DE3638931A1 - Verfahren und vorrichtung zur herstellung von hochreinem polykristallinem silizium - Google Patents
Verfahren und vorrichtung zur herstellung von hochreinem polykristallinem siliziumInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Her
stellung polykristallinen Siliziums und auf eine Vorrichtung
zur Durchführung des Verfahrens. Insbesondere bezieht sich
die Erfindung auf ein Verfahren zur Herstellung eines hoch
reinen polykristallinen Siliziums, das durch eine thermische
Dekomposition oder Wasserstoffreduktion einer gasförmigen
halogenierten Siliziumverbindung, beispielsweise eines Silans
(SiH4), eines Dichlorsilans (SiH2Cl2), eines Trichlorsilans
(SiHCl3) und eines Tribromsilans (SiHBr3) auf hochreine
Siliziumteilchen in einem Reaktor mit fluidisiertem Bett,
das durch Mikrowellen erhitzt ist, niedergeschlagen wird
sowie auf die dazugehörige Vorrichtung.
Typische Verfahren und Vorrichtungen sind in dem Sie
mens-Verfahren veröffentlicht, wonach Silizium durch Reduktion
von Trichlorsilan oder Dichlorsilan vermittels Wasserstoff
auf einen vermittels elektrischer Widerstandsheizung erhitzten
Siliziumstaub niedergeschlagen wird. Dieses Verfahren ist in
der amerikanischen Patentschrift 32 86 085 beschrieben. Ein
Verfahren von Komatsu, wonach Silizium durch thermische
Zersetzung eines Silans niedergeschlagen wird, ist beschrieben
in den amerikanischen Patentschriften 41 48 814 und
41 50 168.
Im ersteren Verfahren wird der Siliziumstaub auf Tem
peraturen von ungefähr 1000 bis 1200°C durch Widerstands
heizung erhitzt, während nach dem letzteren Verfahren die
thermische Zersetzung bei Temperaturen von ungefähr 800°C
erfolgt. Die Reaktoren für beide Verfahren sind vom gleichen
Typ und bestehen aus einem glockenförmigen Behälter aus Glas
oder rostfreiem Stahl, was den Vorteil hat, daß die Reaktor
wand unter 300°C durch ein Kühlmittel, beispielsweise Wasser
oder Luft, abgekühlt werden kann, so daß sich Silizium nicht
auf der Innenwand niederschlägt, haben aber den Nachteil,
daß die Bildungsrate von Polysilizium niedrig ist, während
der Energieverbrauch pro Einheit hoch ist zufolge des "batch"-
Verfahrens durch die Verwendung der Siliziumstange, die nur
eine kleine Oberfläche dem Niederschlag zur Verfügung stellt.
Um die Nachteile dieser Verfahren zu beseitigen bzw.
beträchtlich zu verringern, wird erfindungsgemäß ein Verfah
ren vorgeschlagen mit einem fluidisierten Bett, so daß das
Silizium in dem siliziumhaltigen Gas auf Siliziumteilchen
niedergeschlagen wird, die eine große Oberfläche bilden
und durch das siliziumhaltige Gas und ein Trägergas fluidi
siert werden.
Das Verfahren mit einem fluidisierten Bett, wie es
oben erwähnt ist, verwendet im allgemeinen jedoch eine von
außen erfolgende Erwärmung, beispielsweise Widerstands
heizung, wie das in den amerikanischen Patentschriften
31 02 861, 31 02 862, 42 07 360 und 39 63 838 und den
bekanntgemachten japanischen Anmeldungen 59/45916,
59/45917 und 57/135708 beschrieben ist, so daß die Tempera
tur des Reaktors höher ist als die des zu erhitzenden Mate
rials, wodurch Niederschläge auf die Wand erfolgen. Dieses
Erwärmungs- oder Erhitzungsverfahren ergibt ganz beträcht
liche Wärmeverluste an die Umgebung des Systems, und es ist
auch sehr schwierig, einen Reaktor großen Durchmessers zu
bauen, weil die Wärmeversorgung für das chemische Ver
fahren des Niederschlages aus dampfförmiger Atmosphäre
begrenzt ist. Insbesondere entsteht bei der thermischen
Zersetzung eines Silans oder eines Dichlorsilans ein Sili
ziumniederschlag auf der Innenwand des Reaktors, wodurch
nicht nur das innere Volumen des Reaktors reduziert wird,
sondern weil die Wärmeleitung sich verschlechtert, so daß
es schwierig oder gar unmöglich ist, den Betrieb weiterhin
aufrechtzuerhalten. Außerdem kann bei der Verwendung eines
Reaktors aus Quarz dieser springen, wenn der Reaktor abge
kühlt wird zufolge der unterschiedlichen thermischen Expan
sion zwischen dem Quarzreaktor und dem niedergeschlagenen
Silizium (US-PS 39 63 838).
Die innere Anordnung eines Heizkörpers anstelle einer
äußeren Erwärmung des Systems wurde als Mittel zur Verringe
rung des Effekts der oben erwähnten Nachteile vorgeschlagen.
Bei einem Verfahren jedoch, welches eine innere Wärmequelle
verwendet, wird das Silizium auf der Oberfläche des Heiz
körpers niedergeschlagen, so daß es wiederum unmöglich ist,
das Verfahren lange Zeit durchzuführen, und außerdem ergeben
sich Probleme hinsichtlich der Wartung und des Austausches
des Heizkörpers, wenn dieser Widerstandsheizkörper aus Poly
silizium in den Reaktor eingeführt wird. Insbesondere ist
die Verwendung der Anordnung des Heizkörpers im Innern be
grenzt, weil der Heizkörper selbst Probleme ergibt, eine
gute Fluidisierung zu erzeugen und Kontamination zu verhüten
bzw. auszuschalten wegen des direkten Kontakts mit Silizium
teilchen und weil in dem Reaktor ein bestimmtes Volumen bean
sprucht wird, welches den Wirkungsgrad des Reaktors und den
Heizeffekt reduziert.
Die Erfindung wird nun beispielsweise anhand der
beigefügten Zeichnung näher erläutert.
Es stellen dar:
Fig. 1 eine Ausgestaltung der Vorrichtung gemäß
der Erfindung,
Fig. 2 wichtige Teile der Fig. 1 und
Fig. 3 eine weitere Ausgestaltung einer erfindungs
gemäßen Vorrichtung.
Ein Mikrowellenheizkörper hat den Vorteil, daß die
Temperatur der Wand niedriger ist als die des zu erwärmen
den Materials, weil die Wärme nicht innerhalb des Quarzes
zufolge des Durchgangs der Mikrowelle durch die Wand erzeugt
wird. Demgegenüber wird die Wärme erzeugt innerhalb des Mate
rials, welches zu erwärmen ist durch Molekularreibung zufolge
der polarisierten Schwingungen innerhalb des elektromagneti
schen Feldes, welches durch die Mikrowellen erzeugt wird.
Außerdem ist es möglich, den Niederschlag von Silizium auf
der Innenwand zu verhindern durch die Kühlung der Reaktor
wand auf die gewünschte Temperatur vermittels eines Kühl
mittels, das auf die Außenseite der Reaktorwand gerichtet
wird. Mikrowelle wird verwendet, um die Siliziumteilchen
des fluidisierten Bettes des Reaktors zu erhitzen, die eine
große Heizfläche darstellen. Folglich werden gemäß der Erfin
dung lange Arbeitsperioden möglich und eine große Menge
eines hochreinen polykristallinen Siliziums kann kontinuier
lich erzeugt werden.
Fig. 1 zeigt die Ausgestaltung einer Vorrichtung für
die Gewinnung hochreinen polykristallinen Siliziums durch das
neue Heizverfahren eines Reaktors mit fluidisiertem Bett ge
mäß der vorliegenden Erfindung. 1 ist der Wärmeerzeuger, der
aus einem Material, wie rostfreier Stahl, besteht, das hohen
Temperaturen widersteht und Mikrowellen ohne Verlust reflek
tiert. 2 ist der zylindrische, aus Quarz bestehende Reaktor,
der im Zentrum des Wärmeerzeugers 1 angeordnet ist. Das obere
Ende des Quarzreaktors 2 ist mit einem Gasauslaß 3 am oberen
Ende des Wärmeerzeugers 1 versehen. Der Gasauslaß 3 ragt nach
außen durch und ist in loser Form aufgesetzt, und eine Gra
phitdichtung 4 liegt an der Verbindungsstelle mit dem Quarz
reaktor 2. Die Graphitdichtung 4 wird von einem Halter 5 ge
halten, der auf der Seite des Gasauslasses 3 liegt und der
von einer Feder 6 in axialer Richtung beaufschlagt ist.
Die Verbindung wird somit durch den Federdruck über den Hal
ter 5 auf den Quarzreaktor in dichtender Weise gehalten,
selbst dann, wenn der Reaktor sich in kleinen Beträgen be
wegt. Das Rohr 7, über welches Impfteilchen zugeführt werden,
durchdringt die Wand des Gasauslaßrohres 3. Das untere Ende
des Impfteilchenzuführungsrohres erstreckt sich in das Innere
des Quarzreaktors 2 hinein, während das andere Ende des Roh
res nach außen ragt und als Trichter 8 ausgebildet ist. Das
obere Teil des Wärmeerzeugers 1, durch das das Gasauslaßrohr
3 nach außen ragt, wird durch eine Teflondichtung 9 und einen
Halter 10 gasdicht verschlossen.
Das Gaseinleitungsrohr 11 ist mit dem unteren Ende des
Wärmeerzeugers 1 verbunden und eine Gasverteilungsplatte 12
ist zwischen das Gaseinlaßrohr 11 und das untere Ende des
Quarzreaktors 2 eingefügt. Ein Kühlmittelweg 13 ist in der
Gasverteilungsplatte 12 gebildet. Ein Auslaßrohr 14 für
Teilchen ist mit dem unteren Teil des Quarzreaktors verbun
den und erstreckt sich zu einem Siliziumsammelbehälter 15.
Eine Graphitdichtung 16 verhindert den Austritt von Reak
tionsgas an der Stelle zwischen dem Quarzreaktor 2 und dem
Wärmeerzeuger 1.
Ein Verdampfer bzw. Vorwärmer 17 ist in der Nähe des
oben erwähnten Gaseinlasses 11 angeordnet. Mikrowellengene
ratoren 18 sind auf beiden Seiten des Wärmeerzeugers 1 ange
ordnet. Ein E-förmig gestaltetes Mikrowellenführungsrohr 20
und ein H-förmiges Mikrowellenführungsrohr 21 von den Mikro
wellengeneratoren 18 sind symmetrisch mit dem unteren Teil
des Wärmeerzeugers 1 verbunden. Diese Mikrowellenführungs
rohre 19, 20 und 21 sind vorzugsweise aus rechteckigem
Aluminiumrohr gebildet, welches unwesentlich kleine Verluste
an Energie in der Mikrowellenübertragung ergibt. Diese
führen Mikrowellen von einem Magneten (in der Figur nicht
gezeigt) der Mikrowellengeneratoren 18 dem Wärmeerzeuger 1
zu.
Auf dem Wege zu dem E-förmigen Mikrowellenführungs
rohr 20 und dem H-förmigen Mikrowellenführungsrohr 21 sind
mehrere Gasabsperrmembranen eingebaut. Diese Gasabsperr
membranen 22 dienen dazu, den Strom von Kühlmittel für die
Quarzreaktorwand 2 in dem Wärmeerzeuger 1 in die Mikrowel
lengeneratoren 18 zu verhindern und bestehen vorzugsweise
aus Quarz, Pyrex oder Teflon, die gute Mikrowellendurch
gangseigenschaften besitzen. Außerdem ist ein Schild 23 in
der Mitte im Innern des Wärmeerzeugers 1 angeordnet, um
Mikrowellen abzuschirmen. Dieses Mikrowellenabschirmungs
schild 23 besteht aus einem Metall, welches Mikrowellen
reflektiert, so daß das Volumen, in das Mikrowellen eindrin
gen können, auf das Material, welches zu erhitzen ist, be
grenzt ist. Dadurch wird die Mikrowellendichte hoch genug,
um eine gute Mikrowellenerwärmung des Materials zu erreichen.
In der oben beschriebenen Vorrichtung werden Silizium
impfteilchen in den Quarzreaktor hinein durch das Impfteil
cheneinführungsrohr 7 von dem Trichter 8 aus eingeführt.
Der Mikrowellengenerator 8 erzeugt Mikrowellen, die in den
Quarzreaktor 2 in das Innere des Wärmeerzeugers 1 eindrin
gen und dabei in die Siliziumteilchen und so ein fluidisier
tes Bett A bilden.
Bei dem so gebildeten elektromagnetischen Feld findet
in dem Siliziumimpfteilchen eine Reibung statt, die durch
polarisierte Schwingungen erzeugt wird und die Impfteilchen
selbst auf Reaktionstemperaturen zwischen 600 und 1200°C
erwärmt. Im allgemeinen werden Mikrowellen von 915 oder
2450 MHz verwendet. Siliziumhaltiges Gas als Reaktant wird
über das Gaszuleitungsrohr 11 zugeführt mit Wasserstoff als
Trägergas, nachdem dieses auf ungefähr 300°C in dem Verdampfer
oder Vorwärmer 17 erwärmt worden ist. Das eingeleitete Gas
wird in dem Quarzreaktor 1 durch die Gasverteilungsplatte 12
dispergiert und vermischt sich mit dem fluidisierten Bett A.
Das fluidisierende Gas erleidet eine thermische Dekomposition
oder Wasserstoffreduktion, wenn es mit den heißen Silizium
impfteilchen zusammentrifft und ein Niederschlag erfolgt auf
der Oberfläche der Impfteilchen in Form eines chemischen
Dampfes, wodurch die Impfteilchen größer werden. Entspre
chend große Teilchen fließen durch das Auslaßrohr 14 und
werden in dem Behälter 17 aufgefangen.
In dem oben erwähnten Verfahren werden Siliziumteil
chen kontinuierlich produziert, weil Siliziumimpfteilchen
und reagierendes Gas kontinuierlich zugeführt werden. Außer
dem werden By-Produktgas oder nichtreagiertes Gas bei dem
oben genannten Verfahren wiedergewonnen und erneut verwandt.
Es wird aus dem Rohr 3 einer Wiedergewinnungsvorrichtung
zugeführt, die in der Zeichnung nicht dargestellt ist.
In dem Maße, wie die Reaktion fortschreitet, wird
die Gasverteilungsplatte 12 durch Wärmeübergang von den
heißen Siliziumteilchen aus erwärmt, so daß die Silizium
teilchen in dem fluidisierten Bett A normalerweise nicht
fluidisierbar sind, nachdem die Reaktion eine lange Zeit
spanne gelaufen ist, weil Silizium sich auf der Oberfläche
der Gasverteilungsplatte 12 absetzt zufolge des durch die
Platte hindurchströmenden Reaktionsgases.
Dieses Problem kann dadurch bewältigt werden, daß
man die Gasverteilungsplatte unter 400°C abkühlt durch
Zirkulation eines Kühlmittels, beispielsweise Wasser oder
Stickstoff, wie das in Fig. 1 gezeigt ist. Das gleiche
Problem wie oben kann an der Quarzwand des Reaktors auftre
ten, indem sich dort Silizium auf der Innenwand nieder
schlägt, wodurch das Volumen im Innern verringert wird.
Deshalb soll die Innenwand des Quarzreaktors 2 unter die
Reaktionstemperatur des siliziumhaltigen Gases durch ein
Kühlmittel abgekühlt werden, welches die Kühlkanäle 25
zwischen der Innenwand des Wärmeerzeugers 1 und der Außen
wand des Quarzreaktors 2 durchströmt, wodurch das oben er
wähnte Problem vermieden wird. Außerdem kann der Quarzre
aktor 2 getrennt Kühlungskanäle 26 zwischen Doppelwänden
enthalten.
Wenn Siliziumimpfteilchen durch Mikrowellen in dem
Quarzreaktor 2 erwärmt werden, dehnt sich der Reaktor durch
Wärmeübergang aus. Der Wärmeerzeuger 1 erfährt aber keine
thermische Expansion, und daher kann der Reaktor 2 springen.
Um dies zu verhindern, ist erfindungsgemäß die Feder 6 vor
gesehen, die den Halter 5 des Auslaßrohres 3 beaufschlagt,
so daß jede Beschädigung, die durch thermische Expansion des
Quarzreaktors 2 auftreten könnte, vermieden ist.
Fig. 2 zeigt die Ausgestaltung des E-förmigen Mikro
wellenführungsrohres 20 und des H-förmigen Mirkowellenfüh
rungsrohres 21. Beide Mikrowellenführungsrohre haben recht
eckigen Querschnitt und liegen einander in verschiedener
Weise, wie in Fig. 1 gezeigt, gegenüber. Mikrowellenmodi 24
werden von den Mikrowellengeneratoren dem Wärmeerzeuger 1
sich kreuzend von gegenüberliegenden Seiten zugeführt, so daß
die Mikrowellen, die von einander entgegengesetzten Richtun
gen kommen, sich nicht stören. Weiterhin sind E-förmige und
H-förmige Mikrowellenführungsrohre so einander gegenüberlie
gend angeordnet, daß die Größe des Mikrowellengenerators
verringert und Energieverbrauch ebenfalls verringert werden
kann.
In der vorbeschriebenen Ausgestaltung des Systems ist
es erforderlich, wenigstens zwei bzw. ein Paar Mikrowellen
generatoren zu installieren, um eine gleichmäßige Erwärmung
zu erzielen. Wenn Mikrowellen von oben dem Wärmeerzeuger 1
zugeführt werden, kann ein Mikrowellengenerator ausreichen.
Fig. 3 zeigt eine andere Ausgestaltungsform der oben
beschriebenen Vorrichtung, die diese Zuführung der Mikro
wellen von oben auf den Wärmeerzeuger zeigt. Es gelten die
gleichen Bezugszahlen wie in Fig. 1. Das Mikrowellenführungs
rohr 19 ist mit dem oberen Ende des Wärmeerzeugers 1 verbun
den. Der Querschnitt des Führungsrohres 19 ist im allgemei
nen rechteckig oder kreisförmig. Wenn ein kreisförmiges Rohr
verwendet wird, wird das anschließende Rohr 190 zur Verbin
dung mit dem Wärmeerzeuger 1 verwendet. Das Gasauslaßrohr 3
und das Einführungsrohr 7 für die Impfteilchen gehen durch
das Mikrowellenführungsrohr 19 hindurch und sind mit dem
Quarzreaktor 2 verbunden.
Insbesondere das obere Ende des Quarzreaktors 2 ist
direkt mit dem Gasauslaßrohr 3 verbunden. Das untere Ende
hat eine Gasdichtung, die verhindert, daß Reaktionsgas aus
dem Wärmeerzeuger 1 entweicht, d. h. es ist ein O-Ring aus
Graphit 300 als Dichtung zwischen den Flansch 100 des Wärme
erzeugers 1 und dem Flansch 200 des Quarzreaktors 2 einge
fügt und der Gasverteilungsplatte 12, damit völlige Gas
dichtigkeit herrscht.
Die obige Ausgestaltung benötigt nur einen Mikro
wellenerzeuger 18, so daß man durch diese Ausgestaltung
Kosten hinsichtlich Apparaturen, Wartung und Energie spart.
Aufgrund der erfindungsgemäßen Ausgestaltung kann
hochreines Silizium als Reaktor verwendet werden anstelle
des Quarzreaktors, aber in diesem Falle Quarzmaterial oder
irgendein anderes Material, welches für Mikrowellen durch
lässig ist, muß am oberen Ende 30 des Reaktors benutzt
werden.
Verfahren für die Gewinnung hochreinen polykristalli
nen Siliziums gemäß der vorliegenden Erfindung werden nun
in den nachfolgenden Beispielen beschrieben.
Ein Quarzreaktor mit einem inneren Durchmesser von
48 mm und einer Wanddicke von 2,5 mm und einer Höhe von
1000 mm ist innerhalb der Erwärmungsvorrichtung gemäß Fig. 1
installiert. Es werden als Wärmequelle Mikrowellen dem in
dem Quarzreaktor enthaltenen fluidisierten Bett zugeführt,
welches aus Siliziumteilchen von 60 bis 100 Maschen gebildet
ist, und die Temperatur des fluidisierten Bettes wird ober
halb 700°C gehalten.
Das Reaktionsgas, bestehend aus 20 Mol-% Silan und
80 Mol-% Wasserstoff, wird dem fluidisierten Bett in einer
Menge von 13,3 l/min bei Raumtemperatur über die Gasvertei
lungsplatte zugeführt, die vermittels Wasser gekühlt ist.
Das Reaktionsgas ist auf 300°C vorgewärmt. Die Wand des
Quarzreaktors wird vermittels strömenden Stickstoffes in
dem Wärmeerzeuger gekühlt. Niedergeschlagene Polysiliziumgra
nalien fließen durch das Auslaßrohr, mit dessen Hilfe die
Höhe des fluidisierten Bettes geregelt und bei etwa 150 mm
gehalten wird, ab.
Polykristallines Silizium fällt in einer Menge von
162,5 g/h an bei einer Verfahrensdauer von 10 Stunden. Ein
Siliziumniederschlag an der Quarzreaktorwand wurde nicht
festgestellt.
Polykristallines Silizium dient zur Hersellung
von monokristallinem Silizium und kann selbst als Grund
material für elektronische Artikel verwandt werden.
Bei den in der Anmeldung erwähnten Siebmaschen
handelt es sich um Tyler-Siebmaschen.
Das Beispiel 1 wurde wiederholt mit der Ausnahme, daß
das Reaktionsgas, welches aus 10 Mol-% Silan und 90 Mol-%
Wasserstoff bestand, direkt dem fluidisierten Bett in einer
Menge von 13,9 l/min mit Raumtemperatur ohne Vorwärmung
zugeführt wurde. Die Ausbeute an polykristallinem Silizium
betrug im Mittel 82,8 g/h bei einer zehnstündigen Arbeits
weise.
Es wurde die Vorrichtung nach Beispiel 1 verwendet,
wobei das Bett aus Siliziumteilchen von 40/60 Maschen und
einer Höhe von 150 mm mit einem Reaktionsgas fluidisiert
wurde, das aus einem Gemisch von 22 Mol-% Silan und 78 Mol-%
Wasserstoff bestand, das in einer Menge von 36,4 l/mm und
mit Raumtemperatur zugeführt wurde, nachdem es vorher auf
300°C vorgewärmt wurde. Es ergab sich eine durchschnittliche
Ausbeute von 268,1 g/h an polykristallinem Silizium bei
einer Arbeitsdauer von 10 Stunden.
Dieses Beispiel wurde in einer Vorrichtung gemäß
Anspruch 1 erarbeitet mit einem fluidisierten Bett aus
Siliziumteilchen der Größe 40/60 Maschen und einer Höhe von
150 mm. Das Reaktionsgas enthielt 10 Mol-% Silan und 90 Mol-%
Wasserstoff und wird in einer Menge von 11,5 l/min ohne Vor
wärmung zugeführt. Die Ausbeute betrug an polykristallinem
Silizium im Mittel 63 g/h bei einer zwanzigstündigen Arbeits
weise.
Es wurde eine Vorrichtung eingesetzt mit einem Quarz
reaktor mit 98 mm innerem Durchmesser, 3 mm Wandstärke und
einer Höhe von 1500 mm in einem zylindrischen Mikrowellen
führungsrohr des Wärmeerzeugers gemäß Fig. 3, wobei die als
Wärmequelle dienende Mikrowelle von oben dem fluidisiertem
Bett zugeführt wird.
2400 g Silizium in einer Teilchengröße von 60/100
Maschen wird in den Quarzreaktor über das Einleitungsrohr
zugeführt und fluidisiert und auf einer Temperatur von 670°C
gehalten. Das Reaktionsgas setzte sich aus 10 Mol-% Silan
und 90 Mol-% Wasserstoff zusammen und wird dem fluidisierten
Bett in einer Menge von 22,8 l/min mit Raumtemperatur über
den Vorwärmer zugeführt. Die Wand des Quarzreaktors wird ver
mittels Stickstoff gekühlt. Nach einer Betriebsdauer von
einer Stunde fiel polykristallines Silizium in einer Menge
von 151 g an. Es fand kein Niederschlag von Silizium an der
Innenwand des Quarzreaktors statt.
Das fluidiserte Bett besteht aus 3200 g Silizium
mit einer Teilchengröße von 60/100 Maschen wie in Beispiel
5 und wurde auf eine Temperatur von 700°C erwärmt. Das Re
aktionsgas bestand aus 20 Mol-% Silan und 80 Mol-% Wasser
stoff, welches dem fluidisierten Bett in einer Menge von
31,9 l/min mit Raumtemperatur über den Vorwärmer zugeführt
wird. Eine Kühlung der Wand des Quarzreaktors mit einem
Kühlgas findet nicht statt. Polykristallines Silizium fällt
nach einer Stunde Arbeitszeit in einer Menge von 335 g an,
und es findet auch ein leichter Siliziumniederschlag auf
der Wand des Quarzreaktors statt.
Siliziumteilchen mit einer Maschenweite von 40/60 in
einer Menge von 3200 g werden in den Reaktor gemäß Beispiel 5
eingeführt und die Temperatur des Bettes wird auf 700°C ge
bracht. Das Reaktionsgas besteht aus 10 Mol-% Silan und
90 Mol-% Wasserstoff, welches dem fluidisierten Bett mit
einer Menge von 42,4 l/min, nachdem es auf 350°C in dem Vor
wärmer vorgewärmt worden ist, zugeführt ist. Gleichzeitig
wird die Wand des Quarzreaktors durch Stickstoffgas gekühlt.
Nach einer Stunde Betriebszeit wird polykristallines Silizium
in einer Menge von 270 g gewonnen. Ein Niederschlag von
Silizium auf der einen Wand des Quarzreaktors wurde nicht
festgestellt.
Die Erfindung soll sich nicht nur auf die Darstellun
gen in den beigefügten Zeichnungen, den Beispielen und der
Beschreibung erstrecken, sondern auf alle Techniken, die
sich direkt oder indirekt mit der oben beschriebenen Erfindung
befassen.
Claims (8)
1. Verfahren zur Gewinnung hochreinen polykristallinen
Siliziums durch Niederschlagung von Silizium auf hochreine
Siliziumteilchen aus siliziumhaltigem Gas, wie Silan, Di
chlorsilan, Trichlorsilan oder Tribromsilan, gekennzeichnet
durch einen Reaktor mit einem fluidisierten Bett, in wel
ches zusammen mit Siliziumimpfteilchen ein Reaktionsgas
durch ein Einleitungsrohr eingeleitet wird, Mirkowellen
zugeführt werden, um die fluidisierten Teilchen zu erhitzen,
so daß sich darauf Polysiliziumteilchen niederschlagen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die hochreinen polykristallinen Siliziumteilchen durch
Mikrowellen erhitzt werden.
3. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch
1, gekennzeichnet durch einen Wärmeerzeuger (1), in welchem
ein Abschirmungsschild (23) gegen Mikrowellen im mittleren
Teil installiert ist, einen vertikalstehenden Quarzreaktor
auf der Mittellinie des Wärmeerzeugers, Mikrowellenführungs
rohre (19), die von Mikrogeneratoren (18) zu dem Wärmeer
zeuger führen, wenigstens eine Gasabsperrmembran (22) inner
halb eines jeden Mikrowellenführungsrohres (19), wobei der
obere Teil des Quarzreaktors mit einem Halter (5) eines
Gasauslaßrohres (3) vermittels einer Feder (6) verbunden
ist und das untere Ende mit einem Gaseinleitungsrohr (11)
versehen ist, das sich von dem Wärmeerzeuger (1) zu einem
Vorwärmer oder Verdampfer (15) erstreckt und einer Gasver
teilungsplatte (16) zuführt.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
die Querschnitte der Mikrowellenführungsrohre (19) recht
eckig sind und beide Rohre auf gegenüberliegenden Seiten
E- und H-förmig gestaltet sind.
5. Vorrichtung nach Anspruch 3 und 4, dadurch gekennzeichnet,
daß das Mikrowellenführungsrohr zylindrischen Querschnitt hat,
an das sich ein Verbindungsrohr (190) anschließt und das im
Zentrum dieses Rohres vertikal der Quarzreaktor (2) angeord
net ist, wobei sich das Mikrowellenführungsrohr von dem
Mikrowellengenerator (18) zum oberen Ende des Wärmeerzeugers
(1) erstreckt, eine Gasabsperrplatte (22) innerhalb des
Mikrowellenführungsrohres angeordnet ist, das obere Teil
des Quarzreaktors direkt mit einem Gasauslaßrohr (3) verbun
den ist und das untere Ende so gestaltet ist, daß Reaktions
gas nicht in den Wärmeerzeuger eintreten kann und das untere
Ende sich bis zu der Gasverteilungsplatte und über ein
Einlaßrohr bis zu einem Verdampfer oder Vorwärmer (17)
erstreckt.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß
hochreines Polysilizium oder hochreines Siliziumkarbid für
den Reaktor anstelle des Quarzes verwendet wird, wobei das
obere Teil des Reaktors aus Quarz oder einem anderen Material
gebildet ist, welches für Mikrowellen durchlässig ist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 3 oder 5, dadurch gekennzeich
net, daß Kühlkanäle (26, 13) zwischen der Wand des Wärmeer
zeugers und der äußeren Wand des Quarzreaktors sowie der
Gasverteilungsplatte vorgesehen sind.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß
getrennte Kühlkanäle in Form eines Doppelwandrohres aus
Quarz außerhalb der Wand des Quarzreaktors gebildet sind.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019850009938A KR880000618B1 (ko) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | 초단파 가열 유동상 반응에 의한 고순도 다결정 실리콘의 제조 방법 |
Publications (2)
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