止
できる。この結果、Ｘ線マスクの位置検出の精度が開口
部７の変位などにより悪化することを防止できる。これ
により、より高い位置精度を有する転写用回路パターン
を形成することが可能となる。
【００４９】図２〜６は、図１に示した本発明の実施の
形態１によるＸ線マスクの製造工程を説明するための断
面図である。図２〜６を参照して、図１に示した本発明
の実施の形態１によるＸ線マスクの製造工程を説明す
る。
形態１によるＸ線マスクの製造工程を説明するための断
面図である。図２〜６を参照して、図１に示した本発明
の実施の形態１によるＸ線マスクの製造工程を説明す
る。
【００５０】まず、図２に示すように、基板２上に膜厚
が１〜３μｍ程度のメンブレン３を形成する。メンブレ
ン３上にＸ線吸収体４を形成する。Ｘ線吸収体４上にレ
ジスト５を塗布する。基板２の下面にはサポートリング
１を設置する。基板２の一部をエッチングにより除去す
ることにより、メンブレン３の裏面が露出するような窓
部１１を形成する。
が１〜３μｍ程度のメンブレン３を形成する。メンブレ
ン３上にＸ線吸収体４を形成する。Ｘ線吸収体４上にレ
ジスト５を塗布する。基板２の下面にはサポートリング
１を設置する。基板２の一部をエッチングにより除去す
ることにより、メンブレン３の裏面が露出するような窓
部１１を形成する。
【００５１】次に、図３に示すように、窓部１１上に位
置する領域において、光を用いた露光工程および現像工
程によりレジスト５にアライメントマーク用パターン６
を形成する。このとき、アライメントマーク用パターン
６は、窓部１１とは平面的に重ならない領域、つまり窓
部１１の外側に形成する。
置する領域において、光を用いた露光工程および現像工
程によりレジスト５にアライメントマーク用パターン６
を形成する。このとき、アライメントマーク用パターン
６は、窓部１１とは平面的に重ならない領域、つまり窓
部１１の外側に形成する。
【００５２】このように、アライメントマーク用パター
ン６を形成する工程において、後述する転写用回路パタ
ーンの形成に用いる電子線を用いた露光法よりも露光時
間の短い光露光法を用いるので、このアライメントマー
ク用パターン６および転写用回路パターンの両者をレジ
ストに描画するのに電子線描画法を用いる場合より、Ｘ
線マスクの製造工程に要する時間を短縮することができ
る。なお、ここでアライメントマーク用パターン６を形
成する工程において、電子線を用いた露光法を用いても
よい。
ン６を形成する工程において、後述する転写用回路パタ
ーンの形成に用いる電子線を用いた露光法よりも露光時
間の短い光露光法を用いるので、このアライメントマー
ク用パターン６および転写用回路パターンの両者をレジ
ストに描画するのに電子線描画法を用いる場合より、Ｘ
線マスクの製造工程に要する時間を短縮することができ
る。なお、ここでアライメントマーク用パターン６を形
成する工程において、電子線を用いた露光法を用いても
よい。
【００５３】次に、レジスト５をマスクとしてＸ線吸収
体４をエッチングにより除去することにより、アライメ
ントマークとして作用する開口部７を形成する。その
後、レジスト５を除去する。このようにして、図４に示
すような構造を得る。
体４をエッチングにより除去することにより、アライメ
ントマークとして作用する開口部７を形成する。その
後、レジスト５を除去する。このようにして、図４に示
すような構造を得る。
【００５４】このように、Ｘ線吸収体４にアライメント
マークとして作用する開口部７を形成するので、従来提
案されていたようにＸ線吸収体４上に金などの膜を形成
し、この金などの膜をエッチングなどによりパターニン
グすることによってアライメントマークを形成する場合
よりも、成膜工程を省略でき、Ｘ線マスクの製造工程を
簡略化することができる。
マークとして作用する開口部７を形成するので、従来提
案されていたようにＸ線吸収体４上に金などの膜を形成
し、この金などの膜をエッチングなどによりパターニン
グすることによってアライメントマークを形成する場合
よりも、成膜工程を省略でき、Ｘ線マスクの製造工程を
簡略化することができる。
【００５５】次に、図５に示すように、Ｘ線マスク４上
にレジスト８を塗布する。次に、アライメントマークと
して作用する開口部７に電子線などを照射しながら開口
部７の位置を検出する。そして、この位置情報をもとに
してＸ線吸収体４およびレジスト８の位置を検出しなが
ら、電子線描画法によって転写用回路パターンをレジス
ト８に描画する。そして、図６に示すように、レジスト
８を現像することにより、レジスト８に転写用回路パタ
ーン９を形成する。
にレジスト８を塗布する。次に、アライメントマークと
して作用する開口部７に電子線などを照射しながら開口
部７の位置を検出する。そして、この位置情報をもとに
してＸ線吸収体４およびレジスト８の位置を検出しなが
ら、電子線描画法によって転写用回路パターンをレジス
ト８に描画する。そして、図６に示すように、レジスト
８を現像することにより、レジスト８に転写用回路パタ
ーン９を形成する。
【００５６】このように、アライメントマークとして作
用する開口部７をＸ線マスク４およびレジスト８の位置
検出に用いながら、転写用回路パターン９を形成するの
で、この転写用回路パターンの位置精度および寸法精度
を向上させることができる。
用する開口部７をＸ線マスク４およびレジスト８の位置
検出に用いながら、転写用回路パターン９を形成するの
で、この転写用回路パターンの位置精度および寸法精度
を向上させることができる。
【００５７】また、転写用回路パターン９が形成されて
いる領域から離れ、メンブレン３下に基板２が存在する
領域に開口部７が位置している。これにより、転写用回
路パターンを描画する工程において、窓部１１上に位置
するメンブレン３に振動が発生した場合や、転写用回路
パターンの描画工程に起因するレジスト応力緩和や熱に
より歪みが発生した場合にも、開口部７の位置が大きく
変位することを防止できる。この結果、Ｘ線マスクの位
置検出の精度が開口部７の変位などにより悪化すること
を防止できる。これにより、より高い位置精度を有する
転写用回路パターン９を形成することが可能となる。こ
れにより、高い位置精度を有する転写用回路パターンを
備えるＸ線マスクを製造することができる。
いる領域から離れ、メンブレン３下に基板２が存在する
領域に開口部７が位置している。これにより、転写用回
路パターンを描画する工程において、窓部１１上に位置
するメンブレン３に振動が発生した場合や、転写用回路
パターンの描画工程に起因するレジスト応力緩和や熱に
より歪みが発生した場合にも、開口部７の位置が大きく
変位することを防止できる。この結果、Ｘ線マスクの位
置検出の精度が開口部７の変位などにより悪化すること
を防止できる。これにより、より高い位置精度を有する
転写用回路パターン９を形成することが可能となる。こ
れにより、高い位置精度を有する転写用回路パターンを
備えるＸ線マスクを製造することができる。
【００５８】次に、レジスト８をマスクとしてＸ線吸収
体４をエッチングにより除去することにより、転写用回
路パターン１０（図１参照）を形成する。その後、レジ
スト８を除去する。
体４をエッチングにより除去することにより、転写用回
路パターン１０（図１参照）を形成する。その後、レジ
スト８を除去する。
【００５９】このようにして、図１に示す本発明の実施
の形態１によるＸ線マスクを製造することができる。
の形態１によるＸ線マスクを製造することができる。
【００６０】（実施の形態２）図７〜１０は、本発明の
実施の形態２によるＸ線マスクの製造工程を説明するた
めの断面図である。図７〜１０を参照して、本発明の実
施の形態２によるＸ線マスクの製造工程を説明する。
実施の形態２によるＸ線マスクの製造工程を説明するた
めの断面図である。図７〜１０を参照して、本発明の実
施の形態２によるＸ線マスクの製造工程を説明する。
【００６１】まず、図２に示した本発明の実施の形態１
によるＸ線マスクの製造工程と同様の工程により、図７
に示すような構造を得る。ここで、図７に示した本発明
の実施の形態２によるＸ線マスクの製造工程の第１工程
におけるＸ線マスクは、基本的には図２に示した本発明
の実施の形態１によるＸ線マスクの製造工程の第１工程
におけるＸ線マスクと同様の構造を備える。ただし、本
発明の実施の形態２によるＸ線マスクの製造工程では、
図７に示すように、Ｘ線吸収体４上に形成するレジスト
１６が、図２に示した本発明の実施の形態１によるＸ線
マスクの製造工程におけるレジスト５よりも厚い膜厚を
有する。これは、後述する製造工程において、このレジ
スト１６をアライメントマークとして作用する開口部７
（図９参照）および転写用回路パターン１０（図１参
照）の両者の形成工程に用いるために、２回のエッチン
グ工程にも耐えることができるようにするためである。
によるＸ線マスクの製造工程と同様の工程により、図７
に示すような構造を得る。ここで、図７に示した本発明
の実施の形態２によるＸ線マスクの製造工程の第１工程
におけるＸ線マスクは、基本的には図２に示した本発明
の実施の形態１によるＸ線マスクの製造工程の第１工程
におけるＸ線マスクと同様の構造を備える。ただし、本
発明の実施の形態２によるＸ線マスクの製造工程では、
図７に示すように、Ｘ線吸収体４上に形成するレジスト
１６が、図２に示した本発明の実施の形態１によるＸ線
マスクの製造工程におけるレジスト５よりも厚い膜厚を
有する。これは、後述する製造工程において、このレジ
スト１６をアライメントマークとして作用する開口部７
（図９参照）および転写用回路パターン１０（図１参
照）の両者の形成工程に用いるために、２回のエッチン
グ工程にも耐えることができるようにするためである。
【００６２】次に、図８に示すように、レジスト１６に
アライメントマーク用パターン６を光露光法を用いて形
成する。このとき、本発明の実施の形態１と同様に、ア
ライメントマーク用パターン６は、窓部１１とは平面的
に重ならない領域、つまり窓部１１の外側に形成する。
アライメントマーク用パターン６を光露光法を用いて形
成する。このとき、本発明の実施の形態１と同様に、ア
ライメントマーク用パターン６は、窓部１１とは平面的
に重ならない領域、つまり窓部１１の外側に形成する。
【００６３】ここで、アライメントマーク用パターン６
を形成するために、光露光法を用いるので、図３に示し
た本発明の実施の形態１によるＸ線マスクの製造工程に
おいてアライメントマーク用パターン６をレジスト５に
形成する際に光露光法を用いる場合と同様の効果を得る
ことができる。なお、アライメントマーク用パターン６
を形成するために、電子線露光法を用いてもよい。
を形成するために、光露光法を用いるので、図３に示し
た本発明の実施の形態１によるＸ線マスクの製造工程に
おいてアライメントマーク用パターン６をレジスト５に
形成する際に光露光法を用いる場合と同様の効果を得る
ことができる。なお、アライメントマーク用パターン６
を形成するために、電子線露光法を用いてもよい。
【００６４】次に、図９に示すように、レジスト１６を
マスクとして、Ｘ線吸収体４をエッチングにより除去す
ることにより、アライメントマークとして作用する開口
部７を形成する。
マスクとして、Ｘ線吸収体４をエッチングにより除去す
ることにより、アライメントマークとして作用する開口
部７を形成する。
【００６５】次に、図１０に示すように、アライメント
マークとして作用する開口部７に電子線などを照射し、
この開口部７の位置を検出する。そして、この位置情報
をもとにしてＸ線吸収体４およびレジスト１６上の位置
を検出しながら、レジスト１６に電子線描画法により転
写用回路パターンを描画する。レジスト１６を現像する
ことにより、転写用回路パターン９を形成する。
マークとして作用する開口部７に電子線などを照射し、
この開口部７の位置を検出する。そして、この位置情報
をもとにしてＸ線吸収体４およびレジスト１６上の位置
を検出しながら、レジスト１６に電子線描画法により転
写用回路パターンを描画する。レジスト１６を現像する
ことにより、転写用回路パターン９を形成する。
【００６６】このように、開口部７を形成するためのア
ライメントマーク用パターン６と転写用回路パターン１
０（図１参照）を形成するための転写用回路パターン９
とを同じレジスト１６上に描画するので、本発明の実施
の形態１に比べてレジストの形成工程を１回省略するこ
とができる。これにより、本発明の実施の形態１にて示
した効果に加えて、より簡略化した工程により、高い位
置精度を有する転写用回路パターンを備えるＸ線マスク
を得ることができる。
ライメントマーク用パターン６と転写用回路パターン１
０（図１参照）を形成するための転写用回路パターン９
とを同じレジスト１６上に描画するので、本発明の実施
の形態１に比べてレジストの形成工程を１回省略するこ
とができる。これにより、本発明の実施の形態１にて示
した効果に加えて、より簡略化した工程により、高い位
置精度を有する転写用回路パターンを備えるＸ線マスク
を得ることができる。
【００６７】その後、レジスト１６をマスクとしてＸ線
吸収体４をエッチングにより除去することにより、転写
用回路パターン１０（図１参照）を形成する。そして、
レジスト１６を除去することにより、図１に示すような
Ｘ線マスクを製造することができる。
吸収体４をエッチングにより除去することにより、転写
用回路パターン１０（図１参照）を形成する。そして、
レジスト１６を除去することにより、図１に示すような
Ｘ線マスクを製造することができる。
【００６８】（実施の形態３）図１１および１２は、本
発明の実施の形態３によるＸ線マスクの製造工程を説明
するための断面図および平面図である。図１１および１
２を参照して、本発明の実施の形態３によるＸ線マスク
の製造工程を説明する。
発明の実施の形態３によるＸ線マスクの製造工程を説明
するための断面図および平面図である。図１１および１
２を参照して、本発明の実施の形態３によるＸ線マスク
の製造工程を説明する。
【００６９】まず、図２〜４に示した本発明の実施の形
態１によるＸ線マスクの製造工程を実施した後、図１１
に示すように、Ｘ線吸収体４上で、窓部１１上の転写用
回路パターンを形成する領域上のみにレジスト８を形成
する。すなわち、開口部７が露出するように、Ｘ線吸収
体４上にレジスト８を形成する。このレジスト８の形成
の方法としては、まず、Ｘ線吸収体４上の全面にレジス
トを塗布し、その後、開口部７が位置する周辺部のレジ
ストを除去するなどの方法を用いてもよい。このように
して、開口部７上からレジストを除去することにより、
開口部７を露出させる。
態１によるＸ線マスクの製造工程を実施した後、図１１
に示すように、Ｘ線吸収体４上で、窓部１１上の転写用
回路パターンを形成する領域上のみにレジスト８を形成
する。すなわち、開口部７が露出するように、Ｘ線吸収
体４上にレジスト８を形成する。このレジスト８の形成
の方法としては、まず、Ｘ線吸収体４上の全面にレジス
トを塗布し、その後、開口部７が位置する周辺部のレジ
ストを除去するなどの方法を用いてもよい。このように
して、開口部７上からレジストを除去することにより、
開口部７を露出させる。
【００７０】図１１に示した断面に対応する平面図が図
１２に示されている。ここで、窓部１１上に位置する領
域にのみ形成されているレジスト８の平面形状は、図１
２に示すように円形でもよいし、窓部１１の形状と同じ
もしくは相似形である四角形などでもよい。また、Ｘ線
吸収体４の外周部に位置するレジストをすべて除去する
代わりに、開口部７の近傍に位置するレジストのみを除
去しても同様の効果が得られる。
１２に示されている。ここで、窓部１１上に位置する領
域にのみ形成されているレジスト８の平面形状は、図１
２に示すように円形でもよいし、窓部１１の形状と同じ
もしくは相似形である四角形などでもよい。また、Ｘ線
吸収体４の外周部に位置するレジストをすべて除去する
代わりに、開口部７の近傍に位置するレジストのみを除
去しても同様の効果が得られる。
【００７１】そして、このアライメントマークとして作
用する開口部７に電子線などを照射することにより、開
口部７の位置を検出する。そして、この位置情報をもと
にしてＸ線吸収体４およびレジスト８上の位置を検出し
ながら、レジスト８に電子線描画法により転写用回路パ
ターンを描画する。
用する開口部７に電子線などを照射することにより、開
口部７の位置を検出する。そして、この位置情報をもと
にしてＸ線吸収体４およびレジスト８上の位置を検出し
ながら、レジスト８に電子線描画法により転写用回路パ
ターンを描画する。
【００７２】ここで、アライメントマークとして作用す
る開口部７上にはレジストが存在していない。このた
め、アライメントマーク検出用の光や電子線などが照射
され、レジストが変質することによって、開口部７の検
出を阻害するなどといった問題の発生を防止できる。こ
の結果、アライメントマークとして作用する開口部７の
位置検出を精度よく行なうことができる。これにより、
高い精度を有する転写用回路パターンを形成することが
できる。なお、この実施の形態３を実施の形態２に適用
しても、同様の効果が得られる。
る開口部７上にはレジストが存在していない。このた
め、アライメントマーク検出用の光や電子線などが照射
され、レジストが変質することによって、開口部７の検
出を阻害するなどといった問題の発生を防止できる。こ
の結果、アライメントマークとして作用する開口部７の
位置検出を精度よく行なうことができる。これにより、
高い精度を有する転写用回路パターンを形成することが
できる。なお、この実施の形態３を実施の形態２に適用
しても、同様の効果が得られる。
【００７３】（実施の形態４）図１３は、本発明の実施
の形態４によるＸ線マスクの断面図である。図１３を参
照して、以下に本発明の実施の形態４によるＸ線マスク
を説明する。
の形態４によるＸ線マスクの断面図である。図１３を参
照して、以下に本発明の実施の形態４によるＸ線マスク
を説明する。
【００７４】図１３を参照して、本発明の実施の形態４
によるＸ線マスクは、基本的には図１に示した本発明の
実施の形態１によるＸ線マスクと同様の構造を備える。
ただし、この図１３に示した本発明の実施の形態４によ
るＸ線マスクでは、メンブレン３とＸ線吸収体４との間
にエッチングストッパ１２が形成されている。
によるＸ線マスクは、基本的には図１に示した本発明の
実施の形態１によるＸ線マスクと同様の構造を備える。
ただし、この図１３に示した本発明の実施の形態４によ
るＸ線マスクでは、メンブレン３とＸ線吸収体４との間
にエッチングストッパ１２が形成されている。
【００７５】このように、エッチングストッパ１２が形
成されているので、後述の製造工程において、アライメ
ントマークとして作用する開口部７および転写用回路パ
ターン１０を形成するためのエッチング工程において、
このエッチングによってメンブレン３が損傷を受けるこ
とを防止できる。
成されているので、後述の製造工程において、アライメ
ントマークとして作用する開口部７および転写用回路パ
ターン１０を形成するためのエッチング工程において、
このエッチングによってメンブレン３が損傷を受けるこ
とを防止できる。
【００７６】また、開口部７が窓部１１とは平面的に重
ならない領域に形成されているので、図１に示した本発
明の実施の形態１によるＸ線マスクと同様の効果を得る
ことができる。
ならない領域に形成されているので、図１に示した本発
明の実施の形態１によるＸ線マスクと同様の効果を得る
ことができる。
【００７７】図１４〜２０は、図１３に示した本発明の
実施の形態４によるＸ線マスクの製造工程を説明するた
めの断面図である。図１４〜２０を参照して、以下に本
発明の実施の形態４によるＸ線マスクの製造工程を説明
する。
実施の形態４によるＸ線マスクの製造工程を説明するた
めの断面図である。図１４〜２０を参照して、以下に本
発明の実施の形態４によるＸ線マスクの製造工程を説明
する。
【００７８】まず、図１４に示すように、基板２上にメ
ンブレン３を形成する。基板２にメンブレン３の裏面を
露出させるように窓部１１を形成する。基板２の下面に
はサポートリング１を設置する。メンブレン３上にエッ
チングストッパ１２を形成する。エッチングストッパ１
２上にＸ線吸収体４を形成する。Ｘ線吸収体４上にエッ
チングマスク１３を形成する。エッチングマスク１３上
にレジスト５を形成する。
ンブレン３を形成する。基板２にメンブレン３の裏面を
露出させるように窓部１１を形成する。基板２の下面に
はサポートリング１を設置する。メンブレン３上にエッ
チングストッパ１２を形成する。エッチングストッパ１
２上にＸ線吸収体４を形成する。Ｘ線吸収体４上にエッ
チングマスク１３を形成する。エッチングマスク１３上
にレジスト５を形成する。
【００７９】次に、図１５に示すように、窓部１１と平
面的に重ならない領域に位置するレジスト５に、光露光
法を用いてアライメントマーク用パターン６を形成す
る。ここで、アライメントマーク用パターン６は電子線
露光法を用いて形成してもよい。
面的に重ならない領域に位置するレジスト５に、光露光
法を用いてアライメントマーク用パターン６を形成す
る。ここで、アライメントマーク用パターン６は電子線
露光法を用いて形成してもよい。
【００８０】次に、レジスト５をマスクとしてエッチン
グマスク１３をエッチングにより除去することにより、
エッチングマスク１３にアライメントマーク用パターン
１４（図１６参照）を形成する。その後、レジスト５を
除去する。このようにして、図１６に示すような構造を
得る。
グマスク１３をエッチングにより除去することにより、
エッチングマスク１３にアライメントマーク用パターン
１４（図１６参照）を形成する。その後、レジスト５を
除去する。このようにして、図１６に示すような構造を
得る。
【００８１】次に、図１７に示すように、エッチングマ
スク１３をマスクとして、Ｘ線吸収体４をエッチングに
より除去することにより、アライメントマークとして作
用する開口部７を形成する。
スク１３をマスクとして、Ｘ線吸収体４をエッチングに
より除去することにより、アライメントマークとして作
用する開口部７を形成する。
【００８２】次に、図１８に示すように、エッチングマ
スク１３上にレジスト８を塗布する。
スク１３上にレジスト８を塗布する。
【００８３】次に、図１９に示すように、アライメント
マークとして作用する開口部７に電子線等を照射しなが
ら開口部７の位置を検出する。そして、この位置情報を
もとにレジスト８などの位置を検出しながら、電子線描
画法を用いてレジスト８に転写用回路パターン９を形成
する。
マークとして作用する開口部７に電子線等を照射しなが
ら開口部７の位置を検出する。そして、この位置情報を
もとにレジスト８などの位置を検出しながら、電子線描
画法を用いてレジスト８に転写用回路パターン９を形成
する。
【００８４】次に、レジスト８をマスクとして、エッチ
ングマスク１３を除去することにより、エッチングマス
ク１３に転写用回路パターン１５（図２０参照）を形成
する。その後、レジスト８を除去する。このようにし
て、図２０に示すような構造を得る。
ングマスク１３を除去することにより、エッチングマス
ク１３に転写用回路パターン１５（図２０参照）を形成
する。その後、レジスト８を除去する。このようにし
て、図２０に示すような構造を得る。
【００８５】この後、エッチングマスク１３をマスクと
して、Ｘ線吸収体４をエッチングにより除去することに
より転写用回路パターン１０（図１３参照）を形成す
る。その後、エッチングマスク１３を除去することによ
り、図１３に示すようなＸ線マスクを得ることができ
る。
して、Ｘ線吸収体４をエッチングにより除去することに
より転写用回路パターン１０（図１３参照）を形成す
る。その後、エッチングマスク１３を除去することによ
り、図１３に示すようなＸ線マスクを得ることができ
る。
【００８６】ここで、図１７および２０に示すように、
開口部７および転写用回路パターン１０（図１３参照）
を形成するためのエッチング工程において、エッチング
マスク１３およびエッチングストッパ１２は２回のエッ
チング工程にさらされることになる。そのため、このエ
ッチングマスク１３およびエッチングストッパ１２につ
いては、この２回のエッチング工程に耐えるだけの膜厚
を確保することが必要となる。
開口部７および転写用回路パターン１０（図１３参照）
を形成するためのエッチング工程において、エッチング
マスク１３およびエッチングストッパ１２は２回のエッ
チング工程にさらされることになる。そのため、このエ
ッチングマスク１３およびエッチングストッパ１２につ
いては、この２回のエッチング工程に耐えるだけの膜厚
を確保することが必要となる。
【００８７】たとえば、Ｘ線吸収体４の膜厚が５００ｎ
ｍ、１回のエッチング工程におけるオーバーエッチング
の割合を２０％、Ｘ線吸収体４のエッチングにおいて、
Ｘ線吸収体４のエッチングマスク１３およびエッチング
ストッパ１２に対する選択比を１０とすると、エッチン
グマスク１３およびエッチングストッパ１２に必要な膜
厚は以下のように算出できる。
ｍ、１回のエッチング工程におけるオーバーエッチング
の割合を２０％、Ｘ線吸収体４のエッチングにおいて、
Ｘ線吸収体４のエッチングマスク１３およびエッチング
ストッパ１２に対する選択比を１０とすると、エッチン
グマスク１３およびエッチングストッパ１２に必要な膜
厚は以下のように算出できる。
【００８８】まず、エッチングマスク１３について考え
る。図１７に示したアライメントマークとして作用する
開口部７を形成するためのエッチング工程において、Ｘ
線吸収体４の膜厚が５００ｎｍであり、オーバーエッチ
ングの比率が２０％であることから、このエッチングに
より除去される膜厚としては、Ｘ線吸収体４に換算する
と６００ｎｍとなる。そして、Ｘ線吸収体４のエッチン
グマスク１３に対する選択比が１０であることから、こ
のエッチング工程において除去されるエッチングマスク
１３の膜厚は６０ｎｍとなる。
る。図１７に示したアライメントマークとして作用する
開口部７を形成するためのエッチング工程において、Ｘ
線吸収体４の膜厚が５００ｎｍであり、オーバーエッチ
ングの比率が２０％であることから、このエッチングに
より除去される膜厚としては、Ｘ線吸収体４に換算する
と６００ｎｍとなる。そして、Ｘ線吸収体４のエッチン
グマスク１３に対する選択比が１０であることから、こ
のエッチング工程において除去されるエッチングマスク
１３の膜厚は６０ｎｍとなる。
【００８９】次に、転写用回路パターン１０を形成する
ためのエッチング工程においても、やはり同様にエッチ
ングマスク１３の除去される膜厚は６０ｎｍである。そ
のため、エッチングマスク１３は最低限１２０ｎｍ以上
の膜厚を有する必要がある。
ためのエッチング工程においても、やはり同様にエッチ
ングマスク１３の除去される膜厚は６０ｎｍである。そ
のため、エッチングマスク１３は最低限１２０ｎｍ以上
の膜厚を有する必要がある。
【００９０】また、エッチングストッパ１２について考
えると、図１７に示した開口部７を形成するためのエッ
チング工程においては、エッチングストッパ１２は開口
部７の底部においてオーバーエッチング量に対応するエ
ッチングだけを受けることになる。そのため、この１回
目のエッチング工程において除去されるエッチングスト
ッパ１２の膜厚は、１０ｎｍとなる。
えると、図１７に示した開口部７を形成するためのエッ
チング工程においては、エッチングストッパ１２は開口
部７の底部においてオーバーエッチング量に対応するエ
ッチングだけを受けることになる。そのため、この１回
目のエッチング工程において除去されるエッチングスト
ッパ１２の膜厚は、１０ｎｍとなる。
【００９１】また、転写用回路パターン１０を形成する
ためのエッチング工程においては、エッチングストッパ
１２は、転写用回路パターン１０の底部において１回目
のエッチング工程と同様に、オーバーエッチング量に対
応するエッチングを受ける。つまり、転写用回路パター
ン１０の底部において、Ｘ線吸収体４のエッチングマス
ク１３に対する選択比が１０である場合には、エッング
ストッパ１２の除去される膜厚は１０ｎｍとなる。
ためのエッチング工程においては、エッチングストッパ
１２は、転写用回路パターン１０の底部において１回目
のエッチング工程と同様に、オーバーエッチング量に対
応するエッチングを受ける。つまり、転写用回路パター
ン１０の底部において、Ｘ線吸収体４のエッチングマス
ク１３に対する選択比が１０である場合には、エッング
ストッパ１２の除去される膜厚は１０ｎｍとなる。
【００９２】そして同時に、開口部７の底部において
は、転写用回路パターン１０を形成するためのエッチン
グ工程のはじめからエッチングストッパ１２は露出して
いる。そのため、エッチングストッパ１２はエッチング
マスク１３と同様にエッチングを受けることになる。こ
れにより、このエッチング工程において除去されるエッ
チングストッパ１２の膜厚は、エッチングマスク１３の
除去される膜厚と同様に６０ｎｍとなる。
は、転写用回路パターン１０を形成するためのエッチン
グ工程のはじめからエッチングストッパ１２は露出して
いる。そのため、エッチングストッパ１２はエッチング
マスク１３と同様にエッチングを受けることになる。こ
れにより、このエッチング工程において除去されるエッ
チングストッパ１２の膜厚は、エッチングマスク１３の
除去される膜厚と同様に６０ｎｍとなる。
【００９３】このため、上記２回のエッチング工程によ
り除去されるエッチングストッパ１２の膜厚の合計につ
いては、開口部７の底部での除去される膜厚が最大値と
なり、その値は７０ｎｍとなる。つまり、この本発明の
実施の形態５によるＸ線マスクの製造工程において必要
とされるエッチングストッパ１２の膜厚は７０ｎｍ以上
となる。
り除去されるエッチングストッパ１２の膜厚の合計につ
いては、開口部７の底部での除去される膜厚が最大値と
なり、その値は７０ｎｍとなる。つまり、この本発明の
実施の形態５によるＸ線マスクの製造工程において必要
とされるエッチングストッパ１２の膜厚は７０ｎｍ以上
となる。
【００９４】さらに、図１７に示したアライメントマー
クとして作用する開口部７を形成するためのエッチング
工程におけるエッチング条件を、Ｘ線吸収体４のエッチ
ングマスク１３およびエッチングストッパ１２に対する
選択比が１００となるように調節すれば、上記エッチン
グ工程におけるエッチングマスク１３およびエッチング
ストッパ１２の膜減り量を低減することができる。この
結果、エッチングマスク１３およびエッチングストッパ
１２に必要とされる膜厚を低減することができる。
クとして作用する開口部７を形成するためのエッチング
工程におけるエッチング条件を、Ｘ線吸収体４のエッチ
ングマスク１３およびエッチングストッパ１２に対する
選択比が１００となるように調節すれば、上記エッチン
グ工程におけるエッチングマスク１３およびエッチング
ストッパ１２の膜減り量を低減することができる。この
結果、エッチングマスク１３およびエッチングストッパ
１２に必要とされる膜厚を低減することができる。
【００９５】たとえば、上記のような条件の場合には、
開口部７を形成するためのエッチング工程におけるエッ
チングマスクの膜減り量は６ｎｍ、エッチングストッパ
１２における膜減り量は１ｎｍとなる。そして、転写用
回路パターン１０を形成するためのエッチング工程につ
いては、上記した条件を用いる場合には、結果としてエ
ッチングマスク１３が満たすべき最小膜厚を６６ｎｍ、
エッチングストッパ１２に必要な最小膜厚を６１ｎｍと
することができる。また、ここで、アライメントマーク
として作用する開口部７と転写用回路パターン１０にお
いて形成される配線パターンなどの寸法等は異なる場合
には、開口部７を形成するためのエッチングの条件と、
転写用回路パターン１０を形成するためのエッチングの
条件とを、それぞれの寸法に適応された条件で行なって
もよい。これにより、開口部７と転写用回路パターンと
をともに寸法などの精度良く形成することができる。そ
の結果、高い位置精度を有する転写用回路パターンをな
そえるＸ線マスクを得ることができる。
開口部７を形成するためのエッチング工程におけるエッ
チングマスクの膜減り量は６ｎｍ、エッチングストッパ
１２における膜減り量は１ｎｍとなる。そして、転写用
回路パターン１０を形成するためのエッチング工程につ
いては、上記した条件を用いる場合には、結果としてエ
ッチングマスク１３が満たすべき最小膜厚を６６ｎｍ、
エッチングストッパ１２に必要な最小膜厚を６１ｎｍと
することができる。また、ここで、アライメントマーク
として作用する開口部７と転写用回路パターン１０にお
いて形成される配線パターンなどの寸法等は異なる場合
には、開口部７を形成するためのエッチングの条件と、
転写用回路パターン１０を形成するためのエッチングの
条件とを、それぞれの寸法に適応された条件で行なって
もよい。これにより、開口部７と転写用回路パターンと
をともに寸法などの精度良く形成することができる。そ
の結果、高い位置精度を有する転写用回路パターンをな
そえるＸ線マスクを得ることができる。
【００９６】また、開口部７を形成するためのエッチン
グの条件を、パターン形状の精度はそれ程高くなくて
も、Ｘ線吸収体４のエッチングマスク１３およびエッチ
ングストッパ１２に対する選択比が大きい（例えば選択
比が１００）条件に調節してもよい。一方、転写用回路
パターン１０を形成するためのエッチングの条件を、Ｘ
線吸収体４のエッチングマスク１３およびエッチングス
トッパ１２に対する選択比はそれ程大きくなくても、パ
ターン形状の精度のよい条件に調節してもよい。このよ
うにすることで、エッチングマスク１３およびエッチン
グストッパ１２に必要とされる膜厚を低減しつつ、高い
位置精度を有する転写用回路パターンをなそえるＸ線マ
スクを得ることができる。
グの条件を、パターン形状の精度はそれ程高くなくて
も、Ｘ線吸収体４のエッチングマスク１３およびエッチ
ングストッパ１２に対する選択比が大きい（例えば選択
比が１００）条件に調節してもよい。一方、転写用回路
パターン１０を形成するためのエッチングの条件を、Ｘ
線吸収体４のエッチングマスク１３およびエッチングス
トッパ１２に対する選択比はそれ程大きくなくても、パ
ターン形状の精度のよい条件に調節してもよい。このよ
うにすることで、エッチングマスク１３およびエッチン
グストッパ１２に必要とされる膜厚を低減しつつ、高い
位置精度を有する転写用回路パターンをなそえるＸ線マ
スクを得ることができる。
【００９７】（実施の形態５）図２１〜２６は、本発明
の実施の形態５によるＸ線マスクの製造工程を説明する
ための断面図である。図２１〜２６を参照して、本発明
の実施の形態６によるＸ線マスクの製造工程を説明す
る。
の実施の形態５によるＸ線マスクの製造工程を説明する
ための断面図である。図２１〜２６を参照して、本発明
の実施の形態６によるＸ線マスクの製造工程を説明す
る。
【００９８】まず、図１４に示した本発明の実施の形態
４によるＸ線マスクの製造工程の第１工程を説明するた
めの断面図に示したＸ線マスクの構造を得るための製造
工程と同様の工程により、図２１に示すように、図１４
と同様の構造を得る。ただし、この図２１に示した本発
明の実施の形態６によるＸ線マスクの製造工程では、後
述するように、レジスト１６をアライメントマークとし
て作用する開口部７および転写用回路パターン１０の形
成工程の両方に使用するので、レジスト１６の膜厚を本
発明の実施の形態４による製造工程の場合よりも厚くし
ている。
４によるＸ線マスクの製造工程の第１工程を説明するた
めの断面図に示したＸ線マスクの構造を得るための製造
工程と同様の工程により、図２１に示すように、図１４
と同様の構造を得る。ただし、この図２１に示した本発
明の実施の形態６によるＸ線マスクの製造工程では、後
述するように、レジスト１６をアライメントマークとし
て作用する開口部７および転写用回路パターン１０の形
成工程の両方に使用するので、レジスト１６の膜厚を本
発明の実施の形態４による製造工程の場合よりも厚くし
ている。
【００９９】次に、図２２に示すように、図１５に示し
た本発明の実施の形態４によるＸ線マスクの製造工程と
同様に、レジスト１６にアライメントマーク用パターン
６を形成する。
た本発明の実施の形態４によるＸ線マスクの製造工程と
同様に、レジスト１６にアライメントマーク用パターン
６を形成する。
【０１００】次に、レジスト１６をマスクとして、エッ
チングマスク１３を除去することにより、エッチングマ
スク１３においてアライメントマーク用パターン１４を
形成する。このようにして、図２３に示すような構造を
得る。
チングマスク１３を除去することにより、エッチングマ
スク１３においてアライメントマーク用パターン１４を
形成する。このようにして、図２３に示すような構造を
得る。
【０１０１】次に、図２４に示すように、レジスト１６
およびエッチングマスク１３をマスクとして、Ｘ線吸収
体４をエッチングにより除去することにより、開口部７
を形成する。
およびエッチングマスク１３をマスクとして、Ｘ線吸収
体４をエッチングにより除去することにより、開口部７
を形成する。
【０１０２】次に、図２５に示すように、レジスト１６
に電子線描画法を用いて、転写用回路パターン９を形成
する。
に電子線描画法を用いて、転写用回路パターン９を形成
する。
【０１０３】このように、アライメントマーク用パター
ン６および転写用回路パターン９をレジスト１６に形成
するので、本発明の実施の形態４に示すようにレジスト
を２回形成する場合よりも、製造工程を簡略化すること
ができる。
ン６および転写用回路パターン９をレジスト１６に形成
するので、本発明の実施の形態４に示すようにレジスト
を２回形成する場合よりも、製造工程を簡略化すること
ができる。
【０１０４】次に、レジスト１６をマスクとして、エッ
チングマスク１３をエッチングにより除去することによ
り、転写用回路パターン１５をエッチングマスク１３に
形成する。その後、レジスト１６を除去することによ
り、図２６に示すような構造を得る。その後、エッチン
グマスク１３をマスクとして、Ｘ線吸収体４をエッチン
グにより除去することにより、転写用回路パターン１０
（図１３参照）をＸ線吸収体４に形成する。その後、エ
ッチングマスク１３を除去することにより、図１３に示
すようなＸ線マスクを製造することができる。
チングマスク１３をエッチングにより除去することによ
り、転写用回路パターン１５をエッチングマスク１３に
形成する。その後、レジスト１６を除去することによ
り、図２６に示すような構造を得る。その後、エッチン
グマスク１３をマスクとして、Ｘ線吸収体４をエッチン
グにより除去することにより、転写用回路パターン１０
（図１３参照）をＸ線吸収体４に形成する。その後、エ
ッチングマスク１３を除去することにより、図１３に示
すようなＸ線マスクを製造することができる。
【０１０５】なお、本発明の考え方は、半導体基板上の
レジストに直接回路パターンを電子線により描画（ＥＢ
直描）することにも応用できる。すなわち、ＥＢ直描を
行なう際にもアライメントマークが必要であり、従来
は、半導体基板上にアライメントマークとなる膜を成膜
し、この膜によりアライメントマークを形成していた。
しかし、本発明の考え方を適用し、半導体基板にアライ
メントマークとして作用する開口部を形成すれば、上記
のような成膜工程を省略する事ができる。
レジストに直接回路パターンを電子線により描画（ＥＢ
直描）することにも応用できる。すなわち、ＥＢ直描を
行なう際にもアライメントマークが必要であり、従来
は、半導体基板上にアライメントマークとなる膜を成膜
し、この膜によりアライメントマークを形成していた。
しかし、本発明の考え方を適用し、半導体基板にアライ
メントマークとして作用する開口部を形成すれば、上記
のような成膜工程を省略する事ができる。
【０１０６】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
【０１０７】
【発明の効果】以上のように、請求項１〜９に記載の発
明によれば、ＸマスクのＸ線吸収体にアライメントマー
クを形成するので、従来のように製造工程が複雑化する
ことなく、簡略化した製造工程によって、高い位置精度
を有する転写用回路パターンを備えるＸ線マスクを得る
ことができる。
明によれば、ＸマスクのＸ線吸収体にアライメントマー
クを形成するので、従来のように製造工程が複雑化する
ことなく、簡略化した製造工程によって、高い位置精度
を有する転写用回路パターンを備えるＸ線マスクを得る
ことができる。
【図１】 本発明の実施の形態１によるＸ線マスクの断
面図である。
面図である。
【図２】 図１に示した本発明の実施の形態１によるＸ
線マスクの製造工程の第１工程を説明するための断面図
である。
線マスクの製造工程の第１工程を説明するための断面図
である。
【図３】 図１に示した本発明の実施の形態１によるＸ
線マスクの製造工程の第２工程を説明するための断面図
である。
線マスクの製造工程の第２工程を説明するための断面図
である。
【図４】 図１に示した本発明の実施の形態１によるＸ
線マスクの製造工程の第３工程を説明するための断面図
である。
線マスクの製造工程の第３工程を説明するための断面図
である。
【図５】 図１に示した本発明の実施の形態１によるＸ
線マスクの製造工程の第４工程を説明するための断面図
である。
線マスクの製造工程の第４工程を説明するための断面図
である。
【図６】 図１に示した本発明の実施の形態１によるＸ
線マスクの製造工程の第５工程を説明するための断面図
である。
線マスクの製造工程の第５工程を説明するための断面図
である。
【図７】 本発明の実施の形態２によるＸ線マスクの製
造工程の第１工程を説明するための断面図である。
造工程の第１工程を説明するための断面図である。
【図８】 本発明の実施の形態２によるＸ線マスクの製
造工程の第２工程を説明するための断面図である。
造工程の第２工程を説明するための断面図である。
【図９】 本発明の実施の形態２によるＸ線マスクの製
造工程の第３工程を説明するための断面図である。
造工程の第３工程を説明するための断面図である。
【図１０】 本発明の実施の形態２によるＸ線マスクの
製造工程の第４工程を説明するための断面図である。
製造工程の第４工程を説明するための断面図である。
【図１１】 本発明の実施の形態３によるＸ線マスクの
製造工程を説明するための断面図である。
製造工程を説明するための断面図である。
【図１２】 本発明の実施の形態４によるＸ線マスクの
製造工程を説明するための平面図である。
製造工程を説明するための平面図である。
【図１３】 本発明の実施の形態４によるＸ線マスクの
断面図である。
断面図である。
【図１４】 図１３に示した本発明の実施の形態４によ
るＸ線マスクの製造工程の第１工程を説明するための断
面図である。
るＸ線マスクの製造工程の第１工程を説明するための断
面図である。
【図１５】 図１３に示した本発明の実施の形態４によ
るＸ線マスクの製造工程の第２工程を説明するための断
面図である。
るＸ線マスクの製造工程の第２工程を説明するための断
面図である。
【図１６】 図１３に示した本発明の実施の形態４によ
るＸ線マスクの製造工程の第３工程を説明するための断
面図である。
るＸ線マスクの製造工程の第３工程を説明するための断
面図である。
【図１７】 図１３に示した本発明の実施の形態４によ
るＸ線マスクの製造工程の第４工程を説明するための断
面図である。
るＸ線マスクの製造工程の第４工程を説明するための断
面図である。
【図１８】 図１３に示した本発明の実施の形態４によ
るＸ線マスクの製造工程の第５工程を説明するための断
面図である。
るＸ線マスクの製造工程の第５工程を説明するための断
面図である。
【図１９】 図１３に示した本発明の実施の形態４によ
るＸ線マスクの製造工程の第６工程を説明するための断
面図である。
るＸ線マスクの製造工程の第６工程を説明するための断
面図である。
【図２０】 図１３に示した本発明の実施の形態４によ
るＸ線マスクの製造工程の第７工程を説明するための断
面図である。
るＸ線マスクの製造工程の第７工程を説明するための断
面図である。
【図２１】 本発明の実施の形態５によるＸ線マスクの
製造工程の第１工程を説明するための断面図である。
製造工程の第１工程を説明するための断面図である。
【図２２】 本発明の実施の形態５によるＸ線マスクの
製造工程の第２工程を説明するための断面図である。
製造工程の第２工程を説明するための断面図である。
【図２３】 本発明の実施の形態５によるＸ線マスクの
製造工程の第３工程を説明するための断面図である。
製造工程の第３工程を説明するための断面図である。
【図２４】 本発明の実施の形態５によるＸ線マスクの
製造工程の第４工程を説明するための断面図である。
製造工程の第４工程を説明するための断面図である。
【図２５】 本発明の実施の形態５によるＸ線マスクの
製造工程の第５工程を説明するための断面図である。
製造工程の第５工程を説明するための断面図である。
【図２６】 本発明の実施の形態５によるＸ線マスクの
製造工程の第６工程を説明するための断面図である。
製造工程の第６工程を説明するための断面図である。
【図２７】 従来のＸ線マスクの断面図である。
【図２８】 従来提案されているアライメントマークを
備えるＸ線マスクの斜視図である。
備えるＸ線マスクの斜視図である。
１ サポートリング、２ 基板、３ メンブレン、４
Ｘ線吸収体、５，８，１６ レジスト、６，１４ アラ
イメントマーク用パターン、７ アライメントマークと
して作用する開口部、９，１０，１５ 転写用回路パタ
ーン、１１ 窓部、１２ エッチングストッパ、１３
エッチングマスク。
Ｘ線吸収体、５，８，１６ レジスト、６，１４ アラ
イメントマーク用パターン、７ アライメントマークと
して作用する開口部、９，１０，１５ 転写用回路パタ
ーン、１１ 窓部、１２ エッチングストッパ、１３
エッチングマスク。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北村 佳恵子 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 丸本 健二 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 阿彌 成人 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 基板と、 前記基板上に形成され、Ｘ線を透過するメンブレンと、 前記メンブレン上に形成され、Ｘ線の透過を遮るＸ線吸
収体とを備え、 前記基板は、前記メンブレンを露出させる窓部を含み、 前記Ｘ線吸収体は、 転写用回路パターンと、 前記窓部と平面的に重ならない領域に形成されたアライ
メントマークとを含む、Ｘ線マスク。 - 【請求項２】 前記アライメントマークは、前記Ｘ線吸
収体に形成された開口部である、請求項１に記載のＸ線
マスク。 - 【請求項３】前記基板と、前記Ｘ線吸収体との間に、保
護膜をさらに備える、請求項１または２に記載のＸ線マ
スク。 - 【請求項４】 基板上にＸ線を透過するメンブレンを形
成する工程と、 前記メンブレン上に、Ｘ線の透過を遮るＸ線吸収体を形
成する工程と、 前記基板に、前記メンブレンを露出させる窓部を形成す
る工程と、 前記Ｘ線吸収体上に第１のマスク層を形成する工程と、 前記第１のマスク層上に、第１のマスクパターンを描画
する工程と、 前記第１のマスク層を現像処理することにより、第１の
マスクパターン層を形成する工程と、 前記第１のマスクパターン層をマスクとして、前記Ｘ線
吸収体を除去することにより、アライメントマークとし
て作用する開口部を前記窓部と平面的に重ならない領域
に形成する工程とを備える、Ｘ線マスクの製造方法。 - 【請求項５】 前記第１のマスクパターン層を除去する
工程と、 前記Ｘ線吸収体上に第２のマスク層を形成する工程と、 前記開口部をアライメントマークとして前記第２のマス
ク層上の位置検出に用いながら、前記第２のマスク層上
に、第２のマスクパターンを描画する工程と、 前記第２のマスク層を現像処理することにより、第２の
マスクパターン層を形成する工程と、 前記第２のマスクパターン層をマスクとして、前記Ｘ線
吸収体を除去することにより、転写用回路パターンを形
成する工程とをさらに備える、請求項４に記載のＸ線マ
スクの製造方法。 - 【請求項６】 前記開口部をアライメントマークとして
前記第１のマスク層上の位置検出に用いながら、前記第
１のマスク層上に、第２のマスクパターンを描画する工
程と、 前記第１のマスク層を現像処理することにより、第２の
マスクパターン層を形成する工程と、 前記第２のマスクパターン層をマスクとして、前記Ｘ線
吸収体を除去することにより、転写用回路パターンを形
成する工程とをさらに備える、請求項４に記載のＸ線マ
スクの製造方法。 - 【請求項７】 前記第１のマスクパターンを描画する工
程は、光による露光工程を含み、 前記第２のマスクパターンを描画する工程は、電子線に
よる描画工程を含む、請求項５または６のいずれか１項
に記載のＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項８】 前記第２のマスク層を形成する工程は、
前記開口部が露出するように前記Ｘ線吸収体上に第２の
マスク層を形成することを含む、請求項５に記載のＸ線
マスクの製造方法。 - 【請求項９】 前記開口部を形成する工程は、前記Ｘ線
吸収体を除去するための第１のエッチング工程を含み、 前記転写用回路パターンを形成する工程は、前記Ｘ線吸
収体を除去するための第２のエッチング工程を含み、 前記第１および第２のエッチング工程は、それぞれ異な
る条件により行なわれる、請求項５〜８のいずれか１項
に記載のＸ線マスクの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8843698A JPH11288863A (ja) | 1998-04-01 | 1998-04-01 | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
| US09/177,826 US6212252B1 (en) | 1998-04-01 | 1998-10-23 | X-ray mask provided with an alignment mark and method of manufacturing the same |
| KR1019980057732A KR100325090B1 (ko) | 1998-04-01 | 1998-12-23 | 얼라인먼트 마크를 구비한 엑스선 마스크 및 그 제조방법 |
| TW088100165A TW400543B (en) | 1998-04-01 | 1999-01-07 | X-ray mask and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8843698A JPH11288863A (ja) | 1998-04-01 | 1998-04-01 | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11288863A true JPH11288863A (ja) | 1999-10-19 |
Family
ID=13942753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8843698A Withdrawn JPH11288863A (ja) | 1998-04-01 | 1998-04-01 | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6212252B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11288863A (ja) |
| KR (1) | KR100325090B1 (ja) |
| TW (1) | TW400543B (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100606459B1 (ko) * | 1998-11-30 | 2006-10-24 | 호야 가부시키가이샤 | 전사마스크용기판,그기판을이용한전사마스크의제조방법및전사마스크의사용방법 |
| JP2001307979A (ja) * | 2000-04-20 | 2001-11-02 | Nec Corp | メンブレンマスクおよびその製造方法 |
| US6440619B1 (en) | 2000-05-25 | 2002-08-27 | Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College | Method of distortion compensation by irradiation of adaptive lithography membrane masks |
| US6404481B1 (en) * | 2000-05-25 | 2002-06-11 | Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College | Adaptive lithography membrane masks |
| SE526192C2 (sv) * | 2003-04-17 | 2005-07-26 | Micromuscle Ab | Metod för att framställa en anordning |
| JP4183245B2 (ja) * | 2003-05-12 | 2008-11-19 | キヤノン株式会社 | アライメント方法、該アライメント方法を用いた露光方法 |
| KR100813273B1 (ko) * | 2007-01-04 | 2008-03-13 | 삼성전자주식회사 | Ｌｉｇａ 공정에 사용되는 마스크, 상기 마스크의 제조방법및, ｌｉｇａ 공정을 이용한 미세 구조물 제조방법 |
| US9971970B1 (en) * | 2015-04-27 | 2018-05-15 | Rigetti & Co, Inc. | Microwave integrated quantum circuits with VIAS and methods for making the same |
| US11121301B1 (en) | 2017-06-19 | 2021-09-14 | Rigetti & Co, Inc. | Microwave integrated quantum circuits with cap wafers and their methods of manufacture |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6077422A (ja) | 1983-10-04 | 1985-05-02 | Nec Corp | 電子ビ−ム露光による描画位置決め方法および電子ビ−ム露光装置の試料ホルダ− |
| US4873162A (en) | 1986-08-20 | 1989-10-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | X-ray mask and a manufacture method therefor |
| JPH0750670B2 (ja) * | 1987-07-31 | 1995-05-31 | 日本電信電話株式会社 | マスク接着装置およびその使用方法 |
| JP2740898B2 (ja) * | 1988-08-08 | 1998-04-15 | 日本電信電話株式会社 | Ｘ線露光マスクとその製造方法 |
| JPH02166720A (ja) | 1988-12-21 | 1990-06-27 | Sharp Corp | Ｘ線露光用マスクブランク |
| JPH04142022A (ja) * | 1990-10-03 | 1992-05-15 | Fujitsu Ltd | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
| JP2687256B2 (ja) | 1991-03-26 | 1997-12-08 | 株式会社ソルテック | Ｘ線マスク作成方法 |
| JPH05343299A (ja) | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線マスク及びｘ線マスクの製造方法 |
| US5677090A (en) | 1995-02-23 | 1997-10-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making X-ray mask having reduced stress |
| JPH08250392A (ja) | 1995-03-13 | 1996-09-27 | Toppan Printing Co Ltd | Ｘ線露光用マスク |
| US6040095A (en) * | 1998-09-30 | 2000-03-21 | Nikon Corporation | Measurement marks for e-beam projection mask and method of using |
-
1998
- 1998-04-01 JP JP8843698A patent/JPH11288863A/ja not_active Withdrawn
- 1998-10-23 US US09/177,826 patent/US6212252B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-23 KR KR1019980057732A patent/KR100325090B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-01-07 TW TW088100165A patent/TW400543B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW400543B (en) | 2000-08-01 |
| US6212252B1 (en) | 2001-04-03 |
| KR100325090B1 (ko) | 2002-07-31 |
| KR19990081813A (ko) | 1999-11-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050607 |