DE3503996C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE3503996C2
DE3503996C2 DE3503996A DE3503996A DE3503996C2 DE 3503996 C2 DE3503996 C2 DE 3503996C2 DE 3503996 A DE3503996 A DE 3503996A DE 3503996 A DE3503996 A DE 3503996A DE 3503996 C2 DE3503996 C2 DE 3503996C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
magnetic
layer
bao
substrate
magnetic layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE3503996A
Other languages
English (en)
Other versions
DE3503996A1 (de
Inventor
Hazime Tokio/Tokyo Jp Machida
Hitoshi Nakamura
Fumiya Omi
Atsuyuki Watada
Yuziro Numazu Shizuoka Jp Kaneko
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP1967184A external-priority patent/JPS60164302A/ja
Priority claimed from JP21185484A external-priority patent/JPS6189606A/ja
Priority claimed from JP21185384A external-priority patent/JPS6189605A/ja
Priority claimed from JP21185284A external-priority patent/JPS6189604A/ja
Priority claimed from JP21185584A external-priority patent/JPS6189607A/ja
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Publication of DE3503996A1 publication Critical patent/DE3503996A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3503996C2 publication Critical patent/DE3503996C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/002—Compounds containing, besides selenium or tellurium, more than one other element, with -O- and -OH not being considered as anions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G51/00—Compounds of cobalt
    • C01G51/006—Compounds containing, besides cobalt, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/26—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on ferrites
    • C04B35/2608—Compositions containing one or more ferrites of the group comprising manganese, zinc, nickel, copper or cobalt and one or more ferrites of the group comprising rare earth metals, alkali metals, alkaline earth metals or lead
    • C04B35/2633—Compositions containing one or more ferrites of the group comprising manganese, zinc, nickel, copper or cobalt and one or more ferrites of the group comprising rare earth metals, alkali metals, alkaline earth metals or lead containing barium, strontium or calcium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/26—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on ferrites
    • C04B35/2683—Other ferrites containing alkaline earth metals or lead
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
    • G11B11/10589—Details
    • G11B11/10591—Details for improving write-in properties, e.g. Curie-point temperature
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
    • G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
    • G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
    • H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
    • H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
    • H01F10/20—Ferrites
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/26—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers
    • H01F10/265—Magnetic multilayers non exchange-coupled
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/50—Solid solutions
    • C01P2002/52—Solid solutions containing elements as dopants
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/80—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases
    • C01P2004/82—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases two phases having the same anion, e.g. both oxidic phases
    • C01P2004/84—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases two phases having the same anion, e.g. both oxidic phases one phase coated with the other
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/42—Magnetic properties
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/90—Magnetic feature
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y10T428/24612—Composite web or sheet
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
    • Y10T428/24959—Thickness [relative or absolute] of adhesive layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
    • Y10T428/24967—Absolute thicknesses specified
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils
    • Y10T428/265—1 mil or less
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Compounds Of Iron (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine Magnetschicht, die aus einer magnetischen Metalloxidsubstanz besteht und deren Verwendungen in einem optischen und perpendikulären Magnetaufzeichnungsträger.
Magnetische Metalloxidsubstanzen der allgemeinen Formel MeGaxFe12-xO₁₉, worin Me Ba, Sr oder Pb und x eine ganze Zahl von 3 bis 8 ist, wobei zusätzlich Bi, Gd, Tb, Dy, Y, La, Co, Sm, V und/oder Ge enthalten sein können, werden in der DE-OS 34 09 747 beschrieben.
Aus Chen "Magnetism and Metallurgy of Soft Magnetic Materials" North Holland Publishing Company, Amsterdam, New York, Oxford, 1977, Seite 218-219, sind Bariumferrite der allgemeinen Formel Bal IIMm IIFe2n IIIOl+m+3n bekannt, worin l, m und n ganze Zahlen bedeuten, MII Mg, Mn, Fe, Co, Ni, Cu und Zn bedeutet, wobei Ba durch Pb oder Sr und (oder) Fe durch Al, Ga, Cr oder Mn ersetzt werden kann. Auch deren Verwendung als Permanentmagnet ist bekannt.
Aus der DE-OS 34 13 086 sind ferrimagnetische Oxide der Formel
bekannt, in der Me mindestens ein Element aus der Gruppe Ba, Sr und Pb, MI mindestens ein Element aus der Gruppe Ga und Al, MII mindestens ein Element aus der Gruppe Bi, Gb, Tb, By, Ho, La, y, Co, Zn, Ti, Sc, In, Sn, Ca, Cr, Ni und Ge bedeutet, 1 x 8, 0 y 6, 1 x + y 8 m die Ionenwertigkeit von MI und n die Ionenwertigkeit von MII ist.
Es gibt optische Magnetaufzeichnungsträger, die so gestaltet sind, daß sie die Aufzeichnung von Informationen durchführen, indem sie unter Ausnützung der Wärmewirkungen von Licht Domänen in eine dünne Magnetschicht schreiben und Informationen unter Ausnutzung magnetooptischer Wirkungen (Kerr-Effekt, Faraday-Effekt u. ä.) ablesen. Die Informationsaufzeichnung auf diesen optischen Magnetaufzeichnungsträger erfolgt unter Ausnutzung der schnellen Schwankungseigenschaft einer Koerzitivkraft, die der Temperaturschwankung in der Nähe der Curie- oder Kompensationstemperatur der Magnetsubstanz entspricht. Zum Beispiel werden Informationen als Aufzeichnungsbit so aufgezeichnet, daß man einen mit einem zweiwertigen Signal modulierten Laserstrahl auf eine perpendikulär magnetisierte Magnetschicht richtet, dabei ein Magnetfeld zur Erwärmung des bestrahlten Abschnitts über die Curie-Temperatur aufpreßt und so die Koerzitivkraft auf diesem Abschnitt zur Umkehrung der Magnetisierungsrichtung verringert. Die Regenerierung, d. h. die Ablesung der aufgezeichneten Information, erfolgt durch Aussendung eines polarisierten Laserstrahls auf die Magnetschicht, wobei sich die Richtung der perpendikulären Magnetisierung aus dem Unterschied in den magnetooptischen Wirkungen zwischen dem Bereich mit Aufzeichnung und jenem ohne ersehen läßt, z. B. dem Unterschied im Faraday'schen Rotationswinkel.
Die in einem solchen optischen Magnetaufzeichnungsträger verwendete Magnetsubstanz oder Magnetschicht muß folgende Eigenschaften aufweisen:
  • (1) Perpendikuläre Magnetisierbarkeit
  • (2) Starke magnetooptische Wirkungen
  • (3) Mäßige Koerzitivkraft, die die Aufzeichnung und Regenerierung durch Laserstrahl zuläßt und die Speicherstabilität verbessert. (Diese ist im Bereich von etwa 6,28 bis 75 × 10-10 Tesla · m³ (0,5-6 k emE). Liegt sie über 75 × 10-10 Tesla · m³ (6 k emE) wird das für den Zeitpunkt der Aufzeichnung benötigte aufprägende Magnetfeld zu stark, während sich bei oder unter 3,75 · 10-10 Tesla · m³ (0,3 k emE) die Speicherstabilität verschlechtert), sowie
  • (4) Mäßige Curie-Temperatur, die die Aufzeichnung und Regenerierung durch Laserstrahl zuläßt und die Speicherstabilität verbessert. (Diese ist im Bereich von etwa 100-400°C. Liegt sie über 400°C, wird die Aufzeichnung mittels Laserstrahl schwierig; liegt sie unter 100°C, verschlechtert sich die Speicherstabilität.)
Im allgemeinen handelte es sich bei den in optischen Magnetaufzeichnungsträgern verwendeten Magnetsubstanzen meist um solche, die aus amorphen Legierungen aus Seltenerd- und Übergangsmetallen bestehen. Die Herstellung optischer Magnetaufzeichnungsträger unter Verwendung solcher Magnetsubstanzen aus amorphen Legierungen erfolgte üblicherweise so, daß man die Magnetsubstanz, z. B. eine Tb-Fe-Legierung, durch Aufdampfen im Vakuum, Zerstäuben oder ein ähnliches Verfahren in einer Dicke im Bereich von etwa 0,1-1 µm zur Ausbildung einer Magnetschicht haftend auf ein Substrat, wie z. B. eine Glasplatte, aufbrachte.
Der optische Magnetaufzeichnungsträger aus der genannten Magnetsubstanz aus amorphen Legierungen ist deswegen vorteilhaft, weil die Aufzeichnung mittels eines Halbleiter Laserstrahls mit hoher Geschwindigkeit (bei einer Frequenz von 1 MHz) erfolgen kann, weil er hohe Aufzeichnungsempfindlichkeit besitzt. Allerdings besitzt er den erheblichen Nachteil, daß sich die magnetooptische Eigenschaft der Magnetschicht im Laufe der Zeit verschlechtert, weil die amorphen Legierungen der Magnetsubstanz, besonders die Seltenerdkomponente, Korrosion durch Oxidation ausgesetzt sind. Um dies zu verhindern, kennt man ein Verfahren, durch Aufdampfen im Vakuum, Zerstäuben o. ä. eine Schutzschicht aus SiO, SiO₂ o. ä. auf eine amorphe Magnetschicht aufzubringen. Dies hat jedoch den Nachteil, daß bei der Herstellung der Magnetschicht oder der Schutzschicht die Magnetschicht durch im Vakuum verbleibendes O₂, auf der Oberfläche des Substrats adsorbiertes O₂, H₂O o. ä. oder im Laufe der Zeit durch im Target aus der Magnetsubstanz aus Legierungen enthaltenes O₂, H₂O o. ä. oxidiert und korrodiert, wobei die Korrosion durch Oxidation durch Licht und Wärme zum Zeitpunkt der Aufzeichnung noch verstärkt wird. Außerdem hat die amorphe Magnetsubstanz den Nachteil, daß sie zur Kristallisation durch Hitze neigt, was zur Verschlechterung ihrer magnetischen Eigenschaften führen kann. Weil diese Magnetschicht einen niedrigen Transmissionskoeffizienten im Bereich der vom Laser ausgesandten Wellenlänge hat, ist außerdem das Problem entstanden, daß die aufgezeichnete Information zwar mittels der durch die Reflexion von der Oberfläche der Magnetschicht verursachten magnetooptischen Effekte, nämlich des Kerr'schen Effekts, abgelesen wird, die erhaltene Regenerierungsempfindlichkeit aber gering ist, weil der Kerr'sche Rotationswinkel im allgemeinen klein ist.
Eine Aufgabe dieser Erfindung besteht darin, eine magnetische Metalloxidsubstanz und eine Magnetschicht zu schaffen, bei denen keine Korrosion durch Oxidation zu befürchten ist, die einen hohen Transmissionskoeffizienten haben, überlegen in perpendikulärer Magnetisierbarkeit sind, hohe magnetooptische Wirkung sowie mäßige Curie-Temperatur und Koerzitivkraft besitzen und entsprechend geeignete Verwendung, besonders als optische Magnetaufzeichnungsträger, finden.
Eine weitere Aufgabe dieser Erfindung ist es, die Verwendung der magnetischen Schicht in einem optischen Magnetaufzeichnungsträger oder einem perpendikulären Magnetaufzeichnungsträger anzugeben, entsprechend ausgezeichnete Haltbarkeit, hohe Aufzeichnungs- und Regenerierungsempfindlichkeit sowie vorzügliche Speicherstabilität aufweisen.
Die magnetische Metalloxidsubstanz gemäß dieser Erfindung wird durch die allgemeine Formel (I) wiedergegeben:
(worin Me, Ma, Mb, x, y, z, m und n wie unten definiert sind:
Me: mindestens ein zweiwertiges Metall aus der Gruppe Ba, Sr und Pb,
Ma: mindestens ein dreiwertiges Metall aus der Gruppe Ga, Al, Cr und Rh,
Mb: mindestens ein zwei- bis vierwertiges Metall aus der Gruppe Zn (zweiwertig); Sb (dreiwertig); und Mo, Ta, Mn, Ir, Hf, Pd, Nb, Re, Pt, Os, Zr, Tc, Rh, Ru, W, Te, Pr und Ce (vierwertig), (wobei das durch Mb dargestellte Metall nicht das gleiche ist, wie das durch Me oder Ma wiedergegebene)
x: 0 < x 0,5
y: 0 < y 0,5
z: 0 < z 0,5 (worin 0 < x+y+z 1 ist)
m: eine ionische Wertigkeit von Mb
n: 5 n 6.
Die Magnetschicht besteht aus den durch die allgemeine Formel (I) wiedergegebenen magnetischen Metalloxidsubstanzen und sowohl der optische als auch der perpendikuläre Magnetaufzeichnungsträger haben jeweils auf einem Substrat eine Magnetschicht, die aus der durch die allgemeine Formel wiedergegebenen magnetischen Metalloxidsubstanz besteht. Wenn man die durch die allgemeine Formel (I) dargestellte magnetische Metalloxidsubstanz für den perpendikulären Magnetaufzeichnungsträger verwendet, sind niedrige Werte für x, y und z vorzuziehen (z. B. x: 0 < x ≦ 0,2, 0 < y ≦ 0,2 und 0 < x+y+z ≦ 0,5).
Bisher hat man verschiedene magnetische Metalloxidsubstanzen als Magnetbläschenmaterialien studiert. Als hexagonale magnetische Metalloxidsubstanz kennt man das z. B. durch die allgemeine Formel (A) dargestellte Magnetoplumbit:
MeO · n(Fe₂O₃) (A)
(worin Me und n die gleichen wie in der allgemeinen Formel (I) definiert sind).
Besondere Beachtung schenkte man der Tatsache, daß, da eine solche Magnetsubstanz selbst ein Oxid ist, keine Gefahr einer Beeinträchtigung durch Oxidation besteht und daß auch bei Erhöhung der Schichtdicke die Substanz Permeabilität im Bereich der Laser-Wellenlänge behält, man sich also den Faraday'schen Effekt entsprechend zunutze machen kann. Der Faraday'sche Effekt ist ein Rotationswinkel einer Krümmungsoberfläche gegen das permeable Licht und ist deswegen stärker als der Kerr′sche Effekt. Durch Erhöhung der Schichtdicke kann man eine höhere Empfindlichkeit erreichen und so das Signal/Rauschverhältnis (S/N) vergrößern. Das durch die allgemeine Formel (A) dargestellte Magnetoplumbit ist allerdings insofern nachteilig, als daß es sich schwer perpendikulär magnetisieren läßt und die Curie-Temperatur Tc außerdem noch hoch ist (450°C oder darüber). Dadurch wird die Aufzeichnung mit einem Halbleiter-Laserstrahl noch schwieriger als oben beschrieben; Magnetoplumbit selbst kann also nicht als Material für einen optischen Magnetaufzeichnungsträger verwendet werden. Angesichts dieser Tatsache führte man verschiedene Untersuchungen durch und stellte fest, daß bei Ersatz eines Teils der Fe-Atome in der allgemeinen Formel (A) durch Co die perpendikuläre Magnetisierung verbessert wird und sich außerdem die magnetooptischen Leistungen, besonders der Faraday'sche Rotationswinkel (R/µm), steigern lassen. Außerdem sinkt Tc, wenn ein Teil der Fe-Atome durch die durch Mb wiedergegebenen Metallatome ersetzt wird. Allerdings neigen Mb-Metalle im allgemeinen dazu, die Koerzitivkraft zu verschlechtern. Wie oben beschrieben, wird der Speicher instabil wenn Hc zu niedrig ist, was für Hochdichteaufzeichnungen ungeeignet ist. Angesichts dessen versuchte man, einen Teil der Fe-Atome in der allgemeinen Formel (A), die durch die Mb-Atome und gleichzeitig durch die Co-Atome ersetzt wurden, noch weiter durch die von Ma wiedergegebenen Metalle zu ersetzen und stellte fest, daß sich Hc steigern läßt, während sich Tc verschlechtert.
Daraus wird ersichtlich, daß diese Erfindung das Metalloxid der allgemeinen Formel (A) besonders verwendbar macht als Material für einen optischen Magnetaufzeichnungsträger, auf den man aufzeichnen und den man durch den Halbleiter-Laserstrahl regenerieren kann, wenn man einen Teil der Fe-Atome im Metalloxid der allgemeinen Formel (A), welches wegen seiner hohen Curie-Temperatur nicht als Material zur Verwendung in einem optischen Magnetaufzeichnungsträger in Frage kam, durch Co, Ma-Metall und Mb-Metallatome ersetzt, so daß die perpendikuläre Magnetisierbarkeit und magnetooptische Wirkung verbessert und gleichzeitig die Curie-Temperatur gesenkt wird, während man die Koerzitivkraft auf dem für den Speicher erforderlichen angemessen hohen Niveau hält.
In der durch die allgemeine Formel (I) dieser Erfindung dargestellten magnetischen Metalloxidsubstanz haben die vierwertigen unter den Mb-Metallen die Funktion, den durch die Substitution eines Teils der dreiwertigen Fe-Atome durch zweiwertiges Co und weiterhin durch das zweiwertige Metall (Zn) der Mb-Metalle verursachten Mangel an Ionenwertigkeit auszugleichen. Außerdem gehören zu den Mb-Metallen, besonders den vierwertigen Metallen, auch jene, deren Wirkung auf die Absenkung der Curie-Temperatur unzureichend ist (z. B. Ir, Ta, Hf, Pt, Os, Zr, Tc, W, Te, Pr, Ce u. ä.). Wenn man diese Metalle verwendet, sollte man vorzugsweise solche heranziehen, die beim Absenken der Curie-Temperatur bessere Wirkung zeigen (z. B. zweiwertiges Zn, dreiwertiges In, Sc u. ä., vierwertiges Ti, Sn, Mn, V, Pd, Nb, Re, Rh, Ge, Ru u. ä.).
Die magnetische Metalloxidsubstanz gemäß dieser Erfindung läßt sich herstellen, indem man a) mindestens einen der Bestandteile BaCO₃, SrCO₃ und PbCO₃ (oder PbO), b) mindestens ein Oxid der Mb-Metalle, c) CoO, d) Fe₂O₃ und e) mindestens ein Oxid der Ma-Metalle vermischt und pulverisiert, sie in eine entsprechend geformte Metallgußform einbringt und dann bei einer Temperatur von 1200 bis 1400°C sintert.
Im folgenden sind Beispiele der so erhaltenen magnetischen Metalloxidsubstanz aufgeführt:
Magnetsubstanz Nr.
Zusammensetzung
1-1
BaO · 6.0[Ga0.2In0.1Co0.2Fe1.57O₃]
1-2 BaO · 6.0[Ga0.5Sc0.2Co0.3Fe1.1O₃]
1-3 BaO · 6.0[Ga0.6Zn0.22Co0.2Fe1.12O₃]
1-4 BaO · 6.0[Ga0.5Ti1.06Co0.12Fe1.34O₃]
1-5 SrO · 6.0[Al0.6Cr0.2Co0.2Fe1.0O₃]
1-6 SrO · 6.0[Al0.5Ti0.11Co0.21Fe1.31O₃]
1-7 BaO · 6.0[Ga0.4In0.2Bi0.1Co0.2Fe1.17O₃]
1-8 BaO · 6.0[Ga0.5Zn0.3V0.12Co0.2Fe1.13O₃]
1-9 SrO · 6.0[Al0.5Ti0.21Sn0.12Co0.2Fe0.93O₃]
1-10 SrO · 6.0[Al0.4Sc0.3Mn0.1Co0.21Fe1.06O₃]
1-11 PbO · 6.0[Ga0.5Ti0.3Y0.1Co0.21Fe0.86O₃]
1-12 BaO · 6.0[Al0.5Zn0.31Bi0.1Co0.2Fe1.06O₃]
1-13 BaO · 6.0[Al0.6Ti0.3Bi0.1Co0.21Fe0.76O₃]
1-14 BaO · 6.0[Al0.2Ti0.06Co0.12Fe1.64O₃]
1-15 BaO · 6.0[Ga0.5Zn0.21Bi0.1Co0.11Fe1.19O₃]
2-1 BaO · 6.0[Ga0.1Ti0.1Co0.1Fe1.7O₃]
2-2 BaO · 6.0[Ga0.05Mn0.05Co0.05Fe1.85O₃]
2-3 BaO · 5.6[Ga0.15Sn0.15Co0.15Fe1.55O₃]
2-4 BaO · 5.9[Ga0.2V0.2Co0.2Fe1.4O₃]
2-5 BaO · 5.8[Ga0.3Ir0.1Co0.1Fe1.5O₃]
2-6 SrO · 6.0[Ga0.1Ta0.3Co0.3Fe1.3O₃]
2-7 SrO · 5.5[Ga0.1Hf0.1Co0.1Fe1.7O₃]
2-8 PbO · 6.0[G0.02Nb0.07Co0.07Fe1.64O₃]
2-9 PbO · 5.5[Ga0.2Pd0.1Co0.1Fe1.6O₃]
2-10 BaO · 6.0[Ga0.2Re0.1Co0.1Fe1.6O₃]
2-11 BaO · 5.8[Ga0.2Pt0.1Co0.1Fe1.6O₃]
2-12 BaO · 5.6[Ga0.2Os0.1Co0.1Fe1.6O₃]
2-13 BaO · 5.9[Ga0.2Zr0.1Co0.1Fe1.6O₃]
2-14 BaO · 5.9[Rh0.2Tc0.1Co0.1Fe1.6O₃]
2-15 BaO · 6.0[Rh0.2W0.1Co0.1Fe1.6O₃]
2-16 BaO · 6.0[Rh0.2Ge0.1Co0.1Fe1.7O₃]
2-17 SrO · 6.0[Rh0.2Ru0.1Co0.1Fe1.6O₃]
2-18 PbO · 5.5[Rh0.2Te0.1Co0.1Fe1.6O₃]
2-19 PbO · 5.9[Rh0.2Pr0.1Co0.1Fe1.6O₃]
2-20 PbO · 6.0[Rh0.2Ce0.1Co0.1Fe1.6O₃]
2-21 BaO · 6.0[Rh0.1Ti0.1Co0.1Fe1.7O₃]
2-22 BaO · 6.0[Al0.1Ti0.1Co0.1Fe1.7O₃]
2-23 BaO · 5.5[Al0.1Rh0.1Co0.1Fe1.7O₃]
2-24 BaO · 5.9[Al0.1Sn0.1Co0.1Fe1.7O₃]
2-25 SrO · 6.0[Al0.1Ta0.1Co0.1Fe1.7O₃]
2-26 PbO · 6.0[Al0.1V0.1Co0.1Fe1.7O₃]
2-27 BaO · 6.0[Cr0.1Ti0.1Co0.1Fe1.7O₃]
2-28 BaO · 5.5[Cr0.1Rh0.1Co0.1Fe1.7O₃]
2-29 PbO · 6.0[Cr0.1W0.1Co0.1Fe1.7O₃]
2-30 SrO · 6.0[Cr0.1Ta0.1Co0.1Fe1.7O₃]
2-31 SrO · 5.5[Cr0.1Ge0.1Co0.1Fe1.7O₃]
2-32 BaO · 6.0[Ga0.1Rh0.1Co0.1Fe1.7O₃]
2-33 BaO · 6.0[Ga0.1Ti0.05Co0.05Fe1.8O₃]
2-34 BaO · 6.0[Al0.1Zn0.1Ti0.2Co0.1Fe1.5O₃]
2-35 BaO · 6.0[Ga0.1In0.1V0.1Co0.1Fe1.6O₃]
2-36 BaO · 6.0[Al0.1Sc0.1Nb0.1Co0.1Fe1.6O₃]
2-37 SrO · 6.0[Rh0.1Zn0.1W0.2Co0.1Fe1.5O₃]
2-38 PbO · 6.0[Rh0.1In0.1Pt0.05Co0.05Fe1.7O₃]
2-39 BaO · 6.0[Ga0.1Zn0.1W0.15Co0.05Fe1.7O₃]
2-40 BaO · 6.0[Al0.1Zn0.1W0.2Co0.1Fe1.5O₃]
3-1 BaO · 6.0[Al0.2Ti0.1Co0.1Fe1.6O₃]
3-2 BaO · 5.5[Al0.1Ti0.1Co0.1Fe1.7O₃]
3-3 BaO · 5.7[Ga0.1Sc0.1Co0.12Fe1.72O₃]
3-4 BaO · 5.6[Ga0.3In0.1Co0.15Fe1.50O₃]
3-5 BaO · 5.9[Ga0.2Zn0.12Co0.12Fe1.64O₃]
3-6 SrO · 5.5[Al0.2Cr0.1Co0.12Fe1.52O₃]
3-7 SrO · 5.8[Ga0.1In0.1Bi0.1Co0.21Fe1.46O₃]
3-8 SrO · 5.7[Ga0.2Zn0.08V0.16Co0.21Fe1.46O₃]
3-9 SrO · 5.6[Al0.2Ti0.08Sn0.08Co0.1Fe1.52O₃]
Magnetsubstanz Nr.
Zusammensetzung
3-10
SrO · 5.9[Al0.3Sc0.1Mn0.1Co0.11Fe1.46O₃]
3-11 PbO · 5.5[Ga0.1Ti0.1Y0.05Co0.1Fe1.65O₃]
3-12 PbO · 5.9[Ga0.1Zn0.1Bi0.05Co0.1Fe1.65O₃]
3-13 PbO · 5.7[Al0.15Ti0.1Bi0.05Co0.1Fe1.6O₃]
3-14 PbO · 5.6[Al0.15Zn0.12Bi0.05Co0.12Fe1.53O₃]
3-15 BaO · 5.9[Ga0.15Ti0.05Co0.05Fe1.75O₃]
4-1 BaO · 6.0[Al0.1Ti0.1Co0.1Fe1.7O₃]
4-2 BaO · 5.5[Ga0.1Ti0.1Co0.1Fe1.7O₃]
4-3 PbO · 6.0[Ga0.1Sn0.1Co0.1Fe1.7O₃]
4-4 PbO · 5.5[Ga0.1Mn0.1Co0.1Fe1.7O₃]
4-5 SrO · 6.0[Al0.1Ti0.15Co0.15Fe1.6O₃]
4-6 SrO · 5.5[Al0.2Ti0.05Co0.05Fe1.7O₃]
4-7 BaO · 6.0[Rh0.1Sn0.15Co0.15Fe1.6O₃]
4-8 BaO · 5.7[Al0.1Mn0.1Co0.1Fe1.7O₃]
4-9 BaO · 6.0[Al0.2Ti0.2Co0.2Fe1.4O₃]
4-10 BaO · 6.0[Ga0.1Mn0.1Co0.1Fe1.7O₃]
5-1 BaO · 6.0[Al0.1Ta0.1Co0.1Fe1.7O₃]
5-2 SrO · 6.0[Al0.1Rh0.1Co0.1Fe1.7O₃]
5-3 BaO · 6.0[Ga0.1Ge0.1Co0.1Fe1.7O₃]
5-4 BaO · 5.8[Ga0.1Ru0.1Co0.1Fe1.7O₃]
5-5 BaO · 5.6[Rh0.1In0.1Co0.1V0.1Fe1.6O₃]
5-6 BaO · 6.0[Cr0.1Sc0.1Hf0.1Co0.1Fe1.6O₃]
5-7 SrO · 6.0[Rh0.2Ir0.1Co0.1Fe1.6O₃]
5-8 PbO · 5.8[Ga0.2Zn0.1Pd0.1Co0.1Fe1.5O₃]
5-9 PbO · 6.0[Al0.1W0.1Ni0.1Co0.1Fe1.5O₃]
5-10 SrO · 5.5[Al0.1Re0.2Zn0.1Co0.1Fe1.5O₃]
5-11 SrO · 6.0[Al0.2In0.1Os0.1Co0.1Fe1.5O₃]
5-12 SrO · 6.0[Ga0.1Sc0.1Zr0.1Co0.1Fe1.6O₃]
5-13 BaO · 6.0[Al0.1Tc0.1Zn0.05Co0.05Fe1.7O₃]
5-14 BaO · 6.0[Al0.2In0.05Te0.05Co0.05Fe1.65O₃]
5-15 BaO · 6.0[Ga0.1Sc0.1Ce0.1Co0.1Fe1.6O₃]
5-16 BaO · 6.0[Ga0.1Pr0.1In0.1Co0.1Fe1.6O₃]
5-17 BaO · 6.0[Rh0.1Mo0.1Sc0.1Co0.1Fe1.5O₃]
5-18 BaO · 6.0[Cr0.1Rh0.2Co0.2Fe1.5O₃]
5-19 BaO · 6.0[Al0.1Ir0.1Co0.1Fe1.7O₃]
5-20 [BaO0.5PbO0.5] · 6.0[Al0.1Rh0.1Co0.1Fe1.7O₃]
5-21 [SrO0.5PbO0.5] · 6.0[Al0.1Ta0.1Co0.1Fe1.7O₃]
5-22 [BaO0.5SrO0.5] · 6.0[Ga0.1V0.1In0.1Co0.1Fe1.6O₃]
Der erwähnten magnetischen Metalloxidsubstanz kann man Metalle wie Cu, Ca, Mg, La, Tb, Gd, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ln u. ä. zur Feineinstellung der Ionenwertigkeit, weiteren Verbesserung der magneto- optischen Wirkung oder zur Regulierung der Curie-Tempe­ ratur, Koerzitivkraft u. ä. zusetzen.
Die magnetische Metalloxidsubstanz kann selbst eine zusammenhängende dünne Schicht bilden. Die so ausgebildete dünne Magnetschicht setzt sich aus winzigen Polykristallen von weniger als 0,1 µm zusammen, die eine starke kristall-magnetische Anisotro­ pie in der Richtung perpendikulär zur Oberfläche des Aufzeichnungsträgers besitzen; diese dünne Magnetschicht ist nämlich aus Polykristallen gebildet, die sich aus vielen, hintereinander angeordneten hexagonalen Einzel­ kristallen aus ferrimagnetischem Oxid zusammensetzen und in einer Richtung ausgerichtet sind, die perpendikulär zur Fläche des Aufzeichnungsträgers liegt, und ist des­ halb in der Permeabilität gegen den Laserstrahl überle­ gen. Aus diesem Grund besitzt die Magnetschicht Eigen­ schaften, die sie als optischen Magnetaufzeichnungsträ­ ger geeignet machen, z. B., daß sich der Faraday'sche Ro­ tationswinkel vergrößern läßt, die Regenerierungseigen­ schaften ausgezeichnet sind und wegen des geringen Ge­ räuschs Hochdichteaufzeichnung möglich ist. Da diese Schicht ausgezeichnete perpendikuläre Magnetisierbarkeit aufweist und Magnetbläschen in hoher Dichte ausbilden kann, ist sie auch verwendbar als perpendikulär magneti­ sierte Schicht, z. B. als perpendikulärer Magnetaufzeich­ nungsträger. In diesem Zusammenhang ist festzuhalten, daß der normale Magnetaufzeichnungsträger, der aus einer Magnetschicht aus starken magnetischen Teilchen wie Fe₃O₄ und einem harzhaltigen Bindemittel auf einem Substrat wie einer Kunststoffschicht besteht, den Laser­ strahl kaum durchläßt, weil diese Magnetschicht den aus magnetischen Teilchen und harzhaltigem Bindemittel gebil­ deten vielschichtigen Aufbau annimmt. Durch Einschaltung eines harzhaltigen Bindemittels, das nicht an der Auf­ zeichnung zwischen den Magnetsubstanzen teilnimmt, verschlechtert sich die Aufzeichnungsdichte, und dadurch wird das Geräusch verursacht. Obwohl man vorgeschlagen hatte, den Magnetstaub so weit wie möglich zu pulveri­ sieren, um Hochdichteaufzeichnung zu erhalten, war es schwierig, den Magnetstaub auf dem harzhaltigen Binde­ mittel zu dispergieren und dieses zu beschichten, um die Magnetisierung perpendikulär zu einem Band (Substrat) auszurichten. Man hat gleichzeitig auch dieses Problem gelöst, indem eine zusammenhängende dünne Schicht ausgebildet wurde, die allein aus der durch die allgemeine Formel (I) dargestellten magnetischen Metall­ oxidsubstanz besteht.
Wenn man die Magnetschicht aus der hier beschriebenen magnetischen Metalloxidsubstanz herstellen will, erfolgt dies im allgemeinen so - allerdings abhängig von der Art des Substrats -, daß man diese magnetische Substanz durch Aufdampfen im Vakuum, Zerstäuben, Ionenplattie­ rung, Aufspritzen o. ä. haftend auf einem Substrat auf­ bringt, so daß die Schichtdicke im Bereich von etwa 0,1- 10 µm liegt, und die Substrattemperatur im Bereich von 400-800°C hält. Damit bezweckt man, die Magnetsubstanz perpendikulär zu der Schicht auszurichten, die man er­ hält, wenn man während oder nach dem Prozeß ein Magnet­ feld aufprägt. Die so erhaltene Magnetschicht wurde perpendikulär magnetisiert. In diesem Fall kann die Magnetschicht bei einer Substrattemperatur von nicht mehr als 400°C ausgebildet werden, aber die so ausgebil­ dete Magnetschicht muß bei einer Temperatur von 500- 800°C hitzebehandelt werden, während ein Magnetfeld, falls nötig, zur perpendikulären Magnetisierung aufge­ prägt wird. Bei der Bildung einer solchen Magnetschicht verwendet man ein hitzebeständiges Substrat. Zu den hier verwendeten Substramaterialien gehören im allgemeinen hitzebeständige Metalle wie Aluminium, Nickel u. ä.; Quarzglas, GGG (Gallium-Gadolinium-Granat); Saphir; Lithium, Tantalat; hitzebeständiges Glas; wie Aluminium­ silikat-Glas, kristallisiertes Transparentglas; Pyrex- Glas; Einkristallsilikon mit oder ohne oxidationsbehan­ delte Oberfläche; transparente keramische Materialien wie Al₂O₃, Al₂O₃.MgO, MgO.LiF, Y₂O₃.LiF, BeO, ZrO₂, Y₂O₃, ThO₂.CaO u. ä.; anorganische Materialien wie anor­ ganische Silikonmaterialien (handelsübliche Waren wie Tosguard von Toshiba Silicone Co. und Sumicerum P von Sumitomo Kagaku Co.) u. ä. oder organische Materialien wie Polyimidharz, Polysulfonharz, Polyamidharz, usw.
Nachfolgend werden der optische Magnetaufzeichnungsträger als ein typisches Anwendungsbeispiel dieser Magnet­ schicht und das damit verbundene optische Magnetauf­ zeichnungsverfahren näher erläutert.
Fig. 1 ist eine Schnittansicht, die das Grundaufbau­ muster des wie oben beschriebenen hergestellten optischen Magnetaufzeichnungsträgers, worin eine Magnetschicht 13 auf ein transparentes Substrat 11 aufgebracht wird, dar­ stellt. Die Dicke der Magnetschicht, das Verfahren zur Herstellung dieser Schicht und das dafür verwendete Sub­ strat sind wie bereits erläutert. In diesem Fall ist es vorzuziehen, vor der Herstellung der Magnetschicht eine Grundschicht mit Epitaxialwirkung auf das Substrat auf­ zubringen. Zur Verwendung als Grundschicht eignet sich eine dünne hexagonale ZnO-Schicht, die z. B. durch Zer­ stäuben in einer Dicke im Bereich von etwa 0,1-0,3 µm aufgebracht wird. In dieser dünnen ZnO-Schicht ist die C-Achse des hexagonalen ZnO perpendikulär zu der Sub­ stratoberfläche ausgerichtet, und wenn darauf eine Magnet­ schicht ausgebildet wird, ist auch die C-Achse der Magnetsubstanz perpendikulär zu der Substratoberfläche ausgerichtet. Aufzeichnung und Ablesen (Regenerierung) erfolgen durch Aussendung des modulierten oder polari­ sierten Laserstrahls, wie durch die Pfeile angegeben, von der Seite des Substrats 11.
Fig. 2 ist eine Schnittansicht eines anderen Aufbaubei­ spiels des optischen Magnetaufzeichnungsträgers, worin die Magnetschicht 13 auf das transparente Substrat 11 und dann darauf noch eine reflektierende Schicht 15 auf­ gebracht wird. Auch in diesem Fall erfolgen Aufzeichnung und Ablesung durch Aussendung des Laserstrahls von der Seite des Substrats 11. Beim Ablesen steigert sich je­ doch der Faraday'sche Effekt so, daß der zum Ablesen verwendete Strahl von der Seite des Substrats 11 in die Magnetschicht 13 eindringt, von der reflektierenden Schicht 15 zurückgeworfen wird und die Magnetschicht er­ neut durchdringt. Die Magnetschicht dieser Erfindung kann einen großen Rotationswinkel erhalten, z. B. RF= etwa 0,4-1,0 Grad/µm, indem man den Laserstrahl von 633 nm verwendet und sich den Faraday'schen Effekt eines solchen Reflexionstyps zunutze macht; durch Anwendung multipler Reflexion läßt sich der Rotationswinkel mehrmals vergrößern. Die reflektierende Schicht kann man bilden, indem man Cu, Al, Ag, Au, Pt, Rh, TeOx, TeC, SeAs, TeAs, TiN, TaN, CrN, Cyaninfarbstoff o. ä. durch Aufdampfen im Vakuum, Zerstäuben, Ionenplattierung o. ä. haftend auf eine Targetoberfläche aufbringt; damit erreicht man eine Filmdicke von etwa 50-1000 nm.
Fig. 3 zeigt den optischen Magnetaufzeichnungsträger von Fig. 2, der im Bereich, den der Lichtstrahl durchdringt, eine transparente, dielektrische Schicht enthält; die Magnetschicht 13, die transparente dielektrische Schicht 17 und die reflektierende Schicht 15 werden in der ge­ nannten Reihenfolge auf das transparente Substrat 11 aufgebracht. Entsprechend erfolgen Aufzeichnung und Ab­ lesung durch Aussendung des Laserstrahls (wie durch die Pfeile angegeben) von der Seite des Substrats 11 und zwar genau wie in Fig. 1 und 2. Die transparente di­ elektrische Schicht 17 dient dazu, den Faraday'schen Ro­ tationswinkel zu vergrößern und die Regenerierungslei­ stung zu verbessern. Sie entsteht, indem man durch das gleiche Verfahren wie oben beschrieben SiO₂, SiO, TiO₂, TiO, CeO, HfO₂, BeO, ThO₂, Si₃N₄ o. ä. haftend auf eine Targetoberfläche aufbringt. Damit erreicht man eine Schichtdicke von etwa 0,05-0,5 µm.
Die Schnittansicht in Fig. 4 zeigt ein Aufbaubeispiel mit einer Kontrollspur, die den Laserstrahl beim Ein­ speichern oder Ablesen leiten soll. Die Magnetschicht 13, Kontrollspurschicht 19, reflektierende Schicht 15 und Schutzschicht 21 werden in der genannten Reihenfolge auf das transparente Substrat 11 aufgebracht. Aufzeich­ nung und Ablesung erfolgen durch Aussendung des Laser­ strahls (wie durch die Pfeile angegeben) von der Seite des Substrats 11 genauso wie in Fig. 1 bis 3. Die Kon­ trollspurschicht 19 entsteht, indem man ein durch ultra­ violette Strahlen härtbares Harz (nämlich ein Photopoly­ mer) auf eine Targetoberfläche aufbringt und dann den ultravioletten Strahl darauf richtet. Dabei werden gleichzeitig eine entsprechend der Kontrollspur mit Rillen versehene Form aufgepreßt und das Harz gehärtet. Die Schutzschicht 21 dient dazu, die reflektierende Schicht 15 zu schützen und kann transparent oder opak sein. Diese Schutzschicht 21 entsteht durch Aufbringen von Acrylharz, Polycarbonatharz, Polyäthersulfonharz, Polyamidharz, Epoxyharz, TiN, Si₃N₄, TaN, SiO₂, SiO o. ä. auf eine Targetoberfläche, so daß die Dicke der entstan­ denen Schicht etwa 0,1-10 µm beträgt, und zwar durch ein Beschichtungsverfahren bei Harz und Aufdampfen im Vakuum, Zerstäuben, Ionenplattierung o. ä. im anderen Fall.
Fig. 5 zeigt eine Variante, die dem Beispiel von Fig. 4 im Aufbau der Schicht ähnlich ist, sich aber in der Funktion der Schicht, dem Herstellungs-, Aufzeichnungs- und Ableseverfahren davon unterscheidet (hier bezeichnet der Pfeil den Laserstrahl beim Aufzeichnen und Ablesen). Das Substrat mit einer Kontrollspur (das sogenannte vor­ gerillte Substrat) 11′ und der reflektierenden Schicht 15 und die hitzebeständige Schicht 23 mit der Magnet­ schicht 13 werden durch eine transparente Klebstoff­ schicht 25 verbunden. Man kann also sagen, daß diese transparente Klebstoffschicht 25 nur eine Schicht ist, die die reflektierende Schicht 15 auf dem Substrat 11′ mit der Magnetschicht 13 auf der Schutzschicht 21 ver­ binden soll und dadurch entsteht, daß man die erwähnten beiden Schichten 15 und 13 durch Epoxyharz, Polyurethan­ harz, Polyamidharz o. ä. haftend verbindet. Die erreicht eine Dicke von etwa 0,1-10 µm. Das Substrat mit einer Kontrollspur 11′ kann transparent oder opak sein und entsteht durch Verarbeitung des erwähnten organischen Materials im Spritzguß; Strangpreß- oder Photoätzungs­ verfahren.
Die hitzebeständige Schicht entspricht dem transparenten Substrat 11 von Fig. 1 bis 4, hat in diesem Beispiel aber die Aufgabe, die Hitzebeständigkeit der Magnet­ schicht 13 zu verbessern. Die hitzebeständige Schicht entsteht aus dem anorganischen Material für das Substrat wie oben erläutert, und ihre angemessene Dicke beträgt etwa 0,1-2 mm. In diesem Zusammenhang wird darauf ver­ wiesen, daß der Begriff "transparent" in obiger Erläute­ rung "durchlässig für den verwendeten Laserstrahl" be­ deutet. Hierin wurden vorwiegend Fälle erläutert, in denen sich die Magnetschicht auf einem transparenten Substrat befand, aber selbstverständlich kann die Magnetschicht auch auf einem opaken Substrat gebildet wer­ den. Fig. 6 zeigt das Aufbaubeispiel eines solchen op­ tischen Magnetaufzeichnungsträgers, in dem die reflek­ tierende Schicht 15, die Magnetschicht 13 und die trans­ parente Schutzschicht 21′ in der genannten Reihenfolge auf ein opakes Substrat (z. B. eine Silikonscheibe) auf­ gebracht werden. Einspeichern und Ablesen erfolgen durch Aussendung des Laserstrahls (durch die Pfeile angegeben) auf die Magnetschicht 13 von der Seite der Schutzschicht 21′. Als Materialien für die transparente Schutzschicht 21′ verwendet man die transparenten Bestandteile der Schutzschicht 21.
Fig. 7 zeigt ein weiteres Aufbaubeispiel, in dem die re­ flektierende Schicht 15, die Grundschicht 29, die Mag­ netschicht 13, Konstrollspur 19′ und transparente Schutz­ schicht 21′ in der genannten Reihenfolge auf ein Sub­ strat 11′′ aufgebracht werden. Die Kontrollspur 19′ und die Schutzschicht 21′ kann man weglassen. Wie bei Fig. 6 erfolgen Aufzeichnung und Ablesung durch Aussendung des Laserstrahls von der Seite der Schutzschicht 21′. Die Kontrollspur 19′ kann man z. B. so herstellen, daß man ein durch ultraviolette Strahlen härtbares Harz auf die Magnetschicht 13 aufbringt, dann den ultravioletten Strahl nach dem Muster der Kontrollspur darauf richtet, um das Harz auf dem bestrahlten Abschnitt zu härten und dann entweder den bestrahlten oder den nicht bestrahlten Abschnitt unter Verwendung eines geeigneten Lösungsmit­ tels (z. B. wäßrige Alkalilösung, Alkohol, o. ä.) auflöst und entfernt (also Ätzen).
Fig. 8 zeigt ein Aufbaubeispiel mit einem opaken Sub­ strat mit einer Kontrollspur, auf das die reflektierende Schicht 15, Grundschicht 29, Magnetschicht 13 und trans­ parente Grundschicht 21′ in der genannten Reihenfolge aufgebracht werden. Das Verfahren zum Einspeichern und Ablesen ist das gleiche, wie in Fig. 6. Das opake Sub­ strat 1′′′ mit einer Kontrollspur entsteht z. B. durch Elektroformung von Nickel in einer Metallgußform mit einer nach der Kontrollspur geformten Rille. Die Kon­ trollspur kann so entstehen, daß man eine Metallschicht auf ein Substrat haftend aufbringt, darauf ein lichtun­ empfindliches Profil formt und dann die Metallschicht ätzt. Die Kontrollspur kann direkt auf einem opaken oder transparenten Substrat gebildet werden. In diesem Fall entsteht die gewünschte Kontrollspur durch Bilden eines lichtunempfindlichen Profils auf einem Substrat, Ätzen der Stellen ohne Profil (Substrat) mit einem reaktiven Ion und anschließendem Abschälen des Restprofils.
Fig. 9 zeigt die Schnittansicht eine Aufbaubeispiels, in dem die Magnetschicht zwischen zwei reflektierende Schichten gebracht und eine der reflektierenden Schichten als teilweise lichtpermeabel angelegt wird. Eine erste reflektierende Schicht 15a, eine Grundschicht 29, eine Magnetschicht 13, eine zweite reflektierende Schicht 15b, die teilweise lichtpermeabel ist, eine Kon­ trollspur 19′ und eine transparente Schutzschicht 21 werden in der genannten Reihenfolge auf einem opaken Substrat 11′ aufgebracht. Die erste reflektierende Schicht 15a ist der sogenannte Totalreflexionsspiegel und die zweite reflektierende Schicht 15b der sogenannte Halbspiegel. Auch in diesem Fall erfolgen Aufzeichnung und Ablesung wie bei Fig. 6, aber der zum Ablesen ver­ wendete Laserstrahl ist auf Mehrfachreflexion angelegt, so daß er die Magnetschicht 13 mehrmals durchdringt, was die effektive Länge des Magnetfilms 13 verlängert und zu einem großen Faraday′schen Rotationswinkel führt. Das Material für die erste reflektierende Schicht 15a kann das gleiche sein, wie für die normale reflektierende Schicht. Als Material für die zweite reflektierende Schicht 15b verwendet man ebenfalls das Material wie für die normale reflektierende Schicht, allerdings zusammen mit einem Gemisch aus Harz, transparentem keramischem Material, u. ä. Die zweite reflektierende Schicht 15b entsteht durch ein Beschichtungs- oder Zerstäubungsver­ fahren o. ä. Die Dicke der reflektierenden Schichten 15a und 15b kann die gleiche sein, wie die der normalen reflektierenden Schicht 15.
Aus dieser Erläuterung geht hervor, daß das auf den op­ tischen Magnetaufzeichnungsträger an­ gewandte Magnetaufzeichnungsverfahren theoretisch dem üblichen Verfahren gleicht.
Man kann eine magnetische Sub­ stanz und eine Magnetschicht mit ausgezeichneter perpen­ dikulärer Magnetisierbarkeit und ebensolcher magnetoopti­ scher Wirkung erhalten, wenn man einen Teil der Fe-Atome des hexagonalen Magnetoplumbits, das als Metalloxid kei­ ner Beeinträchtigung durch Oxidation unterliegt, durch zweitwertiges Kobalt, zwei- bis vierwertige durch Mb dar­ gestellte Metalle bzw. durch Ma dargestelltes dreiwerti­ ges Metall ersetzt. Darüber hinaus haben die Magnetsub­ stanz und die Magnetschicht mäßige Koerzitivkraft und Curie-Temperatur sowie das Merkmal, daß die Aufzeichnung durch Laserstrahl durch ein Absenken der Curie-Tempera­ tur beschleunigt wird. Dementsprechend ist die aus die­ ser Magnetsubstanz gebildete Magnetschicht sehr brauch­ bar als perpendikulär magnetisiertes Bauelement, das sich den Faraday'schen Effekt durchdringenden Lichts zu­ nutze macht, z. B. als optischer Magnetaufzeichnungsträ­ ger, und ist außerdem noch ausgezeichnet perpendikulär magnetisierbar. Deshalb ist die Magnetschicht z. B. als perpendikulärer Magnetaufzeichnungsträger geeignet.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen: Fig. 1 bis 9 zeigen jeweils die Schnittansicht eines Aufbaubeispiels eines optischen Magnetaufzeichnungsträgers mit einer Magnet­ schicht aus der Magnetsubstanz gemäß dieser Erfindung:
11 transparentes oder opakes Substrat
11′ transparentes Substrat mit einer Kontrollspur
11′′ opakes Substrat
11′′′ opakes Substrat mit einer Kontrollspur
13 Magnetschicht
15 reflektierende Schicht
15a erste reflektierende Schicht
15b zweite reflektierende Schicht
17 transparente dielektrische Schicht
19 Kontrollspurschicht
19′Kontrollspur
21 transparente oder opake Schutzschicht
21′transparente Schutzschicht
23 hitzebeständige Schicht
25 transparente Klebstoffschicht
29 Grundschicht
Nachfolgend werden bevorzugte Ausführungsformen dieser Erfindung an Beispielen erläutert. Alle erwähnten Teile bedeuten Teile nach Gewicht.
Beispiel 1
BaCO₃
19,73 Teile
α-Fe₂O₃ 73,46 Teile
CoO 8,99 Teile
Ga₂O₃ 11,25 Teile
In₂O₃ 16,70 Teile
Diese Bestandteile wurden vermischt und bei 1000°C ge­ brannt. Das erhaltene Brenngut wurde erneut pulveri­ siert, vermischt und bei 1100°C gebrannt. Dann wurde dieses Brenngut nochmals pulverisiert und permanent gebrannt, wodurch man die magnetische Metalloxidsubstanz Nr. 1-1 gemäß dieser Erfindung erhielt. Dabei wurde das Brenngut unter Verwendung einer 10,24 cm (4-Inch)-Metallgußform in ein Plattentarget eingearbeitet, damit es einer Zerstäu­ bung zum Zweck der Ausbildung einer Magnetschicht unter­ zogen werden konnte.
Als nächstes wurden nach dem gleichen Verfahren die magnetischen Substanzen Nr. 1-2-1-15, Nr. 2-1-2-40, Nr. 3-1-3-15, Nr. 4-1-4-10 und 5-1-5-22 herge­ stellt unter Verwendung der notwendigen Metalloxide in festgelegten Mengen (z. B. BaCO₃ 19,73 Teile, α-Fe₂O₃ 162,89 Teile, CoO 4,49 Teile und TiO₂ 7,67 Teile im Fall von Nr. 2-1; BaCO₃ 19,73 Teile, Al₂O₃ 12,23 Teile, α-Fe₂O₃ 153,3 Teile, CoO 4,49 Teile und TiO₂ 7,76 Teile im Fall von Nr. 3-1; BaCO₃ 19,73 Teile, α-Fe₂O₃ 162,89 Teile, Al₂O₃ 6,12 Teile, CoO 4,49 Teile und TiO₂ 7,67 Teile im Fall von Nr. 4-1; und BaCO₃ 19,73 Teile, α-Fe₂O₃ 162,89 Teile, CoO 4,49 Teile und TaO₂ 12,78 Teile im Fall von Nr. 5-1). Auch diese Magnetsubstanzen wurden beim Dauerbrennen unter Verwendung einer Metallgußform in Plattentargets eingearbeitet.
Beispiel 2
Jedes in Beispiel 1 erhaltene Target mit der in der fol­ genden Tabelle gezeigten Zusammensetzung entstand durch Zerstäuben auf die Grundschicht eines Quarzsubstrats. Dazu gehörten die Ausbildung zunächst eines Au-Films von 100 nm und dann einer ZnO-Grundschicht zwei Stunden lang unter den Bedingungen Ar-Partialdruck: 2,66 mbar (2,0 mm Torr), O₂- Partialdruck: 0,39 mbar (0,3 mm Torr), Kraftstromentnahme: 0,35 kW und Substrattemperatur: 600-700°C, wodurch sich eine 0,5 µm dicke Magnetschicht bilden sollte. Die nachfol­ gende Tabelle zeigt die durch Messungen dieser Magnet­ schichten auf ihre Curie-Temperatur Tc und Koerzitiv­ kraft Hc erhaltenen Werte, sowie den Faraday'schen Rota­ tionswinkel der perpendikulär in eine Richtung magneti­ sierten Magnetschichten.
Als nächstes wurde die Magnetschicht jedes der so erhal­ tenen optischen Magnetaufzeichnungsträger in eine Rich­ tung perpendikulär magnetisiert. Danach sendete man einen Laserstrahl mit einer Leistung von 20 mW, einer Wellenlänge von 633 nm und einer Pulsfrequenz von 1 MHz aus, um auf der Oberfläche des Aufzeichnungsträger eine Lichtstärke von 10 mW zu erhalten. Gleichzeitig wurde zur magnetischen Inversion ein Magnetfeld von 6,28 · 10-10 Tesla · m³ (0,5 k emE) entgegen der magnetisierten Richtung aufgeprägt. Auf jedem Aufzeichnungsträger bildete sich ein aufgezeichne­ tes Bit mit einem Durchmesser von etwa 1,5 µm.
Beispiel 3
Eine ZnO-Schicht mit einer Dicke von 200 nm wurde durch einstündiges Zerstäuben auf einer Einkristall-Silikon­ scheibe ausgebildet, und zwar unter den Bedingungen: atmosphärischer Sauerstoffgasdruck 2,66 · 10-3 mbar (2 · 10-3 Torr) und einer Substrattemperatur von 400°C. Darauf wurde durch zweistündiges Zerstäuben unter den Bedingungen atmo­ sphärischen Gasdrucks 2,66 · 10-3 mbar (2 · 10-3 Torr) (Ar/O₂=2,39/0,26 · 10-3 mbar bzw. 1,8/0,2 · 10-3 Torr) eine MnO0,6 · ZnO0,4 · Fe₂O₃-Schicht mit einer Dicke von 500 nm ausgebildet. Weiterhin wurde darauf durch zweistündiges Zerstäuben unter den Bedingungen: atmosphärischer Gasdruck 2,66 · 10-3 mbar (2 · 10-3 Torr) (O₂/Ar=1/6) und Substrattemperatur 570°C und unter Verwendung eines Magnetsubstanztargets mit der Zusammensetzung BaO · 6,0 (Ga0,06Co0,06Ti0,03Fe1,86O₃) eine 500 nm dicke Magnet­ schicht haftend aufgebracht; damit erhielt man einen perpendikulären Magnetaufzeichnungsträger. Dann unterzog man diesen Aufzeichnungsträger der Aufzeichnung unter den Bedingungen: Spaltbreite des Ferritringkopfs (Windungs­ zahl N=50 T) und einer relativen Geschwindig­ keit von 1,5 m/s zwischen Träger und Kopf und stellte eine hohe Aufzeichnungsdichte fest.
Beispiel 4
Nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 3 stellte man einen perpendikulären Magnetaufzeichnungsträger her, mit dem Unterschied, daß man Aluminiumoxidharz als Substrat­ material und ein Magnetsubstanztarget mit der Zusammensetzung SrO · 6,0 (Cr0,04V0,03Co0,06Fe1,88O₃) verwendete.

Claims (3)

1. Magnetschicht, bestehend aus einer magnetischen Metalloxidsubstanz der allgemeinen Formel (worin Me, Ma, Mb, x, y, z, m und n wie unten definiert sind:
Me: mindestens ein zweiwertiges Metall aus der Gruppe Ba, Sr und Pb,
Ma: mindestens ein dreiwertiges Metall aus der Gruppe Ga, Al, Cr und Rh,
Mb: mindestens ein zwei- bis vierwertiges Metall aus der Gruppe Zn (zweiwertig); Sb (dreiwertig); und Mo, Ta, Mn, Ir, Hf, Pd, Nb, Re, Pt, Os, Zr, Tc, Rh, Ru, W, Te, Pr und Ce (vierwertig) (wobei das durch Mb dargestellte Metall nicht das gleiche ist, wie das durch Me oder Ma wiedergegebene)
x: 0 < x 0,5,
y: 0 < y 0,5,
z: 0 < x 0,5 (worin 0 < x + y + z 1 ist),
m: eine ionische Wertigkeit von Mb
n: 5 n 6.
2. Magnetschicht gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie in einem optischen Magnetaufzeichnungsträger verwendet wird.
3. Magnetschicht gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie in einem perpendikulären Magnetaufzeichnungsträger verwendet wird.
DE19853503996 1984-02-06 1985-02-06 Magnetische metalloxidsubstanz und eine daraus bestehende magnetschicht sowie deren verwendungen Granted DE3503996A1 (de)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1967184A JPS60164302A (ja) 1984-02-06 1984-02-06 金属酸化物磁性体及び磁性膜
JP21185484A JPS6189606A (ja) 1984-10-09 1984-10-09 金属酸化物磁性体および磁性膜
JP21185384A JPS6189605A (ja) 1984-10-09 1984-10-09 金属酸化物磁性体および磁性膜
JP21185284A JPS6189604A (ja) 1984-10-09 1984-10-09 金属酸化物磁性体および磁性膜
JP21185584A JPS6189607A (ja) 1984-10-09 1984-10-09 金属酸化物磁性体および磁性膜

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3503996A1 DE3503996A1 (de) 1985-08-08
DE3503996C2 true DE3503996C2 (de) 1992-11-05

Family

ID=27520160

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19853503996 Granted DE3503996A1 (de) 1984-02-06 1985-02-06 Magnetische metalloxidsubstanz und eine daraus bestehende magnetschicht sowie deren verwendungen

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4788095A (de)
DE (1) DE3503996A1 (de)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3616492A1 (de) * 1985-05-20 1986-12-18 Masako Akimitsu Orthogonal magnetisierter anisotroper duenner film auf eisen-sauerstoff-basis
DE3716392A1 (de) * 1986-05-16 1987-11-19 Ricoh Kk Magneto-optisches aufzeichnungsmedium
JPH03219450A (ja) * 1989-11-13 1991-09-26 Hitachi Maxell Ltd 光磁気記録媒体
US5082749A (en) * 1990-03-15 1992-01-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Platinum or palladium/cobalt multilayer on a zinc oxide or indium oxide layer for magneto-optical recording
JP3407316B2 (ja) * 1991-12-28 2003-05-19 ソニー株式会社 光磁気ディスク
JP3095047B2 (ja) * 1993-01-28 2000-10-03 戸田工業株式会社 磁気カード用マグネトプランバイト型フェライト粒子粉末及びその製造法
US5965287A (en) * 1996-10-29 1999-10-12 Fdk Corporation Magneto-optical element material and Faraday element using the same
US20060289294A1 (en) * 2005-06-24 2006-12-28 Heraeus, Inc. Enhanced oxygen non-stoichiometry compensation for thin films
CN107337447B (zh) * 2017-07-06 2020-02-18 横店集团东磁股份有限公司 一种低成本永磁铁氧体及其制备方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3638207A (en) * 1969-11-17 1972-01-25 Bell Telephone Labor Inc Magnetic devices
GB1331868A (en) * 1970-01-23 1973-09-26 Nippon Electric Co Hexogonal ferrites
JPS4938919B1 (de) * 1970-09-22 1974-10-22
NL7708959A (nl) * 1977-08-15 1979-02-19 Philips Nv Werkwijze voor het vormen van een magneto-op- tische polykristallijne cobalt ferriet laag en cobalt ferriet laag vervaardigd volgens de werkwijze.
JPS582225A (ja) * 1981-06-25 1983-01-07 Toshiba Corp 磁気記録用六方晶フェライト粉末の製造方法
JPS59168950A (ja) * 1983-03-17 1984-09-22 Ricoh Co Ltd 光磁気記録媒体
JPS59188106A (ja) * 1983-04-08 1984-10-25 Ricoh Co Ltd 光磁気記録媒体
US4670323A (en) * 1983-11-26 1987-06-02 Ricoh Company, Ltd. Magneto-optic recording medium having a metal oxide recording layer
US4670322A (en) * 1983-12-05 1987-06-02 Ricoh Company, Ltd. Metal oxide magnetic substance and a magnetic film consisting thereof and their uses

Also Published As

Publication number Publication date
DE3503996A1 (de) 1985-08-08
US4788095A (en) 1988-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3608021C2 (de)
DE3200661C2 (de) Magneto-optischer Speicher
DE3511361C2 (de) Magnetischer Wandlerkopf
DE3335689C2 (de)
DE69932553T2 (de) Glaskeramisches Substrat für magnetischen Aufzeichnungsträger
DE3409747C2 (de)
DE3413086C2 (de)
DE3534571C2 (de)
DE3538852A1 (de) Senkrecht-magnet-aufzeichnungsmedium und verfahren zu seiner herstellung
DE69715706T2 (de) Magnetisches Aufzeichnungsmedium mit feinkörnigen magnetischen Kristallen und seiner Herstellung
DE69114487T2 (de) Platin oder palladium/kobalt mehrschicht auf einer zinkoxid- oder indiumoxidschicht für magnetooptische aufzeichnung.
DE3503996C2 (de)
DE3443049C2 (de)
DE3639397C2 (de)
DE2260043C3 (de) Magnetischer Plattenspeicher und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3639682A1 (de) Magnetische aufzeichnungsplatte und verfahren zu ihrer herstellung
DE3444351A1 (de) Magnetische metalloxidsubstanz, ein daraus bestehender magnetischer film und deren verwendung
DE69314581T2 (de) Film für magnetische Senkrechtaufzeichnung, mehrschichtiger Film geeignet für die Konversion zum Film für magnetische Senkrechtaufzeichnung, und Verfahren zur Herstellung vom Film für magnetische Senkrechtaufzeichnung aus diesem mehrsichtigen Film.
DE69026910T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines magnetooptischen Speichers
DE3604642C2 (de)
DE3887589T2 (de) Magnetooptischer Aufzeichnungsträger.
JPS6189606A (ja) 金属酸化物磁性体および磁性膜
DE2711298C2 (de) Magnetisches Aufzeichnungsmaterial
DE3610467A1 (de) Verfahren zur herstellung einer vertikal magnetisierten schicht auf basis eines seltenen erden-eisen-granats
DE2349348C2 (de) Verfahren zum Züchten einer einkristallinen, wismutdotierten Yttrium- oder Seltenerdmetall-Eisen-Granatschicht

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8125 Change of the main classification

Ipc: H01F 10/18

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee