JPS5891025A - 炭化珪素の製造方法 - Google Patents
炭化珪素の製造方法Info
- Publication number
- JPS5891025A JPS5891025A JP56186831A JP18683181A JPS5891025A JP S5891025 A JPS5891025 A JP S5891025A JP 56186831 A JP56186831 A JP 56186831A JP 18683181 A JP18683181 A JP 18683181A JP S5891025 A JPS5891025 A JP S5891025A
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- Japan
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- reaction
- silicon carbide
- halogen
- carbonaceous substance
- silicon
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- Pending
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は炭化珪素の製造方法、特に焼結体原料として好
ましい物性を有する炭化珪素粉末を高収率で得る方法に
係るものである。
ましい物性を有する炭化珪素粉末を高収率で得る方法に
係るものである。
炭化珪素は、耐熱性及び耐食性に優れ、その焼結体は各
種のタービンブレードや高温にさらされろノズル等にそ
の用途が拓けつつある。
種のタービンブレードや高温にさらされろノズル等にそ
の用途が拓けつつある。
従来、炭化珪素の製造法としては、■窒化珪素と炭素と
を水素気流中で反応せしめる方法、■珪素粉末と炭素と
を高温下に直接反応せしめろ方法、■二酸比珪素と炭素
とを高温下に反応せしめる方法、■四塩化珪素と炭化水
素を気相反応せしめる方法、■メチルシラン等の有機珪
素化合物を熱分解せしめる方法等が知られている。
を水素気流中で反応せしめる方法、■珪素粉末と炭素と
を高温下に直接反応せしめろ方法、■二酸比珪素と炭素
とを高温下に反応せしめる方法、■四塩化珪素と炭化水
素を気相反応せしめる方法、■メチルシラン等の有機珪
素化合物を熱分解せしめる方法等が知られている。
しかしながら、■の方法においては、反応性が低く、又
これはウィスカーと云5%殊な形態の炭化珪素の合成に
限られている。■の方法は、原料である珪素の高純度品
が得がたく、又この反応にはかなり過剰の炭素が必要で
あり、反応後に残留した未反応の炭素は、空気中におい
て炭化珪素が酸化を受けないように注意深く燃焼除去せ
ねばならず、これにかなりな熱エネルギーを要すと共に
、得られる炭化珪素は一般にかなりな微粉である為、一
部珪素の酸化物があまり好ましくない不純物として生成
する欠点がある。
これはウィスカーと云5%殊な形態の炭化珪素の合成に
限られている。■の方法は、原料である珪素の高純度品
が得がたく、又この反応にはかなり過剰の炭素が必要で
あり、反応後に残留した未反応の炭素は、空気中におい
て炭化珪素が酸化を受けないように注意深く燃焼除去せ
ねばならず、これにかなりな熱エネルギーを要すと共に
、得られる炭化珪素は一般にかなりな微粉である為、一
部珪素の酸化物があまり好ましくない不純物として生成
する欠点がある。
■の方法は、炭化珪素を1モル得るのに140Kca、
] と云う大量の熱を必要とするのみならず、前記(
,8)の方法と同様に過剰の炭素と反応させる必要があ
り、これも前記同様の欠点を有する。
] と云う大量の熱を必要とするのみならず、前記(
,8)の方法と同様に過剰の炭素と反応させる必要があ
り、これも前記同様の欠点を有する。
■の方法は、これもかなりの高温が必要であり、しかも
これが気相反応であるにも拘らず、収率が低い欠点があ
る。(のの方法は、原料となる有機シリコン化合物がこ
れら5つの方法中抜き出て高価であり、工業的に不利で
あると共に、熱分解にはかなりの高温が必要であり、し
かも収率が低いと云う欠点がある。
これが気相反応であるにも拘らず、収率が低い欠点があ
る。(のの方法は、原料となる有機シリコン化合物がこ
れら5つの方法中抜き出て高価であり、工業的に不利で
あると共に、熱分解にはかなりの高温が必要であり、し
かも収率が低いと云う欠点がある。
本発明者は、これら従来法が有する諸欠点を除去し、焼
結体の製造原料として好ましい粉末状で、高純度且高収
率に、又工業的規模で犬量且安価に炭化珪素を得ること
を目的として種々研究、検討し7た結果、原料として)
・ロゲンを含む無機珪素化合物を用い、これとアンモニ
ア及び炭素質物質とを特定条件下で反応せしめることに
より、前記目的を達成し得ろことを見出しプこ。
結体の製造原料として好ましい粉末状で、高純度且高収
率に、又工業的規模で犬量且安価に炭化珪素を得ること
を目的として種々研究、検討し7た結果、原料として)
・ロゲンを含む無機珪素化合物を用い、これとアンモニ
ア及び炭素質物質とを特定条件下で反応せしめることに
より、前記目的を達成し得ろことを見出しプこ。
かくして本発明は、ハロゲンを含む無機珪素化合物とア
ンモニアと、前記両者の反応によって生成される窒化珪
素を炭化珪素に転化せしめるに必要な少なくとも理論量
の炭素質物質とを非酸化性雰囲気中において反応ぜ(〜
めろことを特徴とする炭化珪素の製造方法を提供するに
ある。
ンモニアと、前記両者の反応によって生成される窒化珪
素を炭化珪素に転化せしめるに必要な少なくとも理論量
の炭素質物質とを非酸化性雰囲気中において反応ぜ(〜
めろことを特徴とする炭化珪素の製造方法を提供するに
ある。
本発明において、原料として用いられるハロゲンを含む
無機珪素化合物としては、例えば、5jC14,5jH
C13、Sj、H2C]、2 、 Sj、H2O2、S
j、Br4 。
無機珪素化合物としては、例えば、5jC14,5jH
C13、Sj、H2C]、2 、 Sj、H2O2、S
j、Br4 。
5jHBr3 、 Sj、H2Br2 、 Sj、H3
Br 、 Sj、14 、 SjH]、3 。
Br 、 Sj、14 、 SjH]、3 。
Si、H4F、2. Si、H4F−、SIC]、2B
r2. SIC]、212等であり、これらは常温でガ
ス状のものもあるが、液状や固体状のものもあり、これ
らは均一な反応を速やかに実施する為に、例えば適当な
1…接加熱等の手段により一旦ガス化せしめてアンモニ
アとの反応に供するのが適当である。
r2. SIC]、212等であり、これらは常温でガ
ス状のものもあるが、液状や固体状のものもあり、これ
らは均一な反応を速やかに実施する為に、例えば適当な
1…接加熱等の手段により一旦ガス化せしめてアンモニ
アとの反応に供するのが適当である。
反応に用いられるアンモニアの量は、原料として用いら
れろ・・ロゲンを含む無機珪素化合物に対し、モル比で
01〜6を採用するのが適当である。
れろ・・ロゲンを含む無機珪素化合物に対し、モル比で
01〜6を採用するのが適当である。
用いるアンモニアの量が前記範囲に満たない場合には、
ハロゲンを含む無機珪素化合物の反応率が低く最終的に
得られる炭化珪素の生成割合が低く、工業的でなく、逆
に前記範囲を超える場合には、ハロゲン化アンモニウム
の固体が析出し、反応操作上困難を伴なうので倒れも好
ましくない。
ハロゲンを含む無機珪素化合物の反応率が低く最終的に
得られる炭化珪素の生成割合が低く、工業的でなく、逆
に前記範囲を超える場合には、ハロゲン化アンモニウム
の固体が析出し、反応操作上困難を伴なうので倒れも好
ましくない。
そして、これら範囲のうち、前記モル比で05〜5を採
用する場合には、ハロゲンを含む無機珪素化合物とアン
モニアとの反応を効果的かつ工業的有利に行なえるので
特に好ましい。
用する場合には、ハロゲンを含む無機珪素化合物とアン
モニアとの反応を効果的かつ工業的有利に行なえるので
特に好ましい。
次に本発明に用いられる炭素質物質としては、例えば無
定形炭素、グラファイト等の炭素そのものの他、含ハロ
ゲン飽和若しくは含ハロゲン不飽和炭化水素又は含ハロ
ゲン芳香族炭化水素のうち、何れもハロゲン原子に対し
水素の数が等しいか犬であるもの等を適宜一種若しくは
二種以上混合して用いることが出来る。
定形炭素、グラファイト等の炭素そのものの他、含ハロ
ゲン飽和若しくは含ハロゲン不飽和炭化水素又は含ハロ
ゲン芳香族炭化水素のうち、何れもハロゲン原子に対し
水素の数が等しいか犬であるもの等を適宜一種若しくは
二種以上混合して用いることが出来る。
そしてこれら炭素物質のうち、塩化メチル。
塩化メチレン、ジクロルエタン、トリクロルエタン、塩
化ビニル、ジクロルエチレンを採用する場合には炭化珪
素への転化率を容易に高く出来るので特に好ましい。
化ビニル、ジクロルエチレンを採用する場合には炭化珪
素への転化率を容易に高く出来るので特に好ましい。
これら炭素質物質の使用量は、ハロゲンを含む無機珪素
化合物とアンモニアの反応によって生成される窒化珪素
を炭化珪素に転化せしめるに必要な少な(とも理論量用
いられる。その具体的使用量は、炭素に換算して含ハロ
ゲン珪素化合物に対しモル比で1.0〜5.0程度を採
用するのが適当である。
化合物とアンモニアの反応によって生成される窒化珪素
を炭化珪素に転化せしめるに必要な少な(とも理論量用
いられる。その具体的使用量は、炭素に換算して含ハロ
ゲン珪素化合物に対しモル比で1.0〜5.0程度を採
用するのが適当である。
使用量が前記範囲に満たないと十分な炭化珪素の転化が
出来ず、逆に前記範囲を超える場合には反応後に残留す
る未反応炭素が多くなり、その残留炭素の除去にかなり
の熱エネルギーを要するので何れも好ましくない。
出来ず、逆に前記範囲を超える場合には反応後に残留す
る未反応炭素が多くなり、その残留炭素の除去にかなり
の熱エネルギーを要するので何れも好ましくない。
そして、これら範囲のうち上記表示法に従い、10〜2
0程度を採用する場合には、未反応炭素の残留量及び炭
化珪素以外の不純物の混入が実質的にない炭化珪素を工
業的有利に製造し得るので特に好ましく・。
0程度を採用する場合には、未反応炭素の残留量及び炭
化珪素以外の不純物の混入が実質的にない炭化珪素を工
業的有利に製造し得るので特に好ましく・。
かくしてこれら原料は非酸化性雰囲気中で反応せしめら
れろ。反応温度は400〜1700℃程度を採用するの
が適当である。反応温度が前記範囲に満たない場合には
アンモニアが効率的に利用されず、含ハロゲン無機化合
物の反応率が低下する事となり、逆に前記範囲を超える
場合には最終生成物の粒成長が顕著となるので倒れも好
ましくない。
れろ。反応温度は400〜1700℃程度を採用するの
が適当である。反応温度が前記範囲に満たない場合には
アンモニアが効率的に利用されず、含ハロゲン無機化合
物の反応率が低下する事となり、逆に前記範囲を超える
場合には最終生成物の粒成長が顕著となるので倒れも好
ましくない。
又、反応時間は01秒〜5時間を採用するのが適当であ
る。反応時間が前記範囲に満たない場合には実質的に反
応が進行せず、逆に前記範囲を超える場合には最終製品
である炭化珪素の粒成長が顕著となるので何れも好まし
くない。
る。反応時間が前記範囲に満たない場合には実質的に反
応が進行せず、逆に前記範囲を超える場合には最終製品
である炭化珪素の粒成長が顕著となるので何れも好まし
くない。
又、本発明に用いられる非酸化性雰囲気としては、例え
ばアルゴン、ヘリウム、水素等のガス気流を採用するの
が適当である。
ばアルゴン、ヘリウム、水素等のガス気流を採用するの
が適当である。
酸化性雰囲気となると、焼結原料として高温強変の低下
原因となろシリカが混入するので注意を要する。
原因となろシリカが混入するので注意を要する。
次に本発明を実施例により説明する。
実施例1〜6
内径36mm、長さ900喘の石英製反応管を内筒とし
、内径50mm、長さ1000+n+nのアルミツー製
の外筒かりなる外熱式流通型又応器と、反応管下部に取
り伺けた反応生成物捕集器とからなる装置を用い、所定
温度に保持した反応管上部からハロゲン化珪素(キャリ
アガス: N 2 ) +アンモニアガス、含ハロゲン
炭化水素(キャリアガス:N2)をそれぞれ別々の導入
管から吹込み反応させた。
、内径50mm、長さ1000+n+nのアルミツー製
の外筒かりなる外熱式流通型又応器と、反応管下部に取
り伺けた反応生成物捕集器とからなる装置を用い、所定
温度に保持した反応管上部からハロゲン化珪素(キャリ
アガス: N 2 ) +アンモニアガス、含ハロゲン
炭化水素(キャリアガス:N2)をそれぞれ別々の導入
管から吹込み反応させた。
捕集器(約100℃)に捕集された粉末状生成物を窒素
雰囲気下でグラファイト製ルツボに移し、不活性ガス気
流中、電気炉で熱処理を行なった。
雰囲気下でグラファイト製ルツボに移し、不活性ガス気
流中、電気炉で熱処理を行なった。
こうして得られた粉末を空気雰囲気中600℃で熱処理
して過剰の炭素を除去した。
して過剰の炭素を除去した。
反応条件及び熱処理条件と得られた炭化珪素の分析結果
は表1の如くであった。
は表1の如くであった。
実施例7
実施例1に記した反応装置と同一の装置を用い、所定温
度に保持した反応管上部から四塩化珪素(キャリアガス
:N2)、アンモニアガス及び窒素ガスに同伴させてカ
ーボンブラックをそれぞれ別々の導入管から吹込み反応
させた。
度に保持した反応管上部から四塩化珪素(キャリアガス
:N2)、アンモニアガス及び窒素ガスに同伴させてカ
ーボンブラックをそれぞれ別々の導入管から吹込み反応
させた。
この際の反応条件は、反応温度1000℃、反応時間8
0秒でS j、 C、]、4濃度128容量係、NH3
/S j、c14= 1.2 、 c/s ]、C14
= 1.2とした。
0秒でS j、 C、]、4濃度128容量係、NH3
/S j、c14= 1.2 、 c/s ]、C14
= 1.2とした。
こうして得られた粉末を水素雰囲気中150’0℃にて
2時間熱処理を行なった後、実施例1と同様の条件で炭
素を除去した。
2時間熱処理を行なった後、実施例1と同様の条件で炭
素を除去した。
得られた生成物はSj、Cを982%、S]02を15
%、C1を0.04%含んでいた。
%、C1を0.04%含んでいた。
表 1
手続補正書彷式)
昭和57年 4月2日
特許庁長官 島田春樹殿
1、事件の表示
昭和56年特許願第186831号
2、発明の名称
炭化珪素の製造方法
3、補正をする者
事件との関係 特許出願人
住所 東京都千代田区丸の内二丁目1番2号氏名 (
004)旭硝子株式会社 第二開田ビル 66補正により増加する発明の数 なし7、補正の
対象 明細書 ・ /
004)旭硝子株式会社 第二開田ビル 66補正により増加する発明の数 なし7、補正の
対象 明細書 ・ /
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ・・ロゲンを含む無機珪素化合物とアンモニアと、
前記両者の反応によって生成される窒化珪素を炭化珪素
に転化せしめるに必要な少なくとも理論量の炭素値物質
とを非酸化性雰囲気中において反応せしめろことを特徴
とする炭化珪素の製造方法。 2 アンモニアが・・ロゲンを含む無機珪素化合物に対
し、モル比で0.1〜6、炭素質物質が炭素に換算して
ノ・ロゲンを含む無機珪素化合物に対し、モル比で10
〜30にて反応せしめられろ請求の範囲(1)の方法。 3 反応は、非酸化性雰囲気中において400〜170
0℃で01秒〜5時間行なわれる請求の範囲(1)又は
(2)の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56186831A JPS5891025A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | 炭化珪素の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56186831A JPS5891025A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | 炭化珪素の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5891025A true JPS5891025A (ja) | 1983-05-30 |
Family
ID=16195373
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56186831A Pending JPS5891025A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | 炭化珪素の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5891025A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4594330A (en) * | 1984-03-22 | 1986-06-10 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Fine amorphous powder and process for preparing fine powdery mixture of silicon nitride and silicon carbide |
-
1981
- 1981-11-24 JP JP56186831A patent/JPS5891025A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4594330A (en) * | 1984-03-22 | 1986-06-10 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Fine amorphous powder and process for preparing fine powdery mixture of silicon nitride and silicon carbide |
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