JPS60200576A - ヒ化ガリウム半導体装置 - Google Patents
ヒ化ガリウム半導体装置Info
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- JPS60200576A JPS60200576A JP59056757A JP5675784A JPS60200576A JP S60200576 A JPS60200576 A JP S60200576A JP 59056757 A JP59056757 A JP 59056757A JP 5675784 A JP5675784 A JP 5675784A JP S60200576 A JPS60200576 A JP S60200576A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はヒ化ガリウム（ＯａＡθ）太陽電池、 Ｇａ
Ａ３レーザ素子などのＧａＡ Ｅｌ半導体装置に関する
ものである。
Ａ３レーザ素子などのＧａＡ Ｅｌ半導体装置に関する
ものである。
以下、ｏａＡｅ太陽電池を例にとり税引する。
第１図は従来のへテロフェイス形ＡｔＧａＡｓ／ＧａＡ
θ太陽電池（Ｊ’、Ｍ、ｗｏＯａａｌｌａｎａ Ｈ；Ｊ
、Ｈｏｖ−ｅｌ、 Ａｐｐ’１ｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒ、 ２１３７９ （１９’７２））の−例
の主要薄酸要素を示す−ｒＩＭＪ図である。
θ太陽電池（Ｊ’、Ｍ、ｗｏＯａａｌｌａｎａ Ｈ；Ｊ
、Ｈｏｖ−ｅｌ、 Ａｐｐ’１ｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒ、 ２１３７９ （１９’７２））の−例
の主要薄酸要素を示す−ｒＩＭＪ図である。
図において、Ｆｉｌはｎ形ＧａＡｓ （Ｐｉ下「ｎ−Ｇ
ａＡ８Ｊと呼ぶ）基板、（２）けｎ−ＧａＡ３基板ｆｌ
＋の長面上に形成されたｐ形（）ａＡ８ （１２を下ｒ
ｐ−ＧａＡｓＪと呼ぶ）層、（３）はｐ−ＧａＡｓ層＋
２１の表面上に形成されたｐ形ＡＺｘＧａ１１Ａｓ（３
１下「ｐ−ＡｔＸＧａ工、、−ＸＡ８」と呼ぶ）層、（
４１は窒化シリコン（８１３Ｎ＋）または酸化タンタル
（Ｔａ＊Ｏａ）からなりｐ−ＡノｘＧａ１−ＸＡｓ層（
３）の長面上に形成され６００〜８００Ａ程度の膜層、
を有する反射防止膜、（５１け反射防止膜１４）の表面
から反射防止膜（４）およびｐ−ＡｔｚＧａ□−ＸＡｓ
層（３）を貫通してｐ−ＧａＡＢ層（２）の表面に達す
るように形成されたコンタクトホール、１６１はコンタ
クトホール（６１内にｐ−ＧａＡＢ層（２）にオーミッ
ク接続されるように形成さ台たｐ側電極、１７１けｎ−
ＧａＡ１１ｌ基板＋１１の長面上に形成さ名たｎｌ１ｌ
ｌｕｔ、極、Ｊけｎ−ＧａＡｓ基板ｆｌｌとｐ−（）ａ
７ｋｓ Ｉｆ） Ａ２１との間に形成されたｐｎ接合で
ある。
ａＡ８Ｊと呼ぶ）基板、（２）けｎ−ＧａＡ３基板ｆｌ
＋の長面上に形成されたｐ形（）ａＡ８ （１２を下ｒ
ｐ−ＧａＡｓＪと呼ぶ）層、（３）はｐ−ＧａＡｓ層＋
２１の表面上に形成されたｐ形ＡＺｘＧａ１１Ａｓ（３
１下「ｐ−ＡｔＸＧａ工、、−ＸＡ８」と呼ぶ）層、（
４１は窒化シリコン（８１３Ｎ＋）または酸化タンタル
（Ｔａ＊Ｏａ）からなりｐ−ＡノｘＧａ１−ＸＡｓ層（
３）の長面上に形成され６００〜８００Ａ程度の膜層、
を有する反射防止膜、（５１け反射防止膜１４）の表面
から反射防止膜（４）およびｐ−ＡｔｚＧａ□−ＸＡｓ
層（３）を貫通してｐ−ＧａＡＢ層（２）の表面に達す
るように形成されたコンタクトホール、１６１はコンタ
クトホール（６１内にｐ−ＧａＡＢ層（２）にオーミッ
ク接続されるように形成さ台たｐ側電極、１７１けｎ−
ＧａＡ１１ｌ基板＋１１の長面上に形成さ名たｎｌ１ｌ
ｌｕｔ、極、Ｊけｎ−ＧａＡｓ基板ｆｌｌとｐ−（）ａ
７ｋｓ Ｉｆ） Ａ２１との間に形成されたｐｎ接合で
ある。
このように構成された従来例の太陽電池でけ、ｐ−Ａｔ
ＸＧａ□−ＸＡＢ層（３）がｐ−ＧａＡ ｅ Ｍ １２
１の表面再−結合速度を小さくするための窓層となって
いる。従って、ｐ＝ＡＡＸＧａｌ−ｚＡＢ層（３）の太
陽光の吸収をできるだけ小さくするために、ｐ”Ａ７Ｘ
Ｇａ ｌ −ＸＡ ８層（３１の膜厚が０．１〜０．２
μｍ程度に薄く設定され、捷たｐ−ＡｔｘＧ ａ ｌ−
ｚ Ａ ８層（３）のアルミニウム（Ａｔ）の組成比Ｘ
が０．８以上に大きく設定されている。
ＸＧａ□−ＸＡＢ層（３）がｐ−ＧａＡ ｅ Ｍ １２
１の表面再−結合速度を小さくするための窓層となって
いる。従って、ｐ＝ＡＡＸＧａｌ−ｚＡＢ層（３）の太
陽光の吸収をできるだけ小さくするために、ｐ”Ａ７Ｘ
Ｇａ ｌ −ＸＡ ８層（３１の膜厚が０．１〜０．２
μｍ程度に薄く設定され、捷たｐ−ＡｔｘＧ ａ ｌ−
ｚ Ａ ８層（３）のアルミニウム（Ａｔ）の組成比Ｘ
が０．８以上に大きく設定されている。
ところが、’９ Ａ７−ｘＧａ １−ＸＡｓ層（３）の
Ａｌの組成比ＸがＯ，Ｓ以上に大きくなった場合には、
ｐ−ＡＡＸＧａ ｚ−８Ａｅ層（３）が化学的に極めて
活性になるので、反射防止膜（４）に欠陥部分があると
、この欠陥部分から湿気が浸入して、ｐ−ＡｔｘＧａ
１−ＸＡ ８層（３ンＶｃＡｔの酸化物または水酸化物
の質質層が形成される。時ＶＣは、ｐ −ＡｔＸＧ ａ
１−ｚＡ ８層（３）の表面上に反射防止膜！４１１
に形成する前の段階１／ｊｋいて、ｐ−ＡＡＸＧ ａ
１−ＸＡ ８層（３）の表面部が酸化されることもある
。こねによって、この従来例の太陽電池では湿気の多い
環境に長時間放置されると、太陽電池の元電流が減少し
、その結果光電変換効率が劣化するおそれかあり、信頼
性が惑いという欠点があった。
Ａｌの組成比ＸがＯ，Ｓ以上に大きくなった場合には、
ｐ−ＡＡＸＧａ ｚ−８Ａｅ層（３）が化学的に極めて
活性になるので、反射防止膜（４）に欠陥部分があると
、この欠陥部分から湿気が浸入して、ｐ−ＡｔｘＧａ
１−ＸＡ ８層（３ンＶｃＡｔの酸化物または水酸化物
の質質層が形成される。時ＶＣは、ｐ −ＡｔＸＧ ａ
１−ｚＡ ８層（３）の表面上に反射防止膜！４１１
に形成する前の段階１／ｊｋいて、ｐ−ＡＡＸＧ ａ
１−ＸＡ ８層（３）の表面部が酸化されることもある
。こねによって、この従来例の太陽電池では湿気の多い
環境に長時間放置されると、太陽電池の元電流が減少し
、その結果光電変換効率が劣化するおそれかあり、信頼
性が惑いという欠点があった。
そこで、かかる欠点を収り除くために、ｐ−ＡＬＸＧ
ａ １−７Ａｅ層（３）を使用しないホモ接合形のＧａ
Ａθ太陽電池が米国ＭＩＴ （Ｍａｓｅａｒｈｕｓｅｔ
ｔｓ工ｎ５ｔｉｔｕｔｅ ｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）
のＪ、Ｃ，Ｏ，Ｆａｎらによって提案されている。
ａ １−７Ａｅ層（３）を使用しないホモ接合形のＧａ
Ａθ太陽電池が米国ＭＩＴ （Ｍａｓｅａｒｈｕｓｅｔ
ｔｓ工ｎ５ｔｉｔｕｔｅ ｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）
のＪ、Ｃ，Ｏ，Ｆａｎらによって提案されている。
第２図はＪ、Ｃ，Ｏ，Ｆａｎらの提案になるＧａＡｅ太
陽電池の主要構成要−＄：を示す断面図である。
陽電池の主要構成要−＄：を示す断面図である。
図において、（８）はｐ＋−ＧａＡｓ基板、（９）およ
び（１０）はそれぞれｐ＋−ＧａＡｓ基板（８）の表面
上にハロゲン化輸送法を用いた気相成長方法によって順
次形成されたｐ−ＧａＡｓ層およびｎ−ＧａＡｓ層であ
る。
び（１０）はそれぞれｐ＋−ＧａＡｓ基板（８）の表面
上にハロゲン化輸送法を用いた気相成長方法によって順
次形成されたｐ−ＧａＡｓ層およびｎ−ＧａＡｓ層であ
る。
このＪ、Ｃ１Ｃ，Ｆａｎらの提案になる太陽電池では、
ｎ−（） ａＡｓ層（１０）の表面再結合速度の影響を
小さくするために、ｎ−ＧａＡｓ層（１０）の膜厚を５
００Ａ程度以下に薄く設定する必要があるので、大面積
化がむずかしいという欠点があった。
ｎ−（） ａＡｓ層（１０）の表面再結合速度の影響を
小さくするために、ｎ−ＧａＡｓ層（１０）の膜厚を５
００Ａ程度以下に薄く設定する必要があるので、大面積
化がむずかしいという欠点があった。
この発明け、上述の欠点を除去する目的でなされたもの
で、互いの間Ｖｃｐｎ接合を形成する第１導亀形のＧａ
Ａｓ層および第１４電形とは反対の第２導電形のＧａＡ
ｓ層を備えたものにおいて、第２導電形のＧａＡｓ層の
表面上にセレン化亜鉛（ＺｎＳθ）膜を形成することに
よって、耐湿性および性能の優れたＧａＡｓ半尋体装１
度を提供するものである。
で、互いの間Ｖｃｐｎ接合を形成する第１導亀形のＧａ
Ａｓ層および第１４電形とは反対の第２導電形のＧａＡ
ｓ層を備えたものにおいて、第２導電形のＧａＡｓ層の
表面上にセレン化亜鉛（ＺｎＳθ）膜を形成することに
よって、耐湿性および性能の優れたＧａＡｓ半尋体装１
度を提供するものである。
第３図はこの発明の一実施例のＧａ八へ太陽軍池の主要
構成委素を示す断面図である。
構成委素を示す断面図である。
図において、（１１）けシリコン（Ｓｉ）がドープされ
ｌ Ｘ １０１７〜２０ Ｘ ｌｏ”ｃｍ−”程度のキ
ャリア濃度を有しこの実施例での第１４゛亀形のＧａＡ
ｓ半郁体層であるｎ−ＧａＡ３基板、θ２１けｎ−Ｇａ
Ａｓ基板（１１）の表面）−ｉ／ｆｆ液相エ液相エピタ
キシャル成長法気相エピタキシャル成長法によって形成
され亜鉛（Ｚｎ） 、ベリリウム（Ｂｅ） 、マグネシ
ウム（Ｍｇ ）などの■族元素の金属がドープされ５
Ｘ １０”−Ｉ Ｘ １０” Ｃｍ−３程度のキャリア
濃度を有しこの実施例での第２．゛μ区形のＧａＡｓ半
専体層であるｐ−Ｇ ａＡ ８層、（１３）はｐ−（）
ａＡｓ層θ２１の表面ＥＶｃ蒸着蒸着法タスクリーン印
刷る焼結法または分子線エピタキシャル法によって形成
され、０．１〜２μｍ程度の膜厚を有するＺｎ５ｅ膜、
（１４）けＺｎ８ｅ膜０３１の表面上に蒸着法によって
形成された酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜またけプラズマ
気相蒸＠（ｃｖＤ）法によって形成された５ｉｓＮ＜膜
もしくけＴａ２０５膜からなる反射防止膜、０５１は反
射防止膜（Ｉ４）の挽面から反射防止膜−およびＺｎＳ
θ膜θ３）を貫通してｐ−ＧａＡｓ層（Ｉ２１の表面に
達するように形成されたコンタクトホール、（＋６＋ｕ
コンタクトホール（１５１内ｊｆ（ｐ−ＧａＡｓ層＋１
２１ Ｋオーミック接続されるように形成された９ｇ１
１１電極、（１７Ｉはｎ−ＧａＡｓ基板（１１）の裏面
とに形成されたｎ側電極、（Ｊａ） ｕ ｎ−ＧａＡｓ
基板（１１）とｐ−ＧａＡｓ層（１２１との間に形成さ
れたｐｎ接合である。
ｌ Ｘ １０１７〜２０ Ｘ ｌｏ”ｃｍ−”程度のキ
ャリア濃度を有しこの実施例での第１４゛亀形のＧａＡ
ｓ半郁体層であるｎ−ＧａＡ３基板、θ２１けｎ−Ｇａ
Ａｓ基板（１１）の表面）−ｉ／ｆｆ液相エ液相エピタ
キシャル成長法気相エピタキシャル成長法によって形成
され亜鉛（Ｚｎ） 、ベリリウム（Ｂｅ） 、マグネシ
ウム（Ｍｇ ）などの■族元素の金属がドープされ５
Ｘ １０”−Ｉ Ｘ １０” Ｃｍ−３程度のキャリア
濃度を有しこの実施例での第２．゛μ区形のＧａＡｓ半
専体層であるｐ−Ｇ ａＡ ８層、（１３）はｐ−（）
ａＡｓ層θ２１の表面ＥＶｃ蒸着蒸着法タスクリーン印
刷る焼結法または分子線エピタキシャル法によって形成
され、０．１〜２μｍ程度の膜厚を有するＺｎ５ｅ膜、
（１４）けＺｎ８ｅ膜０３１の表面上に蒸着法によって
形成された酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜またけプラズマ
気相蒸＠（ｃｖＤ）法によって形成された５ｉｓＮ＜膜
もしくけＴａ２０５膜からなる反射防止膜、０５１は反
射防止膜（Ｉ４）の挽面から反射防止膜−およびＺｎＳ
θ膜θ３）を貫通してｐ−ＧａＡｓ層（Ｉ２１の表面に
達するように形成されたコンタクトホール、（＋６＋ｕ
コンタクトホール（１５１内ｊｆ（ｐ−ＧａＡｓ層＋１
２１ Ｋオーミック接続されるように形成された９ｇ１
１１電極、（１７Ｉはｎ−ＧａＡｓ基板（１１）の裏面
とに形成されたｎ側電極、（Ｊａ） ｕ ｎ−ＧａＡｓ
基板（１１）とｐ−ＧａＡｓ層（１２１との間に形成さ
れたｐｎ接合である。
この実施例の太陽電池では、Ｚｎ５ｅ膜（１３）の禁制
帯幅が２．６’ｉ’ｅＶであるので、ｚｎｓｅ膜Ｑ３１
Ｖｃ入射する太陽光は、はとんどＺｎ５ｅ膜０３）を透
過し、ｐ−ＧａＡｓ層（１２１およびｐ −Ｇ ａ Ａ
θ基板（川内［吸収されて電子−正孔対を生成する。そ
して、ｐｎ接合Ｊａの付近に生成した電子−正孔対け、
再結合することなく、ｐｎ接合ＪａＶｃよって形成され
る空乏層領域に到達する。このようにして、空乏層頭載
に到達した電子−正孔対の電子は、空乏層領域の強い電
界によって、ｒｌ−Ｇａ、Ａ８基板（川へ流入し、正孔
はｐ−ＧａＡＢ層（臣へ流入し、ｐｍＷｊＸ極ｌｌ６１
とｎ（ＩＩｌｌ電極Ｕηとの間に接続された外部回路（
図示せず）Ｋ、Ｚｎ５ｅ膜Ｏりへの入射太陽光＠に比例
した電流が流れる。
帯幅が２．６’ｉ’ｅＶであるので、ｚｎｓｅ膜Ｑ３１
Ｖｃ入射する太陽光は、はとんどＺｎ５ｅ膜０３）を透
過し、ｐ−ＧａＡｓ層（１２１およびｐ −Ｇ ａ Ａ
θ基板（川内［吸収されて電子−正孔対を生成する。そ
して、ｐｎ接合Ｊａの付近に生成した電子−正孔対け、
再結合することなく、ｐｎ接合ＪａＶｃよって形成され
る空乏層領域に到達する。このようにして、空乏層頭載
に到達した電子−正孔対の電子は、空乏層領域の強い電
界によって、ｒｌ−Ｇａ、Ａ８基板（川へ流入し、正孔
はｐ−ＧａＡＢ層（臣へ流入し、ｐｍＷｊＸ極ｌｌ６１
とｎ（ＩＩｌｌ電極Ｕηとの間に接続された外部回路（
図示せず）Ｋ、Ｚｎ５ｅ膜Ｏりへの入射太陽光＠に比例
した電流が流れる。
この実施例のＺｎ５ｅ膜ａ３Ｉには次のような利点があ
る。
る。
すなわち、Ｚｎ Ｂ ｅ膜ｔ１３１の禁制帯幅（２，６
’７ｅＶ）がｐ’（）ａＡ１１］層（１２１の禁制帯幅
（１，４３ｅｖ） ＶＣ比べて大きいので、Ｚｎ５ｅ膜
ｔ１３１Ｖｃ入射する太陽光がほとんどＺｎＳθ膜０３
）全透過する。また、Ｚｎ５ｅ膜０３）とｐ−ＧａＡｓ
層（１２１との界面でのエネルギー差がｐ −（）ａＡ
１１１層０２１内のキャリアのｚｎｓｅ膜０３）とｐ
−ＧａＡｓ層（１２１との界面への拡散を抑制する。更
に、ＺｎＢｅ膜（Ｉ３）およびｐ−（）ａＡｓ層ａ２１
の結晶格子定数がそれぞれ５．６６７Ａおよび５゜６５
：Ａとほぼ同一であり、Ｚｎ５ｅ膜Ｏａｔおよびｐ−Ｇ
ａＡＳ層（１２）の熱膨張係数もそれぞれ７ Ｘ １０
−’／’におよび６ＸＩＯ−６／’にと極めて近似して
いるので、ＺｎＢｅ膜いとｐ−ｏａＡＢ層＋１２１との
界面での結合状態もよく、キャリアの再結合も小さい。
’７ｅＶ）がｐ’（）ａＡ１１］層（１２１の禁制帯幅
（１，４３ｅｖ） ＶＣ比べて大きいので、Ｚｎ５ｅ膜
ｔ１３１Ｖｃ入射する太陽光がほとんどＺｎＳθ膜０３
）全透過する。また、Ｚｎ５ｅ膜０３）とｐ−ＧａＡｓ
層（１２１との界面でのエネルギー差がｐ −（）ａＡ
１１１層０２１内のキャリアのｚｎｓｅ膜０３）とｐ
−ＧａＡｓ層（１２１との界面への拡散を抑制する。更
に、ＺｎＢｅ膜（Ｉ３）およびｐ−（）ａＡｓ層ａ２１
の結晶格子定数がそれぞれ５．６６７Ａおよび５゜６５
：Ａとほぼ同一であり、Ｚｎ５ｅ膜Ｏａｔおよびｐ−Ｇ
ａＡＳ層（１２）の熱膨張係数もそれぞれ７ Ｘ １０
−’／’におよび６ＸＩＯ−６／’にと極めて近似して
いるので、ＺｎＢｅ膜いとｐ−ｏａＡＢ層＋１２１との
界面での結合状態もよく、キャリアの再結合も小さい。
従って、この実施例では、ＧａＡｅ系太陽電池において
最も［ｆｉた光電変換効率が得られている従来のへテロ
フェイス形ＡＱ ａＡ ８／ＧａＡＥｌ太陽電池と間合
またけそれ以上の光電変換効率が期待される。
最も［ｆｉた光電変換効率が得られている従来のへテロ
フェイス形ＡＱ ａＡ ８／ＧａＡＥｌ太陽電池と間合
またけそれ以上の光電変換効率が期待される。
しかも、ＺｎｆＥｊｅ膜（１３）がＡｔｚＧａｌ−ｚ
Ａｅ（ｘａ’ｊ、＋、ｓ）層より化学的に安定であるの
で、従来のへテロフェイス形ＡｚｏａＡｓ／ＧａＡｓ太
陽電池に比べて、高温・高湿−の条件下でも秘めて安定
で、湿気による劣化はほとんど与られない。捷た、Ｚｎ
５ｅ膜ｔ１３ｉけ蒸看法。
Ａｅ（ｘａ’ｊ、＋、ｓ）層より化学的に安定であるの
で、従来のへテロフェイス形ＡｚｏａＡｓ／ＧａＡｓ太
陽電池に比べて、高温・高湿−の条件下でも秘めて安定
で、湿気による劣化はほとんど与られない。捷た、Ｚｎ
５ｅ膜ｔ１３ｉけ蒸看法。
スクリーン印刷による焼結法などによって容易で安価に
形成できるなどの利点がある。
形成できるなどの利点がある。
このＷＭ例では、ｎ−ＧａＡｅ基板１１１）の衆＋ｆ＃
ＪＩＣ−ｐ−ＧａＡｓ層θ２１およびＺｎ５ｅ膜０３）
を順次形成したＺｎ８ｅ／ｐ−ＧａＡｓ基板−ＧａＡｓ
太陽電池について述べたが、この５ 発明けｐ−ＧａＡ
ｓ基板の長面上Ｔｉｃ ｎ−ＧａＡｓ層およびＺｎ５ｅ
ａを順次形成したＺｎ５ｅ／ｎ−σａＡｓ／ｐ−ＧａＡ
ｓ太陽市池にも適用できる。
ＪＩＣ−ｐ−ＧａＡｓ層θ２１およびＺｎ５ｅ膜０３）
を順次形成したＺｎ８ｅ／ｐ−ＧａＡｓ基板−ＧａＡｓ
太陽電池について述べたが、この５ 発明けｐ−ＧａＡ
ｓ基板の長面上Ｔｉｃ ｎ−ＧａＡｓ層およびＺｎ５ｅ
ａを順次形成したＺｎ５ｅ／ｎ−σａＡｓ／ｐ−ＧａＡ
ｓ太陽市池にも適用できる。
なお、これまで、ＧａＡθ太陽電池を例にとり述べたが
、この発Ｉｆｆはこれに限らず、ＧａＡｓレーザ素子な
どのその他のＧａＡ ｓ半尋体装ｒＩｔ、ＶＣも通用で
きる。
、この発Ｉｆｆはこれに限らず、ＧａＡｓレーザ素子な
どのその他のＧａＡ ｓ半尋体装ｒＩｔ、ＶＣも通用で
きる。
以上、説明しｒｃように、この発すイのＧａＡθ半導体
装置では、第１ノ４成形のＧａＡｌ１半萼体；−と、こ
の第１綽寵形のＧａＡ３半郁体層の表面上に設けられ第
１導亀形のＧａＡｅ半４す体層との聞にｐｎ接合を形成
する第２導屯形のＧａＡｓ半彎体層と、この第２メ〔美
電形のＧａＡｆｌ半萼体層の表面上に形成さｔまたＺｎ
５ｅ膜とをｌ１ｔｉえているので、次のような効果があ
る。
装置では、第１ノ４成形のＧａＡｌ１半萼体；−と、こ
の第１綽寵形のＧａＡ３半郁体層の表面上に設けられ第
１導亀形のＧａＡｅ半４す体層との聞にｐｎ接合を形成
する第２導屯形のＧａＡｓ半彎体層と、この第２メ〔美
電形のＧａＡｆｌ半萼体層の表面上に形成さｔまたＺｎ
５ｅ膜とをｌ１ｔｉえているので、次のような効果があ
る。
すなわち、Ｚｎ Ｓｅ膜が耐湿性がよいので、耐湿性の
向上を図ることができる。しかも、 Ｚｎ８ｅ膜の禁制
帯幅（ｚ、６７ｅｖ）が第２Ｑ岨形のＧａＡ日半日仏導
体層制帯＠ （１，４３ｅＶ） ＶＣ比べて大きいので
、ＺｒｌＳｅ膜と第２４電形のＧａＡｓ半得体層との界
面でのエネルギー差によって第２４電形のＧａＡ［ｌ半
得体層内のキャリアのＺｎ５ｅ膜と第２４゛屯形のＧａ
Ａｅ半樽体層との界面への拡散を抑制できる。また、Ｚ
ｎ５ｅ膜および第２導セ形の結晶格子定数がほぼ同一で
あり、熱膨張係数も極めて近似しているので、Ｚｎ５ｅ
１４！！とａｚＩｑ嵐形のＧａＡ［ｌ半辱体層との界
面での結合状態も↓く、キャリアの再結合も小さい。
向上を図ることができる。しかも、 Ｚｎ８ｅ膜の禁制
帯幅（ｚ、６７ｅｖ）が第２Ｑ岨形のＧａＡ日半日仏導
体層制帯＠ （１，４３ｅＶ） ＶＣ比べて大きいので
、ＺｒｌＳｅ膜と第２４電形のＧａＡｓ半得体層との界
面でのエネルギー差によって第２４電形のＧａＡ［ｌ半
得体層内のキャリアのＺｎ５ｅ膜と第２４゛屯形のＧａ
Ａｅ半樽体層との界面への拡散を抑制できる。また、Ｚ
ｎ５ｅ膜および第２導セ形の結晶格子定数がほぼ同一で
あり、熱膨張係数も極めて近似しているので、Ｚｎ５ｅ
１４！！とａｚＩｑ嵐形のＧａＡ［ｌ半辱体層との界
面での結合状態も↓く、キャリアの再結合も小さい。
従って、性能の向上を図ることができる。
第１図は従来のへテロフェイス形ＡυａＡｓ／ＧａＡｓ
太陽電池の一例の主要欝成要素を示す断面図、第２図は
Ｊ、Ｏ，Ｃ，Ｆａｎらの提案になるＧａＡθ太陽゛噌池
の主少構成委素を示す断面図、第３図はこの発明の一実
施例のＧａＡｓ太陽電池の主侠信成要票を示す断面図で
ある。 。 図πおいて、１１１１はｎ−ＧａＡｓ基板（第１導α形
のｏａＡｓ半得体層） 、ｉＺはｐ−（）ａＡ９ ｍ
（＠ ２ 導”１ｉ形のＧａＡ３半得体層） 、＋Ｉａ
ｌ ｕ ｚｎＢｅ膜である。 代理人 大岩増雄 勢 Ｃつ 昭和 年 月 日 特許庁長官Ｒ岐 １、事件の表示 特願昭 ５９−０５６７５γ号３、補
正をする者 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１） 明細書の第４頁第２行Ｋ 「Ｍａｓｓａｒｈｕ
ｓｅｔｔａＪとあるのを「Ｍａｓｓａｃｈｕｓｅｔｔｓ
Ｊと訂正する。 以上
太陽電池の一例の主要欝成要素を示す断面図、第２図は
Ｊ、Ｏ，Ｃ，Ｆａｎらの提案になるＧａＡθ太陽゛噌池
の主少構成委素を示す断面図、第３図はこの発明の一実
施例のＧａＡｓ太陽電池の主侠信成要票を示す断面図で
ある。 。 図πおいて、１１１１はｎ−ＧａＡｓ基板（第１導α形
のｏａＡｓ半得体層） 、ｉＺはｐ−（）ａＡ９ ｍ
（＠ ２ 導”１ｉ形のＧａＡ３半得体層） 、＋Ｉａ
ｌ ｕ ｚｎＢｅ膜である。 代理人 大岩増雄 勢 Ｃつ 昭和 年 月 日 特許庁長官Ｒ岐 １、事件の表示 特願昭 ５９−０５６７５γ号３、補
正をする者 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１） 明細書の第４頁第２行Ｋ 「Ｍａｓｓａｒｈｕ
ｓｅｔｔａＪとあるのを「Ｍａｓｓａｃｈｕｓｅｔｔｓ
Ｊと訂正する。 以上
Claims (1)
- ｆｉ＋ 第１導電形のヒ化ガリウム半辱体層、この第１
導電形のヒ化ガリウム半辱体層の長面上に設けられと記
第１導成形のヒ化ガリウム半導体層との闇にｐｎ接合を
形成する第２導電形のヒ化ガリウム半辱体層、およびこ
の第２郁電形のヒ化カリウム半辱体層の表面上に形成さ
れ１ζセレン化を鉛膜を備えたヒ化ガリウム半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59056757A JPS60200576A (ja) | 1984-03-24 | 1984-03-24 | ヒ化ガリウム半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59056757A JPS60200576A (ja) | 1984-03-24 | 1984-03-24 | ヒ化ガリウム半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60200576A true JPS60200576A (ja) | 1985-10-11 |
Family
ID=13036375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59056757A Pending JPS60200576A (ja) | 1984-03-24 | 1984-03-24 | ヒ化ガリウム半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60200576A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6316680A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | ＧａＡｓ太陽電池およびその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55162223A (en) * | 1979-06-04 | 1980-12-17 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device and its preparation |
| JPS5618474A (en) * | 1979-07-23 | 1981-02-21 | Ibm | Semiconducotr solar battery |
| JPS58216492A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-12-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 分布ブラツグ反射型レ−ザ |
| JPS5939082A (ja) * | 1982-08-26 | 1984-03-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レ−ザ |
-
1984
- 1984-03-24 JP JP59056757A patent/JPS60200576A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55162223A (en) * | 1979-06-04 | 1980-12-17 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device and its preparation |
| JPS5618474A (en) * | 1979-07-23 | 1981-02-21 | Ibm | Semiconducotr solar battery |
| JPS58216492A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-12-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 分布ブラツグ反射型レ−ザ |
| JPS5939082A (ja) * | 1982-08-26 | 1984-03-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レ−ザ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6316680A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | ＧａＡｓ太陽電池およびその製造方法 |
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