JPS6316680A - ＧａＡｓ太陽電池およびその製造方法 - Google Patents
ＧａＡｓ太陽電池およびその製造方法Info
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- JPS6316680A JPS6316680A JP61162517A JP16251786A JPS6316680A JP S6316680 A JPS6316680 A JP S6316680A JP 61162517 A JP61162517 A JP 61162517A JP 16251786 A JP16251786 A JP 16251786A JP S6316680 A JPS6316680 A JP S6316680A
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- Japan
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- type
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- gaas
- solar cell
- substrate
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
- H10F10/144—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers comprising only Group III-V materials, e.g. GaAs,AlGaAs, or InP photovoltaic cells
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/127—The active layers comprising only Group III-V materials, e.g. GaAs or InP
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は変換効率の向上を計った砒化ガリウム（Ｇａ
Ａｓ）太陽電池およびその製造方法に関するものである
。
Ａｓ）太陽電池およびその製造方法に関するものである
。
最近シリコンならびに１−ｖ族化合物太陽電池の出力変
換効率を増すべく研究が進められている。
換効率を増すべく研究が進められている。
このような研究によって、砒化ガリウムがシリコンより
も高い変換効率の向上が得られるということと、このよ
うな効果は１−ｖ族３元性化合物を砒化ガリウムと一緒
に使用して太陽電池を形成すればよシ増すと言うことが
判明している。後者の場合には、ｎ形の砒化ガリウム（
以下、ＧａＡｓと称する）基板上に、砒化ガリウムアル
ミニウム（以下、ＡＡ！ｘＧａ１−ＸＡｓと称する）を
エビタキシャル成長させて、ｐ影領域をこれらの間Ｋｐ
ｎ接合を規定するように形成して、一般に構成されてい
る。このような装置は、液相エピタキシャル（ＬＰＥ）
成長技術を用いて製造される。
も高い変換効率の向上が得られるということと、このよ
うな効果は１−ｖ族３元性化合物を砒化ガリウムと一緒
に使用して太陽電池を形成すればよシ増すと言うことが
判明している。後者の場合には、ｎ形の砒化ガリウム（
以下、ＧａＡｓと称する）基板上に、砒化ガリウムアル
ミニウム（以下、ＡＡ！ｘＧａ１−ＸＡｓと称する）を
エビタキシャル成長させて、ｐ影領域をこれらの間Ｋｐ
ｎ接合を規定するように形成して、一般に構成されてい
る。このような装置は、液相エピタキシャル（ＬＰＥ）
成長技術を用いて製造される。
例えば、ｎ形のＧ ａ Ａ ｓ基板上に、Ｇａ 、 Ｇ
ａＡｓ 。
ａＡｓ 。
ｌ及びｐ形ドーパントである亜鉛（Ｚｎ）ｉるいはゲル
マニウム（Ｇｅ）からなる結晶融液を所定の成長温度で
かぶせ所定時間だけ保持後、所定温度まで降温すること
によって、このエピタキシャル成長中にｐ形のドーパン
トである亜鉛あるいはゲルマニウムが、ｎ形のＧａＡｓ
基板及びＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ ｔＤエピタキシャル
層に導入されるのである。なお、亜鉛がドープされた太
陽電池の一例は、ジャーナル オブ エレクトロケミカ
ルソサイテイ（Ｈ。
マニウム（Ｇｅ）からなる結晶融液を所定の成長温度で
かぶせ所定時間だけ保持後、所定温度まで降温すること
によって、このエピタキシャル成長中にｐ形のドーパン
トである亜鉛あるいはゲルマニウムが、ｎ形のＧａＡｓ
基板及びＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ ｔＤエピタキシャル
層に導入されるのである。なお、亜鉛がドープされた太
陽電池の一例は、ジャーナル オブ エレクトロケミカ
ルソサイテイ（Ｈ。
Ｊ、Ｈｏｖｅｌ ｅｔ ａｌ、 ｉｎ ａｎ ａｒｔｉ
ｃｌｅ ｅｎｔｉｔｌｅｄ” Ｇａ １−ｘＡ−ｌＸＡ
ｓ−ＧａＡｓ ＰＰＮ Ｈｅ ｔｅｒｏｊｕｎｃ ｔ
１ｏｎＳｏｌａｒ Ｃｅ１ｌｓ″Ｊｏ誦ａｌ ｏｆ ｔ
ｈｅ ＢｌｅｃｔｒｏｃｈａｎｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ
、Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １９７３．ＰＰ １２４６−１
２５２）に記載されている。ところで、これらドーパン
トはキャリアー中心を増し、かくしてｐｎ接合のｐ形層
側のバルク抵抗を低くする役目を果す。そして、これら
特別のｐ形ドーパント、例えば亜鉛やゲルマニウムを使
用した場合には、所定の形式のＧａＡ３太陽電池の製造
には満足した結果が得られるが、両ドーパントとも次の
ような欠点を有している。
ｃｌｅ ｅｎｔｉｔｌｅｄ” Ｇａ １−ｘＡ−ｌＸＡ
ｓ−ＧａＡｓ ＰＰＮ Ｈｅ ｔｅｒｏｊｕｎｃ ｔ
１ｏｎＳｏｌａｒ Ｃｅ１ｌｓ″Ｊｏ誦ａｌ ｏｆ ｔ
ｈｅ ＢｌｅｃｔｒｏｃｈａｎｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ
、Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １９７３．ＰＰ １２４６−１
２５２）に記載されている。ところで、これらドーパン
トはキャリアー中心を増し、かくしてｐｎ接合のｐ形層
側のバルク抵抗を低くする役目を果す。そして、これら
特別のｐ形ドーパント、例えば亜鉛やゲルマニウムを使
用した場合には、所定の形式のＧａＡ３太陽電池の製造
には満足した結果が得られるが、両ドーパントとも次の
ような欠点を有している。
すなわち、亜鉛は高蒸気圧と変則的な行為をＧａＡｓ０
中で拡散物として行い、このようなことは装置の製造に
おいて制御と安定性の面で問題を有する。一方、ゲルマ
ニウムは、ＡｌｘＧａｘ−ＸＡｓでできたｐ形層中でア
ルミニウムが高濃度の場合、ｐ形のドーパントとして使
用することは不適当である。すなわち、ＡＪｘＧａｘ−
ＸＡｓ中でＸが約０．８５よりも大きい場合、ゲルマニ
ウムはＧａＡｓのバンドギャップ中で深いレベル準位の
不純物とな夛、半導体中で利用できるイオン化キャリヤ
ー数を減じると共に、装置のｐｎ接合のｐ形層側の抵抗
を低くする手段として不適当となる。
中で拡散物として行い、このようなことは装置の製造に
おいて制御と安定性の面で問題を有する。一方、ゲルマ
ニウムは、ＡｌｘＧａｘ−ＸＡｓでできたｐ形層中でア
ルミニウムが高濃度の場合、ｐ形のドーパントとして使
用することは不適当である。すなわち、ＡＪｘＧａｘ−
ＸＡｓ中でＸが約０．８５よりも大きい場合、ゲルマニ
ウムはＧａＡｓのバンドギャップ中で深いレベル準位の
不純物とな夛、半導体中で利用できるイオン化キャリヤ
ー数を減じると共に、装置のｐｎ接合のｐ形層側の抵抗
を低くする手段として不適当となる。
それゆえに、この発明は上述のような問題点を解消する
ためになされたもので、ｐｎ接合形成の制御と安定性を
図るとともに、高い変換効率が得られるＧ ａ Ａ ｓ
太陽電池およびその製造方法を提供することを目的とす
る。
ためになされたもので、ｐｎ接合形成の制御と安定性を
図るとともに、高い変換効率が得られるＧ ａ Ａ ｓ
太陽電池およびその製造方法を提供することを目的とす
る。
この発明に係るＧａＡｓ太陽電池は、ｎ形のＧａＡｓ基
板と、この基板上に位置し該基板との間にｐｎ接合を有
するｐ形のＧａＡｓ層と、このＧａＡｓ層上に形成され
たｐ形のｋｌｘＧａｌ−ＸＡｓからなるエピタキシャル
成長層とを有し、前記ｐ形のＧａＡｓ層およびエピタキ
シャル成長層の比抵抗を減じるようにｐ形ドーパントと
してマグネシウム（Ｍｇ）を含有させて）ることを特徴
とする。
板と、この基板上に位置し該基板との間にｐｎ接合を有
するｐ形のＧａＡｓ層と、このＧａＡｓ層上に形成され
たｐ形のｋｌｘＧａｌ−ＸＡｓからなるエピタキシャル
成長層とを有し、前記ｐ形のＧａＡｓ層およびエピタキ
シャル成長層の比抵抗を減じるようにｐ形ドーパントと
してマグネシウム（Ｍｇ）を含有させて）ることを特徴
とする。
また、この発明に係るＧ ａ Ａ ｓ太陽電池の製造方
法は、ｎ形のＧ ａ Ａ ｓ基板上に、ＡｌｘＧａ １
−ＸＡｓを飽和状態で含んだＧａ、ＧａＡｓとｉ溶液中
にマグネシウム（Ｍｇ ）を含んだ結晶融液を接触させ
てｐ形のエピタキシャル成長層を形成すると共に、尚該
ｎ形ＧａＡｓ基板の成長層と接触する部分をｐ形に反転
してｐｎ接合を構成する工程とを具備することを特徴と
するものである。
法は、ｎ形のＧ ａ Ａ ｓ基板上に、ＡｌｘＧａ １
−ＸＡｓを飽和状態で含んだＧａ、ＧａＡｓとｉ溶液中
にマグネシウム（Ｍｇ ）を含んだ結晶融液を接触させ
てｐ形のエピタキシャル成長層を形成すると共に、尚該
ｎ形ＧａＡｓ基板の成長層と接触する部分をｐ形に反転
してｐｎ接合を構成する工程とを具備することを特徴と
するものである。
この発明のＧ ａ Ａ ｓ太陽電池およびその製造方法
においては、マグネシウム（Ｍｇ）は、亜鉛に比べ蒸気
圧が小さく、またＧａＡ ｓ結晶中では良好なｐ形の導
電性を示すので、ＧａＡｓのｐｎ接合の制御性及び安定
性が向上するとともに、高効率のＧａＡｓ太陽電池が得
られる。
においては、マグネシウム（Ｍｇ）は、亜鉛に比べ蒸気
圧が小さく、またＧａＡ ｓ結晶中では良好なｐ形の導
電性を示すので、ＧａＡｓのｐｎ接合の制御性及び安定
性が向上するとともに、高効率のＧａＡｓ太陽電池が得
られる。
以下、この発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説
明する。
明する。
第１図はこの発明の一実施例によるＧａＡｓ太陽電池の
製造方法を示す工程断面図である。まず、第１図（ａ）
において、シリコン（Ｓｉ）がドープされたキャリア密
度がＩ Ｘ １０”ｔ：ｍ−シう至２ Ｘ １ ｏｌ−
−’のｎ形Ｇ ａ Ａ ｓ基板１上ＫＩＸ１０ ｔＭ
乃至２Ｘ１０１？α の錫（Ｓｎ）がドープされたエピ
タキシャル層２を有するｎ形のＧａＡｓ基板１０を形成
する。
製造方法を示す工程断面図である。まず、第１図（ａ）
において、シリコン（Ｓｉ）がドープされたキャリア密
度がＩ Ｘ １０”ｔ：ｍ−シう至２ Ｘ １ ｏｌ−
−’のｎ形Ｇ ａ Ａ ｓ基板１上ＫＩＸ１０ ｔＭ
乃至２Ｘ１０１？α の錫（Ｓｎ）がドープされたエピ
タキシャル層２を有するｎ形のＧａＡｓ基板１０を形成
する。
次に、上記Ｇ ａ Ａ ｓ基板１０を用い、マグネシウ
ム（以下、Ｍｇと称する）をｐ形不純物として含むＧａ
Ａｓ太陽電池の製造プロセスを、第２図に示すようなボ
ートを用いた液相エピタキシャル成長を例にとって詳述
する。
ム（以下、Ｍｇと称する）をｐ形不純物として含むＧａ
Ａｓ太陽電池の製造プロセスを、第２図に示すようなボ
ートを用いた液相エピタキシャル成長を例にとって詳述
する。
第２図において、仕切板２６および仕切板２７を摺動さ
せ、第２図に示す所定の位置に配し、ｎ形のＧ ａ Ａ
ｓ基板１０を第２の室２３に設置する。
せ、第２図に示す所定の位置に配し、ｎ形のＧ ａ Ａ
ｓ基板１０を第２の室２３に設置する。
そして、砒化ガリウムアルミニウム（−ＡＡ！ｘＧａ
ｌ−ＸＡｓ）を飽和状態で含んだガリウム（Ｇａ）、砒
化ガリウム（ＯａＡｓ）ならびにアルミニウム（Ａｉ！
”） ｆｇＭを使用し、この溶液中にＧａ１ＯＯＯｆ当
り１乃至１０■のＭｇを含んだ結晶融液２８を第１の室
２２に溜めた後、ボート本体２０を炉内の所定の位置（
図示せず）に挿入し、所定の成長温度まで昇温する。こ
の状態で炉内が所定の温度で平衡に達したとき、仕切板
２６を矢印Ａの方向に摺動させる。
ｌ−ＸＡｓ）を飽和状態で含んだガリウム（Ｇａ）、砒
化ガリウム（ＯａＡｓ）ならびにアルミニウム（Ａｉ！
”） ｆｇＭを使用し、この溶液中にＧａ１ＯＯＯｆ当
り１乃至１０■のＭｇを含んだ結晶融液２８を第１の室
２２に溜めた後、ボート本体２０を炉内の所定の位置（
図示せず）に挿入し、所定の成長温度まで昇温する。こ
の状態で炉内が所定の温度で平衡に達したとき、仕切板
２６を矢印Ａの方向に摺動させる。
すると、第１の室２２に溜められている結晶融液２８が
開口部２９からＧ ａ Ａ ｓ基板１０の設置されてい
る第２の室２３に流入する。
開口部２９からＧ ａ Ａ ｓ基板１０の設置されてい
る第２の室２３に流入する。
このとき、第１の室２２には十分な量の結晶融液２８が
貯蔵されているので、すべてのＧ ａ Ａ ｓ基板１０
は結晶融液２８に浸漬される。これによって、ｎ形Ｇａ
Ａ ｓ基板１０を結晶融液２８に所定時間浸漬する間に
、結晶融液２８に含まれているｐ形のＭｇの原子がＧ
ａ Ａ ｓ基板１０上のＳｎがドープされたｎ形ＧａＡ
ｓのエピタキシャル層２に拡散し、この部分２の一部を
ｐ形に反転させてｐ形のＧａＡｓ／ａ４（第１図（ｂ）
参照）となり、ｐｎ接合３を形成する。この接合が太陽
電池の主光電池ｐｎ接合である。
貯蔵されているので、すべてのＧ ａ Ａ ｓ基板１０
は結晶融液２８に浸漬される。これによって、ｎ形Ｇａ
Ａ ｓ基板１０を結晶融液２８に所定時間浸漬する間に
、結晶融液２８に含まれているｐ形のＭｇの原子がＧ
ａ Ａ ｓ基板１０上のＳｎがドープされたｎ形ＧａＡ
ｓのエピタキシャル層２に拡散し、この部分２の一部を
ｐ形に反転させてｐ形のＧａＡｓ／ａ４（第１図（ｂ）
参照）となり、ｐｎ接合３を形成する。この接合が太陽
電池の主光電池ｐｎ接合である。
続いて、このｐｎ接合３の表面再結合速度を小さくする
ために窓効果の役割シをするｐ形ＡＪｘ（）ａ １−Ｘ
ＡＳのエピタキシャル層５のエピタキシャル成長を行わ
せる。すなわち、成長炉の温度を所定温度まで下げ、所
望のエピタキシャル層の厚みが得られた時、仕切板２６
を第２図に示す矢印Ａ方、向に摺動させる。すると、Ｌ
字形板３３によシ仕切板２７が連動し、この仕切板２７
に設けられている開口部３１を介して第２の室２３から
第３の室３２に結晶融液２８が流入し、ｐ形のＭｇ原子
の拡散によって形成された高品質のｐ形Ｇ ａ Ａ ｓ
層４及びｐ形ＡＡ！ｘＧａ １−ＸＡｓＡｓＯ２するＧ
ａ Ａ ｓ太陽電池のエピタキシャルウェハ３０が得
られることとなる（第１図（ｂ）参照）。
ために窓効果の役割シをするｐ形ＡＪｘ（）ａ １−Ｘ
ＡＳのエピタキシャル層５のエピタキシャル成長を行わ
せる。すなわち、成長炉の温度を所定温度まで下げ、所
望のエピタキシャル層の厚みが得られた時、仕切板２６
を第２図に示す矢印Ａ方、向に摺動させる。すると、Ｌ
字形板３３によシ仕切板２７が連動し、この仕切板２７
に設けられている開口部３１を介して第２の室２３から
第３の室３２に結晶融液２８が流入し、ｐ形のＭｇ原子
の拡散によって形成された高品質のｐ形Ｇ ａ Ａ ｓ
層４及びｐ形ＡＡ！ｘＧａ １−ＸＡｓＡｓＯ２するＧ
ａ Ａ ｓ太陽電池のエピタキシャルウェハ３０が得
られることとなる（第１図（ｂ）参照）。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、ｐ形Ａ／ｘＧａ１−
ＸＡｓＡｓＯ２面に入射光の反射防止膜として、例えば
５ｉｓＮ４膜６をＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａ
ｐｏｒＤｅｐｏｓ ｉ ｔ ｉｏｎ ）等の方法によ多
形成する。
ＸＡｓＡｓＯ２面に入射光の反射防止膜として、例えば
５ｉｓＮ４膜６をＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａ
ｐｏｒＤｅｐｏｓ ｉ ｔ ｉｏｎ ）等の方法によ多
形成する。
続いて、通常の写真蝕刻技術を用いてｐ形ＧａＡｓ層４
上にｐ形電極７を、ｎ形Ｇ ａ Ａ ｓ層１上にｎ形電
極８をそれぞれ形成することによ’）、ＧａＡｓ太陽電
池素子４０を製造することができる。
上にｐ形電極７を、ｎ形Ｇ ａ Ａ ｓ層１上にｎ形電
極８をそれぞれ形成することによ’）、ＧａＡｓ太陽電
池素子４０を製造することができる。
以上のようにして製造されたＧ ａ Ａ ｓ太陽電池素
子４０は、実用的に構成される２ｃｒ１１ｘ２ｃｒＲの
面積で、１９％以上のエアーマスゼロ（ＡＭＯ）の高効
率を呈した。この値は、従来のｐ形のドーパントである
亜鉛（Ｚｎ）によって得られている１７〜１８％に比べ
て高く、さらに亜鉛（Ｚｎ）に比べて蒸気圧が低いため
にエピタキシャル成長中の蒸発がほとんどなく、ｐ形Ｇ
ａＡｓ１４の厚みのエピタキシャル成長間のロット間の
ばらつきが小さく、ｐｎ接合形晟の制御と安定性に優れ
る。
子４０は、実用的に構成される２ｃｒ１１ｘ２ｃｒＲの
面積で、１９％以上のエアーマスゼロ（ＡＭＯ）の高効
率を呈した。この値は、従来のｐ形のドーパントである
亜鉛（Ｚｎ）によって得られている１７〜１８％に比べ
て高く、さらに亜鉛（Ｚｎ）に比べて蒸気圧が低いため
にエピタキシャル成長中の蒸発がほとんどなく、ｐ形Ｇ
ａＡｓ１４の厚みのエピタキシャル成長間のロット間の
ばらつきが小さく、ｐｎ接合形晟の制御と安定性に優れ
る。
なお、この発明は前記実施例に限定されるものではなく
、例えば、Ｍｇのドーピングは結晶融液２８にＭｇを入
れておく代シに、砒化ガリウムアルミニウム層のエピタ
キシャル成長後、イオン注入法によって行っても良い。
、例えば、Ｍｇのドーピングは結晶融液２８にＭｇを入
れておく代シに、砒化ガリウムアルミニウム層のエピタ
キシャル成長後、イオン注入法によって行っても良い。
以上のように、この発明によれば蒸気圧が小さく、エピ
タキシャル成長中のｐ形ドーパントのマグネシューム（
Ｍｇ）の蒸発がほとんどなく、ｐｎ接合形成の制御と安
定性が図られるとともに、高い変換効率のＧａＡｓ太陽
電池が得られる効果がある。
タキシャル成長中のｐ形ドーパントのマグネシューム（
Ｍｇ）の蒸発がほとんどなく、ｐｎ接合形成の制御と安
定性が図られるとともに、高い変換効率のＧａＡｓ太陽
電池が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例に係るＧａＡｓ太陽電池の
製造方法を示す工程断面図、第２図は上記実施例に供す
る液相エピタキシャル成長用ボートの構造を示す概略図
である。 １０・・・＠ｎｎ形 ａ Ａ ｓエピタキシャル層を有
するｎ形ＧａＡ ｓ基板、３・・・・ｐｎ接合、４・＠
＠＠ｐ形ＧａＡｓ層、５６＠＠＠ｐ形ＡＩ！ｘＧａｔ−
ＸＡｓ層、６・・・・３ｉｓＮ＋膜（反射防止膜）、７
．８・・・・電極、２ｏ・・・・ボート本体。
製造方法を示す工程断面図、第２図は上記実施例に供す
る液相エピタキシャル成長用ボートの構造を示す概略図
である。 １０・・・＠ｎｎ形 ａ Ａ ｓエピタキシャル層を有
するｎ形ＧａＡ ｓ基板、３・・・・ｐｎ接合、４・＠
＠＠ｐ形ＧａＡｓ層、５６＠＠＠ｐ形ＡＩ！ｘＧａｔ−
ＸＡｓ層、６・・・・３ｉｓＮ＋膜（反射防止膜）、７
．８・・・・電極、２ｏ・・・・ボート本体。
Claims (2)
- （１）ｎ形の砒化ガリウム（ＧａＡｓ）基板と、この基
板上に位置し該基板との間にｐｎ接合を有するｐ形の砒
化ガリウム（ＧａＡｓ）層と、この砒化ガリウム（Ｇａ
Ａｓ）層上に形成されたｐ形の砒化ガリウムアルミニウ
ム（Ａｌ＿ＸＧａ＿１＿−＿ＸＡｓ）からなるエピタキ
シャル成長層とを有し、前記ｐ形の砒化ガリウム（Ｇａ
Ａｓ）層およびエピタキシャル成長層の比抵抗を減じる
ようにｐ形ドーパントとしてマグネシウム（Ｍｇ）を含
有させてなることを特徴とするＧａＡｓ太陽電池。 - （２）ＧａＡｓ太陽電池の製造方法において、ｎ形の砒
化ガリウム（ＧａＡｓ）基板上に、砒化ガリウムアルミ
ニウム（Ａｌ＿ＸＧａ＿１＿−＿ＸＡｓ）を飽和状態で
含んだガリウム（Ｇａ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）と
アルミニウム（Ａｌ）溶液中にマグネシウム（Ｍｇ）を
含んだ結晶融液を接触させてｐ形のエピタキシャル成長
層を形成すると共に、当該Ｎ形砒化ガリウム（ＧａＡｓ
）基板の成長層と接触する部分をｐ形に反転してｐｎ接
合を構成する工程とを具備することを特徴とするＧａＡ
ｓ太陽電池の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61162517A JPS6316680A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | ＧａＡｓ太陽電池およびその製造方法 |
| DE19873720750 DE3720750A1 (de) | 1986-07-08 | 1987-06-23 | Galliumarsenid-solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61162517A JPS6316680A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | ＧａＡｓ太陽電池およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6316680A true JPS6316680A (ja) | 1988-01-23 |
Family
ID=15756126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61162517A Pending JPS6316680A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | ＧａＡｓ太陽電池およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6316680A (ja) |
| DE (1) | DE3720750A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105023962A (zh) * | 2015-07-30 | 2015-11-04 | 华南理工大学 | 一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2219621C1 (ru) * | 2002-07-12 | 2003-12-20 | Открытое акционерное общество "Сатурн" | Способ изготовления фотопреобразователя |
| DE10334522A1 (de) * | 2003-07-29 | 2005-02-17 | Vishay Semiconductor Gmbh | Flüssigphasenepitaktische Herstellung einer Halbleiteranordnung |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59189682A (ja) * | 1983-04-12 | 1984-10-27 | Sharp Corp | ＧａＡｓ太陽電池 |
| JPS60200576A (ja) * | 1984-03-24 | 1985-10-11 | Mitsubishi Electric Corp | ヒ化ガリウム半導体装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3675026A (en) * | 1969-06-30 | 1972-07-04 | Ibm | Converter of electromagnetic radiation to electrical power |
| US4122476A (en) * | 1976-11-22 | 1978-10-24 | International Business Machines Corporation | Semiconductor heterostructure |
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1986
- 1986-07-08 JP JP61162517A patent/JPS6316680A/ja active Pending
-
1987
- 1987-06-23 DE DE19873720750 patent/DE3720750A1/de active Granted
Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN105023962A (zh) * | 2015-07-30 | 2015-11-04 | 华南理工大学 | 一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法 |
| CN105023962B (zh) * | 2015-07-30 | 2017-03-08 | 华南理工大学 | 一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3720750C2 (ja) | 1989-10-12 |
| DE3720750A1 (de) | 1988-01-21 |
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