JP2011095150A - スピン検出器、表面分析装置及びターゲット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】スピン検出器5は、電子線が照射される面に、面の法線方向に対して傾斜した傾斜面を有する突起部52が形成されたターゲット51と、突起部52の傾斜面で電子線が電子線のスピン偏極度に応じて散乱する方向側に配置された電子検出器DRy,DLyと、を有する。また、表面分析装置1は、試料S表面に1次電子線を照射する電子線鏡筒3と、上記スピン検出器5と、を有する。
【選択図】図1
Description
分析装置の一つとして、例えば、スピン偏極SEM(Scanning Electron Microsope:走査型電子顕微鏡)は、電子線のスピンの方向及び強度(スピン偏極度)を計測するスピン検出器の機能と、電子線を利用して試料表面の顕微鏡画像を生成するSEMの機能とが組み合わされている。
F=S2・C ・・・(1)
なお、C=(NR+NL)/Nin
=後方散乱係数η0×電子検出器の電子の検出口の立体角Ω ・・・(2)
で表される。
なお、図1(A)は表面分析装置1の側面図であって、紙面上下方向をz方向、紙面左右方向をy方向、紙面垂直方向をx方向とする。図1(B)は表面分析装置1の上面図であって、紙面上下方向をx方向、紙面左右方向をy方向、紙面垂直方向をz方向とする。また、図1(A)では、四つの電子検出器D(DRx,DLx,DRy,DLy)のうちy方向の電子検出器DLy,DRyのみを記載しており、電子検出器DLx,DRxの記載は省略している。図1(B)では、電子光学系4の配置位置を破線で、ターゲット51で散乱された2次電子の電子検出器Dへのそれぞれの進行を矢印で、表している。
まず、試料台2に載置された試料Sの表面に対して、電子線鏡筒3から1次電子線L1を照射する。すると、試料Sから、試料Sの照射箇所の磁化に応じたスピン偏極度を有する2次電子が放出され、電子光学系4に入射する。
Ax=(NRx−NLx)/(NRx+NLx)=S・Py ・・・(3)
Ay=(NRy−NLy)/(NRy+NLy)=S・Px ・・・(4)
なお、P(Px,Py)は試料Sから放出された2次電子のスピン偏極度のx,y成分であり、Sはスピン検出器5の配置、構造、寸法、動作条件等の装置構成に依存するシャーマン関数Sである。NRx,NLx,NRy,NLyは、各電子検出器D(DRx,DLx,DRy,DLy)で検出された電子数に対応する検出信号量である。
次に、実施の形態におけるターゲット51の詳細について説明する。
まず、2次電子L2をターゲットの表面に対して垂直に照射する場合について説明する。
なお、図2中破線で示されるように、電子検出器DRyを、2次電子L2のターゲットTへの入射方向に対して、およそθの位置に配置している。また、電子検出器DLyは、2次電子L2の入射方向に対して、−θの位置、即ち、電子検出器DRyと対称の位置に配置しているが、その図示については省略している。また、ターゲットTの表面には金の薄膜(図示を省略)が形成されている。
η0=(1+cosγ)^(−9/Z^0.5) ・・・(6)
なお、γはターゲットTの表面Taの法線に対する入射角であって、ZはターゲットTの構成元素の原子番号である。また、図2の場合では入射角γは0°、原子番号Zは79(金原子)である。
図3は傾斜したターゲットに照射した電子の散乱を示す模式図である。
なお、鏡面反射方向Lm2は、2次電子L2の照射方向に対して2γの角度をなす。η2(β’,γ)の散乱角は、鏡面反射方向Lm2に対する散乱角β’である。nは傾斜角γの増加と共に1〜3程度まで増加する。
図4は検出信号量のターゲットの傾斜角依存性を示すグラフである。
傾斜角γが0°の場合、即ち、図2に相当する場合には、電子検出器DRy,DLyから略等量(1.5程度)の検出信号量が検出される。
電子検出器DLyは、ターゲットTの傾斜角γが増加するにつれて減少する。傾斜角γがおよそ20〜25°を超えると、それ以後、電子検出器DLyからはほとんど検出信号量が検出されなくなる。即ち、2次電子L3は、ターゲットTで電子検出器DLy側に散乱されなくなったことが考えられる。
まず、傾斜角γが0°と35〜40°との場合の、電子検出器DRy,DLyで検出される電子数に対応する検出信号量について説明する。
NLy’=bNLy;b=0 ・・・(9)
傾斜角γ=0°の場合には、2次電子L2にスピン偏極度が無ければ、NRy=NLy=N0となるために、
NRy’+NLy’=(a+b)N0=aN0 ・・・(10)
となる。
(NRy’+NLy’)/(NRy+NLy)=aN0/2N0
=a/2=1.8 ・・・(11)
式(11)により、傾斜角γが0°から35〜40°に増加した結果、検出信号量が約2倍になったことが分かる。即ち、検出信号量が増加することにより、検出効率Cも向上し、さらには性能指標Fも向上する。
この時の、スピン偏極度が無い2次電子に対する検出信号量の非対称度Aa(装置固有の非対称度と呼ぶ)は、
Aa=(NRy’−NLy’)/(NRy’+NLy’)
=aN0/aN0=1 ・・・(12)
この結果から、ターゲットTの表面Taを単に一方向に傾斜させる場合には、スピン偏極による非対称度が重畳されても検出できないことが考えられる。
図5は一対の傾斜面に照射した電子の散乱を示す模式図である。
この場合の電子検出器DRy,DLyにおける検出信号量NRy’,NLy’は次式で表すことができる。
NLy’=aN0/2 ・・・(14)
この時の検出信号量の増加割合は、
(NRy’+NLy’)/(NRy+NLy)=aN0/2N0
=a/2=1.8 ・・・(15)
式(15)の結果から、図3の場合と同様に検出信号量を増加させる効果が得られることが分かる。
Aa=(NRy’−NLy’)/(NRy’+NLy’)=0 ・・・(16)
であって、オフセットを解消することができることが示された。
図6は実施の形態のターゲットに形成された突起部の傾斜面に照射した電子の散乱を示す模式図である。
一方、2次電子L2が突起部52の傾斜面52aの領域Aに照射された場合には、散乱した2次電子L3の進行が、隣接する別の突起部52に妨げられてしまい、電子検出器DRyは2次電子L3を検出できない場合が生じる。また、図示していないが傾斜面52b側でも同様の現象が生じる。
NRy’=aN0/2・k ・・・(17)
NLy’=aN0/2・k ・・・(18)
k=2/(1+(3^0.5・tanγ)) ・・・(19)
なお、kは、領域Aにおける検出不可能領域の検出不可率を表す。
(NRy’+NLy’)/(NRy+NLy)=aN0/2N0
=a・k/2=1.6 ・・・(20)
また、式(2)から、傾斜角γが0°,35°の場合のそれぞれの検出効率C,C’は、
C =(NRy +NLy )/Nin ・・・(21a)
C’=(NRy’+NLy’)/Nin ・・・(21b)
である。
C’/C=(NRy’+NLy’)/(NRy +NLy )
=1.6 ・・・(22)
以上の結果から、等面積であって、傾斜角γ、半頂角α(=90°−傾斜角γ)である一対の傾斜面を有する微小な突起部を複数形成したターゲットの検出効率Cは、突起部が無い場合と比較して向上する。したがって、式(1)から、スピン検出器の性能指標Fが向上する。なお、傾斜角γは、図4から、好ましくは30〜45°であって、より好ましくは、35〜40°である。
このように傾斜角γを有する微小な突起部が形成された具体的なターゲットについて以下に説明する。
実施例1では、ターゲットに円錐状の突起部が複数形成された場合について説明する。
まず、表面分析装置の全体構成について説明する。
表面分析装置10は、真空チャンバ11を具備しており、前述した、試料台2、電子光学系4、後述するターゲット60及び複数の電子検出器Dを有するスピン検出器5が真空チャンバ11内に設置されている。試料Sに1次電子線を照射し、試料Sの表面のスピン偏極度をもつ2次電子を放出させるための電子線鏡筒3も真空チャンバ11内に導入される。なお、スピン検出器5のターゲット及び電子検出器Dの記載については省略している。
電子線走査系制御部19は、電子線鏡筒3を制御して、試料Sの表面における1次電子線の照射位置を決定する。
なお、上記の構成の他にも、表面分析装置10には、真空度を計測するための計測ヘッド等が設けられる場合もあるが、図示を省略している。
図8は実施の形態の分析方法を示すフローチャートである。
[ステップS1] まず、初期設定を行う。ここでは、制御計算機21の制御に基づき、検出器制御部16は、スピン検出器5に印加する電圧の設定を行う。また、電子線走査系制御部19及び電子光学系制御部20は、照射する1次電子線の走査範囲、加速電圧または電子線電流等を設定する。また、図示しない真空ポンプにより、真空チャンバ11内を排気する。
[ステップS7] 電子線走査系制御部19は、1次電子線の照射位置のY方向のスキャンが終了しているか否かを判定する。次の処理は、判定が終了していない場合には、ステップS8に進められ、終了している場合には、ステップS9に進められる。
[ステップS9] 制御計算機21は、ステップS4において格納された2次電子の検出結果から、1次電子線の照射位置毎に、前述した4つの測定位置における電子検出器Dの検出結果の加算値を求める。そして、その照射位置から放出された2次電子のスピン成分を算出し、スピン成分から一意に決まる試料表面の磁化ベクトルを分析する。制御計算機21は、例えば、各照射位置での磁化ベクトルを表示装置22に表示させるようにしてもよい。
図9は実施例1のターゲットの斜視模式図である。
各電子検出器Dで検出信号量NRx,NLx,NRy,NLyが検出されると、式(3),(4)並びにシャーマン関数Sを適用して、非対称度A(Ax,Ay)及びスピン偏極度P(Px,Py)が算出される。
図10及び図11は図9のターゲットの製造工程を示す模式図である。
なお、図10(A)は側面図、図10(B)は平面図であって、図11(A),(B)はいずれも側面図をそれぞれ表している。
次いで、当該マスク63を利用して基板部61をエッチングすることにより、円錐状の突起部62を形成する(図11(A))。
以上の工程を経て、基板部61と、基板部61に形成された突起部62とを有するターゲット60を形成することができる。
このように実施例1の円錐状の突起部62における後方散乱は全方向に均等に進むため、検出効率を向上するためには電子検出器Dをターゲット60の四方に4つだけでなく、より多く設置することが望ましい。一方で、電子検出器Dを多く設置するとコストが嵩み、配置に手間がかかる等の可能性がある。
[実施例2]
実施例2では、三角柱状の突起部が複数形成されたターゲットについて説明する。
なお、図12(A)はターゲット70の斜視図であって、図12(B)はターゲット70の側面図である。
突起部72は、2つ側面(傾斜面)が基板部71の主面に対して傾斜角γであって、半頂角αが90°−傾斜角γの二等辺三角柱であって、長辺が図12中x方向に平行になるように、略等間隔に複数配列されている。当該ターゲット70が、突起部72を試料Sから放出される2次電子に対向するようにスピン検出器5にセットされる。
なお、突起部72における頂点間の間隔及び基板部71の主面から頂点までの高さは、傾斜面積が最大となるような関係が保たれれば任意である。望ましくは、突起部72の当該間隔は、ターゲット70に照射する2次電子の径よりも十分小さくしておく。例えば、微細加工の容易性も考慮して、ターゲット70に照射する2次電子の径1mmに対して、突起部72の(頂点間の)間隔は1〜2μm程度が好ましい。
また、ターゲット70は、例えば、図10においてマスク63の代わりに長方形のマスクを複数形成して、当該マスクで図11と同様にエッチングを行うことにより製造することが可能である。
実施例3では、後方散乱電子のx,y成分のスピン偏極度を同時に検出できるターゲットについて説明する。
ターゲット80は、基板部81と、基板部81の主面に互いに直交する2方向にそれぞれ複数形成された突起部82,83とにより構成されている。
突起部82は、2つ側面(傾斜面)が基板部81の分割された所定領域の主面に対して傾斜角γであり、半頂角αが90°−傾斜角γの二等辺三角柱である。当該突起部82は、長辺が図13中x方向に平行に、略等間隔に複数配列されている。
これらの突起部82,83は同数の領域(図13では2領域ずつ)に形成されており、各領域に等しい数(図13では5つずつ)の突起部82,83がそれぞれ形成されている。
このようなターゲット80に照射された2次電子は、突起部82,83のそれぞれの2つ傾斜面で2方向にそれぞれ散乱され、電子検出器DRx,DLx,DRy,DLyで検出信号量NRx,NLx,NRy,NLyが確実に検出される。このため、より効率的な電子検出と、スピン偏極度の2成分の検出が同時に可能となる。
なお、突起部82,83における頂点間の間隔及び基板部81の主面から頂点まで高さは、傾斜面積が最大となるような関係が保たれれば任意である。望ましくは、突起部82,83の当該間隔は、ターゲット80に照射する2次電子の径よりも十分小さくしておく。例えば、微細加工の容易性も考慮して、ターゲット80に照射する2次電子の径1mmに対して、突起部82,83の(頂点間の)間隔は1〜2μm程度が好ましい。
また、ターゲット80は、例えば、図10においてマスク63の代わりに長方形のマスクをx,y方向に複数形成して、当該マスクで図11と同様にエッチングを行うことにより製造することが可能である。
(付記1) 電子線が照射される面に、前記面の法線方向に対して傾斜した傾斜面を有する突起部が形成されたターゲットと、
前記突起部の前記傾斜面で前記電子線が前記電子線のスピン偏極度に応じて散乱する方向側に配置された電子検出部と、
を有することを特徴とするスピン検出器。
(付記3) 前記電子検出部は、前記電子線の前記ターゲットへの照射方向に対して、60°の位置に配置されていることを特徴とする付記1記載のスピン検出器。
(付記5) 前記突起部は等間隔に複数配列された、前記半頂角を有する多角錐状であることを特徴とする付記2記載のスピン検出器。
(付記7) 前記突起部は、前記半頂角を有する二等辺三角柱であって、
所定領域に長辺が一方向に沿って等間隔で複数配置され、
別の所定領域に前記一方向の直交方向に沿って等間隔で複数配置されていることを特徴とする付記2記載のスピン検出器。
(付記9) 試料表面に1次電子線を照射する電子線照射部と、
前記1次電子線が照射された前記試料表面から放出した2次電子線が照射される面に、前記面の法線方向に対して傾斜した傾斜面を有する突起部が形成されたターゲットと、前記突起部の前記傾斜面で前記2次電子が前記2次電子のスピン偏極度に応じて散乱する方向側に配置された電子検出部と、を有するスピン検出器と、
を有することを特徴とする表面分析装置。
前記突起部の前記傾斜面で前記電子線を前記電子線のスピン偏極度に応じて散乱させる、
ことを特徴とするターゲット。
2 試料台
3 電子線鏡筒
4 電子光学系
5 スピン検出器
11 真空チャンバ
16 検出器制御部
17 検出信号処理部
18 試料台制御部
19 電子線走査系制御部
20 電子光学系制御部
21 制御計算機
22 表示装置
51,60,70,80,T,T1 ターゲット
Ta 表面
52,62,72,82,83 突起部
52a,52b,T1a,T1b 傾斜面
61,71,81 基板部
63 マスク
64 薄膜
D,DRx,DLx,DRy,DLy 電子検出器
NRx,NLx,NRy,NLy 検出信号量
S 試料
L1 1次電子
L2,L3 2次電子
Lm2 鏡面反射方向
NL 法線
Claims (7)
- 電子線が照射される面に、前記面の法線方向に対して傾斜した傾斜面を有する突起部が形成されたターゲットと、
前記突起部の前記傾斜面で前記電子線が前記電子線のスピン偏極度に応じて散乱する方向側に配置された電子検出部と、
を有することを特徴とするスピン検出器。 - 前記法線方向に対する前記傾斜面の半頂角は、45〜60°であることを特徴とする請求項1記載のスピン検出器。
- 前記突起部は等間隔に複数配列された、前記半頂角を有する円錐状であることを特徴とする請求項2記載のスピン検出器。
- 前記突起部は、前記半頂角を有する二等辺三角柱であって、長辺が一方向に沿って等間隔で複数配置されていることを特徴とする請求項2記載のスピン検出器。
- 前記突起部は、前記半頂角を有する二等辺三角柱であって、
所定領域に長辺が一方向に沿って等間隔で複数配置され、
別の所定領域に前記一方向の直交方向に沿って等間隔で複数配置されていることを特徴とする請求項2記載のスピン検出器。 - 試料表面に1次電子線を照射する電子線照射部と、
前記1次電子線が照射された前記試料表面から放出した2次電子線が照射される面に、前記面の法線方向に対して傾斜した傾斜面を有する突起部が形成されたターゲットと、前記突起部の前記傾斜面で前記2次電子が前記2次電子のスピン偏極度に応じて散乱する方向側に配置された電子検出部と、を有するスピン検出器と、
を有することを特徴とする表面分析装置。 - 電子線が照射される面に、前記面の法線方向に対して傾斜した傾斜面を有する突起部が形成され、
前記突起部の前記傾斜面で前記電子線を前記電子線のスピン偏極度に応じて散乱させる、
ことを特徴とするターゲット。
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