DE2558387A1 - Verfahren und vorrichtung zur herstellung von polykristallinem silicium - Google Patents
Verfahren und vorrichtung zur herstellung von polykristallinem siliciumInfo
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Description
DR. BERG D I P L.-I N G. S T A P F DIPL.-ING. SCHWABE DR. DR. SANDMAIR
PATENTANWÄLTE 8 MÖNCHEN 80 · MAUERKIRCHERSTR. 45
Anwalts akte 26 5>89 0 3 HF7 1375
Be/Sch
Monsanto Company St. Louis, Missouri / USA
"Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von polykristallinem Silicium"
Diese Erfindung betrifft im allgemeinen die Herstellung von polykristallinem Silicium, insbesondere für Halbleiterzwecke,
und im besonderen Vorrichtungen und Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium durch Zersetzung
von Gemischen von Silanen oder Chlorsilanen und Wasserstoff.
19-21-O238A GW -2-
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Es werden zur Zeit viele Arten von integrierten elektronischen Schaltkreisen und getrennten Vorrichtungen, wie
Dioden und Transistoren, aus monokristallinem Siliciumhalbleitern extrem hoher Reinheit hergestellt- Ein derartiges
monokristallines Sxlicium wird durch die geeignete Umwandlung von polykristallinem Sxlicium extrem hoher Reinheit,
zum Beispiel durch Zonen-Raffinieren eines polykristallinen Siliciumstabes oder durch Czochralski-Ziehen
einer Schmelze von polykristallinen! Sxlicium hergestellt.
Nach dem Stand der Technik stellt man nach dem allgemein verwendeten technischen Verfahren polykristallines Sxlicium
mit Halbleiterqualität dadurch her, daß man ein Gemisch von Wasserstoff und Silanen oder Chlossilanen über dünne Stäbe
aus Sxlicium hoher Reinheit, die in einem geeigneten Reaktionsgefäß, wie in einer großen Quarzglocke, angebracht
sind, leitet. Die Stäbe erhitzt man mittels Stromdurchfluß und erhöht den Strom allmählich, um eine konstante Oberflächentemperatur
auch dann beizubehalten, v/enn die Stäbe als Folge der Ablagerung von Sxlicium auf der Oberfläche
im Durchmesser zunehmen.
Dieses Verfahren ist in typischer Weise in den U.S.-Patentschriften
2 854 318, 3 011 877, 3 142 584 und 3 146 beschrieben.
Die chemischen und thermodynamischen Grundsätze des Abbauverfahrens
nach dem Stand der Technik sind in den f olgen-
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den typischen Aufsätzen erörtert:
Chu, T. L. Research Report 8-1038-K18, 6.9.1957,
Westinghouse Research Labs, Pittsburgh, Penn.
Lever, R. G., IBM Journal 8, 460 (1964).
Theurer, H.C, Journal Electrochem Soc. 108, 649 (1961).
Steinmayer, W. Phillips Research Report 18, 75 (1963).
E. Sirtl, Semiconductor Silicon, 56, ed. R. R. Haberschel
und E. L. Kern, The Electrochemical Society, Inc.N.Y. (1968)
Hunt, L. P. und Sirtl, E. J. Electrochem. Soc. 119, No. 12,
1741 (1972).
Bawa, M.S., Goodman, R. C. und Truitt, J. K, "Chemical
Vapor Deposition - Fourth International Conference," ed. G. ]?. Wakefield und J. M. Blocher, Jr., The Elektrochemieal
Society (1973).
Im allgemeinen ist festzustellen, daß man bisher bei der Herstellung von polykristallinem Silicium mit einer für
die Halbleiterverwendung ausreichenden Reinheit davon ausgeht, daß das polykristalline Silicium auf einem Kieselsäurebzw.
Silicium-haltigen Material, vorzugsweise reinem Silicium, wachsen oder abgelagert werden muß und daß das
wirksamste Verfahren, dies zu erreichen, die Ablagerung des Silbiums auf einen dünnen Stab ist, den man durch Stromdurchfluß
erhitzt, um dadurch den Durchmesser des Stabes mit fortschreitender Ablagerung zu erhöhen.
Zu den Problemen, die diesem Verfahren nach dem Stand der Technik anhaften, gehören: Der Durchsatz bei bestehenden
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Systemen wird durch die relativ beschränkte Oberfläche, die dann zur Verfugung steht, wenn die Stäbe noch klein
sind, und durch die Neigung zur Ablagerung an der Quarzglocke beschränkt, wobei die letztere ohne irgendwelchen
brauchbaren Zweck oder Vorteil dann eintritt, wenn zu viel Silane dem Reaktionsgefäß zugeführt werden. Weiterhin ist
bei dem bisherigen Verfahren wegen der begrenzten wirksamen
Oberfläche der dünnen Stäbe die Ausbeute etwas geringer, als sie nach der thermodynamischen Theorie möglich wäre. Darüberhinaus
müssen die Ablagerungstemperaturen, unterhalb der Temperatur gehalten werden, die zur optimalen Ausbeute und
Geschwindigkeit erforderlich ist, um eine glatte Oberfläche auf dem Stab in dem Maße, wie die Ablagerung stattfindet,
aufrechtzuerhalten und um das Durch'schmelzen der Stäbe bei höheren Stromstärken zu vermeiden. Ein weiterer Nachteil
ist, daß die Verwendung von Dichlorsilan in dem bisherigen
Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium dadurch in wirksamer Weise ausgeschlossen ist,
weil diese sehr reaktionsfähige Verbindung dazu neigt, eine rauhe Ablagerung zu bilden und sich an der Quarzglocke abzulagern.
Ein weiterer Nachteil des bisherigen "Dünn-Stab"-Verfahrens
besteht darin, daß eine Kraftversorgung verwendet werden muß, die eine Steuerung über einen ziemlich
breiten Bereich von,Spannungen und Stromstärken ermöglicht, weil der Aufwuchs bei relativ niederen Stromstärken und
relativ hohen Spannungen eingeleitet wird, aber bei Fort-
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schreiten des Aufwuchsverfahrens allmählich, ein "Übergang
zu hohen Stromstärken und niederen Spannungen vorgenommen werden muß. Derartige KraftZuführungen und die
hierzu erforderlichen Steuer- und Überwachungssysteme sind
kompliziert und kostspielig. Darüberhinaus sind die bisher verwendeten großen Quarzglocken teuer und schadensanfällig.
Als Gegenstände der Erfindung sind verbesserte Vorrichtungen und Verfahren zu erwähnen
- durch die polykristallines Silicium hoher Reinheit zur Halbleiterverwendung hergestellt werden kann,
- durch die eine potentiell höhere Ausbeute und Geschwindigkeit bei einer gegebenen Reaktorgröße gegenüber dem
Stand der Technik erreicht werden kann,
- die Siliciumstäbe zur Ablagerung von Silicium weder fordern
noch verwenden,
- die ein Maximum an Ablagerungsoberfläche schaffen und
die Verwendung höherer Arbeitstemperaturen als bisher ermöglichen,
- die das zweckmäßigere Siliciumtetrachlorid verwenden und
die die Verwendung von Dichlorsilanen ermöglichen,
- die einfachere, weniger komplizierte und wirtschaftlichere Kraftzuführungen und die hierzu gehörigen Steuersysteme
ermöglichen und
Vorrichtungen ermöglichen, die relativ einfach und wirtschaftlich konstruiert sind, deren Haltung wirtschaftlich
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ist und die relativ nicht schadensanfällig sind.
Zusammenfassend besteht die Vorrichtung nach der vorliegenden Erfindung zur Herstellung von polykristallinem
Silicium hoher Reinheit in einem langen röhrenförmigen
Reaktionsgefäß, das an einem Ende Zuführung für Reaktionspartner aufweist, um das Innere des Reaktionsgefäßes mit
einem gasförmigen Strom von Silicium-enthaltenden Reaktionspartnern zu versorgen.Am anderen Ende ist ein Auslaß für
die Abgabe der verbrauchten Reaktionspartner vorgesehen.
Das Reaktionsgefäß weist eine innere Oberfläche zur Ablagerung von Silicium auf, die sich im wesentlichen über die
gesamte Länge des Reaktionsgefäßes erstreckt. Dieses letztere umfaßt ein nicht-siliciumhaltiges, kohlenstoffhaltiges,
nicht verunreinigendes Material. Eine Heizvorrichtung umgibt das Reaktionsgefäß, um die Ablagerungsfläche
auf eine Temperatur zu erhitzen, die ausreichend ist, polykristallines Silicium hoher Reinheit aus
den Reaktionspartnern auf der Oberfläche zu bilden. Vorzugsweise besteht die Ablagerungsoberfläche aus einer Graphitauskleidung,
die das Innere des Reaktionsgefäßes auskleidet. Weiterhin ist vorzugsweise das Reaktionsgefäß
aus einer Kohlenstoffröhre gebildet.
Das erfindungsgemäße Verfahren besteht darin, daß man zunächst
das Innere des Gefäßes mit einer Graphitauskleidung auskleidet, das Innere mit einem inerten Gas spült
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und dann die Ablagerungsoberfläche auf eine Temperatur erhitzt,
die zur Ablagerung von Siliciumdioxid ausreichend ist. Man führt dann eine Siliciumdioxid-bildende Zubereitung
in das Gefäß unter Bildung einer Siliciumdioxidschicht an der Ablagerungsoberfläche ein. Die Oberfläche erhitzt
man dann auf eine höhere Temperatur, die zur Bildung von Silicium ausreichend ist und man führt dann Silieium-bildende
Reaktionspartner unter Bildung einer Schicht von polykristallinem Silicium hoher Reinheit über der Siliciumdioxidschicht
ein. Danach kühlt man die Ablagerungsoberfläche, entfernt die Auskleidung und erhält das polykristalline
Silicium durch Abbrennen der Auskleidung in Luft. Das Silicium wird dann vorzugsweise zum Entfernen des SiIiciumdioxids
geätzt, gespült und getrocknet und als Klumpen zur weiteren Halbleiterverarbeitung, zum Beispiel durch
das Ozochralski-Ziehen, verpackt.
Weitere Gegenstände und Ausführungsformen der vorliegenden
Erfindung werden folgend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert, worin
Figur 1 eine schematische Darstellung eines Systems nach der vorliegenden Erfindung ist und die neue Vorrichtung
im Seitenschnitt erläutert, wobei diese teilweise aufgeschnitten ist, um die Innenstruktur der Vorrichtung zu
zeigen,
Figur 2 einen Querschnitt erßLang der Linie 2—2 von Figur
1 zeigt,
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Figur 3 eine Röhre, die das Reaktionsgefäß der Vorrichtung
bildet, in isometrischer Ansicht zeigt und eine Auskleidung der Röhre erläutert und
Figur 4 in Diagrammform die Stufen des Verfahrens der Erfindung
erläutert.
Unter Bezugnahme auf Figur 1, die das verwendete System
erläutert, ist die neue Vorrichtung allgemein mit der Bezugszahl 11 bezeichnet. Die bisherigen Vorrichtungen, in
denen die Herstellung von polykristallinem Silicium durchgeführt wird, werden häufig als "Dekomposer" (Abbau- oder
Spaltvorrichtungen) bezeichnet, obgleich dies, technisch genau genommen eine falsche Bezeichnung ist, da das polykristalline
Silicium typischerweise eher durch die Wasserst off reduktion von Silicium-enthaltenden Verbindungen als
durch thermisches Zersetzen gebildet wird. Insoweit als die Bezeichnung "Dekomposer" bei dem Fachmann als Gattungsbezeichnung gilt, kann sie ebenso für die Vorrichtung 11
angewendet werden.
Unter weiterer Bezugnahme auf die Figuren 2 und 3 umfaßt der Dekomposer 1 ein langes röhrenförmiges Gefäß, das allgemein
mit 13 bezeichnet wird, und das durch eine Kohlenstoff hülse oder Röhre 15 gebildet wird, die am unteren
Ende durch eine ebene horizontale Bodenplatte 17 abgeschlossen ist, die als Grundplatte für den gesamten Dekomposer
dient. Die Röhre 15, die als Zelle bezeichnet werden kann,
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ist am oberen Ende durch eine geeignete kreisrunde Metallplatte 19 geschlossen, die in der Mitte eine Ablaßleitung
21 aufweist, die mit einem Ablaßsystem für verbrauchte Reaktionspartner verbunden ist. Bei 23 ist eine Beschikkungsdüse
zur Zuführung der Reaktionspartner zu dem Inneren des Gefäßes 13 gezeigt. Die Düse 23 bildet den Einlaß
zur Zuführung eines gasförmigen Stroms von Silicium-enthaltenden
Reaktionspartnern zum Inneren des Gefäßes 13· Die verbrauchten Reaktionspartner werden durch den Auslaß
durch die Leitung 21 abgeführt.
Nach der Erfindung ist die Röhre 15 mit Graphit, vorzugsweise
in Form einer Graphitfolie (mit der Graphitoberfläche zu der Innenseite des Gefäßes 13) ausgekleidet, wobei
diese von der Union Garbide Corp. unter dem Warenzeichen "Grafoil" auf den Markt gebracht wird. Eine solche Auskleidung
ist mit 25 bezeichnet und reicht über die gesamte Länge der iCohlenstoffhülse 15. Eine geeignete Möglichkeit
zur Auskleidung der Hülse 15 mit der Auskleidung 25 besteht
darin, die Auskleidung auf einer geeigneten starren Form (Patrone) dadurch zu bilden, daß man eine Lage der
Graphitfolie um die Patrone bildet. Die Auskleidung kann dann von der Patrone abgezogen und in die Hülse 15 eingeschoben
werden. Eine oder zwei Ränder der Auskleidung können leicht über die Endkante der Hülse 15 hinausragen,
wenn die Auskleidung eingebracht ist und danach um die Kante, wie aus 27 in Figur 3 zu ersehen, gebogen wird.
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Die Auskleidung 25 enthält eine kohlenstoflfaaltige siliciumfreie,
nicht verunreinigende Innenoberfläche für das Gefäß 13, auf der sich das polykristalline Silicium bildet.
Auch die Kohlenstoffhülse 15 selbst ist ihrer Beschaffenheit nach kohlenstoffhaltig, siliciumfrei, nicht verunreinigend.
Es könnte also auch die Innenoberfläche der Hülse 15 zur unmittelbaren Ablagerung von Silicium verwendet
werden, jedoch ist es klar, daß das vorliegende Verfahren wesentlich vereinfacht wird und wirtschaftlicher ist,
wenn man die Auskleidung 25 verwendet.
Die Kohlen-Widerstand-Heizvorrichtung 27, die um die Hülse
15 angebracht ist, hat eine zylindrische Form, die mit Einschnitten versehen ist, wie dies bei 28 gezeigt ist. Die
Heizvorrichtung 27 hat daher die Formgebung eines "Stabgitters". Eine Heizvorrichtung dieser Bauart ist in der US-Patentschrift
3 359 077 beschrieben. Es können aber auch Heizvorrichtungen, die anders gebaut sind, verwendet werden.
Die Heizvorrichtung 27 ist mit einer Wechselstromleitung geringer Spannung über die isolierten Elektroden
29 und 31 verbunden, die sich durch die Grundplatte 17 erstrecken.
Der Wechselstrom wird über die Leitungen 33 won einem Transformator 35 zugeführt. Die Primär-Transformator
Wicklung ist mit einer handelsüblichen Stromquelle, zum Beispiel einem 440 Volt Wechselstrom, durch ein geeignetes
Meßgerät 47 zur Messung der der Heizvorrichtung zugeführten durchschnittlichen Leistung verbunden.
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Konzentrisch um die Heizvorrichtung 27 ist ein zylindrischer Wärmeschild 39 aus Quarz angebracht, um die radial
nach außen auftretenden Wärmeverluste zu verringern. Der Wärmeschild, die Heizvorrichtung 27 und das Gefäß 13 sind
vollständig und hermetisch eingeschlossen und konzentrisch umgeben von einem langen, sie einschließenden Behälter 41
aus einer doppelwandigen Stahlkonstruktion, der sich vertikal von der Bodenplatte 17 aus erstreckt. Eine Kühlwasser-Zuführung
4-3 und ein Kühlwasser-Auslaß 45 dienen dazu, in dem Zwischenraum 47 zwischen den Doppelwandungen des eingeschlossenen
Raums, d.h. der Hülle 41 zirkulieren zu lassen. Die Grundplatte 17 ist in ähnlicher Weise doppelwandig
gebaut und hat ebenso eine Wasserzuführung 49 und einen
Wasseraus3a3 51 für Kühl ζ wecke.
Um die Hülse 15 in die Vorrichtung zum Betrieb einzubringen,
trennt man die Hülle 41 von der Basisplatte 17 oder entsprechend einer Anordnung, die erfolgreich verwendet
wurde, bringt man in der Basisplatte einen Mittelteil an, den man herausnehmen kann. Pur diesen Zweck ist ein hydraulischer Zylinder geeignet. Wenn der Mittelteil (nicht
gezeigt) entfernt wird, kann man die Hülse 15 mit ihrer
Auskleidung 25 in die öffnung, die im Bodenmittelteil vorgesehen
ist, einbringen. Der Mittelteil wird dann durch hydraulische Zylinder gehoben, um die Hülse in ihre Stellung
zu bringen. Ein geeigneter Druckverschluß, der um den Mittelteil angebracht ist, schließt hermetisch ab.
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Die vorliegende Erfindung wird vorzugsweise entsprechend den aufeinander folgenden Stufen von Figur 3 durchgeführt.
Zuerst wird die Auskleidung 25 geformt entsprechend einer Form,wie vorausgehend beschrieben, und man führt dann die
Auskleidung in die Hülse 13 ein. Die Hülse wird dann in den Dekomposer, wie oben erläutert, eingebracht. Die Vorrichtung
wird dann auf Dichtheit geprüft und das Innere mit Argon gespült, wozu man ein Ventil 53 in der Silan- oder
SiCl^-Beschickungsleitung öffnet, die ein Ventil 55 und
einen Rota-Durchflußmesser 57 aufweist. Das Ventil 55
bleibt für diesen Zweck geschlossen. Zwei weitere Ventile 59 und 61, deren Zweck oben erläutert wurde, sind ebenso
geschlossen. Die Argon-Fließgeschwindigkeit wird durch den Durchflußmesser 63 gemessen und mittels einem Ventil 65 gesteuert.
Ein Ventil 67, das die Zuführung von Wasserstoff steuert, ist während der Argon-Spül- oder -Reinigungsstufe
geschlossen.
Es wird dann bevorzugt, eine Schicht von Siliciumdioxid auf der Oberfläche der Graphitfolienauskleidung 25 abzulagern.
Während dieser Ablagerung und der späteren Ablagerung wird ein Reinigungsgemisch von Wasserstoff und Stickstoff
in den ringförmigen Zwischenraum 68 zwischen der Heizvorrichtung 27 und der Innenwandung der Gefäßhülle 41
eingeführt. Die Fließgeschwindigkeit des Gas-Reinigungsgemische
wird mittels einem Durchflußmesser 69 gemessen und mittels der Ventile 71 und 73 gesteuert. Die Heizvor-
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richtung 27 bringt das Heizgefäß 13 auf eine Temperatur,
die zur Bildung von Siliciumdioxid ausreicht, vorzugsweise von etwa 700 bis 800°C. Das Siliciumdioxid wird dadurch
gebildet, daß man Argon über das Ventil 65 in einen Behälter 75 von flüssigem Tetraäthylsilikat einperlt, wodurch
man einen Tetraäthylsilikatdampf bildet, den man durch das Ventil 59 und über die Düse 23 in das Innere des
Gefäßes 13 leitet. Die organischen Teile dieser Verbindung unterliegen der Pyrrolyse unter Bildung einer Siliciumdioxidschicht
auf der Ablagerungsoberfläche der Auskleidung 25, deren Stärke vorzugsweise wenige/um beträgt.
Die Wärmezuführung wird dann weiter zu dem Wärmegefäß 13 auf eine Temperatur erhöht, die ausreichend zur Bildung
von Silicium ist, vorzugsweise auf eine Temperatur von etwa 1100 bis 12OO°C. Wasserstoff, gemischt mit einem oder
mehreren Silanen, zum Beispiel Trichlorsilcn und Dichlorsilan,
oder Siliciumtetrachlorid oder Gemischen von Silanen und Siliciumtetrachlorid führt man dann der Düse 23
unter Verwendung der Ventile 67, 55 und 53 zu, wobei die Geschwindigkeiten mit Hilfe der Durchflußmesser 57 und
gesteuert werden. Beispielsweise kann ein 15:1 Molargemisch von Wasserstoff und Trichlorsilan verwendet werden.
Unter diesen Bedingungen bildet sich allmählich auf der Auskleidung 25 eine Schicht von polykristallinem Silicium
von extrem hoher Reinheit, wobei diese Ausreichend ist, um in die Einzelkristallform für elektronische Halbleitervor-
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richtungen umgewandelt zu werden.
Man läßt dann das System abkühlen. Wenn die Temperatur ausreichend gesenkt ist, um eine Handhabung zu ermöglichen,
stellt man den bis dahin beibehaltenen Strom des Reinigungsgemische ab, öffnet die Einheit und entfernt die Hülse
15 aus dem Dekomposer.-
Die Graphitauskleidung 25 und das auf ihrer inneren Oberfläche
gebildete polykristalline Silicium trennt man dann zum Beispiel durch Ausbürsten des Graphits mit einer Drahtbürste
oder dadurch, daß man die Auskleidung mit dem darin befindlichen Silicium in einen elektrischen Ofen mit einer
Luft- oder Sauerstoff-enthaltenden Atmosphäre bei einer Temperatur, zum Beispiel 9OO°C, gibt, die ausreichend ist, die
Graphitfolie auszubrennen. Die Siliciumdioxidschicht erleichtert die Freigabe des Siliciums aus der Auskleidung
25 und dient weiterhin als Verunreinigungs-Diffusionssperre.
Das erhaltene polykristalline Silicium kann dann in Klumpen geeigneter Größe zerbrochen werden. Die Siliciumdioxidschicht
wird dann durch Ätzen der Klumpen in wäßriger Fluorwasserstoffsäure oder einem Gemisch dieser Säure mit
Salpetersäure entfernt. Danach werden die Klumpen gespült und getrocknet und in geeigneter Weise zur weiteren Verarbeitung
verpackt, zum Beispiel zum Sczochralski-Ziehen von Einzelkristall-"boules".
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Es ist hier darauf hinzuweisen, daß die Hülse 13 in sich
eine weitere Hülse oder Röhre aufweisen kann, um die wirksame Fläche zur Ablagerung von Silicium zu erhöhen, oder
um den Durchfluß des SiIicium-enthaltenden Beaktionspartnergemischs
nach der Ablagerungsoberfläche zu steuern. Es
ist darauf hinzuweisen, daß die Hülse 13 mit einem leichten Unterschied der Innendurchmesser am einen und anderen Ende
gebildet werden kann, um einen leichten Trichter zu bilden, der das Einbringen und Entfernen der Auskleidung 25 erleichtert.
Es sind verschiedene Hülsenformgabungen und
Querschnitte möglich.
Die nachfolgenden Beispiele erläutern die Erfindung.
In einer konisch ausgebildeten Kohlenstoffζeile mit einem
durchschnittlichen Innendurchmesser von 15»88 cm und einer
Gesamtlänge von 116,84 cm, die man so befestigt, daß 101,6 cm Länge von einer Heizvorrichtung umschlossen sind, bringt
man eine "Steigleitung" mit einem Durchmesser von 7,62 cm
und einer Länge von 91 »44- cm in einer solchen Weise an,
daß 20$ des Beschickungsstroms in das Zentrum der Steigleitung
und 80$ des Beschickungsstroms in den ringförmigen Zwischenraum zwischen der Steigleitung und der inneren
Zellwandung eingeführt werden. Eine Beschichtung von Siliciumdioxid
bringt nan auf der Ablagerungsoberfläche dadurch . an, daß man einen Strom von 35 SLPM Argon über eine Perl-
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vorrichtung für Si(OC2H1-)^, den man bei 23,3 bis 23,90C
hält, und dann in die Zelle leitet, die man 1,5 Stunden auf 700 bis 8000C erhitzt. Die Zelle erhitzt man dann auf
eine Temperatur, die man mit einem optischen Pyrometer (ungeeicht) beim Bodenteil der Zelle mit IO5O bis 1100°C
mißt, wobei jedoch angenommen wird, daß die Temperatur in dem heißeren Mittelteil etwa 12000C beträgt. Ein Beschikkungsstrom
aus 17 SLPM Trichlorsilan und 276 SLPM Wasserstoff
leitet man 38 Stunden durch die Zelle. Danach hat die Zelle ein Gesamtgewicht von 13»^ kg, wobei 8,0 kg an
den Zellwandungen und 5 »4 kg an den beiden Oberflächen
der Steigleitung abgelagert sind. Es entspricht dies einer AbIagerungsgeschwindigkeit von 350 g/Std. und einer SiIiciumausbeute
von 27#. Man entfernt die "Grafoil"-Graphitfolienaüskleidung
aus der Hülse mittels Bürsten mit einer Drahtbürste. Da sich Silicium sowohl an den inneren als
auch äußeren Oberflächen der Steigleitung befindet, war es notwendig, die Leitung in relativ kurze Stücke abzubrechen,
um davon die "Grafoil" (Graphitfolie) zu entfernen. Nachdem
man das gesamte Silicium von der Folie abgebürstet hat, entfernt man die Oxidbeschichtung durch Ätzen mit HF.
Nach nachfolgendem Spülen mit entionisiertem Wasser und
Isopropylalkohol trocknet man die Siliciumbrocken unter
Infrarotlampen und verpackt sie in Polyäthylen. Es wurden fünf Bewertungen der Czochralski-Kristalle vorgenommen, die
aus Beschickungen, die dieses Material enthielten, gezogen wurden und es wurde ihr Widerstand gemessen. Jedes der-
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artige Kristall wurde dann mittels einmaligem oder dreimaligem Durchlauf in der Vakuumzonenraffiniervorrichtung
bewertet und die nachfolgenden Widerstandsmessungen zeigten,
daß das Material 1 ppB Phosphor und 10 ppB Bor enthielt. Die bei 5 Czochralski-Kristallen. gemessenen Widerstände
ergaben "Netto"~Verunreinigungshöhen von 0,6 ppB
Phosphor und 8 ppB Bor. Das wesentliche Fehlen anderer Verunreinigungen in dem Silicium-Ansatzmaterial ergibt
sich aus der Tatsache, daß zwei der fünf Kristalle eine vollkommene Kristallstruktur bei dem ersten Versuch lieferten.
In weiteren ähnlichen Versuchen wurde die Graphitfolie
von dem Silicium durch Erhitzen auf 800 bis 900°C in Luft während mehrerer Stunden entfernt. Der Oxidfilm wurde dann
nach dem im Beispiel 1 beschriebenen Verfahren entfernt. Die Bewertung der Chargen, die aus dem Material gezogen
wurden, lieferten "Netto"-Verunreinigungen in dem 1-3
+
ppM-Bereich, typischerweise mit Phosphor als Hauptdopie-
ppM-Bereich, typischerweise mit Phosphor als Hauptdopie-
rungsmittel.
Die V/irksamkeit, der Nutzwert und die Brauchbarkeit der Erfindung sind den vorausgehenden Beispielen zu entnehmen,
sowie durch Vergleich der theoretisch möglichen Arbeitsbedingungen bei Verwendung der Erfindung im Vergleich zu
dem Stand der 'IDechnik.
+ -Peile pro Milliarde -18-
+ -Peile pro Milliarde -18-
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Die Gleichgewicht sr eakt ion, die dem Zerfall von Trichlorsilan
(TCS) zu Silicium zugrunde liegt, wird durch die Gleichung aufgezeigt:
SiHCL5 + H2 <z >
Si + 3 HCl (1),
wobei die Gleichgewichtskonstante durch die nachfolgende
Gleichung gegeben ist:
/HC173
Käq.
Eine bedeutende, den Zerfall begleitende Nebenreaktion ist die Reaktion von HCl, die in der Gleichung (1) mit nicht
umgesetztem TCS unter Bildung von Siliciumtetrachlorid erfolgt, d.h. nach der Gleichung
HCl + SiHCl5 < -» SiCl^ + H2 (2)
Unter den in den bisherigen Dekomposern verwendeten Bedingungen
werden etwa 20# des TCS nach der Gleichung (1) und etwa 4-0$ zu SiCl^ nach der Gleichung (2) abgebaut. Es
kann nunmehr Siliciumtetrachlorid ebenso zu Silicium in Gegenwart von Wasserstoff nach der folgenden Gleichung
4 + 2H2 < >
Si + 4HCl (3)
und der Gleichgewichtskonstanten
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abgebaut werden,wobei aber bei einer gegebenen Temperatur
Keq. für (5) viel geringer ist als Keq. für (1) und
eine höhere Temperatur oder ein höheres Hp/Si-Molverhältnis
erforderlich ist, um vernünftige Ausbeuten an Silicium aus SiCl. zu erzielen.
Die Dekomposer nach dem Stand der Technik arbeiten weit unter dem Gleichgewicht aus zwei Gründen: (1) Es kann eine
höhere Geschwindigkeit erreicht werden, wenn man schneller zuführt als die Verweilzeit zum Erreichen eines Gleichgewichts
Zeit benötigt und (£) die Ablagerung wird zunehmend
gröber in dem Maße wie die Ausbeute dem Gleichgewichtspunkt zu erhöht wird. In der Praxis werden die Siliciumstäbe, andenen
die Ablagerung durchgeführt wird, so rauh, daß sie an einigen Punkten durchschmelzen, wenn der Strom erhöht
wird, um die gleiche Nominaltemperatur beizubehalten. Andererseits ist die Ablagerungsgeschwindigkeit in einem Gefäß
gegebener Größe ultimativ durch die Neigung zur Ablagerung an der Quarzglocke, die die Stäbe umgibt, begrenzt.
Es kann nur eine minimale Ablagerungsmenge an der Glocke toleriert werden. Daraus ergeben sich klar die Vorteile
der Erfindung, die sich aus der Ablagerung auf einer kieselsäurefreien
Oberfläche gegenüber den dünnen Silieiumstäben ergeben, nämlich (1) Es steht eine maximale Ober^
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fläche von Beginn des Ablaufs an zur Verfugung, während
die Oberfläche bei Beginn mit dünnen Stäben begrenzt istj
(2) Weil ein Durchschmelzen nicht auftritt, ist eine höhere Arbeitstemperatur möglich, wodurch die Ausbeute aus der
Reaktion, sowie die Geschwindigkeit erhöht wird und (3) die höhere Arbeitstemperatur ermöglicht eine bessere Ausnutzung
von SiCl^,. Unter bestimmten Bedingungen ist nicht nur eine
wesentliche Siliciummenge aus SiGl2^ erhältlich, sondern es
wird auch TGS durch Umkehrung der Gleichung (2) gebildet. Diese kombinierten Faktoren ermöglichen eine Verringerung
der Kosten, da höhere Geschwindigkeiten bei einem gegebenen System und eine bessere Ausnützung der Rohmaterialien
gegeben sind.
Aus diesen Darstellungen ist zu ersehen, daß die verschiedenen Gegenstände der Erfindung erreicht und weitere Vorteile
erzielt werden.
Da verschiedene Änderungen gegenüber den oben angegebenen
Konstruktionen und Verfahren vorgenommen werden können, ohne von dem Erfindungsgedanken abzuweichen, ist darauf
hinzuweisen, daß alle in der vorausgehenden Beschreibung beschriebenen oder in den begleitenden Zeichnungen aufgezeichneten
Gegenstände der Erfindung ausschließlich der Erläuterung dienen, ohne den Erfindungsbereich einzuschränken.
Zusammenfassend umfaßt die vorliegende Erfindung eine Vor-
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richtung zur Herstellung von polykristallinen! Silicium
hoher Heinheit mit Halbleiterqualität, wozu man ein Gefäß mit einer nicht-siliciumhaltigen, nicht verunreinigenden Innenfläche verwendet. Dieses Gefäß beinhaltet einen Einlaß zur Zuführung eines Gasstroms für Silicium-bildende Reaktionspartner zu dem Inneren des Gefäßes, sowie einen Ablaß. Es sind Vorrichtungen vorgesehen, um die Oberfläche auf Reaktionstemperatur zu erhitzen, um die Bildung von Silicium an der Oberfläche zu ermöglichen. Das Gefäß ist vorzugsweise röhrenförmig und lang und kann aus Kohlenstoff sein. Nach einer Ausführungsform ist das Innere des Gefäßes mit einer nicht-siliciumhaltigen, kohlenstoffhaltigen, nicht verunreinigenden Innenauskleidung versehen, die eine Ablagerungsoberfläche bildet, wonach man auf eine Temperatur erhitzt, die zur Bildung von Silicium ausreichend ist, und einen Strom von Silicium-bildenden Reaktionspartnern einführt, wodurch sich polykristallines Silicium hoher Reinheit auf der Ablagerungsoberfläche bildet. Man kühlt dann die Oberfläche und entfernt die Schicht aus polykristallinem Silicium zur weiteren Verarbeitung.
hoher Heinheit mit Halbleiterqualität, wozu man ein Gefäß mit einer nicht-siliciumhaltigen, nicht verunreinigenden Innenfläche verwendet. Dieses Gefäß beinhaltet einen Einlaß zur Zuführung eines Gasstroms für Silicium-bildende Reaktionspartner zu dem Inneren des Gefäßes, sowie einen Ablaß. Es sind Vorrichtungen vorgesehen, um die Oberfläche auf Reaktionstemperatur zu erhitzen, um die Bildung von Silicium an der Oberfläche zu ermöglichen. Das Gefäß ist vorzugsweise röhrenförmig und lang und kann aus Kohlenstoff sein. Nach einer Ausführungsform ist das Innere des Gefäßes mit einer nicht-siliciumhaltigen, kohlenstoffhaltigen, nicht verunreinigenden Innenauskleidung versehen, die eine Ablagerungsoberfläche bildet, wonach man auf eine Temperatur erhitzt, die zur Bildung von Silicium ausreichend ist, und einen Strom von Silicium-bildenden Reaktionspartnern einführt, wodurch sich polykristallines Silicium hoher Reinheit auf der Ablagerungsoberfläche bildet. Man kühlt dann die Oberfläche und entfernt die Schicht aus polykristallinem Silicium zur weiteren Verarbeitung.
-Patentansprüche-
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Claims (10)
1. Vorrichtung zur Herstellung von polykristallinen! Silicium
hoher Reinheit, dadurch gekennzeichn e t , daß sie umfaßt ein Gefäß mit einer nicht-siliciumhaltigen,
nicht verunreinigenden Innenoberfläche, wobei das Gefäß einen Einlaß zur Zuführung eines Gasstroms von SiIicium-enthaltenden
Reaktionspartnern in das Gefäß und einen Abstromauslaß hat und Vorrichtungen zum Erhitzen der Oberfläche
auf eine Reaktionstemperatur, die ausreichend ist, polykristallines Silicium hoher Reinheit aus den Reaktionspartnern an der Oberfläche zu bilden.
2. Vorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch g e kennzeichnet
, daß die Innenoberfläche kohlenstoffhaltig ist.
3. Vorrichtung gemäß Anspruch 2, dadurch g e kennzeichnet
, daß die Innenoberfläche aus Kohlenstoff oder Graphit gebildet ist.
4. Vorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet
, daß sie umfaßt ein langgestrecktes röhrenförmiges Reaktionsgefäß, das am einen Ende einen
Einlaß, um dem Inneren des Gefäßes einen gasförmigen Strom von Silicium-enthaltenden Reaktionspartnern zuzuführen,
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und am anderen Ende einen Abgasauslaß aufweist, wobei das Gefäß eine nicht-siliciumhaltige, nicht verunreinigende
kohlenstoffhaltige Oberflächenauskleidung aufweist, und Mittel zum Erhitzen des Gefäßes und der Auskleidung auf
eine Reaktionstemperatur, um polykristallines Silicium
hoher Reinheit aus dem gasförmigen Reaktionspartner auf
der Auskleidung zu bilden.
5. Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium
hoher Reinheit, dadurch gekennzeichnet,
daß man ein Gefäß mit einer nicht-siliciumhaltigen, nicht verunreinigenden kohlenstoffhaltigen Innenoberfläche
verwendet, dieses Gefäß und die Innenoberfläche auf eine Temperatur erhitzt, die zur Bildung von Silicium ausreichend
ist, und einen Strom von Silicium-bildenden Reaktionspartnern in das Gefäß einführt zur Bildung von polykristallinem
Silicium hoher Reinheit aus den Reaktionspartnern an der nicht-siliciumhaltigen Innenoberfläche.
6. Verfahren gemäß Anspruch 5? dadurch gekennzeichnet,
daß man ein langgestrecktes Gefäß verwendet und daß man die Reaktionspartner in das
Gefäß an einem Ende einführt und die Abgaskomponenten der Reaktionspartner an dem anderen Ende des Gefößes, während
die Bildung von Silicium auf der nicht-siliciumhaltigen Innenoberfläche erfolgt, abzieht.
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7. Verfahren gemäß Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß man nach Erhitzen des Gefäßes und dessen Inneren, jedoch vor dem Einführen der
Silicium-bildenden Reaktionspartner, einen Strom einer SiIieiumdioxid-bildenden
Zubereitung in das Gefäß einführt, um zuerst eine Schicht von Siliciumdioxid auf der nicht-siliciumhaltigen
Innenoberfläche zu bilden.
8. Verfahren gemäß Anspruch 7> dadurch gekennzeichnet
, daß man als Siliciumdioxid-bildende Zubereitung Tetraäthylsilikat in Dampfform verwendet.
9· Verfahren gemäß Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet
, daß man als Silicium-bildende Reaktionspartner ein Gemisch von Wasserstoff und eine oder
mehrere Verbindungen, nämlich Silane und/oder Siliciumtetrachlorid verwendet.
10. Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium hoher Reinheit zur Halbleiterverwendung, dadurch gekennzeichnet, daß man
- ein langgestrecktes Gefäß verwendet, das zur Einführung eines Reaktionspartnerstromes an dem einen Ende und zur Abführung
der verbrauchten Reaktionspartner an dem anderen Ende geeignet ist,
- das Innere des Gefäßes mit einer nicht-siliciumhaltigen,
nicht verunreinigenden kohlenstoff-
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— eLj —
haltigen Innenauskleidung unter Bildung einer Ablagerungsoberfläche auskleidet,
- das Innere des Gefäßes mit einem inerten Gas spült,
- die Ablagerungsoberfläche auf eine Temperatur erhitzt, die zur Ablagerung von Siliciumdioxid geeignet ist,
- einen Strom einer Siliciumdioxid-bildenden Zubereitung in das Gefäß einführt, um eine Schicht von Siliciumdioxid
an der AbIagerungsoberflache zu bilden,
- die AbIagerungsoberflache auf eine Temperatur erhitzt,
die zur Bildung von Silicium ausreichend ist,
- einen Strom von Silicium-bildenden Eeaktiorispartiiern in
das Gefäß einführt, um eine Schicht von polykristallinem Silicium hoher Reinheit über der SiliciumdioxidSöhicht zu
bilden,
- die AbIagerungsoberflache kühlt und
- die Schicht von polykristallinem Silicium von dem Gefäß
zur weiteren Verarbeitung entfernt.
G09828/0656
Le e rs έi te
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US53669274A | 1974-12-26 | 1974-12-26 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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DE2558387A1 true DE2558387A1 (de) | 1976-07-08 |
Family
ID=24139526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE19752558387 Withdrawn DE2558387A1 (de) | 1974-12-26 | 1975-12-23 | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von polykristallinem silicium |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5189817A (de) |
BE (1) | BE837009A (de) |
DE (1) | DE2558387A1 (de) |
GB (1) | GB1532649A (de) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0045600A1 (de) * | 1980-07-28 | 1982-02-10 | Monsanto Company | Verfahren zur Herstellung von Silizium in Halbleiter-Qualität |
US6913049B2 (en) | 2001-02-16 | 2005-07-05 | Grenzebach-Bsh Gmbh | Veneer slicing machine |
DE102009003368B3 (de) * | 2009-01-22 | 2010-03-25 | G+R Polysilicon Gmbh | Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silizium nach dem Monosilan-Prozess |
WO2011026667A1 (de) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | G+R Technology Group Ag | Reaktor zur herstellung von polykristallinem silizium |
EP2423352A1 (de) * | 2010-08-24 | 2012-02-29 | Centesil S.L. | Wärmeschutzschild für Reaktoren bei der Herstellung von Silizium |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2179930A (en) * | 1985-09-06 | 1987-03-18 | Philips Electronic Associated | A method of depositing an epitaxial silicon layer |
DE102006037020A1 (de) * | 2006-08-08 | 2008-02-14 | Wacker Chemie Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von hochreinem polykristallinem Silicium mit reduziertem Dotierstoffgehalt |
CN101624724B (zh) * | 2008-08-22 | 2012-07-25 | 江西赛维Ldk光伏硅科技有限公司 | 多根多晶硅棒的取棒方法及其取棒装置和取棒装置组合件 |
DE102013200660A1 (de) | 2013-01-17 | 2014-07-17 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Abscheidung von polykristallinem Silicium |
KR20230110743A (ko) * | 2020-11-27 | 2023-07-25 | 가부시끼가이샤 도꾸야마 | 다결정 실리콘 로드, 다결정 실리콘 로드의 제조 방법 및 다결정 실리콘의 열처리 방법 |
-
1975
- 1975-12-23 GB GB5256275A patent/GB1532649A/en not_active Expired
- 1975-12-23 BE BE163054A patent/BE837009A/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-12-23 JP JP50152950A patent/JPS5189817A/ja active Pending
- 1975-12-23 DE DE19752558387 patent/DE2558387A1/de not_active Withdrawn
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0045600A1 (de) * | 1980-07-28 | 1982-02-10 | Monsanto Company | Verfahren zur Herstellung von Silizium in Halbleiter-Qualität |
US6913049B2 (en) | 2001-02-16 | 2005-07-05 | Grenzebach-Bsh Gmbh | Veneer slicing machine |
DE102009003368B3 (de) * | 2009-01-22 | 2010-03-25 | G+R Polysilicon Gmbh | Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silizium nach dem Monosilan-Prozess |
US8858894B2 (en) | 2009-01-22 | 2014-10-14 | Schmid Silicon Technology Gmbh | Reactor for producing polycrystalline silicon using the monosilane process |
WO2011026667A1 (de) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | G+R Technology Group Ag | Reaktor zur herstellung von polykristallinem silizium |
DE102009043950A1 (de) | 2009-09-04 | 2011-09-08 | G+R Technology Group Ag | Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silizium |
DE102009043950B4 (de) * | 2009-09-04 | 2012-02-02 | G+R Technology Group Ag | Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silizium |
EP2423352A1 (de) * | 2010-08-24 | 2012-02-29 | Centesil S.L. | Wärmeschutzschild für Reaktoren bei der Herstellung von Silizium |
WO2012025513A1 (en) * | 2010-08-24 | 2012-03-01 | Centesil S.L. | Thermal shield for silicon production reactors |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5189817A (de) | 1976-08-06 |
BE837009A (fr) | 1976-06-23 |
GB1532649A (en) | 1978-11-15 |
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Legal Events
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