DE3720750A1 - Galliumarsenid-solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents

Galliumarsenid-solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2219621C1 (ru) * 2002-07-12 2003-12-20 Открытое акционерное общество "Сатурн" Способ изготовления фотопреобразователя

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10334522A1 (de) * 2003-07-29 2005-02-17 Vishay Semiconductor Gmbh Flüssigphasenepitaktische Herstellung einer Halbleiteranordnung
CN105023962B (zh) * 2015-07-30 2017-03-08 华南理工大学 一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2022458A1 (de) * 1969-06-30 1971-01-07 Ibm Wandler zur Umformung elektromagnetischer Strahlungsenergie in elektrische Energie und Verfahren zur Herstellung
DE2735937C2 (de) * 1976-11-22 1985-05-30 International Business Machines Corp., Armonk, N.Y. Flüssigphasenepitaxie-Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Heterostrukturen

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59189682A (ja) * 1983-04-12 1984-10-27 Sharp Corp ＧａＡｓ太陽電池
JPS60200576A (ja) * 1984-03-24 1985-10-11 Mitsubishi Electric Corp ヒ化ガリウム半導体装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2022458A1 (de) * 1969-06-30 1971-01-07 Ibm Wandler zur Umformung elektromagnetischer Strahlungsenergie in elektrische Energie und Verfahren zur Herstellung
DE2735937C2 (de) * 1976-11-22 1985-05-30 International Business Machines Corp., Armonk, N.Y. Flüssigphasenepitaxie-Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Heterostrukturen

Non-Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
US-B.: 15 th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 1981, S. 239-240 *
US-Z.: Appl. Phys. Lett., Bd. 33, 1978, S. 196-198 *
US-Z.: Appl. Phys. Lett., Bd. 47, 1985, S. 762-764 *
US-Z.: IBM Technical Disclosure Bulletin, Vol. 19, No. 6, 1976, S. 2289 *
US-Z.: IEEE Transactions on Electron Devices, Bd. ED-27, 1980, S. 857-864 *
US-Z.: J. Appl. Phys., Bd. 57, 1985, S. 537-544 *
US-Z.: J. Electrochem. Soc., Vol. 120, Nr. 9, 1973, S. 1246-1252 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2219621C1 (ru) * 2002-07-12 2003-12-20 Открытое акционерное общество "Сатурн" Способ изготовления фотопреобразователя

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