DE3047685C2 - Temperaturstabile Spannungsquelle - Google Patents

Description

Die Erfindung geht nach Fig. 3 aus von einer temperaturstabilen Spannungsqueile mit einem ersten basisgekoppelten Transistorpaar Γι. Γ_; in zwei parallel geschalteten Stromzweigen P,, Pi, wobei der Transistor T₂ im zweiten Stromzweig P₂ einen Emitterwiderstand R₂ aufweist, mit einem zweiten, einen Stromspiegelverstärker bildenden, basisgekoppelten Transistorpaar Γι. Γι aus zum ersten Paar komplementären Transistoren, wobei je ein Transistor jedes Paares In einem der beiden Stromzweige P₁. P₂ Hegt, wobei das Stromzweigpaar P,, P₂ über einen zweiten Widerstand R, mit einem dritten Siromzwelg Pi und Masse verbunden ist, mit einem fünften Transistor T* Im dritten Stromzweig Pt. wobei die Basiselektrode des fünften Transistors T₆ mit den Kollektoren der Im ersten Stromzweig , liegenden Transisloron T₁. Tx verbunden Ist. mit einem aus einer Stromquelle /_v und einem sechsten Transistor Γι bestehenden Aklivierungsstromzwcig, wobei die Basis des sechsten Tran-

. sistors Ti mil dem allen Stromzweigen P,, Pj, P, gemeinsamen ersten Anschlußpunki verbunden lsi und zwischen diesem und der positiven Potenlialquelle U_x die Stromquelle I_x angeordnet ist, wobei der mit den

W) Basiselektroden der Transistoren 7Ί, T₂ des ersten Transistorpaars verbundene Emitter des sechsten Transistors T- den Schaltungsausgang für die stabilisierte Spannung U_Hf:f bildet. Eine derartige Schaltung Ist aus der US-Z. »IEEE Journal of Solid-State Circuits«, Vol. SC-9 No. 6. 1974, S. 388-393, bekannt.

In elektrischen Schallungen. Insbesondere in komplexen integrierten Schaltungen, sind Referenzspannungsquellen erforderlich, die eine von der Tempcralur, der Belastung und der Amplitude der Speisespannung unab-

i'S hünglge konstante Ausgangsspannung liefern. Hierfür eignet sich insbesondere eine bekannte Schaltung, wie sie in der I'ig. I dargestellt ist. Diese sogenannte »Wkllar-Schaltung« oder Bandgap-reference-Schaltung lsi beisDlelswelse in der Zeitschrift 1970 IEEE. International Solld-Siate Circuits Conference. Seiten 158-159, veröf-

Die Schaltung gemäß der Fig. 1 besteht aus drei parallel geschalteten Stromzweigen P₁, P₁ und />,, mit je einem npn-Transistor 7Ί, T₂ und Ti. Zwischen die Spannungsquelle U_s und die Schaltung aus den drei parallel geschalteten Slromzweigen P₁ bis P, ist eine Konstantsrromquelle geschaltet, die den Strom I₅ liefert. Der Transistor T₂ wird als Diode mit kurzgeschlossener Basis-Kollektorstrecke betrieben. Der Transistor 7". wird über den Widerstand R, spannungsgegengekoppelt. Am Kollektor von T, stellt sich die Basis-Eniittcrspannung des Transistors Ti ein. Unter der Voraussetzung, daß /. im Stromzweig P₁ gleich Λ im Siromzweig P, Ist. Hefen die Schaltung an der Ausgangsklemme A die temperaturunabhängige Referenzspannung

wenn die Summe

3- L·

In OiSL
i eo Ä2

Dabei ist v_L, der Temperaturdurchgriff der Basis-Emittersparfnung des Transistors T₂ mit einem Wert von ca. -2 mV/° C. K ist die Boltzmannkonstante und eo die Elementarladung.

Nach den obigen Gleichungen ist die Temperaturunabhängigkeit der Schaltung gemäß Fig. 1 vom Verhältnis der drei in der Schaltung enthaltenden Widerständen /?,, R₂ und P., abhängig. Die Temperaturunabhängigkeit wird beispielsweise dann erreicht, wenn die Widerstände R₁ und R, zehnmal kleiner als der W !,verstand R_t sind. Unter diesen Bedingungen stellt sich bei Verwendung von Silizium-Transistoren am Ausgang A üe Spannung U_REF = 1.205 V ein. Diese Spannung wird vom Bandabstand des Halbieitermaterials bestimmt und deshalb als Bandgap-reference-Spannung bezeichnet.

Bei der Schaltung nach der Fig. 1 stört insbesondere, daß drei ohmsche Widerstände innerhalb der Schaltung aufeinander exakt abgestimmt wenden müssen. Außerdem unterliiist der Speisestrom l_s strengen Anforderungen bezüglich seines Absolutwertes und seiner Temperaturunabhängigkeit.

Deshalb bildet die In Fig. 2 dargestellte, gleichfalls bekannte Schaltung bereits eine Verbesserung der Schaltung nach der Fig. 1, da die Schaltung nach der Fig. 2 nur noch zwei ohmsche Widerstände R-, und R₂ enthält. Die Schaltung nach der Fig. 2 enthält einen Stromspiegelverstärker aus den Transistoren T, und A, so daß die Ströme I, und I₂ gleich groß sind. In Reihe zu dem als Diode geschalteten Transistor Tt des Stromsplegelverstärkers ist ein Transistor T_s geschaltet, dessen Basis mir dem Emitteranschluß des Transistors 7Ί verbunden ist, wobei dieser Emitter des Transistors T- zugleich den Ausgangsanschluß A für die temperaturstabilisierte Spannung U_REF bildet. Auch das Transistorpaar aus den Transistoren T, und T₂ ist als Stromspiegelverstärker geschaltet, wobei der als Diode betriebene Transistor T₂ den Emitterwiderstand R₂ enthält. Der Strom durch den a dritten Strompfad P, ergibt sich aus der Differenz des eingespeisten Stromes I₅ und der Summe der Ströme, die •durch die Sirompfade Pi und P₂ fließen. Bei dieser Schaltung Ist die Referenzspannung U_REF am Ausgang A ca. 2,5 V groß. Dies ergibt sich aus der Beziehung:

U_REF=2U_BB+^-U_T- InFa. *»

Λ2

Die beiden Basis-Emitterspannungen fallen am Transistor T, und am Transistor T₅ ab, während der restliche Spannungsanteil durch das Widerstandsverhälinls R₁IR₂ und das Flächenverhältnis der aktiven Tr^nslstorfiächen innerhalb der Transistoren T₁ und T₂ bedingt ist. Die Spannung U_RFF ist dann temperaturunabhäagig, ■»? wenn gilt:

frU+Q- -InFa=O. Ri eo

Dabei ist Fa das Verhältnis der Emitterfläche des Transistors T₂ zur Emluerfläche des Transistors T₁. Die Bedingung gemäß der zuletzt angegebenen Formel ist bei einem Flächenverhältnis Fa = 5 beispielsweise dann gegeben, wenn das Widerstandsverhältnis

ο

Q- = 28,8 ist.

Ri

Bei der Schaltung gemäß der Fig. 2 wird als vorteilhaft empfunden, daß d': Ströme I, und I₂ von der stabilisierten Spannung U_RFF abgeleitet werden, während der Transistor 7"» Im dritten Stromzweig P₁ den überschuss!- ^M) gen Speisestrom I₅-Ui*I₁) abführt. Ferner werden nur noch die beiden ohmsehen Widerstände R₁ und R₁ benötigt. Als nachteilig wird empfunden, daß das Widerstandsverhältnis der Widerstände R, und R₁ relativ groß Ist und auch bei erheblicher Vergrößerung des Flächenverhältnisses Fa nicht unbeschränkt reduziert werden kann. Hierzu wird in Flg. 5 auf die Kurve α verwiesen. Die Kurve α zeigt das Verhältnis R,IR₁ In Abhängigkeit vom Flächenverhältnis Fa bei völliger Temperaturkompensation. Aus der Kui₍-f> ist ersichtlich, daß bei einem <>> Flächenverhältnis Fa = S, das Verhältnis /?,//?, = 28,8 ist. Dieses große Widerstandsverhältnis läßt sich mit der erforderlichen Genauigkeit in Integrierten Schaltkreisen nur sehr schwer beherrschen. Temperaturkompensierte elektronische Spannungsquellen mit unterschiedlichen Emitterflächen der Transistoren In einer Strnmsnipopi.

Schaltung und damit unterschiedlichen Strömen durch diese Transistoren Ist auch aus der DE-OS 24 57 753 bekannt.

Eine Reduzierung des Widerstandsverhältnlsses war mit Hilfe der bekannten Schaltung gemäß der Flg. 3 möglich. Sie unterscheidet sich von der Schaltung nach der Fig. 2 Im wesentlichen dadurch, daß die Ströme /, und I₂ durch die Stromzweige P, und P₁ gemeinsam über den Widerstand R₁ abfließen. Die beiden Stromzweige Pi und P₂ enthalten auch nur je zwei Transistoren, wobei das Transistorpaar T, und 7Λ einen Stromspiegelverstärker bildet. Die Transistoren des Transistorpaares T, und T₂ sind komplementär zu den Transistoren T₁ und Tt des Stromspiegelverstärkers. Die Ausgangsspannung U_X£f am Ausgang A wird an der Emitterelektrode des Transistors Ti, die mit den Basiselektroden der Transistoren T₁ und T₁ verbunden Ist, abgegriffen. Der dritte ίο Stromzweig P^ enthält den Transistor 7"», dessen Basis an die miteinander verbundenen Kollektoren der Transistoren T, und 7") im Siromzwelg P, angeschlossen Ist. Über diesen dritten Stromzweig P₁ fließt der überschüssige Speisestrom /_r-(/i+/₂) ab. Der Lastwidersland R_LAST Ist In die Emitterzuleitung eines Transistors T₁ geschaltet, dessen Kollektor an der Versorgungsspannung U_s liegt.

Die Basiselektrode des Transistors Ά Ist mit den Emittern der Transistoren Tt, h und T₁ In den drei Stromzweigen verbunden. Am Widerstand Rust "egt dann die stabilisierte Referenzspannung U_RFF an. Für U_REF gilt:

Ukef= U_Be\ + 2· — Ut In Fa

A3

-U Dabei Ist Fa wiederum das Flächenverhältnis zwischen den Emitterflächen des Transistors T₂ und des Transistors T\. Aufgrund der flachengleichen Transistoren Ti und Γι gilt Λ =/;.

Die Spannung U_RF, bei der Schaltung nach der Flg. 3 Ist dann vollkommen temperaturstabillslert, wenn die Bedingung

-'5 vU + 2^· -· Ut- InFa=O

Ri iO

erfüllt ist. Für diese Bedingung gilt die Kurve b gemäß der Fig. 5. Aus dem Kurvenverlauf ist ersichtlich, daß sich beispielsweise bei einem Verhältnis Fa = S für das Verhältnis R_xZR₂ der Wert 7,2 ergibt.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Schaltung gemäß der Flg. 3 weller zu verbessern, wobei insbesondere das Widerstandsverhältnis R₁ZR₂ noch stärker reduziert werden soll. Diese Aufgabe wird bei einer Schaltung der eingangs beschriebenen Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß sowohl die Transistoren des ersten Paares als auch die des zweiten Paares untereinander ungleich große aktive Transistorflächen aufweisen, wobei Innerhalb des ersten Transistorpaars der mit dem Emitterwiderstand versehene Transistor Im zweiten Stromzweig die größere aktive Transistorfläche und innerhalb des zweiten Transistorpaars der Transistor im ersten Stromzweig die größere aktive Translstorfläche aufweist.

Die Tfänsistorpaare werden von den Transistoren T, und T₂ bzw. von den Transistoren T_} und Γ» gebildet, wobei der Transistor Ti Im Stromzweig Pi als Diode betrieben wird.
Der Transistor T₂ im Stromzweig P₂ hat einen Emitterwiderstand R₂, während der Widerstand R₁ zu beiden

■w parallel geschalteten Stromzweigen P₁ und P₂ in Serie geschaltet Ist. Die Schaltung ist In ihrem Aufbau im wesentlichen identisch mit der Schaltung gemäß der Fig. 3. Wesentlich Ist jedoch nunmehr, daß auch die Transistoren T, und Ti des Stromspiegelverstärkers unterschiedlich große Flächen aufweisen, wobei die Fläche des Transistors T, größer als die des Transistors T, sein muß. Das Flächenverhältnis der Emitterfläche des Transistors 7Λ zur Emltterfiäche des Transistors 7"< Ist als Fb bezeichnet, es gilt dann für die stabilisierte Spannung am Ausgang A der Schaltung:

Unr = U_8E, + (1 + Fb) ■ — Ut In (Fa ■ Fb)-R₂

Die Referenzspannung ist dann temperaturstabilisiert, wenn gilt:

vt/+^1(1 + Fb)-- In(Fa- Fb) = O. Ri e₀

Diese Bedingung ist für die Kurvenschar C gemäß der Fig. 5 bei den sich aus den Kurven ergebenden Werten erfüllt. Die oberste Kurve gilt för das Verhältnis Fb = 2, was bedeutet, daß die Emitterfläche des Transistors Ti doppelt so groß ist wie die des Transistors T_t. Bei einem gleichzeitig bestehenden Verhältnis Fa = 5 ergibt sich für das Widerstandsverhältnis RiZR₂ ein Wert von ca. 3,3. Noch günstiger werden die Verhältnisse bei Fb = 3. Dies ergibt sich aus der mittleren Kurve der Kurvenschar C Dann wird bei einem Verhältnis Fa = 5 das Widerstandsverhältnis R₁ZR₂ den Wert 2,14 annehmen. Wählt man Fb = 5 entsprechend der untersten »> Kurve der Kurvenschar C. so erhält man Widerstandsverhältnisse R₁ZR₂. die nur geringfügig über dem Wert 1 liegen. Diese kleinen, gu» reproduzierbaren Widerstandsverhältnisse sind in der integrierten Schaltungstechnik leicht zu realisieren. Es werden hierzu relativ kleine geometrische Abmessungen benötigt. Die unterschiedlich großen Emitterflächen der Transistoren T, und Γι lassen sich gleichfalls sehr einfach hersteilen, da es sich bei diesen Transistoren beim Ausführungsbeispiel um laterale pnp-Transistoren handelt.

Eine einsatzfähige Schaltung mit weiteren Verbesserungen ergibt sich aus der Fig. 6. Die in den vorangegangenen Figuren angedeutete Stromquelle für den Strom /_s wird durch den Schaltungsteil mit den Transistoren T,_a bis Tu und den Widerständen R₁₀ und Äu gebildet. Dabei handelt es sich bei den Transistoren T_n und Tm um einen üblichen Stromspiegelverstärker, bei dem der Transistor Tn als Diode betrieben wird und Ober den Transi-

stor Ti, der Ausgangsstrom Λ, fließt. Die Transistoren Γ_Μ und 7_M sind an der Basis miteinander gekoppelt. Im f^!

Siromzwcig des Transistors Tn Hegt der Transistor Tu mit dem Emillerwiderstand K₁₁- Das Basispotentiul des ΐ-'j

Transistors T_n wird mit Hilfe der In Serie geschalteten, als Dioden betriebenen Transistoren T₁₀ und T₁, einge- jij

stellt. Der Kollektorwiderstand Λιο des Transistors 7"m Ist mit der Spannungsquelle U₅ verbunden. Mit Hilfe |j

dieser Einströmschaltung erhält man einen Strom /_s, der weltgehend von Schwankungen der Versorgungsspan- * nung U₅ unabhängig Ist.

In die eigentliche temperaturstabile Spannungsquelle aus den Stromzweigen P₁, P₂ und /Ί wurde noch der Transistor T, eingefügt, der In an sich bekannter Welse als Verstärker für den Basisstrom der Transistoren T, und T_t des Stromspiegelverstärkers dient. Das Einfügen eines Basisstromverstärkers In einen Stromspiegelverstärker Ist beispielsweise aus der US-PS 38 13 607 bekannt. Die Emltter-Baslsstrecke des pnp-Transistors T_t liegt in parallel zur Basls-Kollektorstrecke des Transistors Ta. Der Kollektor des Transistors T, ist mit Bezugspotential verbunden. Durch das Einfügen des Basisstromverstärkers Γ« fließt somit Im Kollektor von T, ein Strom, der sich praktisch nicht mehr von dem durch Γι fließenden Strom unterscheidet.

Bei der Schallung gemäß der Fig. 6 wurde der Transistor T* durch den Komplementär-Darlington-Transistor Ti und T₆₀ ersetzt. Dieser Komplementär-Darllngton-Translstor erhöht den Stromverslärkungsfaktor. so daß ι? unter anderem Laständerungen am Ausgang In weiten Grenzen ausgeglichen werden können. Dieser positive Effekt wird noch durch den Darllngton-Ausgangs-Translstor Ti und T_la unterstützt.

Zur Unterdrückung parasitärer Schwingungen Im MHz-Bereich, die bei jedem rückgekoppelten Verstärker durch die Phasendrehung jer Transistorsteilheit auftreten, ist eine Neutralisation erforderlich. Hierzu Ist die Kapazität Ci zwischen dem Emitter des Transistors T₂ und der Kollektorelektrode des Transistors T, vorgese- J» hen. Diese Kapazität kann relativ klein sein, so daß sie als MOS-Kondensator leicht in eine Integrierte Halbleiterschaltung eingefügt werden kann. Ein Kapazitätswert Ci = 3OpF hat sich bewährt. Mit C₅ ist die parasitäre Substratskapazität am Kollektor des Transistors T, bezeichnet. Zur Linearisierung der Phasendrehung der Steilheit der Transistoren T₁, und 7"_6u dient der zusätzliche Widerstand Ru der zwischen die Emitterelektrode des Transistors Γ₆ und die Emitterelektroden der Transistoren Γι und T_t geschaltet Ist. Dieser Widerstand darf -'> jedoch nicht beliebig groß sein, da das sonst resultierende Spannungsgleichgewicht an den Kollektorelektroden der Transistoren T, und T, die Stabilität der Ausgangsspannung In Frage stellen würde. Der Widerstand R_t wird daher vorzugsweise so dimensioniert, daß die Kollektorspannungen an den Transistoren T, und Tj bzw. Γι und Ta etwa gleich groß sind. Bei einem Ausführungsbeispiel hat sich ein Widerstandswert R, - 2 kil bewährt.

Die Basis-Emltterstrecke eines Transistors Γ,< kann zusätzlich in die Emitterleitung des Transistors T₆₀ einge- .'<> für¹ werden, wobei dieser zusätzliche Transistor zur Erzeugung eines Impulses benutzt werden kann, der dann aufgrund der Durchsteuerung des Transistors T_n am Kollektor dieses Transistors auftritt, wenn über die Transistoren Γ» und T_ia Strom fließen kann. Mit dem Transistor Tu kann somit ein definierter Impuls exakt in dem Moment erzeugt werden, wenn am Schallungsausgang die gewünschte stabilisierte Spannung ansteht.

Wie bereits erwähnt wurde, besteht bei der Schaltung nach der Fig. 6 der Lasttransistor aus dem Darlington 3> Τ-, und r_7o, wobei die Basiselektrode des Transistors Ti an den gemeinsamen Anschlußpunkt der Stromzweige P, bis P, angekoppelt Ist. In der Emitterzuleitung des Transistors Γ_7ο liegt der Spannungsteiler aus den Widerständen /?τ·| und R_n. Der Abgrifl dieses Spannungsteilers liegt am Referenzpotential U_R£f. das temperaturstabilisleri ist und den Wert 1,205 V aufweist. Am Lastwiderstand R_L, der parallel zu dem Spannungsteiler aus den Widerständen R_n und R_n liegt, fällt somit eine stabilisierte Spannung ab. für die gilt w

Bei einem realisierten Ausfuhrungsbeispiel für einen Spannungsbereich der Spannung U₅ zwischen 3 und 20 Volt, und bei einem Flächenverhältnis Fb = 3 und Fa = 5 wurden die Widerstände wie folgt dimensioniert:

Λ,ο = 50 kii
A₁₂= 1 kii
R₂ - 1,4 kn
R, = 3,0 kn

Hierzu 4 Blatt Zeichnungen

Claims (9)

Patentansprüche:

1. Temperaturstabile Spannungsquelle mit einem ersten basisgekoppelten Transistorpaar (T₁, T₂) in zwei parallel geschalteten Stromzweigen (ft, Pi), wobei der Transistor (Ti) im zweiten Stromzweig (P₁) einen Emitterwiderstand (R₂) aufweist, mit einem zweiten, einen Stromspiegelverstärker bildenden, basisgekoppelten Transistorpaar (Γι, T_A) aus zum ersten Paar komplementären Transistoren, wobei je ein Transistor jedes Paares in einem der beiden Stromzweige (Pu Pi) Hegt, wobei das Stromzweigpaar (Pi, P₂) über einen zweiten Widerstand (Λ,) mit einem dritten Stromzweig (P₁) und Masse verbunden ist, mit einem fünften Transistor (F₆) im dritten Stromzweig (Pi), wobei die Basiselektrode des fünften Transistors (T₆) mit den Kollektoren der im ersten Stromzweig (ft) liegenden Transistoren (7Ί, T₃) verbunden ist, mit einem aus der Stromquelle (l_s) und einem sechsten Transistor (Tt) bestehenden Aktivierungsstromzweig, wobei die Basis des sechsten Transistors (T₇) mit dem allen Stromzweigen (P,, P₂, ft) gemeinsamen ersten Anschlußpunkt verbunden ist und zwischen diesem und der positiven Poientialquelle (U_s) die Stromquelle (I₅) angeordnet ist, wobei der mit den Basiselektroden der Transistoren (Γι, T₂) des ersten Transistorpaars verbundene Emitter des sechsten Transistors (T₇) den Schaltungsausgang für die stabilisierte Spannung W_REF) bildet, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl die Transistoren des ersten Paares als auch die des zweiten Paares untereinander ungleich große aktive Transistorflächen aufweisen, wobei innerhalb des ersten Transistorpaars (Γι, T₂) der mit dem Emitterwiderstand (R₂) versehene Transistor (T₂) im zweiten Stromzweig (P₂) die größere aktive Transistorfläche und innerhalb des zweiten Transistorpaars (T,, Tt) der Transistor (Γι) im ersten Stromzweig (ft) die größere aktive Transistorfläche aufweist.

2. Temperaturstabile Spannungsquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Flächen verhältnis der Transistoren des ersten Transistorpaars (T₁, T₂) 5 ist.

3. Temperaturstabile Spannungsquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Flächenverhältnis der Transistoren des zweiten Transistorpaars (T₁, Tt) 3 oder 5 beträgt.

4. Temperaturstabile Spannungsquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der fünfte Transistor (Ti) im dritten Stromzweig (ft) über einen Widerstand (R₁) mit dem ^Jlen Stromzweigen i'ft, ft, ft) gemeinsamen ersten Anschlußpunkt verbunden ist.

5. Temperaturstabile Spannungsquelle nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand (Ri) im dritten Stromzweig (ft) so bemessen ist, daß die an den Kollektoren miteinander verbundenen Komplementärtranslstoren in den beiden anderen Stromzweigen (ft, ft) etwa gleich« Kollektorpotentiale aufweisen.

6. Temperaturstabile Spannungsquelle nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor im dritten Stromrweig L-^:j) ein Komplementär-Darlington-Translstor (T₆, T₆₀) ist.

7. Temperaturstabile Epannungsquelle nach Anspruch 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß in den dritten Stromzweig (Pj) zur Auskoppei Mg eines Schaltimpulses bei Erreichen der stabilisierten Gleichspannung am Schaltausgang ein Schalttransistor (Γυ) eingefügt ist.

8. Temperaturstabile Spannungsquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterelektrode des mit dem Emitterwiderstand (R₂) versehenen Transistors (T₁) im zweiten Stromzwele (P₂) über einen Kondensator (Ci) mit den Kollektoren der im ersten Stromzweig (Pi) liegenden Transistoren (Γ,, Τ,) verbunden ist.

■w

9. Temperaturstabile Spannungsquelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekenrszelch-

p net, daß der Stromspiegelverstärker (Tj, Tt) einen v/eiteren, der Baslsstromeinspeisung dienenden Transistor

th (Τ») aufweist, dessen Basls-Emitterstrecke parallel zar Kollektor-Basisstrecke des Transistors (Tt) im zweiten

|; Strompfad (P₁) geschaltet ist. während der Kollektor des zusätzlichen Transistors (T,) mit Massepotential

:'; verbunden ist.