DE3526177A1 - Rberspannungs-schutzschaltung - Google Patents
Rberspannungs-schutzschaltungInfo
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
- H02H9/042—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage comprising means to limit the absorbed power or indicate damaged over-voltage protection device
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- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
- H02H3/02—Details
- H02H3/06—Details with automatic reconnection
- H02H3/066—Reconnection being a consequence of eliminating the fault which caused disconnection
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- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Description
Die Erfindung geht aus von einer Überspannungs-Schutz
schaltung nach der Gattung des Hauptanspruches. Eine der
artige Überspannungs-Schutzschaltung ist aus der Firmen
schrift: Bosch Technische Unterrichtung, Elektronik
(2) Anwendung im Kraftfahrzeug, Seite 10 bis Seite 12,
Robert Bosch GmbH, 1. Ausgabe, 28. Februar 1978, bekannt.
Der Überspannungsschutz im Bordnetz von Kraftfahrzeugen
erfolgt mit einer Leistungs-Begrenzer-Diode, die in
Sperrichtung parallel zu den Batterieklemmen geschaltet
ist. Die Spannung im Bordnetz wird begrenzt auf die Durch
bruchspannung der Leistungs-Begrenzungs-Diode.
Die Überspannung im Bordnetz kann verschiedene Ursachen
haben: Reglerausfall, Zündung, Abschalten von Verbrau
chern mit vorwiegend induktiver Last, Wackelkontakt,
Masseschluß, Verpolungen aller Art und Generatorbetrieb
ohne Kfz-Batterie.
Ein Nachteil bei der Verwendung der Leistungs-Begrenzungs-
Diode besteht nun darin, daß sie Störungen mit nur gerin
ger Impulsenergie absorbieren kann. Wird bei laufendem
Generator versehentlich die Batterie abgeklemmt, dann
entsteht ein energiereicher Überspannungsimpuls, der im
günstigsten Fall nur zur Zerstörung der Leistungs-Begren
zungs-Diode führt. Dieser Impuls (load-dump) weist eine
Zeitdauer bis zu einer Sekunde auf, wobei die Spannung
bis zu etwa 250 Volt betragen kann und der maximal mög
liche Generatorstrom fließt.
Die erfindungsgemäße Überspannungs-Schutzschaltung hat
den Vorteil, daß die Impulsenergie unbegrenzt hoch sein
kann. Die Störung selbst kann beliebig lange andauern. Zur
Realisierung der Schaltung wird ein Halbleiter-Leistungs-
Bauelement benötigt, das eine Spannung in Höhe der zu
erwartenden Überspannung verträgt und lediglich mit dem
Betriebsstrom der zu schützenden elektronischen Schaltung
beaufschlagt wird. Überdimensionierte Kühlkörper sind
nicht erforderlich, da sowohl im Normalbetrieb als auch
im Störungsfall nur eine geringe Verlustleistung auf
tritt.
Ein besonderer Vorteil der erfindungsgemäßen Über
spannungs-Schutzschaltung liegt in der automatischen
Wiedereinschaltung nach dem Störungsfall. Die Über
spannungs-Schutzschaltung kann überall dort eingesetzt
werden, wo eine elektronische Schaltung vor energie
reichen Überspannungsimpulsen geschützt werden muß.
Sie eignet sich jedoch insbesondere zum Überspannungs-
Schutz im Kfz-Bordnetz. Die erfindungsgemäße Über
spannungs-Schutzschaltung enthält nur wenige Bauteile und
sie läßt sich in Form einer integrierten Schaltung her
stellen. Sie ist deshalb für die Serienproduktion in
der Kfz-Anwendung besonders geeignet.
Weitere Einzelheiten der erfindungsgemäßen Überspannungs-
Schutzschaltung ergeben sich aus den Unteransprüchen in
Verbindung mit der folgenden Beschreibung. Vorteilhaft
ist eine Hysterese zwischen der Aschalt- und der Wieder
einschaltschwelle, deren Betrag von dem Wert eines Bau
elementes abhängt. Damit wird ein Schwingen zwischen
dem Abschalt- und Einschaltzustand vermieden. Die Ver
lustleistung der Schaltung im Normalbetrieb bleibt nie
drig, wenn als Leistungsstufe ein PNP-Darlington-Tran
sistor verwendet wird.
Die Figur zeigt ein Schaltbild der erfindungsgemäßen
Überspannungs-Schutzschaltung.
Die Figur zeigt eine Energiequelle 10, deren Pluspol an
einer ersten Eingangsklemme 11 und deren Minuspol an
einer zweiten Eingangsklemme 12 der Überspannungs-
Schutzschaltung angeschlossen ist. Eine positive An
schlußleitung 13 einer zu schützenden Elektronikschal
tung 14 ist mit einem Kollektoranschluß 15 eines ersten
Transistors 16 verbunden. Eine negative Anschlußleitung
17 der zu schützenden Elektronikschaltung ist mit der
Anschlußklemme 12 und damit unmittelbar mit dem nega
tiven Pol der Energiequelle 10 verbunden. Zwischen dem
Emitteranschluß 18 des ersten Transistors 16 und der
Eingangsklemme 11 liegt ein Widerstand 19. Der Emitter
anschluß 18 des ersten Transistors 16 ist auch noch mit
dem Emitteranschluß 20 eines zweiten Transistors 21 ver
bunden. Der Kollektoranschluß 22 des zweiten Transi
stors 21 liegt an dem Basisanschluß 23 des ersten Tran
sistors 16 und über einen Widerstand 24 an der zweiten
Eingangsklemme 12. Zwischen der ersten Eingangsklemme
11 und dem Basisanschluß 25 des zweiten Transistors 21
liegt ein Widerstand 26. Zwischen den Basisanschluß 25
und die zweite Eingangsklemme 12 ist ein Widerstand 27
in Reihe mit einer Begrenzungs-Diode 28 geschaltet.
Die erfindungsgemäße Überspannungs-Schutzschaltung wirkt
folgendermaßen.:
Liegt die Spannung der Energiequelle 10 zwischen den Ein
gangsklemmen 11 und 12 unterhalb der durch den Widerstand
19, den Widerstand 26, den Widerstand 27, der Begren
zungsspannung der Begrenzungs-Diode 28 und der durch die
zur Durchsteuerung des zweiten Transistors 21 erforder
liche Emitter-Basis-Spannung festgelegten Ansprech
schwelle, so ist der zweite Transistor 21 gesperrt
und es besteht keine Verbindung zwischen dem Kollek
toranschluß 22 und dem Emitteranschluß 20 des zweiten
Transistors 21. Der erste Transistor 16 erhält über
den Widerstand 24 einen Basisstrom und ist voll durch
gesteuert. Zwischen dem Kollektoranschluß 15 und dem
Emitteranschluß 18 des ersten Transistors 16 liegt eine
Spannung, die gleich der Sättigungs-Restspannung des
voll durchgesteuerten Transistors 16 ist. Steigt nun
die Eingangsspannung zwischen der ersten Eingangs
klemme 11 und der zweiten Eingangsklemme 12 über die
Ansprechschwelle, so beginnt nach Erreichen der Durch
bruchspannung der Begrenzungs-Diode 28 der zweite Tran
sistor 21 zu leiten und verkleinert dadurch den Basis
strom des zweiten Transistor 22. Der erste Transistor
16 beginnt zu sperren und verringert dadurch die Span
nung an der zu schützenden Elektronikschaltung 14.
Dies hat eine Verringerung des Stromflusses in der
positiven Versorgungsleitung 13 und damit eine Ver
kleinerung des Spannungsabfalls an dem Widerstand 19
zur Folge. Das Durchsteuern des zweiten Transistors
21 wird verstärkt, es setzt ein Kippvorgang ein, bis
der zweite Transistor 21 vollständig durchgesteuert
und der erste Transistor 16 vollständig gesperrt ist.
Die zu schützende Elektronikschaltung 14 ist dann voll
ständig von der Energiequelle getrennt. Ein weiteres
Ansteigen der Eingangsspannung ändert an diesem Zustand
nichts mehr.
Sinkt die Eingangsspannung wieder ab, so beginnt bei der
Ansprechschwelle abzüglich der durch den Widerstand 19
hervorgerufenen Hysterese der zweite Transistor 21
zu sperren. Der erste Transistor 16 erhält wieder einen
Basisstrom und beginnt zu leiten. An dem Widerstand 19
erhöht sich der Spannungsabfall und die Schaltung kippt
in den leitenden Zustand. Die zu schützende Elektronik
schaltung 14 liegt dann wieder an der Energiequelle 10.
In der praktischen Schaltungsausführung wird für den
ersten Transistor 16 vorzugsweise ein PNP-Darlington-
Transistor eingesetzt. Er besteht aus einer Zusammen
schaltung eines NPN-Transistors mit einem PNP-Tran
sistor, verhält sich insgesamt wie ein PNP-Transistor
und zeichnet sich durch eine sehr große Stromverstär
kung aus. Handelt es sich bei dem ersten Transistor 16
und dem zweiten Transistor 21 um Silizium-Transistoren,
dann beträgt der Spannungsabfall zwischen dem Kollek
toranschluß 15 und dem Emitteranschluß 18 des ersten
Transistors 16 im durchgeschalteten Normalbetrieb etwa
1,2 Volt. Ist der erste Transistor 16 und der zweite
Transistor 21 dagegen jeweils ein Germanium-Transistor,
dann läßt sich ein Spannungsabfall an der Kollektor-
Emitter-Strecke des durchgeschalteten ersten Transistors
16 ein Spannungsabfall von unterhalb 0,5 Volt erreichen.
Damit tritt im Normalbetrieb eine geringe Verlustleistung
am ersten Transistor 16 auf.
Der zwischen der Eingangsklemme 11 und dem Emitteranschluß
18 des Transistors 16 liegende niederohmige Widerstand 19
sorgt für eine Hysterese zwischen der Einschalt- und
Abschaltspannungsschwelle. Eine Hysterese ist notwendig,
um bei langsam ansteigender Überspannung ein Schwingen
der Schaltung zwischen dem Abschalt- und Wiedereinschalt
zustand zu verhindern.
Claims (6)
1. Überspannungs-Schutzschaltung mit einer in die Strom
versorgungsleitung einer zu schützenden Elektronikschal
tung geschalteten Emitter-Kollektor-Strecke eines ersten
Transistors, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zur
Emitter-Basis-Strecke des ersten Transistors (16) die
Emitter-Kollektor-Strecke eines zweiten Transistors
(21) liegt und der Emitter-Anschluß (20) des zweiten
Transistors (21) und der Emitter-Anschluß (18) des
ersten Transistors (16) verbunden sind. .
2. Überspannungs-Schutzschaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Emitter-
Anschluß (18, 20) des ersten und zweiten Transistors
(16, 21) und einer ersten Eingangsklemme (11) ein
Widerstand (19) liegt.
3. Überspannungs-Schutzschaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der ersten Ein
gangsklemme (11) und dem Basis-Anschluß (25) des zwei
ten Transistors (21) ein Widerstand (26) geschaltet
ist.
4. Überspannungs-Schutzschaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß der Basis-Anschluß (25)
des zweiten Transistors (21) über eine Reihenschaltung
eines Widerstandes (27) und einer Begrenzungs-Diode
(28) mit einer zweiten Eingangsklemme (12) verbunden
ist.
5. Überspannungs-Schutzschaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor-Anschluß (22)
des zweiten Transistors (21) bzw. der Basis-Anschluß
(23) des ersten Transistors (16) über einen Widerstand
(24) an die zweite Eingangsklemme (12) geschaltet ist.
6. Überspannungs-Schutzschaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß der erste Transistor (16)
ein Transistor vom Leitfähigkeits-Typ PNP und der
zweite Transistor (21) vom Leitfähigkeits-Typ PNP ist.
Priority Applications (3)
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- 1985-07-23 DE DE19853526177 patent/DE3526177A1/de not_active Withdrawn
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Also Published As
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WO1987000700A1 (en) | 1987-01-29 |
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