DE3686570D1 - Verfahren und vorrichtung zum herstellen von einkristallen nach dem czochralski-verfahren. - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zum herstellen von einkristallen nach dem czochralski-verfahren.

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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6437492A (en) * 1987-08-04 1989-02-08 Osaka Titanium Single crystal growing apparatus
JPS6461383A (en) * 1987-08-31 1989-03-08 Nippon Steel Corp Method for pulling up single crystal rod and apparatus therefor
JPH0639352B2 (ja) * 1987-09-11 1994-05-25 信越半導体株式会社 単結晶の製造装置
JP2953697B2 (ja) * 1988-10-05 1999-09-27 三菱マテリアル株式会社 シリコン単結晶の引上装置
EP0340941A1 (de) * 1988-04-28 1989-11-08 Nkk Corporation Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Silizium-Einkristallen
FI901414A0 (fi) * 1989-03-30 1990-03-21 Nippon Kokan Kk Anordning foer framstaellning av kiselenkristaller.
JPH0633235B2 (ja) * 1989-04-05 1994-05-02 新日本製鐵株式会社 酸化膜耐圧特性の優れたシリコン単結晶及びその製造方法
JPH02263793A (ja) * 1989-04-05 1990-10-26 Nippon Steel Corp 酸化誘起積層欠陥の発生し難いシリコン単結晶及びその製造方法
JPH0388794A (ja) * 1989-08-31 1991-04-15 Nippon Steel Corp シリコン単結晶の引上げ方法および装置
JPH0633236B2 (ja) * 1989-09-04 1994-05-02 新日本製鐵株式会社 シリコン単結晶の熱処理方法および装置ならびに製造装置
JPH0543380A (ja) * 1991-03-12 1993-02-23 Sumitomo Metal Ind Ltd 溶融層法用単結晶成長装置及び該装置を用いた単結晶中の酸素濃度制御方法
JP2800482B2 (ja) * 1991-06-28 1998-09-21 信越半導体株式会社 シリコン単結晶の製造方法
JPH07242488A (ja) * 1992-04-28 1995-09-19 Mitsubishi Materials Corp 単結晶引上装置
JP2521007B2 (ja) * 1992-06-30 1996-07-31 九州電子金属株式会社 シリコン単結晶の製造方法
JP2560788Y2 (ja) * 1993-07-26 1998-01-26 新日本製鐵株式会社 単結晶棒の引上げ装置
JP2686223B2 (ja) * 1993-11-30 1997-12-08 住友シチックス株式会社 単結晶製造装置
US5683505A (en) * 1994-11-08 1997-11-04 Sumitomo Sitix Corporation Process for producing single crystals
DE19622664A1 (de) * 1996-06-05 1997-12-11 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen
US10358740B2 (en) 2014-07-25 2019-07-23 Corner Star Limited Crystal growing systems and methods including a passive heater
CN107075717B (zh) 2014-09-19 2020-06-16 各星有限公司 用于防止熔体污染的拉晶机
DE102016001729A1 (de) * 2016-02-16 2017-08-17 Krasimir Kosev Einkristallzüchtungsvorrichtung
CN107601515B (zh) * 2017-10-27 2023-06-16 北方民族大学 一种制备SiO粉末的装置
CN114150371B (zh) * 2021-12-06 2023-05-12 中环领先(徐州)半导体材料有限公司 冷却组件及其控制方法、晶体生长装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2821481C2 (de) * 1978-05-17 1985-12-05 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Vorrichtung zum Ziehen von hochreinen Halbleiterstäben aus der Schmelze
GB2139918B (en) * 1983-05-21 1986-09-10 Cambridge Instr Ltd Crystal growing apparatus

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JPS62138384A (ja) 1987-06-22

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