DE102009043950B4 - Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silizium - Google Patents

Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silizium Download PDF

Info

Publication number
DE102009043950B4
DE102009043950B4 DE102009043950A DE102009043950A DE102009043950B4 DE 102009043950 B4 DE102009043950 B4 DE 102009043950B4 DE 102009043950 A DE102009043950 A DE 102009043950A DE 102009043950 A DE102009043950 A DE 102009043950A DE 102009043950 B4 DE102009043950 B4 DE 102009043950B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
reactor
wall
gas
branch
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE102009043950A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102009043950A1 (de
Inventor
Robert Stöcklinger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
G+R Tech Group AG
Original Assignee
G+R Tech Group AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by G+R Tech Group AG filed Critical G+R Tech Group AG
Priority to DE102009043950A priority Critical patent/DE102009043950B4/de
Priority to PCT/EP2010/059514 priority patent/WO2011026667A1/de
Priority to CN201080039358.5A priority patent/CN102574689A/zh
Priority to US12/871,914 priority patent/US20110058988A1/en
Publication of DE102009043950A1 publication Critical patent/DE102009043950A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102009043950B4 publication Critical patent/DE102009043950B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • C01B33/021Preparation
    • C01B33/027Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/035Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silizium, mit einem Reaktorboden (12), der eine Vielzahl von Düsen (40) mit jeweils einer Düseneintrittsöffnung (42) und jeweils einer Düsenaustrittsöffnung (43) aufweist, die eine Zuführung für ein siliziumhaltiges Gas in den Reaktorinnenraum (11) bilden, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Wandung (70) derart geformt ist, dass sie zusammen mit einer Außenfläche (33) des Reaktorbodens (12) einen Hohlraum (71) begrenzt, welcher eine Verteilung des siliziumhaltigen Gases auf mindestens einen Teil der Düsen (40), mit dem er kommuniziert, bildet, wobei die Wandung (70) derart gasdicht am Reaktorboden (12) angebracht ist, dass mindestens eine Kontaktfläche des Hohlraums (71) mit der Außenfläche (33) des Reaktorbodens (12) auf einen echten Teilbereich der Außenfläche (33) des Reaktorbodens (12) beschränkt ist.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silizium. Der Reaktor umfasst einen Reaktorboden, der eine Vielzahl von Düsen mit jeweils einer Düseneintrittsöffnung und jeweils einer Düsenaustrittsöffnung ausgebildet hat, die eine Zuführung für ein siliziumhaltiges Gas in den Reaktor bilden.
  • Die wesentlichen Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silizium mit einem erfindungsgemäßen Reaktor sind das „Siemens-Verfahren” oder der „Monosilan-Prozess”.
  • Bei dem Siemens-Verfahren wird Trichlorsilan (SiHCl3) in Anwesenheit von Wasserstoff an beheizten Reinstsiliziumstäben bei 1000–1200°C thermisch zersetzt. Das elementare Silizium wächst dabei auf die Stäbe auf. Der dabei freiwerdende Chlorwasserstoff wird in den Kreislauf zurückgeführt. Der Prozess läuft bei einem Druck von ca. 6,5 bar ab.
  • Bei dem Monosilan-Prozess wird Monosilan (SiH4) in Anwesenheit von Wasserstoff an beheizten Reinstsiliziumstäben bei 850–900°C thermisch zersetzt. Das elementare Silizium wächst dabei auf die Stäbe auf. Der Monosilan-Prozess läuft bei einem Druck von ca. 2 bis 2,5 bar ab.
  • In dem US-Patent 4 179 530 A ist ein Verfahren zur Anlagerung von reinem Silizium offenbart. Der Reaktor hierzu besteht aus einem doppelwandigen Behälter. In dem durch die zwei Wände gebildeten Zwischenraum wird Kühlwasser geführt. Der Reaktor umfasst mehrere dünne U-förmige Filamente, an denen sich das Silizium niederschlägt. Ebenso werden die Klammern der Elektroden gekühlt. Das Gas wird durch Öffnungen im Boden des Reaktors zu- und abgeführt.
  • Die deutsche Patentanmeldung DE 25 58 387 A1 offenbart ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung von polykristallinem Silizium. Das polykristalline Silizium wird durch Wasserstoffreduktion von Silizium enthaltenden Verbindungen hergestellt. Über eine Beschickungsdüse werden die Reaktionspartner in den Reaktionsraum eingebracht. Die verbrauchten Reaktionspartner werden durch den Auslass durch eine Leitung abgeführt. Einlass und Auslass sind gegenüberliegend angeordnet.
  • Die deutsche Patentanmeldung DE 10 2005 042 753 A1 offenbart ein Verfahren zur Herstellung von granulatförmigem polykristallinem Silizium in einem Wirbelstromreaktor. Bei dem Verfahren zur Herstellung von granulatförmigem polykristallinem Silizium wird in einem Wirbelschichtreaktor, der eine heiße Oberfläche besitzt, das polykristalline Silizium aus einem Reaktionsgas abgeschieden. Dies läuft bei einer Reaktionstemperatur von 600 bis 1100°C ab. Die mit dem abgelagerten Silizium versehenen Partikel werden zusammen mit nicht reagiertem Reaktionsgas und Fluidisierungsgas aus dem Reaktor entfernt.
  • Das US-Patent 36 936 E offenbart ein Verfahren zur Herstellung von hochreinem polykristallinem Silizium. Hierbei wird ebenfalls das Silizium aus der Abscheidung von Silizium enthaltendem Gas gewonnen. Das in der Kammer zirkulierende Gas schlägt sich auf hierfür vorgesehene und gekühlte Oberflächen nieder. Die Zirkulation des Gases kann mit einem Ventilator erhöht werden.
  • Die deutsche Patentanmeldung DE 10 2009 003 368 A1 offenbart einen Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silizium, der mit einem Reaktorboden versehen ist, der eine Vielzahl von Düsen ausgebildet hat. Durch die Düsen strömt ein siliziumhaltiges Gas ein. Ebenso sind auf dem Reaktorboden mehrere Filamentstäbe montiert. Ferner ist eine Gasaustrittöffnung zum Zuführen von verbrauchtem siliziumhaltigem Gas zu einer Anreicherung und/oder Aufbereitung vorgesehen. Die Gasaustrittöffnung ist an einem freien Ende eines Innenrohrs ausgebildet, wobei das Innenrohr durch den Reaktorboden geführt ist.
  • Die deutsche Patentanmeldung DE 28 54 707 A1 offenbart eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Abscheidung von Silizium. Die Abscheidung erfolgt durch thermische Zersetzung von gasförmigen Verbindungen. Hierzu sind in einer metallischen Grundplatte mindestens eine Zufuhr und mindestens eine Abfuhr für die Reaktionsgase ausgebildet.
  • Die deutsche Patentanmeldung DE 29 12 661 A1 offenbart ebenfalls eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Abscheidung von Silizium durch Zersetzung und Abscheidung einer Verbindung des Siliziums auf der Oberfläche eines des vermittels elektrischen Stromdurchgangs auf die Zersetzungstemperatur der jeweiligen Verbindung aufgeheizten Trägers. Der Träger befindet sich in einem gasdicht verschlossenen und kühlbaren Gefäß. Die jeweilige Verbindung wird zumindest teilweise in flüssiger Form in das Gefäß eingebracht.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Reaktor für die Herstellung von polykristallinem Silizium bereitzustellen, dessen Reaktorboden derart ausgestaltet ist, dass die Verteilung des siliziumhaltigen Gases auf die Düsen im Reaktorboden platzsparend, sicher, und kostengünstig erfolgt, und eine leichte Zugänglichkeit zu den weiteren Vorrichtungen auf der Außenseite des Reaktorbodens, z. B. Elektroden oder Kühlmittelanschlüssen, ermöglicht wird.
  • Die obige Aufgabe wird durch einen Reaktor gelöst, der die Merkmale des Anspruchs 1 umfasst.
  • Der erfindungsgemäße Reaktor umfasst einen Reaktorboden, der eine Vielzahl von Düsen mit jeweils einer Düseneintrittsöffnung und jeweils einer Düsenaustrittsöffnung aufweist, die eine Zuführung für ein siliziumhaltiges Gas in den Reaktorinnenraum bilden. Mindestens eine Wandung ist gasdicht am Reaktorboden angebracht und derart geformt, dass sie zusammen mit einer Außenfläche des Reaktorbodens einen Hohlraum begrenzt, welcher eine Verteilung des Gases auf mindestens einen Teil der Düsen, mit dem er kommuniziert, bildet. Die Wandung ist so gestaltet, dass mindestens eine Kontaktfläche des Hohlraums mit der Außenfläche des Reaktorbodens auf einen echten Teilbereich der Außenfläche des Reaktorbodens beschränkt ist.
  • In einer Ausführungsform der Erfindung kommuniziert der durch die Wandung und die Außenfläche des Reaktorbodens begrenzte Hohlraum mit allen Düsen.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung bildet eine Gaszuführung zum Reaktorboden einen ersten Zweig und einen zweiten Zweig aus, wobei der erste Zweig eine Gaszuleitung zu dem durch die Wandung und die Außenfläche des Reaktorbodens begrenzten Hohlraum bildet, und der zweite Zweig eine Gaszuleitung zu einer zentralen Düse bildet. Der erste und der zweite Zweig umfassen je ein Ventil, durch welches der Gasstrom in dem jeweiligen Zweig regelbar ist. Es ist denkbar, dass die anderen Düsen um die zentrale Düse herum gleichverteilt angeordnet sind. Bevorzugt ist die Erfindung so ausgeführt, dass der durch die Wandung und die Außenfläche des Reaktorbodens begrenzte Hohlraum die Form eines geschlossenen Ringes aufweist. Es ist jedoch ebenso vorstellbar, dass gemäß einer anderen Ausführungsform der durch die Wandung und die Außenfläche des Reaktorbodens begrenzte Hohlraum die Form eines offenen Ringes aufweist.
  • In einer Ausführungsform der Erfindung bildet der durch die Wandung und die Außenfläche des Reaktorbodens begrenzte Hohlraum einen kreissegmentförmigen Querschnitt aus. Bevorzugter Weise ist die Wandung mit der Außenfläche des Reaktorbodens über mindestens eine durchgehende Schweißnaht verbunden. Aus fertigungstechnischen Gründen ist es dabei besonders vorteilhaft, wenn der Querschnitt des durch die Wandung und die Außenfläche des Reaktorbodens begrenzten Hohlraums ein Halbkreis ist. In diesem Fall ermöglicht die Form der Wandung eine besonders gute Zugänglichkeit, um die Schweißnaht zwischen der Außenfläche des Reaktorbodens und der Wandung zu ziehen, und ebenso für die Reinigung des Reaktorbodens.
  • Für einen Fachmann ist es offensichtlich, dass auch andere Formen und Querschnitte des durch die Wandung und die Außenfläche des Reaktorbodens begrenzten Hohlraums denkbar sind, ohne den Schutzbereich der Erfindung zu verlassen. So sind etwa Querschnitte in Form eines Rechtecks oder eines Ellipsensegments vorstellbar, der Hohlraum könnte auch U-förmig oder mäanderförmig ausgebildet sein.
  • Die Gestaltung der Gasverteilung beim erfindungsgemäßen Reaktor ermöglicht die verbesserte Berücksichtigung anderer Erfordernisse bei der Ausführung des Reaktors, insbesondere kann die Zugänglichkeit zu anderen Vorrichtungen am Reaktorboden, etwa elektrischen Kontakten oder Kühlmittelanschlüssen, erleichtert werden. Darüber hinaus werden, insbesondere in den bevorzugten Ausführungsformen, Schweißnähte reduziert und Verschraubungen erübrigen sich. Hierdurch wird das Risiko von Undichtigkeiten verringert. Dies erhöht die Betriebssicherheit des Reaktors, da das verwendete siliziumhaltige Gas bei Kontakt mit Wasser (z. B. dem im Reaktor verwendeten Kühlwasser) zu einer Explosion führen kann. Je nach Betriebsbedingungen können sich bei Kontakt zwischen dem Gas und dem Kühlwasser aber auch Ablagerungen bilden, welche die Zuverlässigkeit des Reaktorbetriebes beeinträchtigen. Durch die nicht beabstandete Anbringung der Gasverteilung am Reaktorboden vermindert sich ferner der Raumbedarf der Vorrichtung.
  • Im Folgenden sollen Ausführungsbeispiele den erfindungsgemäßen Reaktor und dessen Vorteile anhand der beigefügten Figuren näher erläutern.
  • 1 zeigt eine Vergrößerung der wesentlichen Elemente des Aufbaus des Reaktorbodens gemäß dem Stand der Technik.
  • 2 zeigt eine Seitenansicht des erfindungsgemäßen Reaktorbodens mit mehreren Zu- und Ableitungen.
  • 3 zeigt eine Draufsicht auf den erfindungsgemäßen Reaktorboden von unten, wobei in dieser Aufrissdarstellung die ringförmig angeordneten Düsen erkennbar sind.
  • 4 zeigt eine Schnittansicht des erfindungsgemäß gestalteten Reaktorbodens.
  • 5 zeigt eine Vergrößerung eines Ausschnittes aus 4, der im Wesentlichen eine Düse zur Zuführung von Reaktionsgas in den Innenraum darstellt.
  • Für gleiche oder gleich wirkende Elemente der Erfindung werden identische Bezugszeichen verwendet. Ferner werden der Übersicht halber nur Bezugszeichen in den einzelnen Figuren dargestellt, die für die Beschreibung der jeweiligen Figur oder für die Einordnung einer Figur in den Kontext anderer Figuren erforderlich sind.
  • 1 zeigt im Wesentlichen eine vergrößerte Darstellung des Reaktorbodens 12 gemäß dem Stand der Technik und damit insbesondere Details des Reaktorbodens 12. Der Reaktorboden 12 ist mehrschichtig aufgebaut, er besteht aus einem ersten Bereich 13 und einem zweiten Bereich 14. Der erste Bereich 13 ist durch eine dem Innenraum 11 des Reaktors zugewandte Platte 15 und eine Zwischenplatte 16 gebildet. Der zweite Bereich 14 ist durch die Zwischenplatte 16 und eine Bodenplatte 17 gebildet. In der Zwischenplatte 16 sind Öffnungen ausgebildet, die die Düsen 40 für das Gas tragen. Die Düsen enden in der dem Reaktorinnenraum 11 zugewandten Platte 15 und bilden somit die Austrittsöffnungen für das Gas. Folglich wird das frische siliziumhaltige Gas in den zweiten Bereich 14 geleitet und verteilt sich entsprechend in diesem zweiten Bereich 14, um durch die Düsen 40 in den Reaktorinnenraum 11 einzutreten. Im ersten Bereich 13 wird Kühlwasser geführt. Unterhalb der Bodenplatte 17 ragen die Versorgungsanschlüsse 62 und 63 für die Filamentstäbe 60 heraus. Der Versorgungsanschluss 62 dient zur Spannungsversorgung der Filamente 60. Der Versorgungsanschluss 62 ist als Hochspannungselektrode ausgeführt und versorgt die Filamente 60 mit einer Hochspannung von ca. 10.000 Volt. In anderen Ausführungsformen ist der Prozess auch mit Niederspannung führbar. Die Versorgungsanschlüsse 63 sind als Kühlwasseranschlüsse ausgebildet, um die Halterungen 61 der Filamente 60 auf einer entsprechenden Prozesstemperatur zu halten. Die Filamente 60 selbst bestehen aus einem hochreinen Polysiliziumstab, der etwa einen Durchmesser von 8 mm besitzt.
  • 2 zeigt eine Seitenansicht des erfindungsgemäßen Reaktorbodens 12. Dieser umfasst in der dargestellten Ausführungsform eine erste Wand 31 und eine zweite Wand 32, die einen Zwischenraum 34 begrenzen. In dem Zwischenraum 34 wird ein Kühlmittel geführt. Die erste Wand 31 grenzt den Zwischenraum 34 gegen den Reaktorinnenraum 11 ab. Eine erste Außenfläche 33 des Reaktorbodens bildet mit einer Wandung 70 einen Hohlraum 71 aus, welcher die Verteilung des siliziumhaltigen Gases auf die Düsen 40 (siehe 3) bildet. In der dargestellten Ausführungsform bildet ein Rohr 50 eine Gaszuführung zum Reaktorboden; das Rohr 50 weist eine Verzweigung in einen ersten Zweig 51 und einen zweiten Zweig 52 auf. Der erste Zweig 51 führt zum Hohlraum 71, der zweite Zweig 52 zu einer zentralen Düse 41 (siehe 3), welche nicht mit dem Hohlraum 71 kommuniziert. Im ersten Zweig ist ein Ventil 53, und im zweiten Zweig ist ein Ventil 54 vorgesehen. Mittels des Ventils 53 im ersten Zweig 51 ist die Gaszuführung zum Hohlraum 71, mittels des Ventils 54 im zweiten Zweig 52 ist die Gaszuführung zur zentralen Düse 41 regelbar. In der dargestellten Ausführungsform ist die zentrale Düse 41 in der Mitte des Reaktorbodens 12 angebracht. Eine Gasabführung 20 aus dem Reaktor umfasst in der dargestellten Ausführungsform ein Rohr 23.
  • 3 zeigt eine Draufsicht auf die Unterseite des erfindungsgemäßen Reaktorbodens 12. Die Wandung 70 ist aufgeschnitten dargestellt und zeigt die Düsen 40, die mit dem Hohlraum 71 kommunizieren. Wie bereits in der Beschreibung zu 2 erwähnt, ist bei der dargestellten Ausführungsform in der Mitte des Reaktorbodens 12 eine zentrale Düse 41 positioniert. Ferner sind in dieser Ausführungsform am Reaktorboden 12 noch die Halterungen 61 der Filamente 60 gezeigt, welche im Reaktorinneren 11 während des Prozesses zur Abscheidung des Siliziums aus der Gasphase dienen. In der gezeigten Ausführungsform weist der von der Wandung 70 und der Außenfläche 33 gebildete Hohlraum 71 die Form eines geschlossenen Ringes auf, ohne dass dies den Schutzbereich der Erfindung einschränkt. Die weiteren in dieser Darstellung mit Bezugszeichen versehenen Elemente wurden bereits unter 2 beschrieben.
  • 4 zeigt eine Seitenansicht des Reaktorbodens 12. Insbesondere sind die zentrale Düse 41 und mehrere der Düsen 40 dargestellt, für die die Verteilung des siliziumhaltigen Gases durch den von der Wandung 70 und der Außenfläche 33 des Reaktorbodens 12 begrenzten Hohlraum 71 gebildet wird. Die zentrale Düse 41, die in der dargestellten Ausführungsform im Zentrum des Reaktorbodens 12 angeordnet ist, erhält das siliziumhaltige Gas über den (hier nicht dargestellten) zweiten Zweig 52 (siehe 2). Die weiteren in dieser Darstellung mit Bezugszeichen versehenen Elemente wurden bereits unter 2 oder 3 beschrieben.
  • 5 zeigt eine Vergrößerung eines Ausschnitts von 4. Es ist insbesondere eine der Düsen 40 zu erkennen, welche die Zuführung des siliziumhaltigen Gases aus dem von der Wandung 70 und einer Außenfläche 33 des Reaktorbodens 12 begrenzten Hohlraum 71 in den Reaktorinnenraum 11 bilden. Bei der Gaszuführung zum Reaktorinnenraum 11 gelangt das siliziumhaltige Gas durch eine Düseneintrittsöffnung 42 in die Düse 40 und von dort über eine Düsenaustrittsöffnung 43 in den Reaktorinnenraum 11. Beim Durchtritt durch die Düse 40 ist das Gas durch die Düsenwandung 44 von einem in der dargestellten Ausführungsform in dem von der ersten Wand 31 und der zweiten Wand 32 begrenzten Zwischenraum 34 geführten Kühlmittel (beispielsweise Kühlwasser) getrennt. Die Wandung 70 ist mit der Außenfläche 33 des Reaktorbodens 12 durch eine Schweißnaht 80 gasdicht verbunden.
  • Die Erfindung wurde unter Bezugnahme auf bevorzugte Ausführungsformen beschrieben. Es ist für einen Fachmann jedoch selbstverständlich, dass konstruktive Änderungen und Abwandlungen durchgeführt werden können, ohne dabei den Schutzbereich der nachstehenden Ansprüche zu verlassen. Insbesondere wurde in den Zeichnungen der Hohlraum 71 als ringförmig mit halbkreisförmigem Querschnitt dargestellt. Dies stellt jedoch keinesfalls eine Beschränkung der Erfindung dar, auch andere Formen und Querschnitte sind denkbar, wie z. B. U-förmig mit rechteckigem Querschnitt.

Claims (10)

  1. Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silizium, mit einem Reaktorboden (12), der eine Vielzahl von Düsen (40) mit jeweils einer Düseneintrittsöffnung (42) und jeweils einer Düsenaustrittsöffnung (43) aufweist, die eine Zuführung für ein siliziumhaltiges Gas in den Reaktorinnenraum (11) bilden, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Wandung (70) derart geformt ist, dass sie zusammen mit einer Außenfläche (33) des Reaktorbodens (12) einen Hohlraum (71) begrenzt, welcher eine Verteilung des siliziumhaltigen Gases auf mindestens einen Teil der Düsen (40), mit dem er kommuniziert, bildet, wobei die Wandung (70) derart gasdicht am Reaktorboden (12) angebracht ist, dass mindestens eine Kontaktfläche des Hohlraums (71) mit der Außenfläche (33) des Reaktorbodens (12) auf einen echten Teilbereich der Außenfläche (33) des Reaktorbodens (12) beschränkt ist.
  2. Reaktor nach Anspruch 1, wobei der durch die Wandung (70) und die Außenfläche (33) des Reaktorbodens (12) begrenzte Hohlraum (71) mit allen Düsen (40) kommuniziert.
  3. Reaktor nach Anspruch 1, wobei eine Gaszuführung (50) zum Reaktorboden (12) einen ersten Zweig (51) und einen zweiten Zweig (52) ausbildet, wobei der erste Zweig (51) eine Gaszuleitung zu dem durch die Wandung (70) und die Außenfläche (33) des Reaktorbodens (12) begrenzten Hohlraum (71) bildet, und der zweite Zweig (52) eine Gaszuleitung zu einer zentralen Düse (41) bildet.
  4. Reaktor nach Anspruch 3, wobei wenigstens der erste Zweig (51) mindestens ein Ventil (53) oder wenigstens der zweite Zweig (52) mindestens ein Ventil (54) umfasst, durch welches der Strom des Gases in dem jeweiligen Zweig regelbar ist.
  5. Reaktor nach Anspruch 3 oder 4, wobei die Vielzahl der Düsen (40) um die zentrale Düse (41) herum gleichverteilt angeordnet sind.
  6. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der durch die Wandung (70) und die Außenfläche (33) des Reaktorbodens (12) begrenzte Hohlraum (71) die Form eines geschlossenen Ringes aufweist.
  7. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der durch die Wandung (70) und die Außenfläche (33) des Reaktorbodens (12) begrenzte Hohlraum (71) die Form eines offenen Ringes aufweist.
  8. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Wandung (70) derart ausgebildet ist, dass der durch die Wandung (70) und die Außenfläche (33) des Reaktorbodens (12) begrenzte Hohlraum (71) einen kreissegmentförmigen Querschnitt ausbildet.
  9. Reaktor nach Anspruch 8, wobei der kreissegmentförmige Querschnitt ein Halbkreis ist.
  10. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die Wandung (70) mit der Außenfläche (33) des Reaktorbodens (12) über mindestens eine durchgehende Schweißnaht (80) verbunden ist.
DE102009043950A 2009-09-04 2009-09-04 Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silizium Expired - Fee Related DE102009043950B4 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009043950A DE102009043950B4 (de) 2009-09-04 2009-09-04 Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silizium
PCT/EP2010/059514 WO2011026667A1 (de) 2009-09-04 2010-07-05 Reaktor zur herstellung von polykristallinem silizium
CN201080039358.5A CN102574689A (zh) 2009-09-04 2010-07-05 用于生产多晶硅的反应器
US12/871,914 US20110058988A1 (en) 2009-09-04 2010-08-31 Reactor for the Production of Polycrystalline Silicon

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009043950A DE102009043950B4 (de) 2009-09-04 2009-09-04 Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silizium

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102009043950A1 DE102009043950A1 (de) 2011-09-08
DE102009043950B4 true DE102009043950B4 (de) 2012-02-02

Family

ID=42711861

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102009043950A Expired - Fee Related DE102009043950B4 (de) 2009-09-04 2009-09-04 Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silizium

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20110058988A1 (de)
CN (1) CN102574689A (de)
DE (1) DE102009043950B4 (de)
WO (1) WO2011026667A1 (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102351193B (zh) * 2011-07-05 2013-01-02 天津大学 均匀取热式多晶硅还原炉底盘冷却结构
DE102013206236A1 (de) * 2013-04-09 2014-10-09 Wacker Chemie Ag Gasverteiler für Siemens-Reaktor
CN107115823B (zh) * 2017-06-22 2023-12-12 济川(上海)医学科技有限公司 一种一步制粒机
CN113912065A (zh) * 2021-12-02 2022-01-11 内蒙古新特硅材料有限公司 一种还原炉

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2558387A1 (de) * 1974-12-26 1976-07-08 Monsanto Co Verfahren und vorrichtung zur herstellung von polykristallinem silicium
US4179530A (en) * 1977-05-20 1979-12-18 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Process for the deposition of pure semiconductor material
DE2854707A1 (de) * 1978-12-18 1980-07-31 Wacker Chemitronic Vorrichtung und verfahren zur abscheidung von reinem halbleitermaterial, insbesondere silicium
DE2912661A1 (de) * 1979-03-30 1980-10-09 Wacker Chemitronic Verfahren zur abscheidung von reinem halbleitermaterial, insbesondere silicium und duese zur durchfuehrung des verfahrens
USRE36936E (en) * 1992-09-28 2000-10-31 Advanced Silicon Materials, Inc. Production of high-purity polycrystalline silicon rod for semiconductor applications
DE102005042753A1 (de) * 2005-09-08 2007-03-15 Wacker Chemie Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von granulatförmigem polykristallinem Silicium in einem Wirbelschichtreaktor
DE102009003368B3 (de) * 2009-01-22 2010-03-25 G+R Polysilicon Gmbh Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silizium nach dem Monosilan-Prozess

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US36936A (en) 1862-11-18 Improved steering apparatus
FR2633284B1 (fr) * 1988-06-24 1990-09-28 Inst Francais Du Petrole Procede catalytique de dimerisation, de codimerisation ou d'oligomerisation d'olefines avec utilisation d'un fluide autogene de thermoregulation
GB2271518B (en) * 1992-10-16 1996-09-25 Korea Res Inst Chem Tech Heating of fluidized bed reactor by microwave
JPH06127924A (ja) * 1992-10-16 1994-05-10 Tonen Chem Corp 多結晶シリコンの製造方法
DE4327308C2 (de) * 1992-10-16 1997-04-10 Korea Res Inst Chem Tech Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von polykristallinem Silizium
JPH06127926A (ja) * 1992-10-20 1994-05-10 Tonen Chem Corp 粒状多結晶シリコンの製造方法
JPH06191818A (ja) * 1992-12-22 1994-07-12 Tonen Chem Corp 多結晶シリコンの製造方法
EP1527816A1 (de) * 2003-11-03 2005-05-04 Methanol Casale S.A. Verfahren zur Durchführung von chemischen Reaktionen unter pseudo-isothermen Bedingungen.
US20080000624A1 (en) * 2005-01-12 2008-01-03 Keith Symonds Removable Heat Exchanger Inserts
EP1705445A1 (de) * 2005-03-04 2006-09-27 Methanol Casale S.A. Verfahren zum Herstellen von Plattenwärmetauschern und Gerät dafür.
EP1782883A1 (de) * 2005-11-08 2007-05-09 Methanol Casale S.A. Isothermer chemischer Reaktor

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2558387A1 (de) * 1974-12-26 1976-07-08 Monsanto Co Verfahren und vorrichtung zur herstellung von polykristallinem silicium
US4179530A (en) * 1977-05-20 1979-12-18 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Process for the deposition of pure semiconductor material
DE2854707A1 (de) * 1978-12-18 1980-07-31 Wacker Chemitronic Vorrichtung und verfahren zur abscheidung von reinem halbleitermaterial, insbesondere silicium
DE2912661A1 (de) * 1979-03-30 1980-10-09 Wacker Chemitronic Verfahren zur abscheidung von reinem halbleitermaterial, insbesondere silicium und duese zur durchfuehrung des verfahrens
USRE36936E (en) * 1992-09-28 2000-10-31 Advanced Silicon Materials, Inc. Production of high-purity polycrystalline silicon rod for semiconductor applications
DE102005042753A1 (de) * 2005-09-08 2007-03-15 Wacker Chemie Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von granulatförmigem polykristallinem Silicium in einem Wirbelschichtreaktor
DE102009003368B3 (de) * 2009-01-22 2010-03-25 G+R Polysilicon Gmbh Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silizium nach dem Monosilan-Prozess

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011026667A1 (de) 2011-03-10
DE102009043950A1 (de) 2011-09-08
US20110058988A1 (en) 2011-03-10
CN102574689A (zh) 2012-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2389340B1 (de) Reaktor zur herstellung von polykristallinem silizium nach dem monosilan-prozess
DE2808461C2 (de) Verfahren zur Herstellung von hochreinen Siliziumstäben mit gleichförmiger Querschnittsgestalt
DE2912661C2 (de) Verfahren zur Abscheidung von reinem Halbleitermaterial und Düse zur Durchführung des Verfahrens
DE19826590C2 (de) Brausekopf
DE102009043950B4 (de) Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silizium
DE112011102417T5 (de) Herstellung von polykristallinem Silizium
EP1223146A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Siliciumstabes
EP2994420B1 (de) Wirbelschichtreaktor und verfahren zur herstellung von granularem polysilicium
DE102008059408A1 (de) Verfahren und Vorrichtungen zur Herstellung von Reinstsilizium
DE102009043946A1 (de) Anlage und Verfahren zur Steuerung der Anlage für die Herstellung von polykristallinem Silizium
WO2011098420A1 (de) Gaseinlassorgan mit prallplattenanordnung
EP2794087B1 (de) Reaktor und verfahren zur herstellung von reinstsilizium
WO2011092276A1 (de) Elektrode für einen reaktor zur herstellung von polykristallinem silizium
DE102009043947B4 (de) Anlage zur Herstellung von polykristallinem Silizium mit Vorrichtung zum Ausleiten gasförmiger Messproben
DE3638031A1 (de) Feinverteiltes oxid und seine herstellung
DE102016114710A1 (de) Plattenwärmetauscher, Synthesevorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Produkts
EP2984035B1 (de) Gasverteiler für siemens-reaktor
EP2976297A1 (de) Verfahren zur abscheidung von polykristallinem silicium
EP3218097B1 (de) Verfahrn zur montage eines wirbelschichtreaktors zur herstellung von polykristallinem siliciumgranulat
CH630948A5 (de) Anlage zur russherstellung.
EP0090321A2 (de) Reaktor und Verfahren zur Herstellung von Halbleitersilicium
EP3009187B1 (de) Lichtbogenreaktor und verfahren zur herstellung von nanopartikeln
DE102014018471A1 (de) Kohlenwasserstoffkonverter mit einem Plasmabrenner und Verfahren zum Konvertieren von Kohlenwasserstoffen
EP3940041A1 (de) Reaktor zur überkritischen hydrothermalen vergasung von biomasse
DE102015102532A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Silizium

Legal Events

Date Code Title Description
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final

Effective date: 20120503

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20140401