DE3545239C2 - Verfahren zur Herstellung eines Kontaktierungsbereichs auf einem strukturierten Halbleiterkörper - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Kontaktierungsbereichs auf einem strukturierten HalbleiterkörperInfo
- Publication number
- DE3545239C2 DE3545239C2 DE19853545239 DE3545239A DE3545239C2 DE 3545239 C2 DE3545239 C2 DE 3545239C2 DE 19853545239 DE19853545239 DE 19853545239 DE 3545239 A DE3545239 A DE 3545239A DE 3545239 C2 DE3545239 C2 DE 3545239C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- region
- crystal semiconductor
- silicon single
- silicon
- blocking region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 4
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/20—Resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02576—N-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
- H01L21/02639—Preparation of substrate for selective deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System
- H01L21/28525—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System the conductive layers comprising semiconducting material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/732—Vertical transistors
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines
Kontaktierungsbereichs auf einem strukturierten
Halbleiterkörper nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Ein derartiges Verfahren ist aus der DE 33 45 200 A1 bekannt.
Die Erfindung ist insbesondere anwendbar zur Herstellung von
Transistoren und/oder integrierten Schaltkreisen (IC′s) auf
der Grundlage eines Silizium-(Si)-Substrates.
In der DE 33 45 200 A1 wird ein Halbleiter-Bauelement und ein
Verfahren zu seiner Herstellung beschrieben. Bei diesem
Verfahren wird auf der Oberfläche eines Siliziumsubstrats
selektiv ein Isolationsfilm und insgesamt eine polykristalline
Siliziumschicht epitaktisch aufgebracht, wobei der Teil der
polykristallinen Siliziumschicht, der direkt auf dem
Siliziumsubstrat, ohne den Isolationsfilm zu berühren,
aufgebracht ist, in eine Einkristallschicht überführt wird. In
dem derart erhaltenen aktiven Bereich werden mindestens zwei
Signalelektroden aufgebracht.
In der US 4 232 439 wird eine Maskierungstechnik beschrieben,
die bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen anwendbar
ist. Bei diesem Verfahren wird unter Verwendung eines
maskierenden Photolacks in Verbindung mit einer
Ionenimplantation eine Halbleiterschicht dotiert, wobei der
Winkel zwischen der Halbleiteroberfläche und dem Ionenstrahl
weniger als 90 Grad beträgt.
In der JP 55-105381 A wird ebenfalls ein Dotierungsverfahren
beschrieben, bei dem die Source- und Drain-Bereiche eines
Feldeffekt-Transistors durch Ionenimplantation hergestellt
werden, wobei die Ionenimplantation unter einem Winkel
ausgeführt wird, der von der Normalen auf die
Halbleiteroberfläche abweicht.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein
Herstellungsverfahren für einen Kontaktierungsbereich auf
einem strukturierten Halbleiterkörper anzugeben, welches eine
zuverlässige Herstellung und Kontaktierung zumindest der
Basis- und Emitterbereiche eines Transistors mit weniger
Verfahrensschritten als beim Stand der Technik ermöglicht.
Diese Aufgabe wird gelöst durch das Verfahren des
Patentanspruchs 1. Vorteilhafte Weiterbildungen sind den
Unteransprüchen entnehmbar.
Ein erster Vorteil der Erfindung besteht darin, daß
insbesondere bei der Herstellung von bipolaren Schaltkreisen
die Maskierungs- sowie Kontaktierungsvorgänge vereinfacht
werden können.
Ein zweiter Vorteil besteht darin, daß besonders feine
Strukturen, z. B. kleiner 1 µm, für die Emitter- und/oder
Basisregion erzielt werden können. Dies erhöht die
Packungsdichte und/oder die Schaltgeschwindigkeit der
Schaltung.
Ein Ausführungsbeispiel beruht auf der nachfolgend erläuter
ten Anwendung der sogenannten differentiellen Epitaxie auf Si-hal
tigem Material, die z. B. aus der Zeitschrift Journal of the
Electrochemical Society, Bd. 132, Seiten 2227-2231 (1985), bekannt ist.
Dabei wird in einer Ultrahochvakuumanlage (Vakuum kleiner 10-9
mbar) mit Hilfe des Silizium-Molekularstrahlepitaxieverfahrens
(Si-MBE) eine Si-Schicht aufgewachsen auf einem Si-Substrat,
auf dem einkristalline Si-Bereiche sowie Siliziumdioxid (SiO₂)-
Bereiche benachbart sind. Durch Wahl der Temperatur des Si-
Substrates sowie des Vakuums, z. B. Art sowie Partialdruck von
Restgasen, ist es gleichzeitig möglich, auf den einkristallinen
Si-Bereichen einkristallines Si-Material aufzuwachsen, während
auf den SiO₂-Bereichen polykristallines Si-Material abgeschie
den wird, dessen spezifische Leitfähigkeit einige Größenordnun
gen kleiner ist als diejenige des einkristallinen Si-Materials.
Es entsteht ein genau bestimmbarer Übergang zwischen polykristal
linem und einkristallinem Si-Material. Es ist möglich, die
Wachstumsbedingungen so zu wählen, daß polykristallines und ein
kristallines Si-Material mit gleicher Schichtdicke abgeschieden
werden. Dadurch entsteht an dem Übergang eine Stufe, deren Höhe
lediglich von der Dicke der Siliziumdioxidschicht abhängt, die
unter dem polykristallinen Silizium vorhanden ist.
Diese Eigenschaften sind nutzbar zur Herstellung der folgenden
beispielhaft gewählten Halbleiterstrukturen, die anhand einer
schematischen Zeichnung näher erläutert wird.
Es zeigen
Fig. 1 und 2 Querschnitte durch ein Ausführungsbeispiel
zur Erläuterung der Erfindung.
Die Fig. 1 und 2 zeigen ein in der Halbleitertechnologie
derzeit übliches p⁻-dotiertes Si-Substrat 1, in dem eine
n⁺-dotierte vergrabene Halbleiterzone 2 vorhanden ist.
Anschließend werden das Si-Substrat 1 und die Halbleiter
zone 2 ganzflächig durch eine ungefähr 0,2 µm dicke SiO₂-
Oxidschicht 7′ abgedeckt, die thermisch bei einer Tempera
tur von ungefähr 950°C hergestellt ist. Innerhalb des
Bereiches der vergrabenen Halbleiterzone 2 werden nun
zwei durch einen Abstand von ungefähr 3 µm benachbarte
Fenster durch die Oxidschicht 7′ geätzt. Dabei besitzt das
Kollektor-Fenster eine Größe von 3 µm × 50 µm und das Basis/-
Emitter-Fenster eine Größe von 6 µm × 50 µm. Anschließend
wird ganzflächig das Si-MBE-Verfahren angewandt, wobei bei
einer Substrattemperatur von 650°C, durch Antimon (Sb)
n-dotiertes Silizium abgeschieden wird. Dabei entstehen
innerhalb der Fenster einkristalline Halbleiterbereiche
3, 4 mit einer Schichtdicke von 0,6 µm und einer Sb-Konzen
tration von 1 × 10¹⁶/cm³ und außerhalb der Fenster, auf der
Oxidschicht 7′, polykristallines Silizium 7′′ mit einer Schicht
dicke von ebenfalls 0,6 µm. Aus den angegebenen Schichtdicken
geht hervor, daß sich ein- und polykristalline Si-Bereiche
in der dargestellten Weise berühren. Es entsteht eine
Stufe 11, deren Höhe, z. B. 0,2 µm, lediglich von der Dicke
der Oxidschicht 7′ abhängt. Durch ein Dotierungsverfahren, z. B.
Diffusions- oder Implantationsverfahren, ist es möglich, in
dem Kollektor-Halbleiterbereich 4 eine n⁺-Phosphor (P)-Dotie
rung zu erzeugen mit einer Phosphor-Konzentration von 1 × 10²⁰/cm³.
In dem Basis/Emitter-Halbleiterbereich 3 wird ein durch
Bor (B) p-dotierter Bereich 5 erzeugt mit einer Bor-Konzentra
tion von 10¹⁸/cm³ und einer Dicke von 0,3 µm.
Alternativ dazu ist es möglich, zunächst einen n-dotierten
Bereich mit einer Dicke von 0,3 µm epitaktisch aufzuwach
sen und anschließend den p-dotierten Bereich ebenfalls
epitaktisch aufzuwachsen.
Es ist nun möglich, die Basis- und Emitter-Halbleiter
bereiche 5′′, 6 durch schräges Implantieren herzustellen,
so daß die Lage der Halbleiterbereiche 5′′, 6 selbstjustie
rend ist und Diffusionsmasken überflüssig sind.
Dieser Vorgang wird nachfolgend erläutert. Gemäß Fig. 1
wird ein Bor (B)-Ionenstrahl 8 mit
einer Ionenenergie von 0,1 MeV unter einem
Einfallswinkel α von 10° auf den Halbleiterbereich 5
gerichtet. An der Stufe 11 ergibt sich dadurch eine Ab
schattung S, deren Betrag gegeben ist durch die Formel
S = tox · ctg α, wobei tox die Höhe der Stufe 11 bezeichnet
und gleichzeitig die Dicke der Oxidschicht 7′. Es entsteht
der p⁺-dotierte Basis-Halbleiterbereich 5′′ mit einer
Dotierstoffkonzentration von 1 × 10²⁰/cm³ und einer
Schichtdicke von 0,2 µm. Bei dieser B-Ionen
implantation wird der angrenzende polykristalline Si-
Bereich ebenfalls p-dotiert.
Außerhalb der einkristallinen Fenster werden die Dotier
zonen mit üblicher Maskierungstechnik definiert bei einem
ganzflächig angewandten Ionenstrahl.
Gemäß Fig. 2 wird nun der der Basis gegenüberliegende
Emitterbereich 6 ebenfalls durch schräge Ionenimplantation
hergestellt. Diese Ionenimplantation entspricht derjenigen
der beschriebenen Basis-Implantation, jedoch mit dem Unter
schied, daß Arsen (As)-Ionen verwendet werden. Es entsteht
ein n⁺-dotierter Emitter-Halbleiterbereich 6 mit einer
Dotierung des angrenzenden polykristallinen Siliziums.
Es sind einkristalline unterschiedlich dotierte Halblei
terbereiche 3, 4, 5 entstanden, die durch Sperrbereiche
getrennt sind, die polykristallines Silizium 7′′ enthalten.
Zur Herstellung der an die Implantation anschließenden
metallischen Kontaktierungen ist es vorteilhaft, zumindest
bei den Emitter- und Basiskontakten, das Metall, im Ausführungs
beispiel Aluminium (Al), schräg aufzudampfen unter den gleichen
Winkeln, die für die vorausgegangene Ionenimplantation
verwendet wurden. Dadurch wird erreicht, daß sich
Metallkontakte 9 auf den zugehörigen Halbleiterbereichen
5′′, 6 selbst justieren. Die Herstellung weiterer metalli
scher Kontakte, z. B. des Kollektorkontaktes, und/oder von
metallischen Leiterbahnen ist möglich durch derzeit übliche
Verfahren, z. B. mit Hilfe der Lithographie und/oder des
Lift-off-Verfahrens. Es entstehen die Kollektor-, Basis- und
Emitterkontakte K, B, E.
Da das polykristalline Silizium 7′′ eine spezifische elek
trische Leitfähigkeit hat, die um einige Größenordnungen
kleiner ist als diejenige der einkristallinen Si-Halblei
terbereiche, ist es überraschenderweise möglich,
passive elektrische Widerstände zu
integrieren. Dazu wird während der n⁺-Do
tierung des Emitters in dem polykristallinen Silizium 7′′
ein Widerstandsbereich so stark dotiert, daß dort eine
nutzbare Leitfähigkeit von 10² (Ohm cm)-1 entsteht.
Über die geometrischen Ausmaße (Länge, Breite, Dicke) ist
dann ein gewünschter Widerstandswert von 10 kOhm
einstellbar. Der Widerstandsbereich ist dann kontaktierbar
durch metallische Leiterbahnen. Auf diese Weise ist mit wenigen
Verfahrensschritten eine Kombination aus
mehreren Transistoren und einem passiven Widerstandsnetz
werk als integriertes Bauelement herstellbar.
Claims (5)
1. Verfahren zur Herstellung eines Kontaktierungsbereichs
(5′′, 6) auf einem strukturierten Halbleiterkörper,
aufweisend die Schritte:
- - Bilden von unterschiedlich dotierten Silizium einkristall-Halbleiterbereichen (3, 4, 5),
- - wobei die Siliziumeinkristall-Halbleiterbereiche (3, 4, 5) durch mindestens einen Sperrbereich (7′, 7′′) begrenzt sind,
- - wobei der Sperrbereich (7′, 7′′) zumindest teilweise aus polykristallinen Silizium (7′′) besteht, und
- - wobei der Sperrbereich (7′, 7′′) eine größere Schichtdicke besitzt als der angrenzende Siliziumeinkristall-Halbleiterbereich (3, 4, 5) derart, daß an der Grenze mindestens eine vertikale Stufe (11) entsteht; und
- - Bilden des Kontaktierungsbereichs,
dadurch gekennzeichnet,
- - daß das Bilden des Kontaktierungsbereichs (5′′, 6) in den Siliziumeinkristall-Halbleiterbereichen (3, 4, 5) durch Ionenimplantation erfolgt,
- - wobei die Lage des Kontaktierungsbereichs (5′′, 6) durch die Höhe der Stufe (11) und den Einfallswinkel (α) des Ionenstrahls (8) bestimmt ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
mindestens ein Siliziumeinkristall-Halbleiterbereich
(3, 4, 5) und mindestens ein angrenzender Sperrbereich
(7′, 7′′) durch differentielle Silizium-Molekularstrahl-
Epitaxie gebildet werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch
Schrägaufdampfen eines Metallkontaktes (9) auf den
Halbleiter-Kontaktierungsbereich (5′′, 6), wobei
der zugehörige Aufdampfwinkel im wesentlichen dem
Einfallswinkel (α) des Ionenstrahls (8) entspricht.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
gekennzeichnet durch
Bilden mindestens eines Widerstandsbereichs in dem
polykristallinen Silizium (7′′) des Sperrbereichs.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19853545239 DE3545239C2 (de) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | Verfahren zur Herstellung eines Kontaktierungsbereichs auf einem strukturierten Halbleiterkörper |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19853545239 DE3545239C2 (de) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | Verfahren zur Herstellung eines Kontaktierungsbereichs auf einem strukturierten Halbleiterkörper |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3545239A1 DE3545239A1 (de) | 1987-06-25 |
DE3545239C2 true DE3545239C2 (de) | 1998-04-09 |
Family
ID=6289037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19853545239 Expired - Fee Related DE3545239C2 (de) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | Verfahren zur Herstellung eines Kontaktierungsbereichs auf einem strukturierten Halbleiterkörper |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3545239C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19845787A1 (de) * | 1998-09-21 | 2000-03-23 | Inst Halbleiterphysik Gmbh | Bipolartransistor und Verfahren zu seiner Herstellung |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19845789A1 (de) * | 1998-09-21 | 2000-03-23 | Inst Halbleiterphysik Gmbh | Bipolartransistor und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE19845793A1 (de) * | 1998-09-21 | 2000-03-23 | Inst Halbleiterphysik Gmbh | Bipolartransistor und Verfahren zu seiner Herstellung |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55105381A (en) * | 1979-12-17 | 1980-08-12 | Seiko Epson Corp | Manufacture of schottky barrier field-effect transistor |
US4232439A (en) * | 1976-11-30 | 1980-11-11 | Vlsi Technology Research Association | Masking technique usable in manufacturing semiconductor devices |
DE3345200A1 (de) * | 1982-12-14 | 1984-06-14 | Nishizawa, Jun-Ichi, Sendai, Miyagi | Halbleiter-bauelement und verfahren zu seiner herstellung |
-
1985
- 1985-12-20 DE DE19853545239 patent/DE3545239C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4232439A (en) * | 1976-11-30 | 1980-11-11 | Vlsi Technology Research Association | Masking technique usable in manufacturing semiconductor devices |
JPS55105381A (en) * | 1979-12-17 | 1980-08-12 | Seiko Epson Corp | Manufacture of schottky barrier field-effect transistor |
DE3345200A1 (de) * | 1982-12-14 | 1984-06-14 | Nishizawa, Jun-Ichi, Sendai, Miyagi | Halbleiter-bauelement und verfahren zu seiner herstellung |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
US-Z: J. of Electrochem.Soc. 132,1985,S.2227-2231 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19845787A1 (de) * | 1998-09-21 | 2000-03-23 | Inst Halbleiterphysik Gmbh | Bipolartransistor und Verfahren zu seiner Herstellung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3545239A1 (de) | 1987-06-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0010596B1 (de) | Verfahren zur Ausbildung von Maskenöffnungen bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen | |
EP0000897B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von lateral isolierten Siliciumbereichen | |
DE2538325C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen | |
DE2655341C2 (de) | Halbleiteranordnung mit einer Passivierungsschicht aus Halbleitermaterial und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
EP0010624A1 (de) | Verfahren zur Ausbildung sehr kleiner Maskenöffnungen für die Herstellung von Halbleiterschaltungsanordnungen | |
DE2618733A1 (de) | Halbleiterbauelement mit heterouebergang | |
DE3030385C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer MOS-Halbleitervorrichtung | |
DE3402629A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleitereinrichtung | |
DE2641752A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines feldeffekttransistors | |
DE2749607B2 (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE2926334C2 (de) | ||
DE2633714C2 (de) | Integrierte Halbleiter-Schaltungsanordnung mit einem bipolaren Transistor und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
EP0230508B1 (de) | Strukturierter Halbleiterkörper | |
DE4112045C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Isolierbereichen in einer Halbleitereinrichtung | |
DE3545239C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kontaktierungsbereichs auf einem strukturierten Halbleiterkörper | |
DE2154386B2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer epitaktischen Halbleiterschicht auf einem Halbleitersubstrat durch Abscheiden aus einem Reaktionsgas/Trägergas-Gemisch | |
EP0226739B1 (de) | Strukturierte Halbleiterkörper | |
DE1802849B2 (de) | Verfahren zum herstellen einer monolithischen schaltung | |
EP0232515B1 (de) | Strukturierter Halbleiterkörper | |
DE3545243C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Halbleiterkörpers | |
DE3716470C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Halbleiterkörpers | |
DE3813836A1 (de) | Verfahren zur herstellung monolithisch integrierter, multifunktionaler schaltungen | |
DE3716471C2 (de) | Strukturierter Halbleiterkörper | |
DE2511487C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines vertikalen Sperrschicht-Feldeffekttransistors | |
DE2857837C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8120 | Willingness to grant licenses paragraph 23 | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: H01L 21/203 |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: LICENTIA PATENT-VERWALTUNGS-GMBH, 6000 FRANKFURT, |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: KASPER, ERICH, PROF. DR.RER.NAT., 89284 PFAFFENHOF |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |