DE2339751B2 - Schaltungsanordnung zur Lieferung einer stabilisierten Gleichspannung - Google Patents
Schaltungsanordnung zur Lieferung einer stabilisierten GleichspannungInfo
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- G05F3/222—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
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Description
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung entsprechend dem Oberbegriff des Anspruches 1.
ίο Eine derartige Schaltungsanordnung ist aus der
US-PS 34 30 155 bekannt Bei der bekannten Schaltungsanordnung ist der Emitter des ersten Transistors
an den zweiten Anschluß der Gleichspannungsquelle angeschlossen, und der zweite Transistor ist vom
gleichen Leitfähigkeitstyp wie der erste Transistor. Der erste Strompfad enthält ausschließlich den ersten
Transistor und den ersten Widerstand. Dei Kollektor des zweiten Transistors ist unmittelbar an den ersten
Anschluß der Gleichspannungsquelle angeschlossen. Bei
dieser Schaltungsanordnung ist die Qualität der
Spannungsstabilisierung nicht sehr groß.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einer Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art die
Qualität der Spannungsstabilisierung zu erhöhen.
Gelöst wird diese Aufgabe gemäß der Erfindung durch die im kernzeichnenden Teil des Anspruchs 1
angegebenen Merkmale. Zweckmäßige Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteranspriichen.
Die Verbesserung der Spannungsstabilisierung wird aufgrund der vorgeschlagenen Ausbildung dadurch
erreicht, daß die Emitter-Kollektor-Strecke des dritten Transistors, die Emitter-Basis-Strecke des ersten Transistors und die Basis-Kollektor-Strecke des zweiten
Aus »Electronic Design«, Band 16, I. Februar 1968,
Nr. 3, Seite 134, ist eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines stabilisierten Stromes an sich bekannt,
die zwei Transistoren aufweist, die entsprechend dem
dritten und vierten Transistor der Schaltungsanordnung
der Erfindung geschaltet sind.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der Fig. 1 bis 6 beispielsweise erläutert, die Schaltbilder verschiedener Ausführungsformen der Erfindung zeigt.
Die Ausführungsform der F i g. 1 hat Transistoren 1,2
und 3 des gleichen Leitungstyps und einen Transistor 4 des entgegengesetzten Leitungstyps. Der Emitter des
Transistors 1 ist mit dem einen Anschluß 11 einer Gleichspannungsquelle mit der Spannung + Vcc ver
bunden. während der Kollektor und die Basis mit der
Basis bzw. dem Emitter des Transistors 2 verbunden ist. Die Basis des Transistors 1 ist ferner über einen
Widerstand 21 mit dein Anschluß 11 und sein Kollektor
ist über einen Widerstand 22 mit dem anderen Anschluß
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13 der Spannungsquclle bzw. Masse verbunden, der mit
einem der beiden Ausgangsanschlüsse der Schaltungsanordnung identisch ist. Der Kollektor des Transistors 2
ist mit dem anderen Ausgangsanschluß 12 und auch mit dem Emitter des Transistors 3 verbunden, dessen
Kollektor mit dem Ausgangsanschluß 13 und dessen Basis mit der Basis des Transistors 4 verbunden ist. Der
Emitter des Transistors 4 ist mit dem Ausgangsanschluß 13 und der Kollektor ist mit der Basis des Transistors I
verbunden. Zwischen die Ausgangsanschlüsse 12 und 13
ist eine Last 30 geschaltet.
Im Betrieb wirken die Transistoren 1 und 2 als Konstantstromquelle; da eine negative Rückkopplung
vom Kollektor zur Basis des Transistors 1 über die
Basis-Emitter-Strecke des Transistors 2 gebildet ist, werden die Kollektorströme, d. h. die Ausgangsströme
/1 und /2 in Bezug auf die Spannung Vcc und die Temperatur geregelt, & h, daß Änderungen der Ströme
/1 und /2 in einem bestimmten Ausmaß unterdrückt werden, wenn sich die Spannung Vcc oder die
Temperatur ändert
Die Regelung der Transistoren I und 2 ist jedoch nicht ausreichend, da sich die Ströme /1 und /2 mit der
Spannung Vcc oder der Temperatur in der gleichen Richtung ändern. Wenn die Spannung Vcc oder die
Temperatur steigt und damit der Kollektorstrom /1 des Transistors 1 zunimmt, wird die Basis-Emitter-Spannung
Vl des Transistors 1 hoch, wodurch der Strom V MR 21 durch den Widerstand 21 zunimmt (wobei R 21
der Widerstandswert des Widerstandes 21 ist). Daher steigen die Kollektorströme der Transistoren 2 und 3
und damit auch deren Basisströme. Da jedoch vom Kollektor des Transistors 2 über die Emitter-Basis-Sirecke
des Transistors 3 und die Basis-Koüektor-Strck
ke des Transistors 4 eine negative Stromr^ckkopplung
gebildet ist, nimmt der Basisstrom des Transistors 4 zu,
wenn der Basisstrom des Transistors 3 zunimmt, so daß der Strom ansteigt, der vom Widerstand 21 in dem
Kollektor des Transistors 4 fließt, so daß die Zunahme des Kollektorstroms /2 des Transistors 2 aufgrund des
Anstiegs der Spannung Vcc oder der Temperatur dadurch verhindert wird, und dadurch der Kollektorstrom
/2 unabhängig von der Spannung Vcc oder der Temperatur auf einem im wesentlichen konstanten
Wert gehalten wird.
Wenn auf diese Weise der KollektorMrom /2 im wesentlichen konstant gehalten wird, sind die Basis-Emitter-Spannungen
V3und V4derTransistoren3und
4 bei einer festen Temperatur konstant, so daß die Ausgangsspannung V3 + V4 an den Ausgangsanschluß
12 und 13 unabhängig von der zugeführten Spannung Vcckonstant ist.
Die Auib'angsspannung V3 + V 4 hat eine Temperaturcharakteristik,
die der von zwei PN-Halbleiter-Übergangen
entspricht, so daß, wenn z. B. di° Last 30 ein Verstärker mit zwei in Darlington-Schaltung angeordnete
Transistoren ist, die Ausgangsspannung V3 + K 4
als Vorspannung für dessen Basis-Emitter-Spannung verwendet werden kann, so daß der Verstärker gegen
Temperaturschwankungen stabilisiert werden kann. Außerdem ist Jie Gleichspannung in der Last 30 gegen
Änderungen der Spannung Vcc konstant, da der Strom /2 konstant ist.
Die von der Schaltungsanordnung der F i g. 1 gelieferte Ausgangsspannung V3 + V4 betiägt etwa
1,4 V. Bei der Ausführungsform der Fig. 2 sind η Dioden 5|, 5j... 5„ zwischen die Basen der Transistoren
3 und 4 geschaltet, so daß eine Ausgangsspannung von
V3 + VA + π Vd erhalten wird, wenn Va die Spannung
der Dioden ist. Die Ausführungsform der F i g. 2 hat eine
Temperaturcharakteristik entsprechend η + 2 PN-Übergängen. Die gleiche Wirkung kann erhalten
werden, wenn die Dioden zwischen den AusgangsanschluB
12 und den Emitter des Transistors 3 oder zwischen den Emitter des Tr?.: vistors 4 und den
Ausgangsanscmüß 13 geschaltet weiJe-·.
Bei der Ausführungsform in Fig. 3 sind statt der Dioden als Dioden geschaltete Transistoren 6a, ... 6/?
zwischen die Transistoren 3 und 4 geschaltet.
Be- der Ausführungsform der Fig.4 ist ein als
Emitterfolger geschalteter Transistor 7 zur Erzeugung eines großen Ausgangsstroms vorgesehen. In diesem
Falle kann die Ausgangsspannung im Vergleich zu der der Schaltung der Fig. 1 aufgrund der Basis-Emitter-Spannung
des Transistors 7 klein gemacht werden; außerdem ergibt sich eine Temperaturcharakteristik
entsprechend der eines PN-Überganges.
Bei der Ausführungsform der F i g. 5 sind Dioden Sa bis 8n und ein Widerstand 9 zusätzlich vorgesehen, um
den Kollektorstrom des Transistors 1 und damit des Transistors 2 in Bezug auf Änderungen der Spannung
Vcc weiter zu stabilisieren.
Bei der Ausführungsform der F i g. 6 sHd zwei
Transistoren 31 und 32, die ähnlich wie die Transistoren 1 und 2 geschaltet sind, und ein Widerstand 33
ν ,rgesehen, um den Kollektorstrom des Transistors 1 und damit des Transistors 2 in Bezug auf Änderungen
der Spannung Vcc weiter zu stabilisieren.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Schaltungsanordnung zur Lieferung einer stabilisierten, jedoch temperaturabhängigen Gleichspannung, die gleich dem Spannungsabfall an der
Reihenschaltung von mindestens zwei in Durchlaßrichtung vorgespannten PN-Halbleiter-Übergängen
ist, mit einem ersten Transistor, dessen Kollektor-Emitter-Strecke parallel zum Ausgang geschaltet ist
und zugleich in einem ersten, an den ersten und zweiten Anschluß einer Gleichspannungsquelle
angeschlossenen Strompfad in Reihe mit einem ersten Widerstand liegt, wobei der erste Widerstand
an den ersten Anschluß der Gleichspannungsquelle angeschlossen ist und der zweite Anschluß der
Gleichspannungsquelle mit dem einen der beiden Ausgangsanschlüsse identisch ist, und mit einem
zweiten Transistor, dessen Basis-Emitter-Strecke allein oder in Reihe mit einem oder mehreren
zusätzlichen PN-Halbleiterübergängen zur Kollektor-Basis-Strecke des ersten Transistors parallelgeschaltet ist, derart, daß die Basis-Emitter-Strecken
des ersten und zweiten Transistors und ggf. die weiteren mit diesen in Reihe liegenden PN-Halbleiter-Übergänge von der stabilisierten Spannung in
Durchlaßrichtung vorgespannt sind, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor des ersten
Transistors (3) an den zweiten Anschluß (13) der Gleichspannungsquelle angeschlossen und der zweite Transistor (4) vom entgegengesetzten Leitungstyp wie der erste Transistor (3) mit seiner
Kollektor-Emitter-Üitrecke .n den ersten Strompfad zwischen den ersten Widerstand (21) und den ersten
Transistor (3) geschaltet ist, .obei der Emitter des dritten Transistors (2) an den ersten Widerstand (21)
angeschlossen ist und an diesen Verbindungspunkt außerdem der Kollektor des zweiten Transistors (4)
angeschlossen ist, und daß ein vierter Transistor (1) vom gleichen Leitungstyp wie der erste Transistor
(3) mit seinem Emitter an den ersten Anschluß (11) der Gleichspannungsquelle und mit seiner Basis an
den Emitter des dritten Transistors (2) angeschlossen ist und sein Kollektor über einen zweiten
Strompfad, der einen zweiten Widerstand (22) enthält, mit dem zweiten Anschluß (13) der
Gleichspannungsquelle verbunden ist.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß ein als Emitterfolger geschalteter Transistor (7) als Ausgangsstufe vorgesehen ist.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß in Reihe geschaltete Dioden (8a
bis Sn) zwischen den ersten Anschluß (11) der
Gleichspannungsquelle und den Verbindungspunkt des zweiten Widerstandes (22) und eines zwischen
den zweiten Anschluß (13) der Gleichspannungsquelle und den zweiten Widerstand (22) geschalteten
weiteren Widerstandes (9)geschaltet sind.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch !,dadurch
gekennzeichnet, daß zwischen den Kollektor des vierten Transistors (1) und den zweiten Widerstand
(22) die Kollektor-Emitter-Strecke eines fünften Transistors (31) vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp wie der erste Transistor (3) geschaltet ist,
daß zwischen die beiden Anschlüsse der Spannungsquelle die Kollektor-Emitter-Strecke eines sechsten
Transistors (32) vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp wie der erste Transistor (3) geschaltet ist,
und daß die Basis des fünften Transistors (31) mit
dem Kollektor des sechsten Transistors (32) und
dessen Basis mit dem Emitter des fünften Transistors (31) verbunden ist
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7888872A JPS5323936B2 (de) | 1972-08-07 | 1972-08-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2339751A1 DE2339751A1 (de) | 1974-02-21 |
DE2339751B2 true DE2339751B2 (de) | 1980-01-24 |
Family
ID=13674334
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19732339751 Withdrawn DE2339751B2 (de) | 1972-08-07 | 1973-08-06 | Schaltungsanordnung zur Lieferung einer stabilisierten Gleichspannung |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5323936B2 (de) |
CA (1) | CA986997A (de) |
DE (1) | DE2339751B2 (de) |
FR (1) | FR2195809B1 (de) |
GB (1) | GB1432027A (de) |
IT (1) | IT992866B (de) |
NL (1) | NL7310858A (de) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4042780A (en) * | 1975-07-23 | 1977-08-16 | Johnson Controls, Inc. | Multiple message frame adaptor apparatus for loop communication system |
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JPS52127015A (en) * | 1976-04-16 | 1977-10-25 | Tokyo Electric Power Co Inc:The | Line selection system |
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JPS54129522A (en) * | 1978-03-31 | 1979-10-08 | Tezuka Seisakushiyo Yuugen | Gas shutting off apparatus against desaster |
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JPS56139032A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-30 | Tokyo Shibaura Electric Co | Carrier protecting relay |
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-
1972
- 1972-08-07 JP JP7888872A patent/JPS5323936B2/ja not_active Expired
-
1973
- 1973-08-02 GB GB3677173A patent/GB1432027A/en not_active Expired
- 1973-08-03 CA CA178,077A patent/CA986997A/en not_active Expired
- 1973-08-06 NL NL7310858A patent/NL7310858A/xx not_active Application Discontinuation
- 1973-08-06 DE DE19732339751 patent/DE2339751B2/de not_active Withdrawn
- 1973-08-07 IT IT2762673A patent/IT992866B/it active
- 1973-08-07 FR FR7328892A patent/FR2195809B1/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA986997A (en) | 1976-04-06 |
JPS5323936B2 (de) | 1978-07-18 |
IT992866B (it) | 1975-09-30 |
FR2195809B1 (de) | 1977-08-26 |
DE2339751A1 (de) | 1974-02-21 |
GB1432027A (en) | 1976-04-14 |
FR2195809A1 (de) | 1974-03-08 |
JPS4935843A (de) | 1974-04-03 |
NL7310858A (de) | 1974-02-11 |
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