DE3604530A1 - Stromspiegelschaltung - Google Patents
StromspiegelschaltungInfo
- Publication number
- DE3604530A1 DE3604530A1 DE19863604530 DE3604530A DE3604530A1 DE 3604530 A1 DE3604530 A1 DE 3604530A1 DE 19863604530 DE19863604530 DE 19863604530 DE 3604530 A DE3604530 A DE 3604530A DE 3604530 A1 DE3604530 A1 DE 3604530A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- current
- collector
- arrangement
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000003503 early effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/26—Current mirrors
- G05F3/265—Current mirrors using bipolar transistors only
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S323/00—Electricity: power supply or regulation systems
- Y10S323/907—Temperature compensation of semiconductor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
Description
Beschreibung
Die Erfindung betrifft eine StromspiegeLschaLtung nach dem
Oberbegriff des Patentanspruchs 1,
5
5
Stromspiegel werden oft in integrierten Schaltungen verwendet, und es sind viele verschiedene Schaltungen für Stromspiegel
entwickelt worden. Eine Anforderung an Stromspiegel ist, daß der Betriebsstrom unabhängig von der Temperatur der
Schaltung ist. Außerdem müssen Stromspiegel in integrierten Schaltungen für tragbare Geräte oder elektronische Miniaturgeräte
mit einer niedrigen Versorgungsspannung arbeiten können. In der letzten Zeit hat man tragbare Geräte oder
elektronische Miniaturgeräte entwickelte die lediglich mit
einer Trockenzelle (mit einer Spannung von 1^,5 V) als Stromquelle
auskommen. Integrierte Schaltungen für diese Gerate sollen möglichst noch arbeiten, wenn die Spannung der Trockenzelle
auf 0,9 V gesunken ist.
"2 20 Fig. 1 zeigt eine bekannte Stromspiegelschaltung mit einem
Paar integrierter Transistoren 110 und 112, deren Basis-Emittei—Strecken
parallelgeschaltet sind. Kollektor und Basis des Transistors 110 sind direkt miteinander verbunden.
Der Kollektor des Transistors 110 ist mit dem KoLlektor eines Transistors 114 verbunden. Der Transistor 114, ein
Widerstand 116 und eine Signalquelle 118 stellen eine Eingangsstromquelle
dar. Bei diesem Schaltungsaufbau kann der Transistor 114 nicht im Arbeitsbereich gehalten werden,
wenn seine Emitterspannung und seine Kollektorspannung gleich
einer Basis-Emitter-Durchlaßspannung (etwa 0,6 V) werden.
(Die Kollektorspannung des Transistors 110 und damit die Kollektorspannung des Transistors 114 beträgt bei dem Schaltungsaufbau
von Fig. 1 V£ = νβΕ#0,6 V). Die Speisespannung
V__ muß ausreichend darüber liegen, wenn der Transistor
im Arbeitsbereich gehalten werden soll. Hierdurch ist ein
2/3/4
ι / Eine verbesserte StromspiegeLscha Itung ist in der JP-A-
60-33717 offenbart. Bei jener StromspiegeLschaLtung sind
eine Stromquelle und ein Widerstand hinzugefügt, wodurch ein Betrieb bei niedrigen Speisespannungen ermöglicht wird.
Diese Schaltung besitzt jedoch keine gute Temperaturcharakteristik. Im allgemeinen muß die Schaltung im Temperaturbereich von -25°C bis 75°C arbeiten können. Wenn angenommen
wird, daß die Temperatur 75°C oder -25°C erreicht, dann gerät ein Transistor der Stromspiegelschaltung in die Sättigung
und gelangt somit aus seinem Arbeitsbereich heraus. Außerdem
ist bei dieser Schaltung an. den Stromeingangsknotenpunkt
ein Widerstand angeschlossen, dessen Wert bei der Fertigung
einer Streuung unterliegt, womit das Potential an diesem Stromeingangsknotenpunkt entsprechende Toleranzen aufweist.
/1 Aufgabe der Erfindung ist es, eine Stromspiegelschaltung
zu schaffen, die einen einfachen Aufbau besitzt, in der Lage ist, mit niedrigen Speisespannungen zu arbeiten und
einen weiten Temperaturbereich aufweist. Ferner soll das Potential am Stromeingangsknotenpunkt stabil sein.
Ausgehend von der eingangs genannten Stromspiegelschaltung wird diese Aufgabe durch die kennzeichnenden Merkmale des
Patentanspruchs 1 gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
30
30
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand
der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
spiegeis und
4/5/6/7/8
Fig. 2 und 3 Ausführungsbeispiele der Erfindung.
Fig. 2 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Transistoren 310 und 312 sind gepaarte Transistören, das
heißt sie haben gleichen Leitungstyp und gleiche Eigenschaften, vorzugsweise sind sie auf demselben Chip ausgebildet.
Die Basen und die Emitter beider Transistoren sind jeweils miteinander verbunden. Die zusammengeschalteten Emitter
sind mit einem Bezugsspannungsanschluß 300 (Schaltungsmasse)
verbunden. Der Kollektor des Transistors 310 ist mit dem Stromeingangsknotenpunkt A verbunden, an den von einer Eingangsstromquelle
ein Eingangsstrom geliefert wird. Die Eingangsstromquelle
setzt sich aus einem Transistor 314, einem Widerstand 316 und einer Signalquelle 318 zusammen. Die
zusammengeschalteten Basen der Transistoren 310 und 312
sind über eine Stromquelle 320 mit einem Stromversorgungsanschluß 360 verbunden. Der Kollektor des Transistors 312
ist über einen Ausgangsanschluß 380 mit einem Lastwidei—
stand 322 und über eine zusätzliche Stromquelle 324 mit dem Stromversorgungsanschluß 360 verbunden. Damit der Ausgangsstrom
Iout dem Eingangsstrom 1... gleicht, soll der von der
Stromquelle 324 gelieferte Strom gleich dem von der Stromquelle 320 ge lieferten Strom sein. Zwischen Kollektor und
Basis des Transistors 310 ist ein als Diode geschalteter Transistor 326 geschaltet. Der Emitter des als Diode geschalteten
Transistors 326 besitzt eine Übergangsfläche, die N mal größer als diejenige des Emitters des Transistors
ist. Geht man davon aus, daß die Basisströme der Transistoren 310 und 312 vernachlässigbar sind, dann ergeben sich
in dieser Schaltung für den Kollektorstrom Ip31Q des Transistors
310 und den Kollektorstrom Ir31? ^es Transistors
312 folgende Gleichungen:
= 1IN + X320
T=T+T XC312 1OUt X324
9/Ο/4Π
COS« 9 V
der vom Kollektor des Transistors 314 zum Stromeingangsknotenpunkt A fließt, während I . der Wert des Stroms durch
den Lastwiderstand 322 ist.
sind und die beiden Ko I lektor st röme I.,1(, undlr71, gl
sind, ist auch der Ausgangsstrom I . gleich dem Eingangs-
ou* strom I1n, das heißt lQ[jt = 1^.
_ *VBE310 *VBE326
- i ι
St "dl
in Gleichung (2) haben denselben konstanten Wert von -2 χ 10 . Gleichung (4) wird daher zu
A
— = 0
Dies bedeutet, daß der Temperaturkoeffizient praktisch Null
ist.
Betrachtet man den Temperaturkoeffizienten von V. genauer,
dann stellt man fest, daß -^Va Vy C= -~->
enthält. Nach-
folgende Gleichung (5) entspricht Gleichung (3)
35
10/11/12/13
v = v ln _ n J32JL .
1S N 1S
Die rechte Seite der Gleichung (5) enthält nicht VBE, deren
Temperaturkoeffizient groß ist t) Voc
C = I
2 χ
-λ sondern enthält V,. . Der Temperaturkoeffizient von V_ ist
sehr gering, nämlich
. = — = 0,086 χ 10"3 VZ0C ...(6)
Demzufolge ändert sich das Potential V. am Stromeingangsknotenpunkt
A selbst bei großen Änderungen der Temperatur der Schaltung kaum.
Es sei angenommen, daß Ι·ζ,η = IM ist und N = 100. Daraus
folgt
VA(25°C) = VTln 200 = 0,138 V ..Λ7)
Gleichung (7) bedeutet, daß V. stabil ist, nämlich einen festen Wert besitzt.
Die Kollektor-Emitter-Spannung des NPN Transistors 310 muß wenigstens 0,11 V betragen, damit der Transistor nicht gesättigt
ist. Bei V„p = 0,138 V ist der Transistor im Arbeitsbereich.
Nimmt man einmal beispielhalber an, daß die Temperatur auf
75°C ansteigt oder auf -25°C sinkt, daß I320 = ΙχΝ und N =
100 sind, dann ergeben sich das Potential am Punkt A bei
13/14
e> « * ■» <i β
75°C (VA(7S°C)> bzw. bei -250C (VA(-25°O) wie folgt
av av
A A QVj
Bj
= 0,138 + 50 χ In 200 χ 0,086 χ 10~3
= 0,161 V
VAC-25°C) = V.(25°C) - 50 χ
A A
= 0,138 - 50 χ In 200 χ 0,086 χ 1θ"3
= 0,115 V
Diese Werte bedeuten, daß die beiden Transistoren 310 und 314 nicht in die Sättigung kommen.
Da der Transistor 326, der eine Pegelschiebefunktion hat,
vorgesehen ist, kann das Potential am Stromeingangsknotenpunkt A niedriger sein als die Spannung VßE eines einzelnen
Transistors (etwa 0,6 V). Dies bedeutet, daß die Stromspiegelschaltung gemäß der Erfindung mit einer relativ niedrigen Speisespannung arbeiten kann.
Fig. 3 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung.
In Fig. 3 sind die gleichen Bezugszeichen zur Bezeichnung
gleicher Schaltungsteile wie in Fig. 2 verwendet.
In Fig. 3 ist ein als Diode geschalteter Transistor 410 zwischen die Basis und den Kollektor des Transistors 312
geschaltet. Eine Stromquelle 412 liefert einen konstanten Strom gleichermaßen an die Transistoren 326 und 410. Bei
dieser Schaltungsanordnung liefern die Stromquelle 412 und der Transistor 410 einen zusätzlichen Strom, und der Transistor 410 bewirkt eine Senkung des Potentials am Ausgangs-
14/17/15
anschluß 330. Daher kann die Schaltung mit niedriger Speisespannung
arbeiten und das Potential des Ausgangsanschlusses stabilisieren. Außerdem kann der Einfluß des Early-Effekts
zwischen dem Stromeingangsknotenpunkt und dem Ausgangsan-Schluß reduziert werden.
Der Widerstand 316 in den Fig. 2 und 3 kann .durch eine Stromquelle
ersetzt werden. Die Beschreibung der Stromspiegelschaltung
von Fig. 2 erfolgte unter der Voraussetzung^, daß der Strom I320 gleich dem Strom I-j. ist. Diese Ströme können
aber auch verschieden sein.
Claims (1)
- Patentansprüche1. Stromspiegelschaltung, umfassend einen Stromversorgungsanschluß (360), einen Bezugsspannungsanschluß (300),einen ersten Transistor (310), dessen Emitter mit dem Bezugsspannungsanschluß (300) und dessen Kollektor mit dem Stromversorgungsanschluß (360) gekoppelt sind, *-einen zweiten Transistor (312) gleichen Leitungstyps* wie der erste Transistor (10), dessen Emitter mit dem Bezugsspannungsanschluß (300) verbunden ist, eine erste Einrichtung, die die Basen des ersten und des zweiten Transistors (310, 312) miteinander verbindet,eine zweite Einrichtung, die den Kollektor des ersten Transistors (310) mit einem Stromeingangsknotenpunkt (A) verbindet, undeine Lastschaltungsanordnung (322, 324), die zwischen den Kollektor des zweiten Transistors (312) und den Stromversorungsanschluß (360) geschaltet ist, gekennzeichnet durcheine Stromquellenanordnung (320), die zwischen den Strom-Versorgungsanschluß (360) und die erste Einrichtung geschal tet ist, und Ϊeine Diodenanordnung (326), die eine pn-übergangsflacheRadecfcestraße 43 6000 München 60 Tetefon (089) 883603/883604 Telex 5212313 Telegramme Patentconsult Sonnenberger Straße 43 6200 Wiesbaden Telefon (06121) 562943/561998 Telex 4186237 Telegramme PatentconsultSsaufweist, die größer ist als die Basis-Emittei—übergangsfläche des ersten Transistors (310), und die zwischen Kollektor und Basis des ersten Transistors (310) geschaltet ist, um dem Stromeingangsknotenpunkt (A) einen Strom von derStromqueILenanordnung (320) zuzuführen.2. Stromspiegelschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Lastschaltungsanordnung eine zweite Stromquelle (324) umfaßt, die zwischen den Stromversorgungsan- Schluß (360) und den Kollektor des zweiten Transistors (312) geschaltet ist.3. Stromspiegelschaltung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Lastschaltungsanordnung einen Widerstand (322) umfaßt, der zwischen den Stromquellenanschluß (360) und den Kollektor des zweiten Transistors (312) geschaltet ist.> 4. StromqueILenanordnung nach einem der vorherigen An-sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Transistor » (310) und der zweite Transistor (312) NPN Transistoren sind.5. Stromquellenanordnung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine zweite Diodenanordnung (410) mit einer pn-über gangsfläche, die größer ist als die Basis-Emitter-übergangs- fläche des zweiten Transistors (312), die zwischen den Kollektor und die Basis des zweiten Transistors (312) geschaltet ist, um dem Kollektor des zweiten Transistors einen Strom von der Stromquellenanordnung (412) zuzuführen.3035
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60027383A JPS61187406A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 低電圧用カレントミラ−回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3604530A1 true DE3604530A1 (de) | 1986-08-21 |
DE3604530C2 DE3604530C2 (de) | 1988-07-28 |
Family
ID=12219524
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19863604530 Granted DE3604530A1 (de) | 1985-02-14 | 1986-02-13 | Stromspiegelschaltung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4647840A (de) |
JP (1) | JPS61187406A (de) |
KR (1) | KR900001169B1 (de) |
DE (1) | DE3604530A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2618215A1 (de) | 2004-05-31 | 2013-07-24 | Fujifilm Corporation | Verfahren zur Herstellung einer Lithografiedruckplatte |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3545039A1 (de) * | 1985-12-19 | 1987-07-02 | Sgs Halbleiterbauelemente Gmbh | Spannungsbegrenzungsschaltung |
JPH065493B2 (ja) * | 1986-02-25 | 1994-01-19 | 株式会社東芝 | 定電流供給回路 |
US4975632A (en) * | 1989-03-29 | 1990-12-04 | Texas Instruments Incorporated | Stable bias current source |
US5502406A (en) * | 1995-03-06 | 1996-03-26 | Motorola, Inc. | Low power level shift circuit and method therefor |
US6885239B2 (en) * | 2001-10-31 | 2005-04-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mobility proportion current generator, and bias generator and amplifier using the same |
DE10219003B4 (de) * | 2002-04-27 | 2004-07-08 | Xignal Technologies Ag | Stromspiegel für eine integrierte Schaltung |
US7522002B2 (en) * | 2007-01-04 | 2009-04-21 | Atmel Corporation | Biasing current to speed up current mirror settling time |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53139163A (en) * | 1977-05-12 | 1978-12-05 | Toshiba Corp | Constant voltage generator circuit |
JPS6033717A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-21 | Toshiba Corp | カレントミラ−回路 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5639608A (en) * | 1979-09-07 | 1981-04-15 | Hitachi Ltd | Current miller circuit |
US4297646A (en) * | 1980-01-25 | 1981-10-27 | Motorola Inc. | Current mirror circuit |
US4329639A (en) * | 1980-02-25 | 1982-05-11 | Motorola, Inc. | Low voltage current mirror |
JPS5767447A (en) * | 1980-10-08 | 1982-04-24 | Kazufumi Kachi | Cutting and winding device in toilet paper winder |
US4414502A (en) * | 1981-07-20 | 1983-11-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Current source circuit |
-
1985
- 1985-02-14 JP JP60027383A patent/JPS61187406A/ja active Granted
-
1986
- 1986-01-21 KR KR1019860000360A patent/KR900001169B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1986-02-12 US US06/828,701 patent/US4647840A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-02-13 DE DE19863604530 patent/DE3604530A1/de active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53139163A (en) * | 1977-05-12 | 1978-12-05 | Toshiba Corp | Constant voltage generator circuit |
JPS6033717A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-21 | Toshiba Corp | カレントミラ−回路 |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
DE-Z.: "Regelungstechnik", H.1, 1969, S.12-16 * |
GB-Z.: "Journal of Physics E", Vol.7, No.11, 1974, S.921-923 * |
JP-"Patent Abstracts of Japan", E-87, Vol.3, No.10, 29.1.1979, betreffend JP-A-53-139163 |
Patent Abstracts of Japan, E-87, Vol.3, No.10, 29.1.1979 & JP-A-53 139163 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2618215A1 (de) | 2004-05-31 | 2013-07-24 | Fujifilm Corporation | Verfahren zur Herstellung einer Lithografiedruckplatte |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0367366B2 (de) | 1991-10-22 |
DE3604530C2 (de) | 1988-07-28 |
JPS61187406A (ja) | 1986-08-21 |
KR900001169B1 (ko) | 1990-02-27 |
US4647840A (en) | 1987-03-03 |
KR860006870A (ko) | 1986-09-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3927278C2 (de) | Spannungsreglerschaltkreis | |
EP0107028B1 (de) | Schaltungsanordnung mit einer Ausgangstransistorschaltung und einer Schutzschaltung zur Begrenzung des Ausgangsstroms der Ausgangstransistorschaltung | |
DE2432867C3 (de) | Verstärkerschaltung | |
DE2154904A1 (de) | Bezugsspannungsquelle | |
DE2160432B2 (de) | Konstantspannungsschaltung | |
DE2207233C3 (de) | Elektronischer Signalverstärker | |
DE2430126A1 (de) | Hybride transistorschaltung | |
DE2429310C3 (de) | Monolithisch integrierbare Serienregelschaltung | |
DE2420158A1 (de) | Differenzverstaerker | |
DE1907669A1 (de) | Logische Schaltung | |
DE3604530A1 (de) | Stromspiegelschaltung | |
AT392375B (de) | Elektronische schaltung mit einem geschuetzten transistor | |
DE1909721C3 (de) | Schaltungsanordnung zur Gleichspannungsteilung | |
DE2147606A1 (de) | Schaltungsanordnung insbesondere zum Erzeugen von Spannungen | |
DE2136061A1 (de) | Stromverstarkerschaltung | |
DE3230429C2 (de) | ||
DE2328402C2 (de) | Konstantstromkreis | |
DE2354340C3 (de) | Signalverstärker mit stabilisiertem Arbeitspunkt | |
DE2339751B2 (de) | Schaltungsanordnung zur Lieferung einer stabilisierten Gleichspannung | |
DE2447516A1 (de) | Schaltungsanordnung zur strombemessung | |
DE1537185B2 (de) | Amplitudenfilter | |
DE3019761C2 (de) | Schaltungsanordnung zum Zuführen von Signalen an eine Fernsprechleitung | |
DE1806467B2 (de) | Schaltungsanordnung zum Erzeugen von gegen Betrfebsspannungsänderungen stabilisierten Ausgangsspannungen | |
DE3402341A1 (de) | Schutzvorrichtung fuer ein leistungselement einer integrierten schaltung | |
DE1537656B2 (de) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |