DE3510264A1 - Amorphes feinteiliges pulver und verfahren zur herstellung einer feinteiligen pulvermischung aus siliciumnitrid und siliciumcarbid - Google Patents

Amorphes feinteiliges pulver und verfahren zur herstellung einer feinteiligen pulvermischung aus siliciumnitrid und siliciumcarbid

Info

Publication number
DE3510264A1
DE3510264A1 DE19853510264 DE3510264A DE3510264A1 DE 3510264 A1 DE3510264 A1 DE 3510264A1 DE 19853510264 DE19853510264 DE 19853510264 DE 3510264 A DE3510264 A DE 3510264A DE 3510264 A1 DE3510264 A1 DE 3510264A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
general formula
finely divided
amorphous powder
group
compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19853510264
Other languages
English (en)
Other versions
DE3510264C2 (de
Inventor
Kansei Izaki
Takamasa Kawakami
Takeshi Niigata Koyama
Akira Niigata Mori
Rieko Nakano
Masami Matsudo Orisaku
Takashi Suzuki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Original Assignee
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP59055173A external-priority patent/JPS60200813A/ja
Priority claimed from JP59055172A external-priority patent/JPS60200812A/ja
Priority claimed from JP59077790A external-priority patent/JPS60221311A/ja
Priority claimed from JP59091353A external-priority patent/JPS60235707A/ja
Priority claimed from JP23803484A external-priority patent/JPS61117108A/ja
Application filed by Mitsubishi Gas Chemical Co Inc filed Critical Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Publication of DE3510264A1 publication Critical patent/DE3510264A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3510264C2 publication Critical patent/DE3510264C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
    • C04B35/589—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride obtained from Si-containing polymer precursors or organosilicon monomers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/068—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/082—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals
    • C01B21/087—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals containing one or more hydrogen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90—Carbides
    • C01B32/914—Carbides of single elements
    • C01B32/956—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90—Carbides
    • C01B32/914—Carbides of single elements
    • C01B32/956—Silicon carbide
    • C01B32/963—Preparation from compounds containing silicon
    • C01B32/977—Preparation from organic compounds containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
    • C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/02—Amorphous compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
    • C01P2002/82—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by IR- or Raman-data
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80—Compositional purity

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Description

Amorphes feinteiliges Pulver und Verfahren zur Herstellung einer feinteiligen Pulvermischung aus Siliciumnitrid und Siliciumcarbid
Die Erfindung betrifft ein neues feinteiliges amorphes Pulver sowie ein Verfahren zur Herstellung einer feinteiligen Pulvermischung aus Siliciumnitrid und Siliciumcarbid.
Siliciumnitrid- oder Siliciumcarbid-Keramikmaterialien zeichnen sich durch gute Hochtemperatur-Eigenschaften, beispielsweise eine gute Hochtemperatur-Festigkeit, eine gute Hochtemperatur-Schockbeständigkeit und dergleichen aus, verglichen mit Keramikmaterialien auf Oxid-Basis, die Aluminiumoxid als ein typisches Oxid-Keramikmaterial umfassen, und es wurden bereits umfangreiche Untersuchungen in bezug auf ihre Herstellung und ihre Verwendung durchgeführt. Ihre Verwendung als Hochtemperatur-Materialien, beispielsweise wärmebeständige Baumaterialien für Gasturbinen, Dieselmotoren, Wärmeaustauscher und dergleichen, die bei einer hohen Temperatur arbeiten, ist vielversprechend.
Siliciumnitrid- und Siliciumcarbid-Keramikmaterialien haben jedoch trotz ihrer ausgezeichneten Hochtemperatur-Eigenschafte
COFV
telefon rom 22?*e?
TELEX 05293SO
TELEGRAMME MONAPAT* TELEfAX <GB III CCITT 10«, 222«67)
3 5 1 O 21TA die folgenden Nachteile : So weisen beispielsweise Siliciumnitrid-Keramikmaterialien mit einer ausgezeichneten Wärmeschock-Beständigkeit eine geringe mechanische Festigkeit und Oxidationsbeständigkeit bei einer hohen Temperatur auf, während Siliciumcarbid-Keramikmaterialien mit einer ausgezeichneten Oxidationsbeständigkeit eine geringe Wärmeschock-Beständigkeit besitzen.
Um diese Nachteile zu beseitigen, sind bereits Verfahren zur Herstellung von Verbund-Keramiken, die Siliciumnitrid und Siliciumcarbid enthalten, untersucht worden, und beispielsweise die folgenden Verfahren vorgeschlagen worden :
(1) Ein Verfahren, bei dem Siliciumnitridpulver mit SiIiciumcarbidpulver mechanisch gemischt und die Mischung
durch Warmpressen gesintert wird;
(2) ein Verfahren, bei dem ein Gemisch von Siliciumcarbid und Silicium vorher geformt und dann der Formling einer Nitrierungsbehandlung unterworfen wird, um dadurch SiIiciumnitrid-Anteile zu bilden, oder bei dem ein Gemisch von Siliciumnitrid und Kohlenstoff vorher geformt und dann das Gemisch einer Siliciumpermeation unterworfen wird, um dadurch Siliciumcarbid-Anteile zu bilden, worauf in beiden Fällen eine Reaktionssinterung folgt;
(3) ein Verfahren, bei dem Siliciumpulver Organosilicium-Polymeren als Ausgangsmaterial zugesetzt wird, die Mischung geformt wird und dann der Formkörper einer Nitrierungsreaktion unterworfen wird, um dadurch sowohl Siliciumcarbid-Anteile als auch Siliciumnitrid-Anteile zu bilden.
Diese Versuche haben jedoch zu den folgenden Nachteilen geführt : Wenn das konventionelle Ausgangsmaterialpulver verwendet wird, gibt es eine Beschränkung in bezug auf die gründliche Kontrolle (Regelung) des Mischungsgrades sowie in bezug auf die Eigenschaften der Teilchen, wie z.B. die Teilchengröße, die Teilchenform und dergleichen, und auch
ORfQIWA
?*. ■■' ■' 35102SA in bezug auf das gleichmäßige Mischen der Komponententeilchen; das Ausgangsmaterialpulver neigt dazu, als Folge der mechanischen Pulverisierung und des Mischens durch Verunreinigungen kontaminiert zu werden,und es besteht die Gefahr, daß das gewünschte zufriedenstellende Sinterprodukt nicht erhalten werden kann; selbst durch das Reaktionssintern kann das Sinterprodukt porös werden oder die Stufen oder Arbeitsgänge können kompliziert werden oder es kann eine Beschränkung in bezug auf die Homogenität der Zusammensetzung bestehen und es besteht die Gefahr, daß das gewünschte zufriedenstellende Sinterprodukt nicht erhalten wird.
Ziel der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein neues, ^5 feinteiliges amorphes Pulver aus kugelförmigen Teilchen zu schaffen, das nur aus Si, C, N und H besteht und durch Gasphasenreaktion einer von Halogen und Sauerstoff freien Organosiliciumverbindung erhalten wurde.
Ziel der Erfindung ist es ferner, ein Verfahren zur Herstellung einer kristallinen, einheitlichen und feinpulvrigen Mischung von Siliciumnitrid und Siliciumcarbid durch Wärmebehandeln des neuen feinteiligen amorphen Pulvers aus kugelförmigen Teilchen zu schaffen.
25
Gegenstand der Erfindung ist ein neues feinteiliges amorphes Pulver aus kugelförmigen Teilchen, das nur aus Si, C, N und H besteht und dargestellt wird durch die allgemeine Formel
go SiCxNyHz
worin 0,1-^x^2,0; 0,1 <. y ^ 1 ,5 und 0 <Γ ζ <C4, das hergestellt werden kann durch Gasphasenreaktion
einer von Halogen und Sauerstoff freien Organosiliciumverbindung.
35
Gegenstand der Erfindung ist ferner eine kristalline, ein-
heitliche und feinpulvrige Mischung von Siliciumnitrid und Siliciumcarbid mit einer hohen Reinheit, die hergestellt werden kann durch Wärmebehandeln des vorstehend beschriebenen amorphen Pulvers in einer nicht-oxidierenden Gas-
5 atmosphäre.
Das erfindungsgemäße amorphe Pulver weist, wenn es einer RöntgenpulVerbeugung unterworfen wird, keine Diffraktionen auf, die auf Siliciumnitrid, Siliciumcarbid, metallisches Silicium oder eine Graphitkohlenstoffkomponente zurückzuführen sind, und in dem Pulver sind selbst bei der Elektronenstrahlbeugung überhaupt keine feinkristallinen Körnchen festzustellen.
Das erfindungsgemäße feinteilige amorphe Pulver ist bei der Wärmebehandlungstemperatur thermisch stabil bei einer viel geringeren Änderung seiner Zusammensetzung, mit Ausnahme bei längerem Erhitzen, auf beispielsweise 10000C.
Das erfindungsgemäße amorphe Pulver weist eine Teilchengröße im Submikronbereich auf und besteht in der Regel aus kugelförmigen Teilchen mit einer Teilchengröße von 0,2 bis 0,05 μπι und einer sehr engen Teilchengrößenverteilung.
Der Bindungszustand der Silicium-, Kohlenstoff-, Stickstoff- und Wasserstoffatome in dem erfindungsgemäßen feinteiligen amorphen Pulver konnte bisher nicht geklärt werden, es wurde jedoch gefunden, daß das erfindunsggemäße feinteilige amorphe Pulver Partialstrukturen von N-H, C-H und Si-H aufweist aufgrund breiter Peaks der IR-Absorptionsspektren.
Das erfindungsgemäße feinteilige amorphe Pulver kann durch die folgende allgemeine Formel dargestellt werden
SiCxNyHz worin 0,1^x^2,0; 0,KyO,5 und 0<
Das erfindungsgemäße amorphe Pulver kann eine Zusammensetzung innerhalb des genannten Bereiches haben und eignet sich für die Herstellung von Keramiken.
Wenn das erfindungsgemäße amorphe Pulver auf eine Temperatur von 13000C oder höher erhitzt wird, werden überschüssiger Wasserstoff und überschüssiger Kohlenstoff oder Stickstoff freigesetzt unter Bildung einer letztlich kristallinen, einheitlichen und feinpulvrigen Mischung von Siliciumnitrid und Siliciumcarbid. Der Kristall kann je nach Ätzungsbedingungen und Zusammensetzung eine kugelförmige, whiskerförmige, plattenförmige oder sonstige Gestalt haben. Es ist auch möglich, eine Mischung von kristallinen und amorphen Pulvern in jedem gewünschten Mengenverhältnis zu erhalten durch entsprechende Steuerung (Kontrolle) des Kristallisationsgrades.
Zur Herstellung des erfindungsgemäßen amorphen Pulvers wird das Ausgangsmaterial einer Gasphasenreaktion (Dampfphasenreaktion) unterworfen durch äußeres Erhitzen auf der Basis des Widerstandserhitzens oder Hochfrequenzerhitzens oder in einem Plasma.
Das Ausgangsmaterial zur Herstellung des erfindungsgemäßen amorphen Pulvers sind Organosiliciumverbindungen, die im wesentlichen frei von Halogenatomen und Sauerstoffatomen sind, und es wird zusammen mit einem nicht-oxidierenden Gas, wie z.B. NH_, H , N_, Ar, He und dergleichen/in einen Reaktor eingeführt.
Wenn die Ausgangs-Organosiliciumverbindungen Halogenatome
1 oder Sauerstoffatome enthalten, bleiben die Halogenatome oder Sauerstoffatome in dem feinteiligen amorphen Pulver auch nach der Gasphasenreaktion zurück und es kann das erfindungsgemäße amorphe Pulver nicht erhalten werden.
Zu Beispielen für die Ausgangs-Organosiliciumverbindungen gehören stickstoffhaltige Organosxliciumverbindungen, die nur aus Si, N, C und H bestehen, wie z.B. Silazan, Aminosilan, Cyanosilan und dergleichen, und Polysilan, PoIycarbosilan und dergleichen, die nur aus Si, C und H bestehen. Bei den Ausgangsmaterialien kann es sich beispielsweise um die folgenden handeln :
1) Silazanverbindungen, dargestellt durch die allgemeine Formel [R1R2R3Si]2NR4 oder -4.R1R2Si-NR3-4-n
1 4
worin R bis R Wasserstoffatome, Alkylgruppen, Arylgruppen und Phenylgruppen und η die Zahl 3 oder 4 darstellen, wie [HSi (CH3) 232NH, [ (CH3) 3Si]2NH, [(CH3J3SiJ2NCH3, [ (CH2=CH) Si (CH3) 2]NH, -E-(CH3J2Si-NH 4^/ +-(CH3) 2Si-NCH3-^3
und dergleichen, oder 6-gliedriges cyclisches Tris(N-methylamino)-tri-N-methyl-cyclotrisilazan mit einer N-Methylaminogruppe an dem Siliciumatom als Substituent, dargestellt durch die Formel
f3
30 H3CHN - Si Si - NHCH;
H.C - N N- CH7
Si
H NHCH3 35
2) Organosiliciumverbindungen der allgemeinen Formel RnSi(NR1N") , worin Rf R' und R" Wasserstoffatome, Alkylgruppen, Arylgruppen und Phenylgruppen sind, wobei jedoch R, R1 und R" nicht gleichzeitig Wasserstoffatome sein können, und η = 0 bis 3 und m = 4-n bedeuten, wie z.B. Aminosiliciumverbindungen, wie CH3Si(NHCH3)3, (CH3)2Si-(NHCH3J2, (CH3) SiZN(CH3)J2 und dergleichen.
3) Organosiliciumverbindungen der allgemeinen Formel
RnSi(CN) , worin R ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe, eine Arylgruppe oder eine Phenylgruppe und η = 0 bis 3 und m = 4-n bedeuten, wie z.B. Cyanosiliciumverbindungen, wie H.,SiCN, (CH^)-SiCN, (CH.,) 9Si (CN) 9 , (CH9=CH)CH-Si(CN)9, (C--H,-)-Si(CN) , (C^H,-) -Si(CN)- und dergleichen.
4) Organosiliciumverbindungen der allgemeinen Formel
R9 +9(Si) , worin R ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe, eine Arylgruppe oder eine Phenylgruppe, wobei jedoch die Reste R nicht gleichzeitig Wasserstoffatome sein können, und η eine Zahl von 1 bis 4 bedeuten, oder Organosiliciumverbindungen der allgemeinen Formel R-.Si —f~R' -R9Si-)—R, worin R ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe, eine Arylgruppe oder eine Phenylgruppe, R1 eine Methylengruppe, eine Äthylengruppe oder eine Phenylengruppe und m die Zahl
25 1 oder 2 bedeuten, wie z.B.
CH, CH, CH-, CH- CH-,
, 3 j 3 - ,3,3,3
C6H5SiH3, H-Si-Si-H, H-Si-Si-Si-H
CH3 CH3 CH3 CH3 CH3
CH- CH- CH-, CH-,
j 3 ,3 ,3 ,3
H-Si- CH9 - Si - H, H - Si - CCH. -Si-H,
Ii I 6 4,
35 CH3 CH3 CH3
f3 f3 CH3
- Si - Si - CH3, CH3 - Si -
CH3 CH3 CH
3, CH3 - Si - CH2 - L 3
CH3 CH3 CH3
CH3 - Si - Si - Si - CH3, CH3-Si-Q^Si-CH3, CH3 CH3 CH3
und dergleichen.
Diese Ausgangsverbindungen können unter Anwendung eines konventionellen Destillationsverfahrens/ Sublimationsverfahrens und dergleichen bis zu einer sehr hohen Reinheit gereinigt werden. Diese Ausgangsverbindungen können allein oder in Form einer Mischung von mindestens zwei Verbindungen dem Gasphasenreaktionssystem zugeführt werden.
Wenn die Ausgangsverbindung bei Raumtemperatur in einem flüssigen oder festen Zustand vorliegt, ist es wichtig, die Ausgangsverbindung in einer geeigneten Einrichtung, beispielsweise einer indirekten Erhitzungseinrichtung und dergleichen, zu verdampfen und dann die gasförmige Ausgangs verbindung dem Gasphasenreaktionssystem zuzuführen, wobei man ein einheitliches, feinteiliges amorphes Pulver erhält.
Außerdem ist es möglich, nicht nur den Partialdruck der Ausgangsverbindung einzustellen und seine Zuführungsgeschwindigkeit zu kontrollieren durch Einführung der Ausgangsverbindung zusammen mit einem nicht-oxidierenden Gas, wie z.B. NH3, H2, N_, Ar, He und dergleichen, sondern auch die Zusammensetzung des feinteiligen amorphen Pulvers (das C/N-Verhältnis) zu kontrollieren bzw. zu steuern durch Auswahl des nicht-oxidierenden Gases, wie z.B. NH3, H3, N2, Ar, He und dergleichen oder seines -Mischungsverhältnisses. Zur Erhöhung des Stickstoffgehaltes des fein-
351026A
teiligen amorphen Pulvers ist NH_ beispielsweise als nichtoxidierendes Gas besonders bevorzugt. Im Falle der Polysilane und Polycarbosilane, die nur aus Sif C und H bestehen, als Ausgangsverbindung ist es auch möglich, Stickstoff leicht in das resultierende feinteilige amorphe Pulver einzuführen durch Verwendung von NH3 als nichtoxidierendes Gas, wobei aktive Reste, wie z.B. NH oder NH2* die durch die thermische Zersetzung von NH3 entstehen, Siliciumatome angreifen, während die Kohlenstoffkomponenten als Kohlenwasserstoffe, wie z.B. CH4 und dergleichen,freigesetzt werden, so daß sich die Stickstoffatome wirksam mit den Siliciumatomen kombinieren können. NH3 kann ebenso als Wasserstoffquelle wie H2 wie auch als nicht-oxidierendes Gas fungieren. Der Wasserstoff kann leicht die Hydrierung-Dehydrierung der Ausgangs-Organosiliciumverbindungen initiieren und sie in ein feinteiliges amorphes Pulver mit der gewünschten Zusammensetzung überführen. NH3 wird in einem Atomverhältnis von Stickstoff von NH3 zu Silicium der Ausgangsverbindung, d.h. N/Si < 10, verwendet, während H2 in einem Atomverhältnis von Wasserstoff von H2 zu Si in der Ausgangsverbindung, d.h. H/Si<100, verwendet wird. Durch geeignete Auswahl der Reaktionstemperatur und der Reaktionszeit innerhalb dieses Bereiches der Atomverhältnisse kann das erfindungsgemäße feinteilige amorphe Pulver
25 hergestellt werden.
Bei der Gasphasenreaktion liegt die Reaktionstemperatur innerhalb eines Bereiches von 600 bis 1600°Cf vorzugsweise von 800 bis 14000C. Wenn die Reaktionstemperatur unter 600°C liegt, läuft die Reaktion nicht vollständig ab und manchmal können nicht-bevorzugte Polymere der Organosiliciumverb indung gebildet werden. Die resultierenden Polymeren weisen mehr organische Gruppen auf und besitzen damit eine geringe Wärmebeständigkeit. Das heißt, die Zusammensetzung ändert sich stark unterhalb der Warmebehandlungstemperatur und auch die Form ist variabel, was zur Bildung eines harzartigen
351026A Produktes führt. Das Ziel der vorliegenden Erfindung kann daher unter 6000C nicht erreicht werden.
Andererseits treten dann, wenn die Reaktionstemperatur über 16000C liegt, beträchtliche Ablagerungen an metallischem Silicium, Kohlenstoff und dergleichen auf und diese ist somit nicht praktikabel.
Bei der Gasphasenreaktion hängen der Partialdruck der Ausgangsverbindung und die Reaktionszeit von der gewünschten Teilchengröße des feinteiligen amorphen Pulvers, der Raum-Zeit-Ausbeute (STY) und dergleichen ab. Der Partialdruck der Ausgangsverbindung als Gas beträgt 0,001 bis zu einigen wenigen Atmosphären, vorzugsweise 0,01 bis 0,5 Atmosphären. Die Reaktionszeit beträgt in der Regel 120 bis 0,05 Sekunden, vorzugsweise 60 bis 0,1 Sekunden.
Wenn der Partialdruck der gasförmigen Ausgangsverbindung unterhalb des unteren Grenzwertes liegt oder wenn die Reaktionszeit oberhalb des oberen Grenzwertes liegt, muß der Reaktor unnötig groß gemacht werden und dadurch wird das Verfahren unwirtschaftlich. Wenn andererseits der Partialdruck oberhalb des oberen Grenzwertes liegt oder die Reaktionszeit unterhalb des unteren Grenzwertes liegt, kann es manchmal vorkommen, daß die Gasphasenreaktion praktisch nicht abläuft.
Durch eine geeignete Kombination der Art der Ausgangsverbindung, der Art des nicht-oxidierenden Gases und der ReakgQ tionsbedingungen ist es möglich, ein feinteiliges amorphes Pulver aus kugelförmigen Teilchen in einem breiten Zusammensetzungsbereich herzustellen.
Das erfindungsgemäße amorphe Pulver wird nicht nur als Ausgangsmaterial für Verbund-Keramiken, sondern auch als funktionelle Materialien für Solarzellen und dergleichen verwendet.
Die Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf Ausführung sbeispiele und die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen :
Fig. 1 ein Röntgenbeugungsdiagramm eines nach Beispiel 1 hergestellten feinteiligen amorphen Pulvers;
Fig. 2 ein Infrarotabsorptionsspektrum eines nach Beispiel 1 hergestellten feinteiligen amorphen Pulvers; und
10
Fig. 3 ein Abtastelektronenmikroskopbild eines nach Beispiel 1 hergestellten feinteiligen amorphen Pulvers.
BEISPIEL 1
15
Ein Reaktionsrohr aus hochreinem Aluminiumoxid mit einem Innendurchmesser von 25 mm und einer Länge von 700 mm wurde in einem Elektroofen angeordnet und Trimethylcyanosilan wurde als Ausgangsverbindung in einer Vorerhitzungseinrichtung in einer vorgegebenen Geschwindigkeit bzw. Rate eingeführt, um die Ausgangsverbindung vollständig zu verdampfen, und dann mit H», Ar und NH3 in vorgegebenen Geschwindigkeiten bzw. Raten gründlich gemischt zur Herstellung eines Beschickungsgases mit einem Volumenverhältnis von (CH3)3SiCN:H2:Ar:NH3 = 5,0:43,0:46,0:6,0. Das Beschickungsgas wurde in das Reaktionsrohr eingeführt und durch die Reaktionszone, die bei 12000C gehalten wurde, hindurchgeleitet bei einer Verweilzeit von 1,2 Sekunden.
Die Reaktionsmischung wurde in eine Falle eingeleitet, um das als Produkt erhaltene feinteilige amorphe Pulver einzufangen. Die Reaktionsbedingungen und die Zusammensetzung des dabei erhaltenen Pulvers sind in der folgenden Tabelle I angegeben. Das Röntgenbeugungsdiagramm, das Infrarotabsorptionsspektrum und das Abtastelektronenmikroskopbild des auf diese Weise hergestellten feintfeiligen amorphen
20 25 30
Pulvers sind jeweils in den Figuren 1, 2 und 3 dargestellt. BEISPIELE 2 bis 12
Es wurden Gasphasenreaktionen verschiedener Ausgangsverbindungen in der gleichen Apparatur, wie sie im Beispiel 1 verwendet worden war, durchgeführt. Die Arten der Ausgangsverbindungen, die Reaktionsbedingungen und die Zusammensetzung des Produkts sind in der folgenden Tabelle I angegeben.
35
co
CJl
ω ο
to
CJl
CJi
CJl
Tabelle I
Beisp.
N°
Organosilicium
verbindung
Re aktions- temp. (0C) Reaktionsbedingungen
Beschickung
Zusammensetzung des
Produkts
SiCxNyHz
Reak- Organotions- siliciumzeit verbindung (s) (Vol.%)
1200 1.2
1200 2.3
1200 1.9
1200 2.5
1300 1.0
1300 0.9
1100 1.1
1200 2.9
1200 2.6
1200 2.2
1200 2.0
1100 2.4
.0 Ar 0 NH3 .%) X 62 Y 99 0 Z
2 - 1 (VoI 0 49 35 0
(Vol.%) - (Vol.%) 3 6. 1 0. 46 0. 59 0 .15
43 - 46. 3 8. 3 o. 58 1. 23 0 .43
- 89. 2 6. 4 1. 05 0. 14 0 .33
.4 91. 8 4. 0. 56 1. 08 0 .74
.6 89. 1 - 1. 34 1. 91 0 .28
- 94. 3 - 0. 76 1. 03 0 .50
71 - 24. 8 - 0. 46 0. 10 0 .50
70 - 26. 9 - 1 1. 74 1. 11 0 .26
- 95. 9 20. 5 0. 57 1. 88 0 .59
- 73. 5 50. 7 0. 06 1. 65 0 .53
31. 61. 3 0. 0. .87
30. 12. 1. 0. .55
82.
1 (CH3)3SiCN
2 (CH3) 3SiCN
3 (CH3J2Si(CN)2
4 CH3Si(NHCH3)3
5 CH3Si(NHCH3)3
6 CH3Si(NHCH3)3
7 CH3Si(NHCH3)3
8 (CH3J2Si[N(CH3
9 [Si(CH3)3I2NH
10 iOTJ \ CA
\v^n* ) .pi
11 [(CH3J3Si]2
12 [(CH3J3Si]2CH2
5.0 2.8 2.4 6.3 5.8 3.8 3.3 5.7 6.1 17.6 7.4 5.2
GO OT _\ Cj
1 Wie vorstehend angegeben, kann das erfindungsgemäße
feinteilige amorphe Pulver aus verschiedenen Ausgangsverbindungen hergestellt werden. Durch Wärmebehandeln des dabei erhaltenen feinteiligen amorphen Pulvers kann ein feinkristallines, einheitliches und feinteiliges Pulver von Siliciumnitrid und Siliciumcarbid hergestellt werden. Die Wärmebehandlungsbedingungen sind eine Temperatur von 1300 bis 15000C für eine Zeitspanne von 0,5 bis 24 Stunden in der Atmosphäre eines nicht-oxidierenden Gases, wie Ar, He, H9 oder N0 alleine oder in Form einer Mischung davon.
Durch die Wärmebehandlung wird aus dem erfindungsgemäßen feinteiligen amorphen Pulver überschüssiger C, N und H freigesetzt und es tritt eine Kristallisation auf, die zu einem feinkristallinen, einheitlichen und feinteiligen pulverförmigen Gemisch von Siliciumnitrid und Siliciumcarbid führt. Durch geeignete Auswahl der Wärmebehandlungsbedingungen kann ein gemischtes Pulver aus kristallinem Siliciumnitrid und/oder kristallinem Siliciumcarbid, wobei
20 der Rest ein amorphes Pulver ist, hergestellt werden.
In den folgenden Beispielen ist die Herstellung einer feinkristallinen Pulvermischung von Siliciumnitrid und Siliciumcarbid aus Cyanosilan, Aminosilan, Silazan, Polycarbosilan und dergleichen als Ausgangsverbindungen beschrieben.
BEISPIELE 13 bis 17
Die Gasphasenreaktion von Organosiliciumverbindungen mit einer Cyanogruppe wurde in der gleichen Apparatur, wie sie in Beispiel 1 verwendet worden war, auf ähnliche Weise wie in Beispiel 1 durchgeführt. Alle in der Falle eingefangenen feinteiligen amorphen Pulver bestanden aus kugelförmigen Teilchen mit einer Teilchengröße von nicht mehr als 1 μπι.
Dann wurde das amorphe Pulver in einer 'inerten Atmosphäre
35 ι 026 A in ein Rohr aus hochreinem Aluminiumoxid eingefüllt und in einem auf 15000C erhitzten Elektroofen 2 Stunden lang in einer Argonatmosphäre behandelt. Die Reaktionsbedingungen und die Röntgenanalyse des kristallinen Pulvers sind in der folgenden Tabelle II angegeben. Durch Röntgenbeugung wurde gefunden, daß alle kristallinen Pulver nur B-SiC- und CC-Si-SL-Komponenten enthielten und durch Fluoreszenzröntgenanalyse der Verunreinigungen wurde auch gefunden, daß die Gehalte an Fe, Al, Ca und K alle unter 10 ppm lagen, und daß der Gehalt an Cl unter 100 ppm lag.
'MAI, f!\[p^^
to
CJl
to
CJi
CJi
Tabelle II
ι 13 14 15 16 17
ΜξτΊ ΗΡ ■ N . ■—
'Reaktionstemp. (0C)		 1200 1400 1000 1200 1400
Reaktionszeit (s) 1.8 1.8 1.3 1.8 3.2
' Cyanoorganos ilic ium-
verbindunq (vol%)		 (CH3)3SiCN (CH3J3SiCN (CH3)3SiCN (CH3)2SiCN2 (CH3)3SiCN
H2 (vol%) 8.5 3.4 4.7 3.0 4.9
N2 (vol%) 0 0 40.4 0 0
NH3 (vol%) 73.6 85.6 43.1 92.5 95.1
SiC (Gew.%) 17.9 11.0 11.8 4.5 0
Si3N4 (Gew.%) 67.0 25.4 7.5 92.7 98.2
33.0 74.6 92.5 7.3 1.8
1 BEISPIELE 18 bis 21
Kristalline pulverförmige Mischungen von Siliciumnitrid und Siliciumcarbid wurden aus Aminosilanverbxndungen als Ausgangsverbindungen durch Gasphasenreaktion und anschließende Wärmebehandlung auf die gleiche Weise wie in Beispiel 13 hergestellt. Die Gasphasenreaktionsbedingungen und die Röntgenanalyse des wärmebehandelten Produkts sind in der folgenden Tabelle III angegeben (die Wärmebehandlungsbedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 13). Durch Fluoreszenzröntgenanalyse der Verunreinigungen wurde gefunden, daß die Gehalte an Fe, Al, Ca und K alle unter 10 ppm lagen und daß der Gehalt an Cl unter 100 ppm lag.
15
ORIGINAL SNSFECTED
ω ο
bo
O "■·!
Ί υ
Ί 1
to O
cn
Tabelle III
Beisp. N° 18 19 20 3.3 21
Reaktionstemp. (°c) 1200 1300 1100 71.8 1200
Reaktionszeit (s) 2.5 1.0 1.1 0 2.9
Aminoorganosilicium-
verbindung (vol%)		 CH3Si(NHCH3) 3 wie in Beisp.18 wie in Beisp.18 24.9 CH3Si (N (CH3) 2)3
H2 (Vol.%) 6.3 5.8 22 5.2
NH3 (Vol.%) 0 0 78 0
Ar (Vol.%) 4.1 0 23.7
SiC (Gew.%) 89.6 94.2 71.1
Sim (Gew.%) 67 93 71
33 7 29
—Λ
ho co
οο : J Ib
BEISPIELE 22 bis 25
Kristalline pulverförmige Mischungen von Siliciumnitrid und Siliciumcarbid wurden aus Silazanverbindungen als Ausgangsverbindungen durch Gasphasenreaktion und anschließende Wärmebehandlung auf die gleiche Weise wie in Beispiel 13 hergestellt.
Die Gasphasenreaktionsbedingungen und die Röntgenanalyse des wärmebehandelten Produktes sind in der folgenden Tabelle IV angegeben (die Wärmebehandlungsbedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 13). Durch Fluoreszenzröntgenanalyse der Verunreinigungen wurde gefunden, daß die Gehalte an Fe7 Al, Ca und K alle unter 10 ppm lagen und daß der Gehalt an Cl unter 100 ppm lag.
Tabelle IV
Beisp. N0 22 23 3.4 24 25 2.1
Reaktionstemp. (0C) 1200 1200 30.5 1200 1000 0
Reaktionszeit (s) 2.5 2.5 47.1 2.3 2.7 97.9
Silazanverbin-
dung (vol%)		 t(CH3)3Si]2NH 19.0 -E-(CH3J2SiNH +3· Q
H2 (vol%) 6.0 16.1 2.3 88.9
N2 (vol%) 0 83.9 0 11.1
NH3 (vol%) 82.0 94.5
SiC (Gew.%) 12.0 3.2
Si3N4 (Gew.%) 54.8 35.0
45.2 65.0
BEISPIELE 26 bis 28
Kristalline pulverförmige Mischungen von Siliciumnitrid und Siliciumcarbid wurden aus einer Silan-, Polysilan- und Polycarbosilan-Verbindung als Ausgangsverbindungen durch Gasphasenreaktion und anschließende Wärmebehandlung auf die gleiche Weise wie in Beispiel 13 hergestellt.
Die Gasphasenreaktionsbedingungen und die Röntgenanalyse der wärmebehandelten Produkte sind in der folgenden Tabelle V angegeben (die Wärmebehandlungsbedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 13). Durch Fluoreszenzröntgenanalyse der Verunreinigungen wurde gefunden, daß die Gehalte an Fe, Al, Ca und K alle unter 10 ppm lagen und daß der Gehalt an Cl unter 100 ppm lag.
Tabelle V
Beisp.N0 26 27 28
Reaktionstemp. (0C) 1200 1200 1100
Reaktionszeit (s) 2.2 2.0 2.4 I
Organos ilic iumver-
bindung (vol%)		 (CH3J4Si [(CH3)3Si]2 [(CH3J3Si]2CH2
NH3 (vol%) 17.6 7.4 5.2
Ar (vol%) 50.5 61.7 12.3
SiC (Gew.%) 31.9 30.9 82.5
Si3N4(Gew.%) 42.5 35.6 72.1
57.5 64.4 27.9
Die Erfindung wurde zwar vorstehend unter Bezugnahme auf spezifische bevorzugte Ausführungsformen näher erläutert, es ist jedoch für den Fachmann selbstverständlich, daß sie darauf keineswegs beschränkt ist, sondern daß diese in vielfacher Hinsicht abgeändert und modifiziert werden können, ohne daß dadurch der Rahmen der vorliegenden Erfindung verlassen wird.
10
15
20
25 30 35

Claims (14)

1. Feinteiliges amorphes Pulver aus kugelförmigen Teilchen, gekennzeichnet durch die allgemeine Formel
SiCxNyHz,
worin 0,1 < χ <2,0; 0,1 < y < 1,5 und 0 <- ζ < 4.
2. Verfahren zur Herstellung eines feinteiligen amorphen Pulvers aus kugelförmigen Teilchen der allgemeinen Formel
SiCxNyHz
worin 0,1-c χ < 2,0; 0,1 < y 4. 1,5 und 0 <- ζ < 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine Gasphasenreaktion einer Stickstoff enthaltenden Organosiliciumverbindung durchgeführt wird, die im wesentlichen frei von Halogenatomen und Sauerstoffatomen ist.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Stickstoff enthaltende Organosiliciumverbindung eine Silazanverbindung der allgemeinen Formel verwendet wird
oder
1 4
worin R bis R Wasserstoffatome, Alkylgruppen, Arylgruppen
1 4 oder Phenylgruppen, mit der Maßgabe, daß R bis R nicht gleichzeitig Wasserstoffatome sein können, und η die Zahl 3 oder 4 bedeuten.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Stickstoff enthaltende Organosiliciumverbindung eine Aminoorganosiliciumverbindung der allgemeinen Formel ver-
wendet wird :
RnSi(NR1R")
worin R, R1 und R" Wasserstoffatome, Alkylgruppen, Arylgruppen und Phenylgruppen, mit der Maßgabe, daß R, R1 und R" nicht gleichzeitig Wasserstoffatome sein können, und η = 0 bis 3 und m = 4-n bedeuten.
5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Stickstoff enthaltende Organosiliciumverbindung eine Silanverbindung der allgemeinen Formel verwendet wird
RnSi(CN)1n
worin R ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe, eine Arylgruppe oder eine Phenylgruppe und η = 0 bis 3 und m = 4-n bedeuten.
6- Verfahren zur Herstellung eines feinteiligen amorphen Pulvers aus kugelförmigen Teilchen der allgemeinen Formel
SiCxNyHz
25 worin 0,1 <£ χ < 2,0; 0,1 <^y <1,5 und 0 <έ ζ < 4,
dadurch gekennzeichnet, daß eine Gasphasenreaktion durchgeführt wird von
(1) einer Organosiliciumverbindung der allgemeinen Formel R2 +2(Si) , worin R ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe, eine Arylgruppe oder eine Phenylgruppe, mit der Maßgabe, daß die Reste R nicht gleichzeitig Wasserstoffatome sein können, und η eine Zahl von 1 bis 4 bedeuten,
(2) einer Organosiliciumverbindung der allgemeinen Formel R_Si—-fR1-R2Si-H- R/ worin R ein Wasserstoff atom, eine Alkylgruppe, eine Arylgruppe oder eine Phenylgruppe; R' eine Methylengruppe, eine Äthylengruppe, oder eine Phenylengruppe und m die Zahl 1 oder 2 bedeuten.
7. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Gasphasenreaktion bei bis 16000C durchgeführt wird.
8. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Gasphasenreaktion in einer nicht-oxidierenden Gasatmosphäre aus Ar, He, N2/ NH3 oder H„ durchgeführt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die NH^-Menge einem Atomverhältnis von N in NH3 zu Si in der AusgangsVerbindung, d.h. N/Si, von weniger als 10 entspricht.
10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die H0-Menge einem Atomverhältnis von H in H0 zu Si in der Ausgangsverbindung, d.h. H/Si, von weniger als 20 entspricht.
11. Verfahren zur Herstellung einer feinteiligen pulverförmigen Mischung von kristallinem Siliciumnitrid und kristallinem Siliciumcarbid, dadurch gekennzeichnet, daß ein feinteiliges amorphes Pulver aus kugelförmigen Teilchen der allgemeinen Formel
SiCxNyHz
worin 0 , 1 -<: x-c 2,0; 0,1 <y<1,5 und 0 < ζ <- 4, wärmebehandelt wird.
12. Verfahren zur Herstellung einer feinteiligen pulverförmigen Mischung von mindestens einem kristallinen Siliciumnitrid und einem kristallinen Siliciumcarbid, wobei der Rest ein amorphes Pulver ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein feinteiliges amorphes Pulver aus kugelförmigen Teilchen der allgemeinen Formel
ζ 3510254
I SiCxNyHz
wor in 0,1 <c χ ^ 2,0; 0 ,1 < y< 1,5 und 0 ^ ζ <Γ 4, wärmebehandelt wird.
13. Verfahren nach Anspruch 11 und/oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmebehandlung bei 1300 bis 155O0C durchgeführt wird.
14. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmebehandlung in einer Inertgasatmosphäre aus mindestens einem der Vertreter Ar, He, Η~ und N- durchgeführt wird.
ORIGINAL INS
COFY
DE19853510264 1984-03-22 1985-03-21 Amorphes feinteiliges pulver und verfahren zur herstellung einer feinteiligen pulvermischung aus siliciumnitrid und siliciumcarbid Granted DE3510264A1 (de)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59055173A JPS60200813A (ja) 1984-03-22 1984-03-22 窒化珪素と炭化珪素との複合微粉末の製造方法
JP59055172A JPS60200812A (ja) 1984-03-22 1984-03-22 窒化珪素と炭化珪素との複合微粉末の製造方法
JP59077790A JPS60221311A (ja) 1984-04-18 1984-04-18 非晶質複合粉末組成物
JP59091353A JPS60235707A (ja) 1984-05-08 1984-05-08 複合微粉末の製造方法
JP23803484A JPS61117108A (ja) 1984-11-12 1984-11-12 窒化珪素微粉末の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3510264A1 true DE3510264A1 (de) 1985-10-03
DE3510264C2 DE3510264C2 (de) 1990-09-13

Family

ID=27523206

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19853510264 Granted DE3510264A1 (de) 1984-03-22 1985-03-21 Amorphes feinteiliges pulver und verfahren zur herstellung einer feinteiligen pulvermischung aus siliciumnitrid und siliciumcarbid

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4594330A (de)
DE (1) DE3510264A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0276334A1 (de) * 1987-01-22 1988-08-03 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Siliciumnitrid-Siliciumkarbidmaterial und Verfahren zu seiner Herstellung

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5008422A (en) * 1985-04-26 1991-04-16 Sri International Polysilazanes and related compositions, processes and uses
US5055431A (en) * 1985-04-26 1991-10-08 Sri International Polysilazanes and related compositions, processes and uses
US4921657A (en) * 1987-11-13 1990-05-01 Dow Corning Corporation Method for densification of amorphous ceramic material
US5006492A (en) * 1988-05-12 1991-04-09 Ethyl Corporation Preceramic compositions and ceramic products
JPH01317200A (ja) * 1988-06-16 1989-12-21 S T K Ceramics Kenkyusho:Kk 窒化珪素ウイスカーの製造方法
US4929432A (en) * 1988-10-19 1990-05-29 Union Carbide Corporation Process for producing crystalline silicon nitride powder
JPH02196015A (ja) * 1989-01-25 1990-08-02 Chisso Corp シリカの製造方法
JPH035374A (ja) * 1989-06-01 1991-01-11 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 窒化ケイ素―炭化ケイ素複合焼結体およびその製造法
US5244621A (en) * 1989-12-26 1993-09-14 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Process for shaping ceramic composites
DE69121689T2 (de) * 1990-12-27 1997-04-03 Kyocera Corp Siliciumnitrid-Siliciumcarbid gesinterter Verbundwerkstoff
US5250278A (en) * 1991-06-19 1993-10-05 Phillips Petroleum Company Method for producing a ceramic product
US5700400A (en) * 1993-06-15 1997-12-23 Nippon Oil Co., Ltd. Method for producing a semiconducting material
DE19521344C5 (de) * 1995-06-12 2006-03-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verwendung von Plasmapolymer-Hartstoff-Schichtenfolgen als Funktionsschichten in Stofftransport - oder Wärmetauschersystemen
DE19634799A1 (de) * 1996-08-29 1998-03-05 Bayer Ag SiCN-Gele als Vorstufen zu nichtoxidischen Silicium-Keramiken
DE102010030895A1 (de) * 2010-07-02 2012-01-05 Wacker Chemie Ag Herstellung von 1,3,5-Triethyl-2,4,6-Trihydrido-2,4,6-Triethylamino-1,3,5-Triaza-2,4,6-Trisila-Cyclohexan

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2100711A (en) * 1981-06-01 1983-01-06 Nippon Carbon Co Ltd Process for the production of silicon nitride type molded bodies

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3926857A (en) * 1971-11-08 1975-12-16 Atomic Energy Authority Uk Electrically conducting material containing silicon carbide in a matrix of silicon nitride
DE2243527A1 (de) * 1972-09-05 1974-04-18 Bayer Ag Formkoerper aus homogenen mischungen von siliciumcarbid und siliciumnitrid und verfahren zu ihrer herstellung
US3954483A (en) * 1974-01-08 1976-05-04 General Electric Company Dense polycrystalline silicon carbide
US4036653A (en) * 1975-05-28 1977-07-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Amorphous silicon nitride composition containing carbon, and vapor phase process
US4187116A (en) * 1976-03-25 1980-02-05 Westinghouse Electric Corp. Silicon nitride-silicon carbide composite material
US4184882A (en) * 1976-03-25 1980-01-22 Westinghouse Electric Corp. Silicon nitride-silicon carbide composite material
US4122155A (en) * 1977-01-03 1978-10-24 General Electric Company Preparation of silicon nitride powder
JPS6031799B2 (ja) * 1979-11-30 1985-07-24 黒崎窯業株式会社 ＳｉＣ−Ｓｉ↓３Ｎ↓４系複合耐熱セラミツクス材料及びその製造方法
JPS5888110A (ja) * 1981-11-17 1983-05-26 Ube Ind Ltd 窒化ケイ素質粉末の製法
JPS5891058A (ja) * 1981-11-24 1983-05-30 旭硝子株式会社 窒化珪素と炭化珪素の混合物の製造方法
JPS5891025A (ja) * 1981-11-24 1983-05-30 Asahi Glass Co Ltd 炭化珪素の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2100711A (en) * 1981-06-01 1983-01-06 Nippon Carbon Co Ltd Process for the production of silicon nitride type molded bodies

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0276334A1 (de) * 1987-01-22 1988-08-03 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Siliciumnitrid-Siliciumkarbidmaterial und Verfahren zu seiner Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
US4594330A (en) 1986-06-10
DE3510264C2 (de) 1990-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3510264A1 (de) Amorphes feinteiliges pulver und verfahren zur herstellung einer feinteiligen pulvermischung aus siliciumnitrid und siliciumcarbid
DE2642554C3 (de) Verfahren zur Herstellung von a- Siliziumnitrid
DE2814235A1 (de) Verfahren zur herstellung von alpha- siliziumnitridpulver
DE2733354C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Keramikprodukts mit mindestens 80 Vol.-% eines einphasigen Siliciumaluminiumoxynitrids
DE2760031C2 (de)
DE4111052C2 (de) Herstellung von polykristallinen Siliciumcarbidfasern aus Methylpolydisilazanen, enthaltend Bor, sowie derartige Siliciumcarbidfasern
DE3127649A1 (de) Dichtgesinterter siliciumcarbid-keramikkoerper
DE2909023A1 (de) Verfahren zur herstellung eines siliciumcarbidpulvers
DE2940629A1 (de) Verfahren zur erzeugung oxidationsbestaendiger siliciumnitrid-sinterkoerper mit verbesserter mechanischer festigkeit
DE2651140A1 (de) Siliciumcarbidsinterkoerper und verfahren zur herstellung derselben
DE3785148T2 (de) Durch plasmabehandlung unschmelzbares polymeres vormaterial zur erzeugung von keramik.
EP2376375A1 (de) Verfahren zur herstellung von hochreinem siliciumnitrid
DE3516589C2 (de)
DE2700208A1 (de) Polykristalliner siliziumnitrid- koerper und verfahren zu dessen herstellung
DE19519864B4 (de) Siliciumnitridsinterprodukt und Verfahren zu seiner Herstellung
DE69104918T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers auf der Basis von Siliziumcarbid.
EP1341737B1 (de) Verwendung eines substrats auf basis von siliciumnitrid für die herstellung von halbleiter bauelemente
EP0560005B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Siliciumnitrid, Ausgangsverbindung hierfür sowie Verfahren zu dessen Herstellung
DE3605126A1 (de) Verfahren zur herstellung eines siliciumnitridpulvers mit hohem (alpha)-typ-gehalt
DE19839081B4 (de) Siliciumnitridsinterkörper
WO2002096799A2 (de) Siliciumsubnitrid, ein verfahren zur dessen hestellung und die verwendung des subnitrids
DE3543752C2 (de)
DE3709137C2 (de)
DE4241287A1 (de) Siliciumaluminiumnitridkeramik und Vorläuferverbindungen, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie deren Verwendung
DE19502385C2 (de) Verfahren zum Verstärken von keramischen Formkörpern und verstärkte keramische Formkörper

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8125 Change of the main classification

Ipc: C09K 3/00

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee