JPS59189682A - ＧａＡｓ太陽電池 - Google Patents
ＧａＡｓ太陽電池Info
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- JPS59189682A JPS59189682A JP58065073A JP6507383A JPS59189682A JP S59189682 A JPS59189682 A JP S59189682A JP 58065073 A JP58065073 A JP 58065073A JP 6507383 A JP6507383 A JP 6507383A JP S59189682 A JPS59189682 A JP S59189682A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明はＧａＡｓ太陽電池に関し、特に受光面側電極に
関するものである。
関するものである。
〈従来技術〉
ＧａＡｓ太陽電池の構造としてはホモ接合太陽電池や、
ホモ接合太陽電池の受光面側にヘテロ構造の窓層をもつ
、いわゆるヘテロフェース太陽電池等がある。従来から
開発されているヘテロフェース太陽電池の構造を第１図
に示す０即ちＮ型ＧａＡｓ層１上にＰ型ＧａＡｓ層２及
びＰ型Ｇ ａ Ｉ Ｘ Ａ ｔｘ Ａ ｓ（０くＸ≦１
）層４が順次積層され、Ｎ型ＧａＡｓ層１とＰ型ＧａＡ
ｓ層２間でＰＮ接合３が形成され、Ｐ型Ｇａ１−ＸＡｔ
ＸＡｓ層４は受光面側で窓層となる。
ホモ接合太陽電池の受光面側にヘテロ構造の窓層をもつ
、いわゆるヘテロフェース太陽電池等がある。従来から
開発されているヘテロフェース太陽電池の構造を第１図
に示す０即ちＮ型ＧａＡｓ層１上にＰ型ＧａＡｓ層２及
びＰ型Ｇ ａ Ｉ Ｘ Ａ ｔｘ Ａ ｓ（０くＸ≦１
）層４が順次積層され、Ｎ型ＧａＡｓ層１とＰ型ＧａＡ
ｓ層２間でＰＮ接合３が形成され、Ｐ型Ｇａ１−ＸＡｔ
ＸＡｓ層４は受光面側で窓層となる。
少し、これを備えていないホモ接合太陽電池に比べて一
般に高効率が得られる。
般に高効率が得られる。
第１図において受光面側には、ＧａニーＸＡｌＸＡｓ層
４０一部を除去してＰ型ＧａＡｓ層２に達するＰ側電極
５が、またＮ型ＧａＡｓ層１の背面側１には全面にＮ側
電極６が形成され、その他の表面領域は反射防止膜７で
被われている。
４０一部を除去してＰ型ＧａＡｓ層２に達するＰ側電極
５が、またＮ型ＧａＡｓ層１の背面側１には全面にＮ側
電極６が形成され、その他の表面領域は反射防止膜７で
被われている。
ヘテロ７エース太陽電池の効率は窓層４の厚さに依存す
る。高効率を得るためには、上記窓層４はできるだけ薄
く、可能ならば０．１μｍ以下であることが望ましい。
る。高効率を得るためには、上記窓層４はできるだけ薄
く、可能ならば０．１μｍ以下であることが望ましい。
またＧａＡｓ太陽電池は耐放射ａ特性がＳｉ太陽電池に
比べて優れているという特徴があるが、宇宙用として使
用する場合は特にこの特徴が重要である。例えば第１図
に示したヘテロフェースＧａＡｓ太陽電池における耐放
射線特性はＰ型ＧａＡｓ層２の厚さに犬きく依存するこ
とが知られておりＰ型ＧａＡｓ層２の厚さはできるだけ
薄く形成すれば（例えば０．１〜０２μｍ）一般に耐放
射線特性は向上する。しかしＰ型ＧａＡｓ層２がそのよ
うに薄くなるとＰ型ＧａＡｓ層２の厚さに反比例する面
抵抗が増大し太陽電池の曲線因子は減少するので電気出
力が低下する。
比べて優れているという特徴があるが、宇宙用として使
用する場合は特にこの特徴が重要である。例えば第１図
に示したヘテロフェースＧａＡｓ太陽電池における耐放
射線特性はＰ型ＧａＡｓ層２の厚さに犬きく依存するこ
とが知られておりＰ型ＧａＡｓ層２の厚さはできるだけ
薄く形成すれば（例えば０．１〜０２μｍ）一般に耐放
射線特性は向上する。しかしＰ型ＧａＡｓ層２がそのよ
うに薄くなるとＰ型ＧａＡｓ層２の厚さに反比例する面
抵抗が増大し太陽電池の曲線因子は減少するので電気出
力が低下する。
またＰ型ＧａＡｓ層２の厚さが薄くなると以下に述べる
ようにＰ型オーム性金属電極５の形成が困難になる。即
ちＰ型電極５の材料としては、一般に銀合金あるいは金
合金が良好なオーム性電極用として用いられる。Ｐ型Ｇ
ａＡ ｓ層２表面の所定位置にこれらの材料を真空蒸着
した後、オーム性電極とするためには必ず熱処理される
。この熱処理は通常３５０℃〜５５Ｑ℃でなされる。Ｐ
型ＧａＡｓ層２が０．１〜０．２μｍ程度に薄い場合に
は、この熱処理によシ表面電極５の材料の一部がＰ型Ｇ
ａＡ ｓ層２のみならずＰ−Ｎ接合３を突き抜けてＮ型
ＧａＡｓ層１″！：、で浸透し、太陽電池の接合リーク
を大きくし、開放端電圧及び曲線因子の低下を来たし電
気出力が低下する。
ようにＰ型オーム性金属電極５の形成が困難になる。即
ちＰ型電極５の材料としては、一般に銀合金あるいは金
合金が良好なオーム性電極用として用いられる。Ｐ型Ｇ
ａＡ ｓ層２表面の所定位置にこれらの材料を真空蒸着
した後、オーム性電極とするためには必ず熱処理される
。この熱処理は通常３５０℃〜５５Ｑ℃でなされる。Ｐ
型ＧａＡｓ層２が０．１〜０．２μｍ程度に薄い場合に
は、この熱処理によシ表面電極５の材料の一部がＰ型Ｇ
ａＡ ｓ層２のみならずＰ−Ｎ接合３を突き抜けてＮ型
ＧａＡｓ層１″！：、で浸透し、太陽電池の接合リーク
を大きくし、開放端電圧及び曲線因子の低下を来たし電
気出力が低下する。
このような欠点を除くために、実際にｔ／′ｉＰ型Ｇａ
Ａｓ層２土に電極材料を蒸着することなく、Ｐ型Ｇａ１
−ＸＡｔＸＡｓ層４をｕμｍ以上に充分厚く形成し、こ
の層の上に電極５を形成し、上記熱処理を行なっていた
。しかしこの方法では既に述べたように、厚いＰ型Ｇａ
ニーｘ Ａ ｔｘ Ａ ｓ層４による吸収が増加するた
め太陽電池の効率は一部犠牲にされることになる。
Ａｓ層２土に電極材料を蒸着することなく、Ｐ型Ｇａ１
−ＸＡｔＸＡｓ層４をｕμｍ以上に充分厚く形成し、こ
の層の上に電極５を形成し、上記熱処理を行なっていた
。しかしこの方法では既に述べたように、厚いＰ型Ｇａ
ニーｘ Ａ ｔｘ Ａ ｓ層４による吸収が増加するた
め太陽電池の効率は一部犠牲にされることになる。
上述のよりなＧａＡｓ太陽電池の電極形成上の問題は、
Ｐ型ＧａＡｓ層上にＮ型ＧａＡｓ層を積層したホモ接合
攬造の場合においても発生する。ホモ接合太陽電池とし
ては、受光面側にＮ型ＧａＡｓ層を有するＮ／Ｐ接合太
陽電池やＮ／Ｐ接合が逆転したＰ／Ｎ接合太陽電池が提
案されているが、例えばＮ、／Ｐ接合太陽電池における
効率は、Ｎ型ＧａＡｓ層の厚さに依存し、Ｎ型ＧａＡｓ
層の厚さが、小さい程効率が向上する。Ｎ／Ｐ型太陽電
池におけるＮ型ＧａＡｓ層の厚さは一般に０．３μｍ以
下である。
Ｐ型ＧａＡｓ層上にＮ型ＧａＡｓ層を積層したホモ接合
攬造の場合においても発生する。ホモ接合太陽電池とし
ては、受光面側にＮ型ＧａＡｓ層を有するＮ／Ｐ接合太
陽電池やＮ／Ｐ接合が逆転したＰ／Ｎ接合太陽電池が提
案されているが、例えばＮ、／Ｐ接合太陽電池における
効率は、Ｎ型ＧａＡｓ層の厚さに依存し、Ｎ型ＧａＡｓ
層の厚さが、小さい程効率が向上する。Ｎ／Ｐ型太陽電
池におけるＮ型ＧａＡｓ層の厚さは一般に０．３μｍ以
下である。
このようなＰ／Ｎ又はＮ／Ｐ型ホモ接合太陽電池の構造
は、窓層を形成しない分だけへテロフェース型よシも簡
単であるにもかかわらず、従来より実用化され難いとさ
れる理由がある。その重要な一つは０．３μｍ以下の極
薄いＧａ’Ａｓ層上への信頼性のあるオーム性電極の形
成が困難であることがあげられる。
は、窓層を形成しない分だけへテロフェース型よシも簡
単であるにもかかわらず、従来より実用化され難いとさ
れる理由がある。その重要な一つは０．３μｍ以下の極
薄いＧａ’Ａｓ層上への信頼性のあるオーム性電極の形
成が困難であることがあげられる。
上述のように従来のへテロフェース接合及びホモ接合い
ずれの構造をもつＧａＡｓ太陽電池も信頼性のある電極
を備えたものを得ることができなかったＯ 〈発明の目的〉 本発明は上記従来装置の欠点を除去し、受光面側に薄い
ＱａＡｓ層を有するＧａＡｓ太陽電池において、受光面
側の電極を改良して信頼性の高い高効率ＧａＡｓ太陽電
池を提供するものである。
ずれの構造をもつＧａＡｓ太陽電池も信頼性のある電極
を備えたものを得ることができなかったＯ 〈発明の目的〉 本発明は上記従来装置の欠点を除去し、受光面側に薄い
ＱａＡｓ層を有するＧａＡｓ太陽電池において、受光面
側の電極を改良して信頼性の高い高効率ＧａＡｓ太陽電
池を提供するものである。
〈実施例〉
第２図は本発明による一実施例を示す太陽電池の断面図
で、Ｎ型ＧａＡｓ単結晶基板１上に液相工ビタキシャル
法によってＰ型Ｇａ１−ＸＡｔＸＡｓ層（Ｘ菅０．８５
）４が堆積されている。このＰ型ＧａニーえＡｔＸＡｓ
層４を液相エピタキシャル成長させる過程で、成長溶液
中のＰ型ドーパントであるＺ がＮ型ＧａＡｓ基板ＩＫ
拡散し、両層間にＰ型ＧａＡｓ層２が同時に形成され、
Ｎ型ＧａＡｓ層１の間にＰＮ接合３が形成される。上記
Ｐ型ＧａＡｓ層２の厚さは０．２μｍ程度に制御されて
いる。
で、Ｎ型ＧａＡｓ単結晶基板１上に液相工ビタキシャル
法によってＰ型Ｇａ１−ＸＡｔＸＡｓ層（Ｘ菅０．８５
）４が堆積されている。このＰ型ＧａニーえＡｔＸＡｓ
層４を液相エピタキシャル成長させる過程で、成長溶液
中のＰ型ドーパントであるＺ がＮ型ＧａＡｓ基板ＩＫ
拡散し、両層間にＰ型ＧａＡｓ層２が同時に形成され、
Ｎ型ＧａＡｓ層１の間にＰＮ接合３が形成される。上記
Ｐ型ＧａＡｓ層２の厚さは０．２μｍ程度に制御されて
いる。
上記Ｐ型Ｇ ａ １ ｘＡ Ｚ ｘ Ａ ｓ層４は成
膜後、一定のピッチでＰ型ＧａＡｓ層２を露出させる細
い溝８がエツチングにより形成される。該溝３は入射光
に対する有効面積の減少を軽減するために細い方が好ま
しく、また矩形状のウェハーに対して１辺に平行に複数
本が形成される。ただし溝８の両端はウェハ一端に達す
ることなくＰ型Ｇａよ−ＸＡｔＸＡｓ層４の途中で止め
られている。溝８が形成された受光面となる上記Ｐ型Ｇ
ａよ−ＸＡｔｘＡｓＸＡｔＸＡｓ層４上を有効に透過さ
せる透明導電性酸化物層９が溝８を埋めて約７０ＯＡの
厚さに被着されている。この透明導電性酸化物層９とし
ては、例えば、酸化スズ、酸化インジウム、酸化インジ
ウムスズ等を用いることができ、これらの透明導電層９
は、例えばスパッタリング、電子ビーム蒸着等の公知の
方法でＧａＡｌ−Ａｓ層４上に室温から３００’Ｃまで
の比較的低温で形成することが可能である。
膜後、一定のピッチでＰ型ＧａＡｓ層２を露出させる細
い溝８がエツチングにより形成される。該溝３は入射光
に対する有効面積の減少を軽減するために細い方が好ま
しく、また矩形状のウェハーに対して１辺に平行に複数
本が形成される。ただし溝８の両端はウェハ一端に達す
ることなくＰ型Ｇａよ−ＸＡｔＸＡｓ層４の途中で止め
られている。溝８が形成された受光面となる上記Ｐ型Ｇ
ａよ−ＸＡｔｘＡｓＸＡｔＸＡｓ層４上を有効に透過さ
せる透明導電性酸化物層９が溝８を埋めて約７０ＯＡの
厚さに被着されている。この透明導電性酸化物層９とし
ては、例えば、酸化スズ、酸化インジウム、酸化インジ
ウムスズ等を用いることができ、これらの透明導電層９
は、例えばスパッタリング、電子ビーム蒸着等の公知の
方法でＧａＡｌ−Ａｓ層４上に室温から３００’Ｃまで
の比較的低温で形成することが可能である。
上記透明導電性酸化物層９上には更にＰ側オー・ム性電
極５が、メタルマスクを用いてＡｇ蒸着によ層形成され
ている。該Ｐ側電極５の形状としては、例えば受光面全
体に分布するグリッドを比較的太い面積のコレクタに連
結した櫛型パターンが選ばれている。Ｎ型ＧａＡ’ｓ基
板１の裏面には銀合金からなるＮ側オーム性電極６が形
成されている。
極５が、メタルマスクを用いてＡｇ蒸着によ層形成され
ている。該Ｐ側電極５の形状としては、例えば受光面全
体に分布するグリッドを比較的太い面積のコレクタに連
結した櫛型パターンが選ばれている。Ｎ型ＧａＡ’ｓ基
板１の裏面には銀合金からなるＮ側オーム性電極６が形
成されている。
上記構造のＧａＡｓ太陽電池は、透明導電層９を介して
ＧａＡｓ太陽電池の電流を取り出すため、従来装置のよ
うに高温熱処理に伴う電極金属の浸透等による太陽電池
の劣化の問題はない。また上記−構造によれば抵抗率１
０ Ωα程度の透明導電層９を比較的容易に受光面の全
面に形成することが可能となるため面抵抗を減少させる
ことが可能であシ、特に溝８を形成して透明導電層９を
一部分でＰ型ＧａＡｓ層２に接触させているため一層面
抵抗の減少を図ることができ、太陽電池の曲線因子が増
大し、太陽電池の効率向上を図ることができる。更に透
明導電層９は反射防止膜としての役割もはたし、その厚
さを適当に制御することによって太陽電池の出力を最大
にすることができる。
ＧａＡｓ太陽電池の電流を取り出すため、従来装置のよ
うに高温熱処理に伴う電極金属の浸透等による太陽電池
の劣化の問題はない。また上記−構造によれば抵抗率１
０ Ωα程度の透明導電層９を比較的容易に受光面の全
面に形成することが可能となるため面抵抗を減少させる
ことが可能であシ、特に溝８を形成して透明導電層９を
一部分でＰ型ＧａＡｓ層２に接触させているため一層面
抵抗の減少を図ることができ、太陽電池の曲線因子が増
大し、太陽電池の効率向上を図ることができる。更に透
明導電層９は反射防止膜としての役割もはたし、その厚
さを適当に制御することによって太陽電池の出力を最大
にすることができる。
上記実施例に示したＧ４Ａｓ太陽電池の効果を確ムする
ため、透明導電性酸化物層が形成されていないＧ”ａＡ
ｓ太陽電池を作製し、両装置の特性を比較したので、そ
れを説明する。
ため、透明導電性酸化物層が形成されていないＧ”ａＡ
ｓ太陽電池を作製し、両装置の特性を比較したので、そ
れを説明する。
比較のための透明導電性酸化物層を具備しない太陽電池
は第１図に示す構造からなり、Ｎ型ＧａＡｓ単結晶基板
１上に液晶エピタキシャル法でＰ型Ｇａ１−ＸＡｔＸＡ
ｓ層４を成長させ、この工程で同時にＰ型ドーパントで
あるＺｎをＮ型基板に拡散させて両層の境界にＰ型Ｇａ
Ａｓ層２を形成し、前記実施例と同じ層構造のＧａＡｓ
ウェハを作成した。
は第１図に示す構造からなり、Ｎ型ＧａＡｓ単結晶基板
１上に液晶エピタキシャル法でＰ型Ｇａ１−ＸＡｔＸＡ
ｓ層４を成長させ、この工程で同時にＰ型ドーパントで
あるＺｎをＮ型基板に拡散させて両層の境界にＰ型Ｇａ
Ａｓ層２を形成し、前記実施例と同じ層構造のＧａＡｓ
ウェハを作成した。
このようなＧａＡｓウェハについて、裏面に公知の方法
で銀合金のＮ側オーム性電極６を形成した。
で銀合金のＮ側オーム性電極６を形成した。
他方受光面側には、上記Ｐ型ＧａニーＸＡｔＸＡｓ層の
一部を除去し、この除去部分に銀合金を真空蒸着及び４
００℃３分間の熱処理を経てＰ側オーム性電極５を形成
した。ただし反射防止膜７は被着されていない。
一部を除去し、この除去部分に銀合金を真空蒸着及び４
００℃３分間の熱処理を経てＰ側オーム性電極５を形成
した。ただし反射防止膜７は被着されていない。
上記透明導電性酸化物層９を備えた第２図に示すＧａＡ
ｓ太陽電池と、透明導電性酸化物層が形成されていない
第１図のＧａＡｓ太陽電池について、ＡＭＯ（Ａｉｒ
Ｍａｓｓ Ｏ）のソーラシミュレータにより電流−電
圧測定を行った。その結果を第３図に示す。第９図にお
いて曲線ａは透明導電性酸化物層を形成していない従来
の第１図の構造の太陽電池の結果であり、曲線すは透明
導電層９を形成した第２図の構造の太陽電池の結果であ
る。ここで、曲線ａ及び曲線すの太陽電池はともに反射
防止膜を形成していないことを注意しておく。
ｓ太陽電池と、透明導電性酸化物層が形成されていない
第１図のＧａＡｓ太陽電池について、ＡＭＯ（Ａｉｒ
Ｍａｓｓ Ｏ）のソーラシミュレータにより電流−電
圧測定を行った。その結果を第３図に示す。第９図にお
いて曲線ａは透明導電性酸化物層を形成していない従来
の第１図の構造の太陽電池の結果であり、曲線すは透明
導電層９を形成した第２図の構造の太陽電池の結果であ
る。ここで、曲線ａ及び曲線すの太陽電池はともに反射
防止膜を形成していないことを注意しておく。
第３図の結果から透明導電層９を形成したＧａＡｓ太陽
電池はＰ型ＧａＡｓ層２が極薄いにもかかわらず電極形
成に伴なう劣化を起こさず、良好な開放電圧と、曲線因
子及び出力を示していることがわかる。
電池はＰ型ＧａＡｓ層２が極薄いにもかかわらず電極形
成に伴なう劣化を起こさず、良好な開放電圧と、曲線因
子及び出力を示していることがわかる。
前記実施例はヘテロンエースＰ／Ｐ／Ｎ型構造の太陽電
池であったが、Ｐ型ＧａＡｓ単結晶基板を用いてＮ型Ｇ
ａニーＸＡｔＸＡｓ層を液晶エピタキシャル成長させ、
この成長過程でＰｍＧａＡｓ基板表面をＮ型に反転させ
たヘテロフェースＮ／Ｎ／Ｐ型構造の太陽電池について
も、同様に適用することができる。
池であったが、Ｐ型ＧａＡｓ単結晶基板を用いてＮ型Ｇ
ａニーＸＡｔＸＡｓ層を液晶エピタキシャル成長させ、
この成長過程でＰｍＧａＡｓ基板表面をＮ型に反転させ
たヘテロフェースＮ／Ｎ／Ｐ型構造の太陽電池について
も、同様に適用することができる。
また実施例では、Ｐ型Ｇａよ−ＸＡｔＸＡｓ層４の一部
を除去して第２図のようにＧａ１−ＸＡｔＸＡｓ層４に
溝８を形成した後、全面に透明導電層９を形成したが、
溝８を作成することなく第４図のようにエピタキシャル
成長後のＧａ□−ＸＡｔＸＡｓ層４上に直接透明導電層
９を形成してもよい。また金属電極５の形状はくし形パ
ターンに限る必要はない。
を除去して第２図のようにＧａ１−ＸＡｔＸＡｓ層４に
溝８を形成した後、全面に透明導電層９を形成したが、
溝８を作成することなく第４図のようにエピタキシャル
成長後のＧａ□−ＸＡｔＸＡｓ層４上に直接透明導電層
９を形成してもよい。また金属電極５の形状はくし形パ
ターンに限る必要はない。
更に第５図に示すように、Ｐ型ＧａＡｓ基板１１上にＮ
型ＧａＡｓ層工２を形成したホモ接合１３を有するＧａ
Ａｓ太陽電池の受光面側電極を作製する場合にも本発明
を適用することができ、Ｎ型ＧａＡｓ層１２の表面を被
って透明導電性酸化物層９を作成すると共に、この透明
導電層９上にＮ側電極１４を形成して構成する。
型ＧａＡｓ層工２を形成したホモ接合１３を有するＧａ
Ａｓ太陽電池の受光面側電極を作製する場合にも本発明
を適用することができ、Ｎ型ＧａＡｓ層１２の表面を被
って透明導電性酸化物層９を作成すると共に、この透明
導電層９上にＮ側電極１４を形成して構成する。
く効果〉
以上の説明からも明らかな通り、従来装置の構造では不
可欠とされていたＧａＡｓ太陽電池の受光面側の金属電
極形成時に行なった熱処理等のために生じる特性劣化を
、本発明では起こさせることなくＧａＡｓ太陽電池を作
製できる。また受光面側の全面に透明導電層を形成する
ことにより、受光面側のＧａＡｓ薄層の面抵抗を低減で
きるため、曲線因子の向上が可能となる。結果として単
位受光面積当シの電極面積を減少することが可能となり
、ＧａＡｓ太陽電池の単位面積ａＤの出力向上に寄与し
、高性能ＧａＡｓ太陽電池作製を得ることができる。
可欠とされていたＧａＡｓ太陽電池の受光面側の金属電
極形成時に行なった熱処理等のために生じる特性劣化を
、本発明では起こさせることなくＧａＡｓ太陽電池を作
製できる。また受光面側の全面に透明導電層を形成する
ことにより、受光面側のＧａＡｓ薄層の面抵抗を低減で
きるため、曲線因子の向上が可能となる。結果として単
位受光面積当シの電極面積を減少することが可能となり
、ＧａＡｓ太陽電池の単位面積ａＤの出力向上に寄与し
、高性能ＧａＡｓ太陽電池作製を得ることができる。
第１図は、従来のＰ／Ｐ／Ｎ型へプロンエースＧａＡｓ
太陽電池の構造を示す断面図、第２図は本発明のによる
一実施例のＧａＡｓ太陽電池の構造を示す断面図、第８
図は従来例と本発明による一実施例との電ａｊ＃ｌ電流
特性を示す説明図、第４図及び第５図は本発明による他
の実施例を示す断面図である。 １；Ｎ型ＧａＡｓ層 ２＋ Ｐ Ｍ Ｇ ａ Ａ ｓ層
４．Ｐ型Ｇａ１−ＸＡｔＸＡｓ層 ５；Ｐ側オーム性
電極８：溝 ９：透明導電性酸化物層
太陽電池の構造を示す断面図、第２図は本発明のによる
一実施例のＧａＡｓ太陽電池の構造を示す断面図、第８
図は従来例と本発明による一実施例との電ａｊ＃ｌ電流
特性を示す説明図、第４図及び第５図は本発明による他
の実施例を示す断面図である。 １；Ｎ型ＧａＡｓ層 ２＋ Ｐ Ｍ Ｇ ａ Ａ ｓ層
４．Ｐ型Ｇａ１−ＸＡｔＸＡｓ層 ５；Ｐ側オーム性
電極８：溝 ９：透明導電性酸化物層
Claims (5)
- （１）少なくとも、Ｐ型ＧａＡｓ層とＮ型ＧａＡｓ層の
２層を備えた層状構造を有する受光装置において、受光
面側に入射光に対してほぼ透明な導電性酸化物層を有す
ることを特徴とするＧａＡｓ太陽電池。 - （２） 前記層構造のＰ型ＧａＡｓ層は、Ｐ型Ｇａ、
。 ＡｔｘＡｓ（０〈Ｘ≦１）層のドーピング材がＮ型Ｇａ
Ａｓ層に拡散して形成され、受光面側からＰ型Ｇａ□−
ＸＡｔＸＡｓ層、Ｐ型ＧａＡｓ層、Ｎ型ＧａＡｓ層の各
層をこの順序に積層したことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のＧａＡｓ太陽電池。 - （３）前記層構造のＮ型ＧａＡ ｓ層は、Ｎ型Ｇａ、。 ＡｔｘＡｓ（０〈Ｘ≦１）層のドーピング材がｐＲＧａ
Ａｓ層に拡散して形成され、受光面側からＮ型Ｇａニー
ＸＡｔＸＡｓ層、Ｎ型ＧａＡｓ層、Ｐ型ＧａＡｓ層の各
層をこの順序に積層したことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のＣｒａ Ａ ｓ太陽電池。 - （４）前記Ｐ型Ｇａ１−ＸＡｔＸＡＳ層又はＮ型Ｇａ１
−ＸＡｔＸＡｓ層は、微細な溝が形成されてなり、該溝
部分で透明な導電性酸化物層がＰ型ＧａＡｓ層又はＮ型
ＧａＡ ｓ層に接触することを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のＧａＡｓ太陽電池。 - （５）前記はぼ透明な導電性酸化物層は酸化インジウム
・スズ（Ｉ’ｒＯ）であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のＧａＡｓ太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58065073A JPS59189682A (ja) | 1983-04-12 | 1983-04-12 | ＧａＡｓ太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58065073A JPS59189682A (ja) | 1983-04-12 | 1983-04-12 | ＧａＡｓ太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59189682A true JPS59189682A (ja) | 1984-10-27 |
Family
ID=13276407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58065073A Pending JPS59189682A (ja) | 1983-04-12 | 1983-04-12 | ＧａＡｓ太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59189682A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6316680A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | ＧａＡｓ太陽電池およびその製造方法 |
-
1983
- 1983-04-12 JP JP58065073A patent/JPS59189682A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6316680A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | ＧａＡｓ太陽電池およびその製造方法 |
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