DE3537881C2 - - Google Patents
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- A01G7/04—Electric or magnetic or acoustic treatment of plants for promoting growth
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Description
Die Erfindung betrifft eine Leuchtstoffschicht mit einem
Leuchtstoff gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Eine
Leuchtstoffschicht dieser Gattung ist aus DE-PS 8 51 386 bekannt.
Sie absorbiert das von einer strahlenden Quelle ankommende
Licht, durch welches der innerhalb einer transparenten
Zwischensubstanz eingebettete Leuchtstoff erregt
wird und Licht mit einer größeren Wellenlänge als die des
ankommenden Lichtes auf der Grundlage der Photonenvervielfachung
aussendet.
Eine solche Leuchtstoffschicht führt eine Fotokonversion des
eingestrahlten Lichtes mit hohem Wirkungsgrad durch Ausnutzung
der Multi-Quantenemission durch und wird beispielsweise
am Umfang einer Röhre angeordnet, welche die strahlende
Lichtquelle umgibt, also am Innen- oder Außenumfang einer
Lampenröhre, wenn eine gestreckte Lampe betrachtet wird. Eine
solche Leuchtstoffschicht ist also insbesondere zur Anwendung
bei Lampen und dergleichen geeignet.
Ein Beispiel einer allgemein angewandten Leuchtstoffschicht
sind fluoreszierende Substanzen, die in Leuchtstofflampen
verwendet werden. In diesen Leuchtstofflampen, bei denen eine
fluoreszierende Substanz als Leuchtstoff verwendet wird, erreicht
die Lichtausbeute etwa 80 lm/W, was für die derzeit
verfügbaren Lampen relativ hoch ist. Dennoch können die herkömmlichen
Leuchtstofflampen nur etwa 1/4 der eingesetzten
Energie umsetzen. In einer Leuchtstofflampe werden etwa 60%
der Lampen-Eingangsleistung in Ultraviolettstrahlung
im Inneren der Lampe umgesetzt, und nur etwa 40% der ultravioletten
Strahlungsenergie wird durch die Leuchtstoffsubstanz in
sichtbares Licht umgesetzt.
Eine Verdopplung der Lichtausbeute würde eine erhebliche direkte
Energieeinsparung bedeuten. Es besteht daher ein großer
Bedarf für verbesserte Leuchtstoffschichten, durch welche die
Lichtausbeute gesteigert werden kann.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Leuchtstoffschicht
mit einem Leuchtstoff zu schaffen, der imstande
ist, für jedes anregende Photon zwei oder mehr Photonen auszusenden,
was als Multi-Quantenemission bezeichnet wird und
eine erhebliche Steigerung der Lichtausbeute bei entsprechender
Energieeinsparung zur Folge hat.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß bei einer gattungsgemäßen
Leuchtstoffschicht durch die im kennzeichnenden Teil des
Patentanspruchs 1 angegebene Maßnahme gelöst. Ein besonderes
Merkmal der erfindungsgemäßen Leuchtstoffschicht besteht
darin, daß die Leuchtstoffe innerhalb transparenter Zwischensubstanzen
so verteilt sind, daß sie eine atomartige Beschaffenheit
bewahren und individuell voneinander isoliert sowie
fest eingebunden sind. Die Leuchtstoffe in der Leuchtstoffschicht
zeigen die Anregungs-Energieniveaus der freien Atome
dieser Stoffe und sind nur Multi-Quantenemission im sichtbaren
Spektrum fähig.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Ausführungsbeispiele sind in der Zeichnung dargestellt, auf die Bezug genommen
wird. In der Zeichnung zeigt
Fig. 1 ein Diagramm zur Verdeutlichung des Fotokonversionsprinzips,
auf dem die Erfindung
beruht;
Fig. 2 ein Diagramm zur Verdeutlichung des Fotokonversionsprinzips
bei herkömmlichen Leuchtstoffen,
zum Vergleich zu Fig. 1;
Fig. 3 ein Modell der erfindungsgemäßen Leuchtstoffschicht;
Fig. 4 ein Modell eines herkömmlichen Leuchtstoffes
im Vergleich zu Fig. 3;
Fig. 5 ein X-Y-Farbartdiagramm;
Fig. 6 eine schematische Perspektivansicht einer
Lampe, bei welcher die in Fig. 3 gezeigte
Leuchtstoffschicht gemäß einer Ausführungsform
der Erfindung angewendet wird;
Fig. 7 eine Schnittansicht der Lampe nach Fig. 6;
Fig. 8 einen vergrößerten Teilschnitt der
Leuchtstoffschicht bei der Lampe nach Fig. 6;
Fig. 9A-9C Diagramme zur Veranschaulichung der Herstellung
der in Fig. 6 gezeigten Leuchtstoffschicht
nach einem Langmuir-Filmbildungsverfahren;
Fig. 10 eine schematische Darstellung der Struktur
der durch die in Fig. 9 gezeigten Verfahrensschritte
hergestellten Leuchtstoffschicht;
Fig. 11 ein Diagramm, welches die Energieniveaus des
Quecksilbers bei Quecksilberdampf-Entladungslampen
zeigt, wie sie in Verbindung mit der in Fig.
6 gezeigten Leuchtstoffschicht als Strahlungsquelle
verwendet werden können;
Fig. 12 ein Diagramm, welches die Energieniveaus des
Natriums zeigt, welches als Leuchtstoff in
der Leuchtstoffschicht nach Fig. 6 verwendet werden
kann;
Fig. 13 ein Diagramm, welches die Energieniveaus von
Sr zeigt, welches als anderer Leuchtstoff in
der Leuchtstoffschicht nach Fig. 6 verwendet werden
kann;
Fig. 14 ein Diagramm, welches die Energieniveaus des
Xe für Xenon-Entladungslampen zeigt, wie sie
als andere Strahlungsquelle in Verbindung mit der Leuchtstoffschicht
nach Fig. 6 verwendet werden können;
Fig. 15 ein Diagramm, welches die Energieniveaus des
Zn zeigt, welches als weiterer Leuchtstoff
in der Leuchtstoffschicht nach Fig. 6 verwendet
werden kann;
Fig. 16 ein Spektraldiagramm einer Hochdruck-Quecksilberdampflampe,
die als weitere Strahlungsquelle
in Verbindung mit der Leuchtstoffschicht nach Fig. 6 verwendet
werden kann;
Fig. 17 ein Diagramm, welches die Energieniveaus des
Cs zeigt, welches als weiterer Leuchtstoff
in der Leuchtstoffschicht nach Fig. 6 verwendet
werden kann;
Fig. 18 ein Diagramm, welches die Energieniveaus des
Mg zeigt, das im atomarigen Zustand als weiterer
Leuchtstoff in der Leuchtstoffschicht nach
Fig. 6 verwendet werden kann;
Fig. 19 ein Diagramm, welches die Energieniveaus des
Mn zeigt, das im atomartigen Zustand als weiterer
Leuchtstoff in der Leuchtstoffschicht nach
Fig. 6 verwendet werden kann;
Fig. 20 ein schematisches Diagramm zur Veranschaulichung
eines Verfahrens zur Herstellung der
Leuchtstoffschicht nach Fig. 6 durch ein Vakuum-
Niederschlagsverfahren;
Fig. 21 einen Teilschnitt zur Erläuterung der Struktur
der Leuchtstoffschicht, welche durch das Verfahren
nach Fig. 20 hergestellt wurde; und
Fig. 22 einen schematischen Schnitt durch eine weitere
Ausführungsform, bei welcher die Leuchtstoffschicht
nach Fig. 3 bei einer Lampe angewendet wurde.
Der vorliegenden Erfindung liegt der technische Gedanke
zugrunde, daß eine Leuchtstoffschicht beim Auftreffen einer
Strahlung, beispielsweise aus einer Ultraviolett-Strahlungsquelle,
zwei oder mehr Photonen für jedes anregende
Photon aussendet. In der Fig. 1 sind nur zwei emittierte
Photonen gezeigt. Dieser Vorgang wird im folgenden als
Multi-Quantenemission bezeichnet, wobei es sich um eine
Emission handelt, bei der zwei oder mehr Quanten ausgesendet
werden. Bei einer herkömmlichen Leuchtstoffschicht, die
durch einen üblichen Leuchtstoff gebildet und in Fig. 2
verdeutlicht ist, treten bei der Erregung durch ankommendes
Licht Wärmeverluste aufgrund von Gitterschwingungen
und dergleichen auf, so daß lediglich ein einziges Photon
für jedes anregende Photon emittiert werden kann. Die erfindungsgemäß
angewendete Multi-Quantenemission beruht
also gegenüber den herkömmlichen Leuchtstoffschichten auf einem
vollständig neuartigen Lichtemissionsprinzip. Durch die
erfindungsgemäße Anwendung der Multi-Quantenemission wird
eine Verdoppelung der Lichtausbeute erzielt.
Die erfindungsgemäße Leuchtstoffschicht ist als Schicht oder
Film ausgebildet und enthält Zwischensubstanzen und
Leuchtstoffe, die jeweils durch die Zwischensubstanzen
eingeschlossen sind. Es wird nun das in Fig. 3 gezeigte
Modell betrachtet. Bei der erfindungsgemäßen Leuchtstoffschicht
sind die als Kreise "○" dargestellten Leuchtstoffe
jeweils in den transparenten Zwischensubstanzen
verteilt, die durch das Zeichen "X" verdeutlicht sind;
die Leuchtstoffe sind individuell voneinander isoliert
und über die Zwischensubstanzen miteinander verbunden.
In dieser Leuchtstoffschicht bewahren die Leuchtstoffe in
optimaler Weise die Eigenschaften eines Atoms, d. h. den
Zustand des atomaren Energieniveaus bzw. wenigstens einen
"atomartigen" Zustand, der den kondensiert-molekularen
Zustand einschließt. Unter dem "atomartigen" Zustand
wird hier ein Zustand verstanden, bei welchem die Leuchtstoffe
nicht notwendigerweise als vollständig isolierte
Atome vorliegen, sondern zumindest einen Zustand aufweisen, der an den Zustand des atomaren Energieniveaus
angenähert ist, wobei der Leuchtstoff lediglich neben
der Zwischensubstanz vorhanden ist, ohne in Reaktion
mit dieser zu treten oder eine Kombination mit ihr einzugehen
oder zumindest nur eine schwache Kombination mit
der Zwischensubstanz und anderen Substanzen einzugehen,
so daß der molekülartige Zustand vermieden wird.
Wenn die Bedingung erfüllt ist, daß die Leuchtstoffe
zumindest im "atomartigen" Zustand sind, können beim
Auftreffen eines Strahls auf der Leuchtstoffschicht aus
einer Strahlungsquelle zwei oder mehr Photonen durch die
jeweiligen Leuchtstoffe emittiert werden, die in den
Zwischensubstanzen der Leuchtstoffschicht verteilt
sind. In dem Leuchtstoff einer herkömmlichen Leuchtstoffschicht,
die als Schicht oder Film vorliegt, wie in Fig. 4
dargestellt ist, wird jeweils ein durch ein Kreuz "X"
in jedem durch das Zeichen verdeutlichten Matrixmolekül
dargestelltes Element durch ein einen Lichtbeitrag
lieferndes Element ersetzt, welches durch einen Punkt "·"
verdeutlicht wird, so daß Leuchtmoleküle gebildet werden,
die durch das Zeichen dargestellt und in den transparenten,
keinen Lichtbeitrag liefernden Matrixmolekülen
verteilt sind. Das den Lichtbeitrag liefernde Element
"·" in den Leuchtmolekülen besitzt hier nur ein
Anregungs-Energieniveau für das Molekül, welches weit von
dem Energieniveau des atomaren oder atomartigen Zustandes
entfernt ist. Aus diesem Grunde kann der Leuchtstoff in
dem jeweiligen Leuchtmolekül nur ein einziges Photon aussenden,
wenn ein Photon aus der Strahlungsquelle auf dem
Leuchtstoff auftrifft.
Für allgemeine Beleuchtungszwecke wird weißes Licht bevorzugt,
dessen Farbart durch die schraffierte Zone A in
Fig. 5 verdeutlicht ist.
Die erfindungsgemäße Leuchtstoffschicht wird nun anhand einer
Ausführungsform beschrieben, bei welcher die Leuchtstoffschicht
auf eine röhrenförmige Beleuchtungslampe angewendet
ist. Es wird auf die Fig. 6 bis 8 Bezug genommen. Dort
ist eine Niederdruck-Quecksilberdampflampe gezeigt, die
für Ultraviolettstrahlung durchlässig ist, beispielsweise
wie eine Desinfektionslampe. Bei einer solchen Lampe ist
eine mit Vorheizelektroden PF versehene Entladungsröhre LT
entweder auf der Innen- oder auf der Außenoberfläche mit
einer filmartigen Leuchtstoffschicht PSL versehen, die
in der in Fig. 8 im Schnitt gezeigten Weise eine dünne
feste Schicht STL umfaßt, die Na als einen der anwendbaren
Leuchtstoffe enthält, wobei das Na durch eine Grundsubstanz
gehalten wird, welche die Zwischensubstanzen
bildet, und wobei das Na sich im atomartigen Zustand befindet.
Die dünne feste Schicht STL ist auf ihrer Rückseite
mit einem Harzfilm RF1 bedeckt, welcher für Ultraviolettstrahlung
durchlässig ist, und auf ihrer Vorderseite
mit einem Harzfilm RF2 bedeckt, der für sichtbares
Licht durchlässig ist.
Zur Herstellung der dünnen festen Schicht STL in der
Leuchtstoffschicht PSL kann jegliches Arbeitsverfahren
angewendet werden, das als geeignete Form des Langmuir-
Filmerzeugungsverfahrens angesehen werden kann, ein Verfahren
zur Bildung von ultrafeinen Teilchen, ein Superlegierungsverfahren,
ein Verfahren zur Herstellung von
ultradünnen Filmen und dergleichen. Es wird nun eine Ausführungsform
beschrieben, bei der das Langmuir-Filmbildungsverfahren
angewendet wird. Bei diesem Verfahren werden
Moleküle wie Stearinsäure
[CH₃(CH₂)₁₆COOH]
zunächst in Wasser "w" eingetaucht. Dann wird an der Wasseroberfläche
eine Molekülschicht in Form eines einzigen dünnen
Filmes gebildet. Dabei befindet sich die hydrophile Gruppe
"f" der Moleküle auf der Wasserseite, während die hydrophobe
Gruppe "1" vom Wasser fortgewendet ist, wie in
Fig. 9A verdeutlicht ist. Wenn anschließend ein geeignetes
Substrat BP aus Harz oder dergleichen in das Wasser
"w" eingetaucht und aus diesem herausgezogen wird, wie
in Fig. 9B verdeutlicht ist, haftet die Molekülschicht
an dem Substrat BP fest. Dieses Verfahren wird wiederholt,
um mehrere Molekülschichten auf dem Substrat BP
zu bilden, wie in Fig. 9C verdeutlicht ist.
Durch Verwendung von Substanzen, die ein metallisches
Leuchtstoff-Matrixelement wie Na enthalten, sowie durch
chemische Behandlung der so auf dem Substrat BP gebildeten
Molekülschichten werden diese Molekülschichten veranlaßt,
unter Bildung eines metallischen Salzes zu reagieren.
Anschließend wird das metallische Salz reduziert,
um das ionisierte Metall zu einem neutralen Metall zu
neutralisieren. Eine dünne feste Schicht STL, die den
oben beschriebenen Multi-Quantenemissionseffekt zeigt,
kann auf diese Weise hergestellt werden. In einer solchen
Schicht sind die Na-Atome AT relativ zu den transparenten
Zwischensubstanzen festgelegt, verbleiben
jedoch in ihrem atomartigen Zustand. Die Zwischensubstanzen
können durch das Substrat BP aus lichtdurchlässigem
Harz gebildet sein, in welchem die Atome derart verteilt
sind, daß sie voneinander im wesentlichen unabhängig
sind.
Bei einer solchen Entladungsröhre LT, die mit einer die dünne
feste Schicht STL enthaltenden Leuchtstoffschicht
PSL versehen ist, ist der größte Teil des vom Quecksilber
ausgesendeten Lichtes Ultraviolettlicht bei 253,7 nm,
für eine Niederdruck-Entladungszone, die etwa 40°C aufweist.
Dies ist in Fig. 11 verdeutlicht, die das atomare
Energieniveau von Quecksilber zeigt. Natrium Na emittiert
im wesentlichen zwei Resonanzlinien im gelben Bereich in
der Umgebung von 590 nm, wie im Diagramm der Fig. 12 gezeigt
ist. Mit zunehmender Anregung treten zahlreiche
Emissionsspektren im sichtbaren Bereich auf. Wenn eine
Quecksilberdampfentladung stattfindet, trifft hauptsächlich
die Ultraviolettstrahlung bei 254 nm auf der festen dünnen
Schicht STL durch die Röhre LT und den Harzfilm RF1
hindurch auf. In der festen dünnen Schicht STL, in welcher
das Natrium im atomartigen Zustand erhalten ist,
wird das auftreffende Ultraviolettlicht absorbiert, wodurch
das Natrium ein angeregtes Energieniveau annimmt.
Da die Ultraviolettenergie bei 254 nm etwa 4,9 eV entspricht,
wird angenommen, daß die Anregungsniveaus der
Natriumatome mit großer Wahrscheinlichkeit auf die Niveaus
²S1/2, ²P3/2, ²P1/2, ²D5/2, ²D3/2 oder ähnliche
Niveaus konzentriert sind. Ein durch Emission verursachter
Übergang erfolgt von den jeweiligen Anregungsniveaus
bis zu dem vorbestimmten niedrigeren oder bis zum Grundniveau,
wobei als sehr wahrscheinlich angenommen wird,
daß die durch die Emission verursachten Übergänge folgendermaßen
ablaufen: Übergänge höherer Ordnung wie
9²S1/2 → 3²P3/2, 3²P1/2 und ²D5/2, ²D3/2 → 3²P3/2, 3²P1/2
treten mit hoher Wahrscheinlichkeit auf, so daß die Energiedifferenz
zwischen 3²P3/2 und 3²P1/2 etwa 2,8 eV beträgt,
so daß das emittierte Licht eine Wellenlänge von
etwa 450 nm aufweist; die weiteren Übergänge höherer
Ordnung ²P3/2, ²P1/2 → 3²S1/2 (Grundniveau) führen im
wesentlichen zu einer Reemission der absorbierten Energie
als Ultraviolettstrahlung bei etwa 254 bis 260 nm,
und diese erneut absorbierte Strahlung kann gegebenenfalls
zur Anregung höherer Ordnungen S1/2, D5/2, D3/2
führen.
Bei den Übergängen 3²P3/2, 3²P1/2 + 3²S1/2 (Grundniveau),
die auf der Sekundäremission beruhen, wird anschließend
eine D-Linie (gelb) bei etwa 590 nm (etwa 2,1 eV) emittiert.
Das Verhältnis der blauen Emission bei etwa 450 nm
zu gelbem Licht bei etwa 590 nm beträgt und dann etwa 1 : 1.
Nach der Sichtbarkeitskorrektur liegt die Farbart für eine
solche Zwei-Quanten-Emission nahe beim Punkte "m" in
Fig. 5. Wenn noch sichtbares Licht, das durch die Quecksilberdampfentladung
entsteht, hinzugefügt wird, so entspricht
die Farbart etwa dem Punkte "n" innerhalb der weißen Zone
A. Die erfindungsgemäße Leuchtstoffschicht ist imstande, eine
Lichtausbeute von etwa 160 lm/W herzustellen, also den
zweifachen Wert der Lichtausbeute von 80 lm/W bei herkömmlichen
Leuchtstoffen.
Verschiedene andere Leuchtstoffe können in der dünnen festen
Schicht STL der erfindungsgemäßen Leuchtstoffschicht verwendet
werden. Wenn beispielsweise Strontium Sr zur Bildung
der dünnen festen Schicht STL verwendet wird, so
wird das Sr beispielsweise von einem metallabsorbierenden
Chelat-Harz wie
eingefangen und wird dann mit gasförmigem Wasserstoff
oder einem anderen geeigneten Reduziermittel reduziert,
um
zu ergeben, wodurch das Strontium Sr herausgelöst und als
neutrales Atom innerhalb einer molekularen Struktur festgelegt
wird. Bei einer solchen Ausführungsform absorbiert
das Strontium Sr in der festen dünnen Schicht STL die
Strahlung einer Niederdruck-Quecksilberdampf-Entladungslampe
und wird durch deren Ultraviolettstrahlung angeregt, da
die Carboxylgruppe für sichtbare und ultraviolette Strahlung
durchlässig ist. Das Strontium Sr wird also auf ein
höheres Energieniveau von 5P angeregt und gelangt dann
auf das Niveau 4d unter Aussendung von Licht bei 655 nm,
um schließlich unter Lichtemission bei 461 nm in den
Grundzustand zu gelangen, wie in dem Energiediagramm der
Fig. 13 für Sr dargestellt ist.
Als Strahlungsquelle für die Leuchtstoffschicht können andere
Substanzen verwendet werden. Insbesondere kann auch Xenon
Xe verwendet werden, dessen Energieniveaus in Fig. 14 dargestellt
sind, in Kombination mit Zink Zn, dessen Energieniveaus
in Fig. 15 gezeigt sind. Diese Stoffe können als
Leuchtstoff in der dünnen festen Schicht STL der Leuchtstoffschicht
verwendet werden. Eine Xenonentladung erzeugt eine
Ultraviolettstrahlung bei einer Wellenlänge von etwa
147 nm und einer Energie von etwa 8,2 eV. Dieses Licht
wird von Zink Zn absorbiert, so daß dieses in großem Ausmaß
auf das 4d-Niveau angeregt wird. Von diesem Niveau
ausgehend erfolgt unmittelbar ein Übergang zu dem niedrigeren
Niveau 4P unter Aussendung von Licht bei etwa
330 nm, mit anschließendem Übergang in das Grundniveau unter
Lichtemission bei etwa 300 nm. Auf diese Weise kann
die ferne ultraviolette Strahlung bei 147 nm mit gutem
Wirkungsgrad in das nahe Ultraviolettgebiet bei etwa 300
bis 330 nm durch den Zwei-Quanten-Emissionseffekt umgesetzt
werden.
Als Strahlungsquelle für die erfindungsgemäße Leuchtstoffschicht
kann auch eine Hochdruck-Quecksilberdampf-Entladung verwendet
werden; in der festen dünnen Schicht STL wird dann
Cäsium Cs verwendet. Das Spektrum einer solchen Hochdruck-
Quecksilberdampf-Entladung ist in Fig. 16 gezeigt; die Energieniveaus
von Cäsium Cs sind in Fig. 17 dargestellt. Bei
dieser Ausführungsform strahlt die Hochdruck-Quecksilberdampf-
Entladung im nahen Ultraviolettgebiet bei etwa 365 nm (etwa
3,4 eV) und im sichtbaren Bereich von 405 nm (etwa
3,1 eV), 436 nm (etwa 2,9 eV) und 546 nm (etwa 2,3 eV);
diese Strahlung wird vom Cäsium Cs absorbiert. Die Cäsiumatome
besitzen angeregte Niveaus nahe bei 365 nm, wie in
Fig. 17 gezeigt ist. Sie absorbieren daher den größten
Teil der eingestrahlten Energie und emittieren gelbes
Licht mit etwa 2,1 eV und Infrarotlicht bei etwa 1,3 eV
in zwei Stufen, wobei ein Resonanz-Energieniveau bei etwa
1,3 eV dazwischenliegt. Für die sichtbare Strahlung von
405 nm findet eine Rotlichtemission bei etwa 1,8 eV und
eine Infrarotlichtemission bei etwa 1,3 eV statt; bei einer
Strahlung von 436 nm findet eine Zwei-Quanten-Emission
im Infrarotbereich von etwa 1,4 bis 1,5 eV und etwa 1,3 eV
statt.
Bei einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird eine
Niederdruck-Quecksilberdampf-Entladungslampe wie eine Desinfektionslampe
als Strahlungsquelle in Verbindung mit einer
erfindungsgemäßen Leuchtstoffschicht verwendet. Dabei wird
Lithium Li in der festen dünnen Schicht STL verwendet. Bei
dieser Ausführungsform strahlt die Quecksilberdampfentladung
ultraviolettes Licht bei 254 nm; diese Strahlung wird
in hohem Grade von Lithium Li absorbiert, wodurch dieses
angeregt wird und blaues Licht bei 427 nm aussendet; das
entsprechende angeregte Niveau geht anschließend in das
Grundniveau unter Aussendung von rotem Licht bei 671 nm
über. Bei dieser Ausführungsform ist das Lithium Li vorzugsweise
in der dünnen festen Schicht STL in Form eines
Filmes vorhanden, im wesentlichen in gleicher Weise wie
für die Verwendung von Natrium Na. Eine Leuchtstoffschicht PSL,
bei dem Li als Leuchtstoff verwendet wird, ist besonders
geeignet zur Anwendung bei der Erzeugung von künstlichem
Licht für Pflanzen, die tagsüber dem Tageslicht ausgesetzt
werden sollen und über Nacht künstliches Licht erhalten,
um ihr Wachstum zu fördern. Es wurde gefunden, daß die
wichtigsten Wellenlängenbereiche zur Förderung des Pflanzenwachstums
im blauen Bereich von 400 bis 500 nm und
roten Bereich von 600 bis 700 nm liegen; an diese Wellenlängenbereiche
ist die Zwei-Quanten-Emission die erfindungsgemäßen
lithiumhaltigen Leuchtstoffschicht besonders angepaßt.
Es wird als wahrscheinlich angesehen, daß die Unabhängigkeit
und Isolierung der Atome des Leuchtstoffes in der
festen dünnen Schicht STL der erfindungsgemäßen Leuchtstoffschicht
PSL beeinträchtigt werden durch die Anwendung bestimmter
chemischer oder/und physikalischer Kräfte. Man
nimmt an, daß dann eine Kopplungskraft von der Größenordnung
einiger zehn Elektronenvolt auf die Leuchtstoffe einwirkt.
Bei einer anderen Ausführungsform wird daher eine
Niederdruck-Quecksilberdampf-Entladungslampe als Strahlungsquelle
verwendet, mit Magnesium Mg, dessen Energieniveaus
in Fig. 18 gezeigt sind, oder Mangan Mn, dessen Energieniveaus
in Fig. 19 gezeigt sind, als feste dünne Schicht
STL, unter Berücksichtigung der besonderen Kopplungskraft
für die einfallende Ultraviolettstrahlung bei 254 nm.
Wenn eine Kopplungskraft von einigen zehn Elektronenvolt
beispielsweise auf Magnesium Mg einwirkt, so sinkt das
4S-Niveau etwas unter 4,9 eV ab, wobei gewisse Schwankungen
auftreten, die in Fig. 18 durch die kreuzschraffierte
Zone verdeutlicht sind, so daß ein etwas breiteres blaues
Spektrum B in Erscheinung tritt; bei dem niedrigeren Anregungsniveau
findet ein ähnliches Absinken mit einer gewissen
Schwankung statt, die durch eine weitere kreuzschraffierte
Zone in der Zeichnung verdeutlicht ist. Es
tritt daher ein etwas breiteres Spektrum von gelb bis rot
(Y-R) in Erscheinung, wodurch eine besonders günstige
Farbzusammensetzung erreicht wird. Bei der Ausführungsform
mit Mangan Mn verursacht die darauf einwirkende
Kopplungskraft von einigen zehn eV ein Absinken des 5S-
Niveaus leicht unterhalb 5,0 eV mit einer gewissen
Schwankung, die im linken Teil der Fig. 19 durch eine
kreuzschraffierte Zone verdeutlicht ist, wodurch ein etwas
breiteres Spektrum von blau bis grün (B-G) in Erscheinung
tritt. Das niedrigere Anregungsniveau wird
ebenfalls abgesenkt, wie durch eine weitere kreuzschraffierte
Zone in der Zeichnung verdeutlicht ist, so daß
ein etwas breiteres Spektrum von rot bis gelb (R-Y) in
Erscheinung tritt; in ähnlicher Weise wie bei Magnesium
Mg wird daher auch bei dieser Ausführungsform eine günstige
Farbzusammensetzung des weißen Lichtes erreicht.
Es wird nun ein Ausführungsbeispiel beschrieben, bei
welchem das Vakuum-Niederschlagsverfahren angewendet
wird, um die Leuchtstoffschicht PSL nach der Erfindung
herzustellen. Es wird auf die Fig. 10 und 21 Bezug genommen.
Bei dem Vakuum-Niederschlagsverfahren wird ein
geeigneter transparenter Grundkörper TB in ein evakuiertes
glockenförmiges Gefäß 100 eingebracht, worin Tiegel
101 und 101a angeordnet sind, von denen der eine den abzulagernden
Stoff S₁, nämlich den Leuchtstoff Na, und
der andere den aufzubringenden Stoff S₂ enthält, nämlich
ein Material, welches gegenüber dem Leuchtstoff Na sowie
Luft und Wasser inaktiv ist und für sichtbare Strahlung
durchlässig ist. Die Beheizung der Tiegel 101 und 101a
durch Heizeinrichtungen 102, 102a wird durch eine Temperaturregelung
103 gesteuert. Die Verdampfungsmenge der
Substanzen S₁ und S₂ wird durch einen durch eine gestrichelte
waagerechte Linie verdeutlichen Schirm eingestellt,
der durch eine Schirm-Steuerung 104 gesteuert
wird. Die Temperatursteuerung 103 und die Schirm-Steuerung
104 werden durch die Ausgangssignale eines Zustandsdetektors
105 aktiviert, welcher den Zustand der auf dem
Grundkörper TB abgelagerten Substanzen überwacht. Zunächst
wird die Substanz S₂ verdampft und auf dem Grundkörper TB
niedergeschlagen, um darauf eine dünne Schicht TF1 zu
bilden. Anschließend wird der Leuchtstoff S₁ verdampft
und auf der Schicht TF1 in einem solchen Verhältnis niedergeschlagen,
daß das Dichteverhältnis zwischen den
niedergeschlagenen Substanzen S₁ und S₂ optimal in solcher
Weise wird, daß die Leuchtstoffe aus der Quelle S₁
im atomaren Zustand sind oder zumindest einen atomartigen
Zustand aufweisen und in der aufgebrachten Substanz
S₂, welche die Zwischensubstanzen bildet, verteilt sind,
so daß eine Hybridschicht HF mit der in Fig. 3 verdeutlichten
Struktur gebildet ist. Anschließend werden nur
die Substanzen aus der Quelle S₂ verdampft und auf der
Hybridschicht HF aufgebracht, um eine weitere dünne
Schicht TF2 zu bilden; auf diese Weise wird die Leuchtstoffschicht
auf dem Grundkörper TB hergestellt.
Die erfindungsgemäße Leuchtstoffschicht in seinen verschiedenen
beschriebenen Ausführungsformen kann den verschiedensten
Anwendungen zugeführt werden und auch bei anderen
Lampen als den in Fig. 6 und 7 gezeigten angewendet werden.
Bei der in Fig. 22 gezeigten Ausführungsform sind
zwei Entladungsröhren LT1 und LT2 koaxial angeordnet, und
die äußere Entladungsröhre LT2 ist auf ihrer Innenoberfläche
mit der Leuchtstoffschicht PSL versehen, während die
Elektroden PF in der inneren Röhre LT1 angeordnet sind.
Claims (13)
1. Leuchtstoffschicht mit einem Leuchtstoff, der das aus einer
Strahlungsquelle auftreffende Licht absorbiert, angeregt
wird und Licht bei einer Wellenlänge aussendet, die größer
als die des auftreffenden Lichtes ist, und der in einer Zwischensubstanz,
die für sichtbares Licht durchlässig ist, eingelagert
ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Leuchtstoff aus
Stoffen besteht, die einen zumindest annähernd atomaren Zustand
bewahren und die Anregungs-Energieniveaus der freien
Atome dieses Stoffes aufweisen sowie zur Multi-Quantenemission
im sichtbaren Spektrum fähig sind.
2. Leuchtstoffschicht nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die eingelagerten Stoffe aus Metall bestehen und die
Leuchtstoffschicht als dünne feste Schicht (STL) ausgebildet
ist.
3. Leuchtstoffschicht nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß sie einen ersten Film (RF1) umfaßt, welcher auf einer
Oberfläche der festen dünnen Schicht (STL) aufgebracht
und für Ultraviolettstrahlung durchlässig ist, sowie einen
zweiten Film (RF2) umfaßt, der auf der anderen Oberfläche der
festen Schicht (STL) aufgebracht und für sichtbare Strahlung
durchlässig ist.
4. Leuchtstoffschicht nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß der eingelagerte Stoff aus der
Gruppe ausgewählt ist, welche aus Na, Li, Sr und anderen
äquivalenten Metallen besteht.
5. Leuchtstoffschicht nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß der eingelagerte Stoff aus der
Gruppe ausgewählt ist, welche Mg, Mn, Cs, Zn und andere äquivalente
Metalle enthält.
6. Verwendung der Leuchtstoffschicht nach einem der Ansprüche
1 bis 5 in einer Entladungslampe, die eine Entladungsröhre
aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Leuchtstoffschicht
(PSL) auf der Röhre (LT) in Form eines festen dünnen Films
aufgebracht ist.
7. Verwendung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
der feste dünne Film auf der äußeren Umfangsfläche der Entladungsröhre
(LT) befestigt ist.
8. Verwendung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
der feste dünne Film auf der inneren Umfangsoberfläche der
Entladungsröhre (LT) befestigt ist.
9. Verwendung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß
der feste dünne Film mit einem auf seiner Innenoberfläche
anhaftenden Harzfilm versehen ist, der für Ultraviolettstrahlung
durchlässig ist, und auf seiner Außenoberfläche mit einem
für sichtbare Strahlung durchlässigen anhaftenden Film
versehen ist.
10. Verwendung nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet,
daß die Strahlungsquelle eine Niederdruck-
Quecksilberdampf-Entladungslampe ist und als eingelagerter
Stoff ein solcher verwendet wird, der aus der Gruppe ausgewählt
ist, welche aus Na, Li, Sr und anderen äquivalenten
Metallen gebildet ist.
11. Verwendung nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet,
daß die Strahlungsquelle eine Niederdruck-
Quecksilberdampf-Entladungslampe ist und als eingelagerter
Stoff ein solcher verwendet wird, der ausgewählt
ist aus der Gruppe, die aus Mg, Mn, Cs, Zn und anderen äquivalenten
Metallen besteht.
12. Verwendung nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß die Strahlungsquelle eine Edelgas-Entladungslampe
ist und als eingelagerter Stoff ein
atomares Metall verwendet wird.
13. Verwendung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß
die Entladungslampe eine Xenon-Entladungslampe ist und als
atomares Metall Zink verwendet wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24841284 | 1984-11-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3537881A1 DE3537881A1 (de) | 1986-06-05 |
DE3537881C2 true DE3537881C2 (de) | 1992-07-02 |
Family
ID=17177728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19853537881 Granted DE3537881A1 (de) | 1984-11-24 | 1985-10-24 | Fotokonverter |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4719386A (de) |
JP (1) | JPS62176044A (de) |
DE (1) | DE3537881A1 (de) |
GB (1) | GB2167428B (de) |
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---|---|---|---|---|
DE102006048934A1 (de) * | 2006-10-17 | 2008-05-08 | Schott Ag | Beleuchtungssystem |
Families Citing this family (17)
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US9874674B2 (en) | 2006-03-07 | 2018-01-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
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US9207385B2 (en) | 2008-05-06 | 2015-12-08 | Qd Vision, Inc. | Lighting systems and devices including same |
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US9929325B2 (en) | 2012-06-05 | 2018-03-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lighting device including quantum dots |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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PL93896B1 (de) * | 1974-10-10 | 1977-06-30 | ||
JPS5956478A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-03-31 | Hiroshi Kukimoto | 薄膜発光素子及びその製造方法 |
-
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- 1985-10-22 US US06/790,250 patent/US4719386A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-10-22 GB GB08526020A patent/GB2167428B/en not_active Expired
- 1985-10-24 DE DE19853537881 patent/DE3537881A1/de active Granted
- 1985-11-22 JP JP60263503A patent/JPS62176044A/ja active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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Legal Events
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---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |