DE3582160D1 - Integrierte schaltung mit einem gallium-arsenid-gate-array unter verwendung von nand-gattern in direkt gekoppelter feldeffekttransistorlogik. - Google Patents

Integrierte schaltung mit einem gallium-arsenid-gate-array unter verwendung von nand-gattern in direkt gekoppelter feldeffekttransistorlogik.

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