DE3614793C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3614793C2 DE3614793C2 DE3614793A DE3614793A DE3614793C2 DE 3614793 C2 DE3614793 C2 DE 3614793C2 DE 3614793 A DE3614793 A DE 3614793A DE 3614793 A DE3614793 A DE 3614793A DE 3614793 C2 DE3614793 C2 DE 3614793C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layers
- layer
- effect transistor
- mos field
- field effect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 28
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 21
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 8
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 31
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 19
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 15
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ti] Chemical compound [Si].[Ti] UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)titanium Chemical compound [Si]=[Ti]=[Si] DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910021352 titanium disilicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02321—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer
- H01L21/02323—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer introduction of oxygen
- H01L21/02326—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer introduction of oxygen into a nitride layer, e.g. changing SiN to SiON
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
- H01L21/02186—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing titanium, e.g. TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76886—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
- H01L21/76889—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances by forming silicides of refractory metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4916—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a silicon layer, e.g. polysilicon doped with boron, phosphorus or nitrogen
- H01L29/4925—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a silicon layer, e.g. polysilicon doped with boron, phosphorus or nitrogen with a multiple layer structure, e.g. several silicon layers with different crystal structure or grain arrangement
- H01L29/4933—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a silicon layer, e.g. polysilicon doped with boron, phosphorus or nitrogen with a multiple layer structure, e.g. several silicon layers with different crystal structure or grain arrangement with a silicide layer contacting the silicon layer, e.g. Polycide gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66568—Lateral single gate silicon transistors
- H01L29/66575—Lateral single gate silicon transistors where the source and drain or source and drain extensions are self-aligned to the sides of the gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft
einen MOS-Feldeffekttransistor
(im folgenden als MOSFET bezeichnet),
nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1
sowie dessen Herstellung. Derartige MOSFETs finden
bei Höchstintegra
tion (VLSI) Verwendung.
Fig. 3 zeigt einen Querschnitt eines herkömmlichen MOSFET.
Zunächst wird die Struktur dieses Transistors beschrieben.
In der Figur ist eine vergleichsweise dicke Isolierschicht
2 für die gegenseitige Trennung der Bauelemente auf dem
Siliziumsubstrat 1 abschnittsweise ausgebildet. Diese Iso
lierschicht 2 besteht z. B. aus einer Silizumoxidschicht.
Die als Source- bzw. Drain-Gebiet dienenden Fremdatom-
Diffusionsschichten 15 a und 15 b sind räumlich getrennt von
einander auf dem Siliziumsubstrat 1 ausgebildet. Weiterhin
ist eine Fremdatomschicht 14 zur Schwellenspannungssteuerung
mittels Ionenimplantation zwischen den Fremdatom-Diffusions
schichten 15 a und 15 b auf dem Siliziumsubstrat 1 ausgebildet.
Eine verhältnismäßig dünne Isolierschicht 30 ist als Gate-
Isolierschicht auf dieser Fremdatomschicht 14 für die
Schwellenspannungssteuerung ausgebildet, wobei die Isolier
schicht z. B. eine Siliziumoxidschicht ist. Eine polykristalli
ne Siliziumschicht 40 als Gate-Elektrode wird z. B. durch das
CVD-Verfahren auf der Isolierschicht 30 gebildet, und diese
Poly-Siliziumschicht 40 ist von dem Siliziumsubstrat 1 durch
die Isolierschicht 30 isoliert. Schutzisolierschichten 11 a,
11 b und 11 c werden durch das CVD-Verfahren auf der Fremd
atom-Diffusionsschicht 15 a und der Poly-Siliziumschicht 40
bzw. auf der Fremdatom-Diffusionsschicht 15 b und der Poly-
Siliziumschicht 40 bzw. auf der Fremdatom-Diffusionsschicht
15 b und der Isolierschicht 2 gebildet. Kontaktlöcher 12 a
und 12 b werden abwechselnd durch Fotolithografie und Ätzung
in den Schutzisolierschichten 11 a und 11 b bzw. in den Schutz
isolierschichten 11 b und 11 c gebildet. Aluminiumlegierungs
schichten 13 a und 13 b für die Stromführung werden entspre
chend in den Kontaktlöchern 12 a und 12 b gebildet. Daher
besteht jeder MOSFET aus Source, Drain und Gate, und die
benachbarten Transistoren sind durch die Isolierschicht 2
elektrisch voneinander getrennt.
Der Ein- oder Aus-Zustand eines oben beschriebenen MOSFET
wird gesteuert durch die Bildung oder Nichtbildung eines
Kanals auf der Oberfläche des Siliziumsubstrats 1 unter
halb der Gate-Elektrode, indem die an die Gate-Elektrode
angelegte Spannung an die zwischen dem Source-Gebiet und
dem Drain-Gebiet angelegte Spannung angepaßt wird.
Nun kommt es etwa bei einem dynamischen MOS-RAM-Speicher
bauelement vor, daß, wenn die LSI-Schaltung eine höhere
Dichte und einen höheren Integrationsgrad bekommt, die
Größe der Bauelementstruktur nicht nur in horizontaler
Richtung, sondern auch in vertikaler Richtung reduziert
wird. Solche Reduzierungen bringen die folgenden Nach
teile und Probleme mit sich.
- 1. Entsprechend der abnehmenden Dicke und Breite der Leiterschichten und der zunehmenden Länge der Leitungen wird der Leitungswiderstand größer und verursacht eine Verschlechterung der elektrischen Signalübertragungseigenschaft eines Bauelementes.
- 2. Wie sich gezeigt hat, müssen zur Vermeidung des Kurz kanaleffektes die pn-Übergangszonentiefen von Fremdatom- Diffusionsschichten eines Bauelementes flacher werden, wenn aber die pn-Übergangszonentiefen flacher gemacht werden, so nimmt der Flächenwiderstand in einem herkömmlichen MOSFET zu, was die Verschlechterung der elektrischen Signal übertragungseigenschaften der Fremdatom-Diffusionsschich ten zur Folge hat. Daher bestand in einem herkömmlichen FET ein technisches Problem, weil bei der Lösung des einen Problemes das andere Problem entstand.
Der Stand der Technik, der das oben beschriebene techni
sche Dilemma vermeidet, wird dargestellt in "TITANIUM
DISILICIDE SELF-ALGINED SOURCE/DRAIN + GATE TECHNOLOGY"
IDEM 1982 von C. K. LAU et al. T. I. Dieser Artikel offen
bart ein Verfahren zur Bildung einer Titansilizidschicht
auf eine selbstregulierende Weise auf den Source- und
Draingebieten und auf der Gate-Elektrode eines MOSFETs,
wobei der Flächenwiderstand von Source und Drain er
niedrigt wird, ohne die pn-Übergangszonentiefe zu ver
größern. Bei diesem Stand der Technik wird jedoch die
zur Bildung der Titansilizidschicht benutzte Titan
schicht später beseitigt. Daher stehen nach der Bildung
der Siliziumoxidschichten (11 a-11 c in Fig. 3) als
Schutzisolierschichten die Titansilizidschicht direkt
mit den Siliziumoxidschichten in Verbindung.
Aus einer Veröffentlichung in der US-Zeitschrift IEEE
Transactions on Electron Devices, Vol. ED-32, Februar
1985, Seiten 141-149 ist ein Verfahren zur Herstellung
eines MOS-Feldeffekttransistors bekannt, der ein Halblei
tersiliziumsubstrat aufweist, in dem die Source- bzw.
Drain-Gebiete darstellende Fremdatomdiffusionsschichten
vorgesehen sind. Auf dem Halbleitersubstrat ist eine
Gate-Isolierschicht aufgebracht, auf der eine Gate-Elek
trode aus polykristallinem Silizium angebracht ist. Zur
Isolation der Gate-Elektrode von den Fremdatomdiffusions
schichten sind Seitenwände vorgesehen, die an den Seiten
der Gate-Elektrode gebildet sind und in Kontakt mit der
Gate-Elektrode und den Fremdatomdiffusionsschichten ste
hen. Auf den Fremdatomdiffusionsschichten und der Gate-
Elektrode sind Metallsilizidschichten aufgebracht, und
weiterhin sind Schutzisolierschichten vorgesehen.
Wenn ein derartiger MOS-Feldeffekttransistor einer Hitzebehandlung ausgesetzt
wird, so besteht die Gefahr, daß die Metallsilizidschicht
mit den Isolierschichten reagiert und die Metallsilizid
schicht verschlechtert wird.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen
MOS-Feldeffekttransistor zu schaffen, bei dem eine Reak
tion der beiden Schichten miteinander verhindert wird und
eine Verschlechterung der Eigenschaften der Metallsilizidschicht
vermieden wird.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe bei dem MOS-Feldeffekt
transistor der eingangs genannten Art durch die im kenn
zeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merk
male gelöst. Bei einem Verfahren zur Herstellung des MOS-
Feldeffekttransistors wird die Aufgabe durch die im kenn
zeichnenden Teil des Patentanspruchs 11 angegebenen Merk
male gelöst.
In der oben beschriebenen Struktur verhindern die Metall
oxidschichten die Reaktion der Metallsizilidschichten und
der Schutzisolationsschichten während der Hitzebehandlung.
Daher hat der MOS-Feldeffekttransistor gemäß der Erfindung
einen überlegenen elektrischen Isolations
eigenschaft zwischen der Gate-Elektrode und den Source/
Drain-Fremdatom-Diffusionsschichten, niedrigem Flächen
widerstand sowohl in der Gate-Elektrode als auch in den
Source/Drain-Fremdatom-Diffusionsschichten, gute Be
ständigkeit gegen Hitzebehandlung und Fremdatom-
Diffusionsschichten mit flacher pn-Übergangszonentiefe.
Ein Ausführungsbeispiel
wird anhand der Figuren beschrieben. Von den Figuren zeigt
Fig. 1 einen Querschnitt eines MOS-Feldeffekttransistors
gemäß einer Ausführungsform
dieser Erfindung;
Fig. 2A-2H Querschnitte eines Chips in entsprechen
den Hauptverfahrensschritten, in denen
das Verfahren zur Herstellung eines
MOS-Feldeffekttransistors gemäß einer Ausführung
der Erfindung beschrieben wird; und
Fig. 3 einen Querschnitt eines herkömmlichen
MOSFETs.
In der Ausführungsform der Fig. 1 sind an den Seiten einer
die Gate-Elektrode darstellenden Polysiliziumschicht 40
Seitenwände 5 a und 5 b gebildet zur Isolation der Polysili
ziumschicht von den die Source- und Drain-Gebiete darstellen
den Fremdatom-Diffusionsschichten 9 a und 9 b. Auf der Fremd
atom-Diffusionsschicht 9 a ist eine Titansilizidschicht 7 a
gebildet, auf der Polysiliziumschicht 40 ist eine Titan
silizidschicht 7 c gebildet und auf der Fremdatom-Diffusions
schicht 9 b ist eine Titansilizidschicht 7 b gebildet. Weiter
hin sind auf der Titansilizidschicht 7 a, der Seitenwand 5 a
und der Titansilizidschicht 7 c, auf der Titansilizidschicht
7 b, der Seitenwand 5 b, der Titansilizidschicht 7 c, der
Titansilizidschicht 7 b und einer verhältnismäßig dicken
Isolierschicht zwei Titanoxidschichten 10 a, 10 b und 10 c
gebildet. Im übrigen ist die Struktur dieser Ausführung
die gleich wie die von Fig. 3 und die entsprechenden
Teile sind mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet.
Wie in den Fig. 2A-2H gezeigt, wird zuerst auf der
nach oben gerichteten Oberfläche des Siliziumsubstrates 1
teilweise eine verhältnismäßig dicke Isolierschicht 2,
z. B. eine Siliziumoxidschicht, zur gegenseitigen Trennung
der Bauelemente gebildet (Fig. 2A).
Dann wird durch das Einbringen von Fremdatomen in das
Siliziumsubstrat 1, z. B. durch Ionenimplantation, eine
Fremdatomschicht 14 zur Schwellenspannungssteuerung ge
bildet, dann wird auf dem Siliziumsubstrat 1 eine ver
hältnismäßig dünne Isolierschicht 3, die später eine
Gate-Isolierschicht darstellen wird, gebildet und wei
terhin wird auf der dicken Isolierschicht 2 und der
dünnen Isolierschicht 3 z. B. mit dem CVD-Verfahren eine
Polysiliziumschicht 4 gebildet. Die Polysiliziumschicht
4 enthält Fremdatome wie etwa Phosphor vermittelt z. B. durch
das thermische Diffusionsverfahren während oder nach
der Bildung der Schicht (Fig. 2B).
Dann wird die die Gate-Isolierschicht darstellende dünne
Isolierschicht 30 und die die Gate-Elektrode darstellen
de Polysiliziumschicht 40 gebildet durch Bemusterung der
Polysiliziumschicht 4 und der dünnen Isolierschicht 3
mit einem gewünschten Muster mittels Photolithographie
und Ätzung, und danach wird auf der dicken Isolierschicht
2, dem Siliziumsubstrat 1 und der Polysiliziumschicht 40
durch das CVD-Verfahren, durch Kathodenzerstäubung usw.
eine Isolierschicht 5, z. B. eine Siliziumoxidschicht, ge
bildet (Fig. 2C).
Als nächstes werden die sogenannten Seitenwände 5 a und 5 b
gebildet durch
anisotropes Ätzen der Isolierschicht 5, wobei Teile von
ihr an dem durch die Polysiliziumschicht 40 und das
Siliziumsubstrat 1 gebildeten hervorstehenden Teil be
lassen werden (Fig. 2D).
Dann wird durch Kathodenzerstäubung usw. auf der dicken
Isolierschicht 2, auf der nach oben zeigenden Oberfläche
des Siliziumsubstrates 1, den Seitenwänden 5 a und 5 b und
auf der Polysiliziumschicht 40 eine Titanschicht 6
gebildet (Fig. 2E).
Dann werden auf dem Siliziumsubstrat 1 und auf dem Poly
siliziumfilm 40 Titansilizidfilme 7 a, 7 b und 7 c gebildet,
und auf diesen Titansilizidschichten 7 a, 7 b und 7 c wird
durch eine Hitzebehandlung der Titanschicht 6 in einer
N2-Atmosphäre eine verhältnismäßig dünne Titannitrid
schicht 8 gebildet. Auf diese Weise werden nach der Um
wandlung der Titanschicht 6 auf der dicken Isolierschicht
2 und den Seitenwänden 5 a und 5 b in eine Titannitrid
schicht 8 durch Eingabe von Fremdatomen in das Silizium
substrat 1 beispielsweise durch Ionenimplantation und
die nachfolgende Hitzebehandlung die Source- und Drain-
Gebiete darstellenden Fremdatom-Diffusionsschichten 9 a
und 9 b gebildet (Fig. 2F). Inzwischen können die Fremd
atom-Diffusionsschichten 9 a und 9 b gebildet werden vor
der Bildung der Titanschicht 6. Sie können beispielswei
se zusammen mit der Fremdatomschicht 14 im Schritt der
Fig. 2B oder im Schritt der Fig. 2D gebildet werden.
Durch die Hitzebehandlung in einer O2-Atmosphäre wird
dann die Titannitridschicht 8 umgewandelt in eine Titan
oxidschicht 10, dann wird auf der Titanoxidschicht 10
beispielsweise durch das CVD-Verfahren eine Schutziso
lierschicht 11 gebildet (Fig. 2G).
Als nächstes werden durch Photolithographie und Ätzung
in den gewünschten Teilen der Schutzisolierschicht 11
und der Titanoxidschicht 10 Kontaktlöcher 12 a und 12 b
gebildet, dann werden in den Kontaktlöchern 12 a und 12 b
mittels dem Kathodenzerstäuberverfahren usw. Leiter
schichten, beispielsweise Aluminiumlegierungsschichten
13 a und 13 b, gebildet (Fig. 2H).
In dem in Fig. 2F gezeigten Schritt erfolgt die Umwand
lung der Titanschicht 6 in die Titansilizidschichten auf
der nach oben gerichteten Oberfläche des Siliziumsubstrates
1 und der Polysiliziumschicht 40 auf selbstregulierende
Weise, d. h. die Titansilizidschichten 7 a, 7 b und 7 c werden
nur auf den beschichteten Teilen des Siliziumsubstrates 1
(den direkt mit der Titanschicht 6 in Verbindung stehen
den Teilen) und der die Gate-Elektrode darstellenden Poly
siliziumschicht 40 gebildet.
Bei diesem Schritt ist wichtig, daß wegen der gegenseiti
gen Trennung der Bauelemente auf der dicken Isolierschicht
2 und wegen der Trennung zwischen dem Gate und Source/Drain
auf den Seitenwänden kein Silizid gebildet wird und daß
genügend Silizid auf die beschichteten Teile des Silizium
substrates 1 und der Polysiliziumschicht 40 gegeben wird.
Da die Silizide der Metalle mit hohem Schmelzpunkt, außer
den Edelmetallen, gebildet werden durch die das Maß fest
legende Diffusionsreaktion der Si-Atome, so diffundieren
die Si-Atome aus dem Siliziumsubstrat 1 und der Poly
siliziumschicht 40 in die sich auf der dicken Isolier
schicht 2 und den Seitenwänden 5 a und 5 b befindende und
noch nicht reagiert habende Titanschicht 6, wenn eine
thermische Reaktion zur Silizidherstellung in einer
Atmosphäre eines inaktiven Gases (wie etwa Ar) für
einen langen Zeitraum bei einer hohen Temperatur erfolgt.
Um die oben beschriebene Situation zu vermeiden, ist eine
strenge Überwachung der Zeit und der Temperatur der
thermischen Reaktion gefordert, aber dies ist sehr
schwierig. Wie gezeigt, ändert sich bei dieser Ausführung
bei der Hitzebehandlung in einer N2-Atmosphäre die Ti
tanschicht 6 auf der dicken Isolierschicht 2 und auf den
Seitenwänden 5 a und 5 b schnell in Titannitrid.
Das heißt, daß bei dieser Ausführung die Titan
schicht 6 auf der dicken Isolierschicht 2 und auf den Sei
tenwänden 5 a und 5 b bereits Titannitrid geworden ist zu
dem Zeitpunkt, wenn die Si-Atome hineindiffundieren, um
Titansilizid zu bilden. Da das Titannitrid keine Silizium
verbindungen eingehen kann, weist die Titanschicht 6 auf
der Isolierschicht 2 und auf den Seitenwänden 5 a und 5 b
keine Siliziumverbindungen auf.
Wenn die 100 nm dicke Titanschicht 6 auf dem Silizium
substrat 1 und auf der Polysiliziumschicht 40 in einer
N2-Atmosphäre bei 700°C behandelt wird, dann wird die
Bildung einer dünnen Titannitridschicht 8 von ungefähr
20 nm auf deren Oberfläche und die Bildung von Titan
silizidschichten 7 a, 7 b und 7 c (zusammengesetzt aus
TiSi2) von ungefähr 200 nm unterhalb der Titannitrid
schicht 8 durch die RBS-Analyse erkannt. Da jedoch die
Titannitridschicht 8 ein Leiter ist, entstehen zwischen
dem Gate und Source ein Drain und zwischen benachbarten
Transistoren Kurzschlüsse, so daß die Titannitridschicht
8 in eine Titanoxidschicht 10, welche ein Isolator ist,
durch Hitzebehandlung in einer O2 enthaltenden Atmosphäre
umgewandelt wird. Daher werden schließlich Titansilizidschichten
7 a, 7 b und 7 c von ungefähr 200 nm Dicke auf dem Silizium
substrat 1 und der Polysiliziumschicht 40 gebildet, darauf
wird eine Titanoxidschicht 10 von ungefähr 20 nm gebildet,
während eine Titanoxidschicht 10 von ungefähr 100 nm auf
der dicken Isolierschicht 2 und auf den Seitenwänden 5 a
und 5 b gebildet wird. Bei dieser Ausbildung weisen die
aus einer Siliziumverbindung bestehende Gate-Elektrode
und die Source- und Drain-Gebiete einen Flächenwiderstand
von ungefähr 1 Ω pro Quadrat auf.
Bei dieser Ausführung sind die Titanoxidschichten 10 a, 10 b
und 10 c auf den Titansilizidschichten 7 a, 7 b und 7 c ge
bildet, die Schutzisolierschichten 11 a, 11 b und 11 c
sind auf den Titanoxidschichten gebildet, wobei im
allgemeinen das Material der Schutzisolierschichten
in den meisten Fällen eine Siliziumoxidschicht ist.
Wenn die Hitzebehandlung mit Titansilizidschichten
erfolgt, die in Kontakt mit der Siliziumoxidschicht
ist, so kann eine gegenseitige Reaktion auftreten,
welche die Verschlechterung der Eigenschaften der Titan
silizidschicht bewirkt. Bei dieser Ausführung jedoch
sind die Titansilizidschichten 7 a, 7 b und 7 c sehr
stabil, wenn die Titanoxidschichten 10 a, 10 b und
10 c zwischen den Titansilizidschichten 7 a, 7 b und 7 c
und den Schutzisolierschichten 11 a, 11 b und 11 c ge
bildet werden. Wenn aber die Oxidationszeit für die
Umwandlung der Titannitridschicht 8 in die Titanoxid
schicht 10 zu lange ist, dann werden auch die unter
halb angeordneten Titansilizidschichten 7 a, 7 b und
7 c mit oxidiert. Wenn dabei die Oxidation bei einer
Temperatur unterhalb von 800°C erfolgt, dann wird
das Titansilizid umgewandelt in Titanoxid, was
nicht gewünscht ist, weil es den Flächenwiderstand
der Titansilizidschichten 7 a, 7 b und 7 c erhöht. Des
halb sollte die Oxidation bei einer höheren Tempera
tur als 800°C erfolgen und dann wird nicht Titan,
sondern nur Silizium in den Titansiliziumschichten
7 a, 7 b und 7 c oxidiert, um Siliziumschichten auf
diesen Titansilizidschichten zu bilden. Dabei
ist der Widerstand des Titansilizids bestimmt durch
Titan; die Oxidation des Siliziums stellt daher kein
Problem dar und der Flächenwiderstand der Titansili
zidschichten 7 a, 7 b und 7 c wird nicht höher.
Der Flächenwiderstand der Source- und Drain-Gebiete
kann durch die Titansilizidschichten 7 a, 7 b und 7 c
erniedrigt werden, so daß die pn-Übergangszonentiefe der
Fremdatom-Diffusionsschichten 9 a und 9 b kleiner ge
macht werden kann und dadurch die Reduzierung der
Größe der Bauelementstruktur in vertikaler Richtung
ermöglicht wird, wenn der Integrationsgrad zunimmt.
Obwohl in der obigen Ausführung als Metallsilizidschicht
eine Titansilizidschicht Verwendung findet, so kann die
Metallsilizidschicht auch eine Silizidschicht eines aus
einer aus V, Zr, Nb, Hf und Ta bestehenden Gruppe be
liebig ausgewählten Elementes sein, um den gleichen wie
den oben beschriebenen Effekt zu erhalten.
Obwohl in dieser Ausführung als Leiterschicht des Kon
taktloches eine Aluminiumlegierungsschicht Verwendung
findet, so kann die Leiterschicht auch eine Mo-Schicht,
eine W-Schicht oder eine Siliziumschicht eines Elementes
oder Schichten zweier Elemente sein, die beliebig aus
der Gruppe, die aus Mo, W, Ta, Ti, V, Zr, Nb, Hf und
Cr besteht, ausgewählt werden, oder es kann ein
aus der aus TiW, TiN und TaN bestehenden Gruppe
beliebig ausgewählten Elementes sein, oder es kann eine
Vielfachschicht einer beliebigen Kombination von
Aluminiumlegierungsschichten und diesen Schichten sein.
In jedem dieser Fälle kann der gleiche wie der oben be
schriebene Effekt erhalten werden.
Claims (15)
1. MOS-Feldeffekttransistor, mit
- - einem Halbleitersiliziumsubstrat (1),
- - in dem Halbleitersiliziumsubstrat gebildeten, die Source- bzw. Draingebiete darstellenden Fremdatom-Diffusionsschich ten (9 a, 9 b),
- - einer auf dem Halbleitersubstrat gebildeten Gate-Isolier schicht (30),
- - einer auf der Gate-Isolierschicht aus polykristallinem Silizium gebildeten Gate-Elektrode (40),
- - Seitenwänden (5 a, 5 b), welche zur Isolation der Gate-Elek trode von den Fremdatom-Diffusionsschichten dienen und wel che an den Seiten der Gate-Elektrode gebildet sind und in Kontakt mit der Gate-Elektrode und den Fremdatom-Diffusions schichten stehen,
- - Metallsilizidschichten (7 a, 7 b, 7 c), welche auf den Fremd atom-Diffusionsschichten und der Gate-Elektrode gebildet sind, und
- - Schutzisolierschichten (11 a, 11 b, 11 c),
gekennzeichnet durch Metalloxidschichten (10 a, 10 b, 10 c), wel
che auf den Metallsilizidschichten und den Seitenwänden ange
ordnet sind und aus dem Oxid des Metalls, das in den Metall
silizidschichten enthalten ist, bestehen.
2. MOS-Feldeffekttransistor gemäß Anspruch 1,
gekennzeichnet durch Kontaktlöcher (12 a, 12 b), welche durch
die Schutzisolierschichten und die Metalloxidschichten hindurch
gebildet sind, und durch Leiterschichten (13 a, 13 b), welche
in den Kontaktlöchern gebildet sind und mit den Metallsilizid
schichten elektrisch verbunden sind.
3. MOS-Feldeffekttransistor gemäß Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Metallsilizidschichten Sili
zidschichten eines aus der aus Ti,V, Zr, Nb, Hf und Ta beste
henden Gruppe ausgewählten Elementes sind.
4. MOS-Feldeffekttransistor gemäß Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Metalloxidschichten Oxidschich
ten eines aus der aus Ti, V, Zr, Nb, Hf und Ta bestehenden
Gruppe ausgewählten Elementes sind.
5. MOS-Feldeffekttransistor gemäß Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterschichten Mo-Schichten
sind.
6. MOS-Feldeffekttransistor gemäß Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterschichten W-Schichten
sind.
7. MOS-Feldeffekttransistor gemäß Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterschichten Silizidschich
ten eines aus der aus Mo, W, Ta, Ti, V, Zr, Nb, Hf und Cr be
stehenden Gruppe ausgewählten Elementes sind.
8. MOS-Feldeffekttransistor gemäß Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterschichten Silizidschich
ten von zwei aus der aus MO, W, Ta, Ti, V, Zr, Nb, Hf und Cr
bestehenden Gruppe ausgewählten Elementen sind.
9. MOS-Feldeffekttransistor gemäß Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterschichten Schichten eines
aus der aus TiW, TiN, TaN und Al-Legierung bestehenden Gruppe
ausgewählten Elementes sind.
10. MOS-Feldeffekttransistor gemäß Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterschichten Vielfachschich
ten einer Kombination von Mo-Schichten, W-Schichten und Sili
zidschichten eines aus der aus Mo, W, Ta, Ti, V, Zr, Nb, Hf
und Cr bestehenden Gruppe ausgewählten Elementes, Silizid
schichten von zwei aus der aus Mo, W, Ta, Ti, V, Zr, Nb, Hf
und Cr bestehenden Gruppe ausgewählten Elementen und Schichten
eines aus der aus TiW, TiN, TaN und Al-Legierung bestehenden
Gruppe ausgewählten Elementes sind.
11. Verfahren zur Herstellung eines MOS-Feldeffekttransistors
gemäß Anspruch 1 mit folgenden Verfahrensschritten:
- - einen ersten Schritt zur Ausbildung von wenigstens der Gate- Isolierschicht (30), der Gate-Elektrode (40) und den Sei tenwänden auf dem Halbleitersiliziumsubstrat;
- - einen zweiten Schritt zur Ausbildung einer Metallschicht (6) auf dem Halbleitersiliziumsubstrat, der Gate-Elektrode und den Seitenwänden;
- - einen dritten Schritt zur Umwandlung der Metallschicht in eine Metallnitridschicht (8) mittels einer Hitzebehandlung der Metallschicht in einer Stickstoffatmosphäre, während der die Metallsilizidschichten auf selbstregulierende Weise gebildet werden;
gekennzeichnet durch
- - einen vierten Schritt der Umwandlung der Metallnitridschicht in die Metalloxidschicht mittels einer Hitzebehandlung der Metallnitridschicht in einer Sauerstoffatmosphäre; und durch
- - einen fünften Schritt der Bildung der Schutzisolierschichten auf der Metalloxidschicht;
wobei die Fremdatom-Diffusionsschichten während des ersten
Schrittes oder nach der Beendigung des dritten Schrittes ge
bildet werden.
12. Verfahren zur Herstellung eines MOS-Feldeffekttransistors
gemäß Anspruch 11,
gekennzeichnet durch einen sechsten Schritt der Bildung von
Kontaktlöchern (12 a, 12 b) durch die Schutzisolierschichten und
die Metalloxidschichten hindurch und Herstellen von Leiter
schichten, die mit den Metallsilizidschichten elektrisch ver
bunden sind.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60112606A JPS61270870A (ja) | 1985-05-25 | 1985-05-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3614793A1 DE3614793A1 (de) | 1986-11-27 |
DE3614793C2 true DE3614793C2 (de) | 1989-01-26 |
Family
ID=14590935
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19863614793 Granted DE3614793A1 (de) | 1985-05-25 | 1986-05-02 | Halbleiterbauelement und dessen herstellung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61270870A (de) |
KR (1) | KR890004464B1 (de) |
DE (1) | DE3614793A1 (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63221647A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5034348A (en) * | 1990-08-16 | 1991-07-23 | International Business Machines Corp. | Process for forming refractory metal silicide layers of different thicknesses in an integrated circuit |
JP2940880B2 (ja) * | 1990-10-09 | 1999-08-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US5229325A (en) * | 1991-01-31 | 1993-07-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for forming metal wirings of semiconductor device |
KR930006128B1 (ko) * | 1991-01-31 | 1993-07-07 | 삼성전자 주식회사 | 반도체장치의 금속 배선 형성방법 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4228212A (en) * | 1979-06-11 | 1980-10-14 | General Electric Company | Composite conductive structures in integrated circuits |
US4521952A (en) * | 1982-12-02 | 1985-06-11 | International Business Machines Corporation | Method of making integrated circuits using metal silicide contacts |
US4629635A (en) * | 1984-03-16 | 1986-12-16 | Genus, Inc. | Process for depositing a low resistivity tungsten silicon composite film on a substrate |
-
1985
- 1985-05-25 JP JP60112606A patent/JPS61270870A/ja active Pending
- 1985-11-04 KR KR1019850008215A patent/KR890004464B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1986
- 1986-05-02 DE DE19863614793 patent/DE3614793A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR890004464B1 (ko) | 1989-11-04 |
DE3614793A1 (de) | 1986-11-27 |
KR860009497A (ko) | 1986-12-23 |
JPS61270870A (ja) | 1986-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3851163T2 (de) | Kontakt in einer Bohrung in einem Halbleiter und Verfahren zu seiner Herstellung. | |
DE3311635C2 (de) | ||
DE69030229T2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung | |
DE2817430C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Feldeffekt-Transistoren mit isolierter Gate- Elektrode | |
DE69215926T2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, wobei ein selbstregistrierendes Kobalt- oder Nickelsilizid gebildet wird | |
EP0123309B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von stabilen, niederohmigen Kontakten in integrierten Halbleiterschaltungen | |
DE4010618C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
EP1166350B1 (de) | Verfahren zur herstellung einer dram-struktur mit vergrabenen bitleitungen oder grabenkondensatoren | |
EP0118709A2 (de) | Verfahren zum Herstellen von MOS-Transistoren mit flachen Source/Drain-Gebieten, kurzen Kanallängen und einer selbstjustierten, aus einem Metallsilizid bestehenden Kontaktierungsebene | |
DE4342047A1 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE3834241A1 (de) | Halbleitereinrichtung | |
DE4127967A1 (de) | Mos-transistor mit gate-drain-elektrodenueberlapp und verfahren zu seiner herstellung | |
DE19542411A1 (de) | Halbleitereinrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE3603470A1 (de) | Verfahren zur herstellung von feldeffektbauelementen auf einem siliziumsubstrat | |
DE4022398A1 (de) | Thermisch stabiles titan-silicid und verfahren zu dessen herstellung | |
DE3122437A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines mos-bauelements | |
DE3931127C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung | |
DE19615692A1 (de) | Halbleitervorrichtung, die einen Elementtrennfilm mit einer flachen oberen Oberfläche enthält, und Herstellungsverfahren derselben | |
DE10056866C2 (de) | Verfahren zur Bildung einer Ätzstoppschicht während der Herstellung eines Halbleiterbauteils | |
DE3614793C2 (de) | ||
DE3133548C2 (de) | ||
DE19629774A1 (de) | Halbleitereinrichtung und Herstellungsverfahren derselben | |
DE2616857A1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen | |
DE19812212A1 (de) | MOS-Transistor in einer Ein-Transistor-Speicherzelle mit einem lokal verdickten Gateoxid und Herstellverfahren | |
DE3650170T2 (de) | Halbleiteranordnung mit Verbindungselektroden. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Representative=s name: PRUFER & PARTNER GBR, 81545 MUENCHEN |