DE3504720C2 - - Google Patents
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- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/266—Measurement of magnetic- or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy
- H01J37/268—Measurement of magnetic- or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy with scanning beams
Description
Die Erfindung betrifft ein Abtastelektronenmikroskop ge
mäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1, das sich
zur Beobachtung des Magnetisierungszustandes eines Ober
flächenbereichs einer magnetischen Probe eignet. Ein derarti
ges Abtastelektronenmikroskop ist aus "phys. stat. sol." (a)
Band 36 (1976) Seiten 647 bis 657 bekannt.
Es gibt zwei Arten von Verfahren zur Beobachtung von
Magnetisierungsverteilungen unter Verwendung von Abtast
elektronenmikroskopen; eine davon verwendet die Ablenkung
von Sekundärelektronen in einem Magnetfeld in der Nähe der
Außenoberfläche eines magnetischen Materials
und die andere verwendet die Ab
lenkung von reflektierten Elektronen in einem Magnetfeld
in einem Probenmaterial (vergl. die oben genannte Literaturstelle).
Bei beiden Verfahren können die relativen Differenzen
zwischen den Magnetisierungsrichtungen in magnetischen Be
reichen oder Bezirken beobachtet werden, aber es ist schwie
rig, die Magnetisierungsrichtungen und die Größe der Magne
tisierung zu bestimmen, da das Auflösungsvermögen dieser
Verfahren höchstens 1 µm beträgt. Diese Unzulänglichkeiten
ergeben sich aus den nachstehenden Gründen.
Bei dem zuerst genannten Verfahren, das ein Streumagnet
feld verwendet, das durch die Magnetisierung einer Probe
erzeugt wird, kann eine magnetische Bereichs- oder Bezirks
struktur, die keine Streumagnetfelder hat, in einem extremen
Falle nicht beobachtet werden. Auch wenn ein Streumagnetfeld
in einer magnetischen Bereichsstruktur existiert, so verschie
ben die Magnetfelder, die von der Außenoberfläche der Probe
entfernt sind und die durch verschiedene magnetische Bereiche
erzeugt werden, einander dann, wenn die Magnetisierungsver
teilung dicht ist, so daß das Magnetfeld abnimmt. Infolgedessen
wird es schwierig, Sekundärelektronen abzulenken, indem man
ein Streumagnetfeld verwendet, und die Magnetisierungsver
teilung kann nicht beobachtet werden.
Ferner ist es nahezu unmöglich, die
Magnetisierungsrichtung zu bestimmen, indem man Sekundär
elektronen verwendet, die von einem Streumagnetfeld abge
lenkt werden.
Bei dem zweiten genannten Verfahren wird die Ablenkung
der reflektierten Elektronen durch ein Magnetfeld im Inneren
einer Probe verwendet, um die Intensität der in einer spezi
fischen Errichtung abgetasteten, reflektierten Elektronen
in Videosignale umzuwandeln und dadurch die magnetischen Be
reiche zu beobachten. Um jedoch ein klares Bild einer magne
tischen Bereichsstruktur zu bilden, ist es erforderlich, die
Energie der Primärelektronen zu erhöhen. Wenn diese Energie
erhöht wird, dehnen sich die reflektierten Elektronen im
Inneren einer Probe stark aus, so daß die Auflösung nicht zu
nimmt. Die Grenze des Auflösungsvermögens bei diesem Ver
fahren beträgt 1 µm.
Die Auflösung eines regulären Abtastelektronenmikros
kops zur Beobachtung einer mikroskopischen Struktur mit
Sekundärelektronen ist durch den Probendurchmesser eines
Primärelektronenstrahles bestimmt. Wenn jedoch die Magneti
sierungsverteilung mit den oben beschriebenen Verfahren beob
achtet wird, ist die untere Grenze der Auflösung bestimmt
durch die Intensität eines Streumagnetfeldes, die Intensität
eines Magnetfeldes im Inneren einer Probe und den Grad der
Ausdehnung der reflektierten Elektronen. Auch wenn der Durch
messer der Probe reduziert wird, kann dementsprechend die
Auflösung nicht vergrößert werden.
Aufgabe der Erfindung ist es, unter Vermeidung der oben
geschilderten Unzulänglichkeiten ein Abtastelektronenmikros
kop der eingangs genannten Art anzugeben, mit dem es möglich ist, mit hoher Auflösung
die zweidimensionale Verteilung der Magnetisierungsvektoren
auf der Oberfläche eines magnetischen Probenmaterials zu
beobachten.
Die Erfindung löst diese Aufgabe mit den im Kennzeichen
teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmalen. Danach wird
der Spinpolarisationsvektor der aufgefangenen Sekundärelektro
nen ausgewertet, wodurch - wie nachstehend näher erläutert -
eine höhere Auflösung erzielt wird.
Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im folgenden
anhand der Zeichnungen näher erläutert. Darin zeigt
Fig. 1 das Grundprinzip der Erfindung;
Fig. 2 ein Beispiel des Spinpolarisations-Meßverfahrens
unter Verwendung eines Mott-Detektors und in
Fig. 3 ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen
Abtastelektronenmikroskops.
Zunächst soll das Grundprinzip der Erfindung näher er
läutert werden. Bei der Anordnung gemäß Fig. 1 ist ein Spin
polarisationsvektor 3 von Sekundärelektronen 2, die dann auf
treten, wenn ein Primärelektronenstrahl 1 ein magnetisches
Material 4 beaufschlagt, antiparallel zu einem Magnetisierungs
vektor an der Stelle, von der die Sekundärelektronen stammen.
Wenn die Oberfläche der Probe mit dem Primärelektronenstrahl
abgetastet wird, wird eine Komponente des
Spinpolarisationsvektors der Sekundärelektronen mit einem
Elektronendetektor abgetastet, und die Komponente wird in
Form eines Videosignals auf einer Anzeige angezeigt, wobei
die zweidimensionale Verteilung des magnetischen Vektors auf
der Oberfläche des magnetischen Materials beobachtet werden
kann. Im allgemeinen beträgt der Wert des Eigendrehimpulses oder Spins eines Elektrons
+1/2 oder -1/2 in
Bezug auf jede Richtung. Wenn der Spin in Bezug auf die
i-Richtung der einen Elektronenstrahl bildenden Elektronen
gemessen wird, um zu bestimmen, daß Ni+ Elektronen mit einem
Wert von +1/2 und Ni- Elektronen mit einem Wert von -1/2 vor
handen sind, kann die Spinpolarisation Pi in Bezug auf die
i-Richtung in diesem Elektronenstrahl folgendermaßen ausge
drückt werden:
Seien Px, Py und Pz gleich der Spinpolarisation Pi,
gemessen in Bezug auf die Richtungen der Achsen eines recht
winkeligen Koordinatensystems mit den Achsen x, y und z.
Der Spinpolarisationsvektor P kann ausgedrückt werden als:
P =(Px, Py, Pz) (2).
Ein Elektronenstrahl mit P ≠0 wird als polarisierter
Elektronenstrahl bezeichnet.
Es gibt mehrere Methoden zur Messung der Spinpolarisation.
Ein Verfahren zur Messung der Spinpolarisation unter Verwen
dung eines Mott-Detektors wird als Beispiel für derartige
Verfahren in der nachstehenden Beschreibung unter Bezugnahme
auf Fig. 2 angegeben. Wenn ein hochenergetischer polarisier
ter Elektronenstrahl 16 von einem schweren Goldatom 11 ge
streut wird, wobei das Bezugszeichen 17 in der Zeichnung die
gestreuten Elektronen bezeichnet, tritt eine Intensitäts-
Asymmetrie von gestreuten Elektronen um die Einfallsachse
aufgrund der spinabhängigen Wechselwirkung auf. Seien Nsx+
und Nsx- gleich der Anzahl von gestreuten Elektronen, die von
zwei Elektronendetektoren 12 und 13 abgetastet werden, die
in symmetrischen Positionen in Bezug auf eine x-z-Ebene ange
ordnet sind. Eine x-Komponente Px eines Polarisationsvektors
P kann dann ausgedrückt werden als:
wobei S eine Konstante ist, die durch die Art des Target
atoms, die Energie eines einfallenden Elektrons und den
Streuwinkel der Elektronen bestimmt ist. Wenn in gleicher
Weise zwei Elektronendetektoren 14 und 15 in symmetrischen
Positionen in Bezug auf eine y-z-Ebene angeordnet sind, kann
Py bestimmt werden. Wenn beispielsweise eine x-y-Ebene die
Oberfläche einer Probe enthält, kann eine Komponente P R in
der Richtung unter einem Winkel R zur x-Achse in der x-y-Ebene
unter Verwendung von Px und Py folgendermaßen ausgedrückt
werden:
P R=Px cosR+Py sinR (4).
Pz kann in gleicher Weise bestimmt werden, indem man
den Spinpolarisationsvektor P um 90° um die x-Achse oder
die y-Achse mit einer Spindreheinrichtung dreht, beispiels
weise einem Wien-Filter.
Wenn die Spinpolarisation Px, Py, Pz somit bestimmt
worden ist, können die zweidimensionale Verteilung des
magnetischen Vektors in der Oberfläche einer Probe aus
magnetischem Material und eine Komponente in der zur Oberfläche der Probe senkrechten
Richtung bestimmt werden.
Die Auflösung wird bei diesem Verfahren in gleicher Weise
bestimmt wie bei einem ähnlichen Verfahren unter Verwendung
eines typischen Abtastelektronenmikroskops zur Beobachtung
von mikroskopischen Strukturen, d. h. durch den Probendurch
messer des Primärelektronenstrahls. Man kann erwarten, daß
die Auflösung bei dem oben beschriebenen Verfahren gegenüber
dem herkömmlichen Verfahren dieser Art erheblich verbessert
wird.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachstehend
unter Bezugnahme auf Fig. 3 näher erläutert. Nachdem die
Oberfläche von beispielsweise Eisen (001), das eine
Probe 33 bildet, mit einer Ionenkanone 32 gereinigt worden
ist, wird ein Elektronenstrahl aus einer Feldemissions
elektronenkanone 35 auf 10 kV beschleunigt und auf 50 nm
auf der Oberfläche der Probe fokussiert, um deren Oberfläche
damit abzutasten. Die Sekundärelektronen von der Probe 33
werden mit einer Abzugselektrode 30 aufge
fangen und beispielsweise in einen Mott-Detektor 27 einge
führt. Der Elektronenstrahl, der mit einem Beschleunigungs
rohr 28 in dem Detektor 27 auf 100 keV beschleunigt wird,
wird von einer dünnen Goldfolie 26 mit 50 nm Dicke gestreut.
Von den gestreuten Elektronen werden die Elektronen, die
einen Streuwinkel Φ von beispielsweise 120° haben und die
in die Richtungen +x, -x, +y und -y gestreut werden, von
Detektoren D 1, D 2, D 3 bzw. D 4 abgetastet. Die Ausgangsimpulse
der Detektoren D 3 und D 4 dieser vier Detektoren werden
in Analogsignale umgewandelt, beispielsweise mit einem
Frequenz-Spannungs-Wandler 22. Diese Analogsignale werden
einer Analogverarbeitungseinheit 23 eingegeben, von der
ein Analogsignal, das der x-Richtungskomponente Px des
Spinpolarisationsvektors entspricht, entsprechend der Glei
chung (3) erhalten wird. Ein Analogsignal, das Py entspricht,
wird in gleicher Weise von den Ausgängen der Detektoren D 1
und D 2 erhalten. Aus diesen beiden Signalen wird eine
Komponente in der Richtung, die sich auf der Oberfläche
der Probe befindet und die unter einem Winkel von 45° zur
x-Achse liegt, mit einem analogen Operationsverstärker 24
gemäß der Gleichung (4) erhalten. Wenn dieses Signal als
Videosignal auf einer Anzeige 25 zur Anzeige gebracht wird,
läßt sich die zweidimensionale Verteilung einer Komponente
des Magnetisierungsvektors in der Richtung, die in der Ober
fläche der Probe liegt und die einen Winkel von 45° zur
x-Achse hat, beobachten. Wenn der Polarisationsvektor von
einem Wien-Filter 29 um 90° um die y-Achse gedreht wird,
ist eine Komponente in der x-Richtung, die nach der Drehung
des Vektors erhalten wird, gleich der Komponente Pz in
der z-Richtung, die erhalten wird, bevor der Vektor ge
dreht worden ist.
Ein Signal, das Pz entspricht, kann mit demselben
Verfahren erhalten werden, wie es verwendet wird, um ein
Signal entsprechend Px zu erhalten. Wenn das Pz entsprechen
de Signal als Videosignal auf der Anzeige zur Anzeige gebracht
wird, kann die zweidimensionale Verteilung einer Komponente
des magnetischen Vektors in der Normalenrichtung der Ober
fläche der Probe beobachtet werden. Dieses Verfahren er
möglicht die Beobachtung der Magnetisierungsverteilung auf
der Oberfläche von Eisen (001) mit einer Auflösung von 50 nm,
die wesentlich höher ist als die bei einem herkömmlichen
Verfahren dieser Art.
Wenn ein Absorptionsstrom in der Probe als Bildsignal
verwendet wird, kann die geometrische Struktur auf der Proben
oberfläche in genau demselben Bereich beobachtet werden, wie
bei der Beobachtung der oben beschriebenen Magnetisierungs
verteilung.
Wenn ein Sekundärelektronenstrom 31, der von der Sekun
därelektronen-Abzugselektrode 30 erhalten wird, als Video
signal verwendet wird, kann die geometrische Struktur der
Oberfläche einer Probe in genau demselben Bereich beobach
tet werden wie die Beobachtung der oben beschriebenen Magne
tisierungsverteilung erfolgt, und zwar mit einem höheren
Rauschabstand als in dem Falle, wo ein Absorptionsstrom in
einer Probe als Bildsignal verwendet wird.
Ein derartiges Abtastelektronenmikroskop kann auch so
aufgebaut sein, daß drei Komponenten des Spinpolarisations
vektors der Sekundärelektronen von einem willkürlich be
stimmten Punkt auf einem Magnetisierungsverteilungsbild oder
einem Sekundärelektronenstrombild oder einem Absorptions
strombild abgetastet und angezeigt werden.
Die drei Komponenten der Spinpolarisation der Sekundär
elektronen wurden gemessen, während ein Primärelektronenstrahl
in fixierter Weise an einen Punkt in einem hellen Bereich
eines Magnetisierungsverteilungsbildes angelegt wurde. Die
Ergebnisse waren Px=16%; Py=16% und Pz=0%.
Die Komponente P R des Spinpolarisationsvektors P in
einer willkürlichen Richtung in der Oberfläche einer
Probe kann auch direkt bestimmt werden, ohne die Px- und Py-
Komponenten zu bestimmen. Wenn der Winkel R in Bezug auf
die x-Achse variiert wird, wenn beispielsweise ein Paar von
Elektronendetektoren eines Spinpolarisationsvektors P um
die Achse eines polarisierten Elektronenstrahles gedreht
werden, kann die zweidimensionale Verteilung der P R-Kompo
nente bestimmt werden. Somit wird die Richtung einer Kompo
nente in der Oberfläche einer Probe eines magnetischen Vek
tors in derselben Oberfläche bestimmt.
Wenn der Winkel R von P R in der Richtung einer leichten
Achse der Magnetisierung genommen wird, kann ein sehr klares
magnetisches Bereichsbild erhalten werden.
Die oben erwähnte Komponente Pz in der Normalenrichtung
zur Oberfläche einer Probe des Spinpolarisationsvektors P
wird in effektiver Weise zur Beobachtung eines magnetischen
Bereiches, der einen senkrechten magnetischen Vektor in Be
zug auf die Oberfläche der Probe hat, verwendet.
Wenn eine Signalverarbeitungseinrichtung, bestehend aus
einem Impulszähler, einer digitalen Rechenschaltung und einem
D-A-Wandler anstelle des Analogsignal-Verarbeitungssystems
21 verwendet wurde, das bei dem oben beschriebenen Vorgang
verwendet wurde, um ein Magnetisierungsverteilungsbild zu
erhalten, konnte ein Magnetisierungsverteilungsbild beobach
tet werden, das überhaupt nicht durch die Schwankungen des
Sekundärelektronenstromes von nicht weniger als 40 dB be
einflußt wird.
Mit der thermischen Feldemissionskanone 35 konnte ein starker Strom in
gleichmäßiger Weise für eine lange Zeit erhalten werden, und
man erzielte eine Auflösung von 20 nm. Wenn die Elektronen
kanone 35 durch eine thermionische Emissionskanone ersetzt
wurde, konnte das Abtastelektronenmikroskop sogar in einem Vakuum
von weniger als 10-6 mbar betrieben werden.
Wie oben erläutert, ermöglicht das erfindungsgemäße
Abtastelektronenmikroskop die Beobachtung der zweidimen
sionalen Verteilung eines magnetischen Vektors in der Ober
fläche eines magnetischen Materials mit hoher Auflösung und
besitzt somit einen extrem hohen industriellen Wert.
Claims (7)
1. Abtastelektronenmikroskop mit
einer Einrichtung (35) zur Emission eines feinen Elektro nenstrahls auf die Oberfläche einer Probe (33),
einer Einrichtung zum Abtasten der Probenoberfläche mit dem Elektronenstrahl,
einer Einrichtung (27, 30) zum Auffangen von Sekundär elektronen von der Probe (33),
einer Einrichtung zur Gewinnung einer den Magnetisie rungszustand eines Bereichs magnetischen Materials in der Nähe der Probenoberfläche anzeigenden Signals aus den aufgefangenen Sekundärelektronen,
einer Einrichtung zur Umwandlung des den Magnetisierungs zustand anzeigenden Signals in ein Videosignal und
einer Einrichtung zur Sichtbarmachung des Videosignals auf einer Anzeige (25), dadurch gekennzeichnet,
daß die Einrichtung zur Gewinnung des den Magnetisie rungszustand anzeigenden Signals eine Einrichtung (D 1 . . . D 4) zum Abtasten des Spinpolarisationsvektors der aufgefangenen Sekundärelektronen ist und
daß die Einrichtung zur Umwandlung des den Magnetisie rungszustand anzeigenden Signals in das Videosignal eine Ein richtung (21 . . . 24) zur Umwandlung einer in einer willkürlichen Richtung in der Probenoberfläche liegenden Komponente und/oder einer senkrecht zur Probenoberfläche liegenden Komponente des abgetasteten Spinpolarisationsvektors in das Videosignal ist.
einer Einrichtung (35) zur Emission eines feinen Elektro nenstrahls auf die Oberfläche einer Probe (33),
einer Einrichtung zum Abtasten der Probenoberfläche mit dem Elektronenstrahl,
einer Einrichtung (27, 30) zum Auffangen von Sekundär elektronen von der Probe (33),
einer Einrichtung zur Gewinnung einer den Magnetisie rungszustand eines Bereichs magnetischen Materials in der Nähe der Probenoberfläche anzeigenden Signals aus den aufgefangenen Sekundärelektronen,
einer Einrichtung zur Umwandlung des den Magnetisierungs zustand anzeigenden Signals in ein Videosignal und
einer Einrichtung zur Sichtbarmachung des Videosignals auf einer Anzeige (25), dadurch gekennzeichnet,
daß die Einrichtung zur Gewinnung des den Magnetisie rungszustand anzeigenden Signals eine Einrichtung (D 1 . . . D 4) zum Abtasten des Spinpolarisationsvektors der aufgefangenen Sekundärelektronen ist und
daß die Einrichtung zur Umwandlung des den Magnetisie rungszustand anzeigenden Signals in das Videosignal eine Ein richtung (21 . . . 24) zur Umwandlung einer in einer willkürlichen Richtung in der Probenoberfläche liegenden Komponente und/oder einer senkrecht zur Probenoberfläche liegenden Komponente des abgetasteten Spinpolarisationsvektors in das Videosignal ist.
2. Abtastelektronenmikroskop nach Anspruch 1,
gekennzeichnet durch eine Einrichtung (31, 34)
zur Sichtbarmachung des Sekundärelektronenstromes von der Probe
(33) oder des Absorptionsstromes in der Probe als Videosignal
auf der Anzeige (25).
3. Abtastelektronenmikroskop nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung
zur Emission des Elektronenstrahls aus einer Feldemissionskanone
(35) besteht.
4. Abtastelektronenmikroskop nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zur
Abtastung des Spinpolarisationsvektors eine Spindreheinrichtung
(29), mit der der Spinpolarisationsvektor um 90° um eine zur
Probenoberfläche parallele Achse drehbar ist, und eine Vielzahl
von Elektronendetektoren (D 1 . . . D 4) umfaßt, die in symmetrischen
Positionen um eine Streufolie (26) um die Einfallsachse eines Strahles von aufgefangenen
Sekundärelektronen angeordnet sind.
5. Abtastelektronenmikroskop nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet, daß zur
Umwandlung des Ausgangssignals der Elektronendetektoren
(D 1 . . . D 4) in ein Videosignal eine Schaltung (23) vorgesehen ist, die
einen Analogaddierer, einen Analogsubtrahierer, einen Analogtei
ler und ein analoges Rechenelement für trigonometrische Funktio
nen aufweist.
6. Abtastelektronenmikroskop nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß eine Einrichtung
(32) zur Reinigung der Probenoberfläche vorgesehen ist.
7. Abtastelektronenmikroskop nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zur
Reinigung der Probenoberfläche eine Ionenkanone (32) aufweist.
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Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2680018B2 (ja) * | 1988-02-26 | 1997-11-19 | 株式会社日立製作所 | スピン偏極度検出器 |
JP2852054B2 (ja) * | 1988-09-14 | 1999-01-27 | 株式会社日立製作所 | スピン偏極走査電子顕微鏡 |
US4941753A (en) * | 1989-04-07 | 1990-07-17 | International Business Machines Corp. | Absorption microscopy and/or spectroscopy with scanning tunneling microscopy control |
JPH04206427A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Hitachi Ltd | スピン検出器 |
JP3148353B2 (ja) * | 1991-05-30 | 2001-03-19 | ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション | 電子ビーム検査方法とそのシステム |
JP3730263B2 (ja) * | 1992-05-27 | 2005-12-21 | ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション | 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法 |
US5444243A (en) * | 1993-09-01 | 1995-08-22 | Hitachi, Ltd. | Wien filter apparatus with hyperbolic surfaces |
JP3383842B2 (ja) | 2000-04-28 | 2003-03-10 | 北海道大学長 | 散乱ターゲット保持機構及び電子スピン分析器 |
JP3757263B2 (ja) | 2000-05-02 | 2006-03-22 | 国立大学法人 北海道大学 | 電子スピン分析器 |
DE10339404B4 (de) * | 2003-04-02 | 2009-03-05 | Gst Mbh | Anordnung zur Analyse der Elektronenspin-Polarisation in parallel abbildenden Elektronenmikroskopen |
JP5223208B2 (ja) * | 2007-03-01 | 2013-06-26 | 株式会社日立製作所 | 透過型電子顕微鏡 |
US7985952B2 (en) | 2007-03-05 | 2011-07-26 | Hitachi, Ltd. | Charged particle spin polarimeter, microscope, and photoelectron spectroscope |
JP2010054272A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | スピン偏極走査電子顕微鏡 |
JP5222712B2 (ja) | 2008-12-22 | 2013-06-26 | 株式会社日立製作所 | 電子スピン検出器並びにそれを用いたスピン偏極走査電子顕微鏡及びスピン分解光電子分光装置 |
JP2011095150A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Fujitsu Ltd | スピン検出器、表面分析装置及びターゲット |
JP6177919B2 (ja) * | 2013-08-30 | 2017-08-09 | 株式会社日立製作所 | スピン検出器、及び荷電粒子線装置および光電子分光装置 |
US11139143B2 (en) * | 2018-05-22 | 2021-10-05 | Hitachi High-Tech Corporation | Spin polarimeter |
JP7105321B2 (ja) * | 2018-12-25 | 2022-07-22 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3329813A (en) * | 1964-08-25 | 1967-07-04 | Jeol Ltd | Backscatter electron analysis apparatus to determine elemental content or surface topography of a specimen |
DE2646394C2 (de) * | 1976-10-14 | 1986-12-11 | Kernforschungsanlage Jülich GmbH, 5170 Jülich | Vorrichtung zur Bestimmung des Spinpolarisationsgrades eines Elektronenstrahls |
US4455486A (en) * | 1981-08-12 | 1984-06-19 | Carl Rau | Method and apparatus for detecting magnetism by means of electron spin polarization measurements through dielectronic transition |
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1984
- 1984-02-24 JP JP59032316A patent/JPS60177539A/ja active Granted
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1985
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FR2560433B1 (fr) | 1988-12-02 |
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DE3504720C2 (de) | ||
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