DE3342707C2 - Bildaufnahmeröhre - Google Patents
BildaufnahmeröhreInfo
- Publication number
- DE3342707C2 DE3342707C2 DE3342707A DE3342707A DE3342707C2 DE 3342707 C2 DE3342707 C2 DE 3342707C2 DE 3342707 A DE3342707 A DE 3342707A DE 3342707 A DE3342707 A DE 3342707A DE 3342707 C2 DE3342707 C2 DE 3342707C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- mesh electrode
- image pickup
- mesh
- pickup tube
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/26—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output
- H01J31/28—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output with electron ray scanning the image screen
- H01J31/34—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output with electron ray scanning the image screen having regulation of screen potential at cathode potential, e.g. orthicon
- H01J31/38—Tubes with photoconductive screen, e.g. vidicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/08—Electrodes intimately associated with a screen on or from which an image or pattern is formed, picked-up, converted or stored, e.g. backing-plates for storage tubes or collecting secondary electrons
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Bildaufnahmeröhre mit einer Photokathode, die aus einer lichtdurchlässigen Scheibe (3), einer auf der lichtdurchlässigen Scheibe (3) angebrachten transparenten Elektrode (4) und einer photoleitenden Schicht (5) aus wasserstoffhaltigem amorphem Silizium, die auf der transparenten Elektrode (4) angebracht ist, besteht, einem Elektronenstrahlerzeuger und einer nahe der Photokathode angebrachten Maschenelektrode (7), wobei wenigstens die Oberfläche der Maschenelektrode (7) aus wenigstens einem der Materialien Beryllium, Bor, Kohlenstoff, Magnesium, Aluminium oder Silizium besteht. Diese Bildaufnahmeröhre hat eine hohe Auflösung und weist eine stark verbesserte Lebensdauerkennlinie auf.
Description
b) einem Elektronenstrahlerzeuger,
c) einer Maschenelektrode (7), die nahe der Ladungsspelcherplatte angeordnet Ist, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens die Oberfläche der Maschenelektrode (7) aus wenigstens einem der Materialien Beryllium, Bor, Kohlenstoff, Magnesium, Aluminium oder Silizium besteht.
2. Bildaufnahmeröhre nach Anspruch 1, dadurch ^kennzeichnet, daß die Maschenelektrode (7) aus einem
3. Bildaufnahmeröhre nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Maschenelektrode (7) aus einem
Aluminiumsubstrat besteht, dessen Oberfläche mit Kohlenstoff beschichtet Ist.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Bildaufnahmeröhre nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1, wie sie aus
der GB-PS 13 49 351 bekannt ist.
Eine Bildaufnahmeröhre mit einer photoleltenden Schicht aus wasserstoffhaltlgem amorphem Silizium (Im
folgenden abgekürzt mit: »a-Sl:H«) weist eine hohe Lichtempfindlichkeit, ein geringes Nachziehen und eine
ausgezeichnete thermische Stabilität auf und kann für verschiedene Zwecke verwendet werden.
Sie weist einen Strahlstromsteuerungsbereich 1 und einen Hauptllnsenberelch 2 auf. Diese Bereiche enthalten
eine Glühkathode 30, ein erstes Gitter 40, ein zweites Gitter 50, eine Strahlblende 60, zylindrische Elektroden
70, 80 und 90, eine Maschenelektrode 100 und eine photoleitende Schicht 110.
Die Funktionsweise dieser Bildaufnahmeröhre Ist die folgende: Bei der Bestrahlung der photoleltenden
Schicht 110 mit Licht wird e£-.e bestimmte Information im Verhältnis zur Lichtintensität erzeugt. Diese Information wird von der photoleltenden Schicht 110 mit einem Elektronenstrahl, der ausgehend von der Glühkathode 30 auf die photoleltende i^hicht 110 gelenkt wird, abgetastet und mittels einer Signalelektrode ausgelesen.
Die so ausgelesene Information wird in einer entsprechenden Schaltung In gewünschte Signale umgewandelt
und zum Beispiel auf einem Fernsehbildschirm abgebildet.
Die Erfindung stellt einen neuen Aufbau zur Verfügung, der die Kennlinie einer Bildaufnahmeröhre verbessert.
Seit kurzem steigt die Nachfrage nach einer Bildwiedergabe hoher Qualität und hoher AufvXung ständig, und
daher wurden Versuche mit dem Ziel angestellt, den Abtastelektronenstrahl einer Bildaufnahmeröhre zu verengen. Um dieses Ziel zu erreichen, wird der Abtastelektronenstrahl durch Erhöhen der Spannung zwischen der
Kathode und der Maschenelektrode beschleunigt. Die Erfinder beobachteten jedoch, daß die Anwendung dieser
Methode auf eine Bildaufnahmeröhre mit einer a-SliH-Photoleltschlcht die Signalstrom-Slgnalelektrodenspannungs-Kennllnie verschlechtert.
dargestellt. Die ursprüngliche Slgnalstrom-Slgnalelektrodenspannungs-Kennlinle, dargestellt durch die Kurve 1,
verändert sich, wie durch die Kurve 2 gezeigt Ist. Es ergibt sich, daß der Signalstrom bei der üblichen Signal
elektrodenspannung von 40 V um 15» abgesenkt Ist.
Dieser Effekt Ist typisch für eine a-Sl:H-Blldaufnahmeröhre und wurde nicht beobachtet, wenn die Maschenelektrodenspannung nur etwa 500 V beträgt, wie das bei Industrlefernseh-(ITV-)Kameras oder ähnlichen Kameras der Fall Ist.
Aufgabe der Erfindung Ist es, eine Bildaufnahmeröhre nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 so welterzubll- '
den, daß auch nach längerer Betriebszelt keine Verschlechterung der Slgnalstrom-Slgnalelektronenspannungs-Kennllnle auftritt, selbst wenn die Ladungsspelcherplatte der Bildaufnahmeröhre mit einem mit hoher Spannung
beschleunigten Elektronenstrahl abgetastet wird.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt erfindungsgemäß durch das Im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1
angegebene Merkmal.
ω Im folgenden wird die Erfindung anhand der Zeichnung beispielsweise näher erläutert. Es zeigt
Flg. 3 In Abhängigkeit von der Betriebsdauer die für jeweils gleichen Signalstrom erforderliche Signalelektrodenspannung mit der Maschenelektrodenspannung als Parameter,
Flg. 5 im Diagramm: die Änderung der für die Aufrechterhaltung eines bestimmten Signalstroms erforderllchen Signalelektrodenspannung über der Zelt für die verschiedenen Maschenelektrodenmateriallen.
Die Erfinder haben den Verschlechterungseffekt bei einer Bildaufnahmeröhre mit amorphen Silizium als
Material der photoleltenden Schicht Im einzelnen untersucht. Flg. 3 bezieht sich auf die Strom-Spannungskennwerte und zeigt In Abhängigkeit von der Betriebsdauer den Zusammenhang zwischen der Signalelektrodenspan-
nung, die notwendig 1st, um den gleichen Signalstrom zu erhalten, bei verschiedenen an der Maschenelektrode
anliegenden Spannungen. Wie aus Flg. 3 klar hervorgeht, muß die zur Erzielung des gleichen Signalstroms
erforderliche Signalelektrodenspannung um so größer gewählt werden, je höher die Maschenelektrodenspannung
lsi. Als Ergebnis detaillierterer Untersuchungen wurde gefunden, daß die Verschlechterung proportional zum
Quadrat der Maschenelektrodenspannung und zu der Elektronenstrahl! ntensltät Ist.
Fig. 4 zeigt eine Bildaufnahmeröhre, wie sie beispielsweise (bis auf die Elektronenstrahlbremsschlcht) aus der
GB-PS 13 49 351 bekannt ist. Elektronenstrahlbremsschlchten (beispielsweise aus Sb2S3 oder As2S3) auf der
Photoleitschicht aus amorphem Silizium anzuordnen, 1st allgemein üblich (DE-OS 29 45 156). Die Bezugszeichen
bezeichnen im einzelnen: 3 eine lichtdurchlässige Scheibe, wie zum Beispiel eine Glasplatte, 4 eine transparente
Signalelektrode, 5 eine a-Sl:H-photoleItende Schicht, 6 eine Elektronenstrablbremsschicht, 7 eine Maschenelektrode
und 8 einen Elektronenstrahl. Die Maschenelektrode wird auf der gleichen Spannung gehalten, wie die der
Wandanode 15 oder auf einer von der Spannung der Wandanode verschiedenen Spannung. Sie dient dazu, den
Elektronenstrahl 8 abzubremsen, und ermöglicht diesem, die photoleitende Schicht vorteilhaft zu erreichen. Als
Grund für die obengenannte Verschlechterung der Kennwerte kann das Kollidieren des Elektronenstrahls 8 mit
der Maschenelektrode 7 während der Bildaufnahme angesehen wenden, woraus sich eine Beeinflussung der
a-SI.H-Schlcht ergibt.
Verschiedene Ursachen für die oben erwähnte Verschlechterung der Kennwerte können in Betracht gezogen
werden, so zum Beispiel das Anhaften von Material auf der Oberfläche der a-Si:H-Schicht, das bei der Herstellung
der Maschenelektrode auf diese aufgesputtert wurde und das von der Maschenelektrode wegdiffundierte,
und die Erzeugung weicher Röntgenstrahlung, die beim Elektronenstrahlbeschuß mit auftritt. Auf jeden Fall
wird angenommen, daß das Maschenelektrodenmaterlal eine Rolle bei der oben erwähnten Verschlechterung
spielt.
Das obenstehend Beschriebene wird durch folgenden Versuch erläutert:
Üblicherweise wird Kupfer als Maschenelektrodenmaterlal verwendet (DE-OS 2041 193). Die Erfinder stellten
dagegen Maschenelektroden unter Verwendung verschiedener Materialien her und untersuchten deren WIrkungen.
Als ein Ergebnis wurde gefunden, daß eine aus wenigstens einem der Materialien Beryllium, Bor, Kohlenstoff,
Magnesium, Aluminium oder Silizium hergestellte Maschenelektrode wirksam die oben erwähnte
Verschlechterung der Kennwerte verhindert. In diesem Fall braucht nicht die ganze Maschenelektrode aus
einem solchen Material zu bestehen, sondern es genügt, wenn die Oberfläche der Maschenelektrode mit solch
einem Material beschichtet ist. In dem Fall der Beschichtung mit solch einem Material können als Trägermaterial
der Maschenelektrode Metalle wie Kupfer oder dergleichen verwendet werden, die zu diesem Zweck oft
benutzt wurden. Isolatoren oder dergleichen können ebenfalls verwendet werden, wenn der Anwendungszweck
der Maschenelektrode durch die Verwendung eines Beschlchtungsmateriais erzielt werden kann. Die Beschichtung
kann durch konventionelle Verfahren erfolgen. Es können zum Beispiel Sputterverfahren, Vakuumaufdampfverfahren
oder chemische Gasphasenabscheldungsverfahren (CVD) oder dergleichen angewendet werden.
Im Fall von Kohlenstoff und dergleichen kann ein Verfahren, das eine Kohlen-Lichtbogenentladung benutzt,
angewendet werden.
Um eine Wirkung zu erzielen, sollte die Beschichtung normal eine Dicke von 5 nm oder mehr -aufweisen;
10 nm oder mehr reichen aus. Üblicherweise werden Schichtdicken von 200 nm bis 300 nm verwendet. -to
Vom Standpunkt einer zufriedenstellenden Verhinderung der Verschlechterung der Kennwerte und der
Einfachheit der Herstellung aus, sind Kohlenstoff und Alumimium als Maschenelektrodenmaterial sehr zu
bevorzugen. Gleichermaßen haben sich Maschenelektroden, die mit diesen Materlallen beschichtet wurden, als
praktisch erwiesen.
Der in F1 g. 4 gezeigte Aufbau einer Ladungsspeicherplatte weist eine photoleitende Schicht 5 auf, die aus
wasserstoffhaltlgem amorphem Silizium besteht. Sie enthält 3 bis 30% Wasserstoffatome und 50% oder mehr
Slllzlumatome.
Als wasserstoffhaltlge amorphe Siliziumwerkstoffe sind solche bekannt, die verschiedenen Dotierungen unterzogen
wurden oder In die Kohlenstoff oder Germanium eingebaut wurde.
Auf einem Glassubstrat 3 1st eine transparente Signalelektrode 4 mit einer Dicke von 300 nm, zum Beispiel so
durch thermische Zersetzung von SrCl4, aufgebracht. Auf der oberen Fläche der transparenten Signalelektrode 4
1st eine etwa 2000 nm dicke a-Sl:H-PhotoleIterschlcht 5 angebracht. Diese a-SlrH-PhotoIelterschicht wird mit
wohlbekannten Verfahren, wie chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) von Monosilan-Glas bei Glimmentladung,
Sputtern von Silizium in einem Wasserstoff-Argon-Gasgemisch oder dergleichen, hergestellt.
Das reaktive Sputtern zum Beispiel, wobei man reines polykristallines Silizium als Target-Platte verwendet,
erfolgt In einer gemischten Gasatmosphäre von 4x10"' Pa Argon und 6,7x10"' Pa Wasserstoff. Das Substrat
wird dabei auf 250° C gehalten. In diesem Fall enthielt die a-Sl:H-PhotoIelterschlcht 13% Wasserstoffatome.
Weiterhin wird In üblicher Welse eine 50 nm dicke Schicht aus As2S3 (oder Sb2S3) als Elektronenbremsschicht 6
aufgetragen (DE-OS 29 45 156).
Damit ist die Herstellung der Ladungsspelcherplatte abgeschlossen. m>
Solch eine Ladungsspelcherplatte wurde mit einer Maschenelektrode, rile durch Beschichten eines Maschenelektrodensubstrats
aus Kupfer mit einer 70 nm dicken Alümlnlumschlcht erhalten wurde, kombiniert und bei
einer Maschenelektrodenspannung von 1500 V kontinuierlich betrieben.
Es ergab sich, daß die hohe Empfindlichkeit von 650 μΑ/lm oder eine höhere Empfindlichkeit (zum
Vergleich: die Anfangsempflndllchkeit beträgt 720 μΑ/lm) sogar nach einem ständigen Betrieb von 2000 Stun- &5
den aufrechterhalten werden konnte.
Ferner betrug die Empfindlichkeit 700 μΑ/lm oder mehr, nach einem Betrieb von 2000 Stunden, wenn die
Ladungsspelcherplatte ml. ilner Maschenelektrode kombiniert wurde, deren Elektrodensubstrat aus Kupfer (oder
Aluminium) bestand, das mit Kohlenstoff einer Dicke von 100 nm beschichtet wurde, und es konnte somit eine
Arnorph-Sillzlum-Blldaufnahmeröhre erstellt werden, die dem kontinuierlichen Gebrauch für lange Zelt standhält. Außerdem reflektiert die durch die Verwendung von Kohlenstoff erhaltene Maschenelektrode nicht das
durch die Amorph-Slllzlum-Photolelterschlcht durchgelassene Licht und verhindert somit einen Nachzieheffekt
auf dem Bild, so daß eine Bildwiedergabe noch höherer Qualltat erzielt werden kann.
Die Materlallen, die der Verschlechterung des Signals einer Bildaufnahmeröhre mit einer a-Sl: H-Photolei tschlcht entgegenwirken, sind: Beryllium, Bor, Kohlenstoff, Magnesium, Aluminium und Silizium. Diese Materialien sind In der folgenden Tabelle 1 zusammengefaßt:
ι» Tabelle 1
Kennwerte
Einfachheit der ΔΔΟΔΟΟΟΟ
20
Die Zeichen @, O und Δ In der Zeile »Unterdrückung der Verschlechterung der Kennwerte« der Tabelle drukken die Wirksamkeit der Verschlechterungsunterdrückung In absteigender Folge aus. Das Zeichen X bedeutet
eine Verschlechterung. Ebenso drücken In der Zelle »Einfachheit der Herstellung« die Zeichen O und Δ In
fallender Folge die Einfachheit der Herstellung aus. In dieser Tabelle sind die Materlallen Gold und Kupfer zum
Vergleich aufgeführt. Die Maschenelektrode muß nicht notwendigerweise aus diesem Material hergestellt sein,
das Ziel kann hinreichend dadurch erreicht werden, daß man ein weltläufig benutztes Kupfernetz mit diesen
Materlallen beschichtet.
Ferner werden vom Standpunkt der Einfachheit der Herstellr?>g aus Kohlenstoff und Aluminium bevorzugt.
Aus der Flg. 5 erkennt man den Grad der Verschlechterung der Kennwerte, der bei einem Betrieb mit 1500 V
Maschenelektrodenspannung hervorgerufen wird, wenn ein Kohlenstoffnetz (grade Linie 9), ein Aluminiumnetz
(grade Linie 10; und ein herkömmliches Kupfernetz (grade Linie !1) verwendet werden. Die effektive Änderung
des Signalstroms war nach einem Betrieb von 1000 Stunden Im Fall des Alumlniummasnhennetzes auf 5% oder
weniger, und im Fall des Kohlenstoffmaschennetzes auf 0,5» oder weniger, begrenzt. Eine Bildaufnahmeröhre
mit einer ausgezeichneten Lebeasdauerkennllnie kann durch die Kombination einer a-Sl:H-Photolelterschlcht
mit den oben genannten Maschenelektroden geschaffen werden.
Wie oben beschrieben, kann erfindungsgemäß das Absinken der Empfindlichkeit einer Bildaufnahmeröhre,
bei der amorphes Silizium als Photolelterschlchtmaterial benutzt wird, stark unterdrückt werden, und es kann
somit eine sehr hohe Zuverlässigkeit bei der Benutzung der erfindungsgemäßen Bildaufnahmeröhre erreicht
werden, wenn die Bildaufnahmeröhre im privaten Bereich oder zur Überwachung benutzt wird.
45
50
55
65
Claims (1)
1. Bildaufnahmeröhre mit
a) einer Ladungsspelcherplatte, bestehend aus:
- einer lichtdurchlässigen Scheibe (3),
- einer auf der lichtdurchlässigen Scheibe (3) angebrachten transparenten Signalelektrode (4),
- einer auf der transparenten Signalelektrode (4) angebrachten photoleitenden Schicht (5) aus wasserstoffhaltigem amorphen Silizium,
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57206150A JPS5996639A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | 撮像管 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3342707A1 DE3342707A1 (de) | 1984-05-30 |
DE3342707C2 true DE3342707C2 (de) | 1985-03-28 |
Family
ID=16518619
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3342707A Expired DE3342707C2 (de) | 1982-11-26 | 1983-11-25 | Bildaufnahmeröhre |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4564784A (de) |
JP (1) | JPS5996639A (de) |
DE (1) | DE3342707C2 (de) |
GB (1) | GB2132408B (de) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5934675A (ja) * | 1982-08-23 | 1984-02-25 | Hitachi Ltd | 受光素子 |
JPH01186538A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-26 | Hitachi Ltd | 撮像管 |
SE0103740D0 (sv) * | 2001-11-08 | 2001-11-08 | Forskarpatent I Vaest Ab | Photovoltaic element and production methods |
US7022910B2 (en) | 2002-03-29 | 2006-04-04 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic cells utilizing mesh electrodes |
US20070251570A1 (en) * | 2002-03-29 | 2007-11-01 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic cells utilizing mesh electrodes |
JP5350587B2 (ja) * | 2003-03-24 | 2013-11-27 | メルク パテント ゲーエムベーハー | メッシュ電極を備える光電セル |
US20070224464A1 (en) * | 2005-03-21 | 2007-09-27 | Srini Balasubramanian | Dye-sensitized photovoltaic cells |
US20070193621A1 (en) * | 2005-12-21 | 2007-08-23 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic cells |
WO2008122027A2 (en) * | 2007-04-02 | 2008-10-09 | Konarka Technologies, Inc. | Novel electrode |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1043481A (fr) * | 1951-10-05 | 1953-11-09 | Cfcmug | Perfectionnements aux cibles photoconductrices |
GB884292A (en) * | 1957-03-29 | 1961-12-13 | Emi Ltd | Improvements in or relating to devices employing photo-conductive deposits |
US2922907A (en) * | 1958-05-23 | 1960-01-26 | Gen Electric | Target electrode assembly |
US3946265A (en) * | 1969-09-17 | 1976-03-23 | U.S. Philips Corporation | Vidicon with grid wire angles selected to minimize chrominance signal interference |
GB1349351A (en) * | 1970-06-24 | 1974-04-03 | Emi Ltd | Electron discharge devices having charge storage targets |
NL7109140A (de) * | 1971-07-02 | 1973-01-04 | ||
JPS5638690Y2 (de) * | 1973-03-30 | 1981-09-09 | ||
NL7402013A (nl) * | 1974-02-14 | 1975-08-18 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting voor het opslaan en niet-destructief uitlezen van beeldinformatie, en geheugensysteem bevattende een dergelijke inrichting. |
JPS5444527A (en) * | 1977-09-16 | 1979-04-09 | Canon Inc | Image holding member |
JPS54150995A (en) * | 1978-05-19 | 1979-11-27 | Hitachi Ltd | Photo detector |
FR2441264A1 (fr) * | 1978-11-08 | 1980-06-06 | Hitachi Ltd | Ecran sensible aux radiations |
JPS6028284Y2 (ja) * | 1979-09-03 | 1985-08-27 | 株式会社ナカ技術研究所 | 階段用敷物 |
JPS5688240A (en) * | 1979-12-19 | 1981-07-17 | Hitachi Ltd | Camera tube |
JPS5730246A (en) * | 1980-07-31 | 1982-02-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Image pick-up device |
-
1982
- 1982-11-26 JP JP57206150A patent/JPS5996639A/ja active Granted
-
1983
- 1983-11-16 US US06/552,477 patent/US4564784A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-11-16 GB GB08330592A patent/GB2132408B/en not_active Expired
- 1983-11-25 DE DE3342707A patent/DE3342707C2/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2132408B (en) | 1986-01-02 |
GB8330592D0 (en) | 1983-12-21 |
JPS5996639A (ja) | 1984-06-04 |
US4564784A (en) | 1986-01-14 |
JPH0544132B2 (de) | 1993-07-05 |
DE3342707A1 (de) | 1984-05-30 |
GB2132408A (en) | 1984-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2926614C2 (de) | ||
DE3342707C2 (de) | Bildaufnahmeröhre | |
DE69809351T2 (de) | Solarbatteriemodul | |
DE897850C (de) | Bildspeicherroehre | |
DE2616148A1 (de) | Photoleitende schichten | |
DE2624781C3 (de) | Elektronenemittierende Elektrode und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2724160A1 (de) | Bildaufzeichnungsmaterial | |
DE2945156C2 (de) | ||
DE2612542C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines mit photoleitfähigem Selen beschichteten Gegenstandes fur die elektrophotographische Herstellung von Kopien | |
DE909378C (de) | Fotoelektronen oder Sekundaerelektronen emittierende Oberflaeche | |
DE2848137C2 (de) | Bildaufzeichnungsmaterial | |
DE2328492B2 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE1177197B (de) | Speicherplatte fuer eine Fernsehaufnahmeroehre und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE1299311B (de) | Speicherelektrode fuer Vidicon-Bildaufnahmeroehren | |
DE69508984T2 (de) | Bildverstärkerröhre | |
DE2909367A1 (de) | Dispersions-bildaufzeichnungsmaterial und bildaufzeichnungsverfahren | |
DE1201865B (de) | Schirm fuer Fernsehaufnahmeroehren vom Vidicontyp | |
DE2351254B2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Multidioden-Speicherplatte für eine Bildaufnahmeröhre | |
DE1421871A1 (de) | Speicherelektrode | |
DE3035438C2 (de) | ||
DE2111274B2 (de) | Aufzeichnungsträger mit einem metallischen Belag für Registriergeräte | |
DE2141233B2 (de) | Photoleiterelektrode und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE3039011A1 (de) | Sekundaerelektronenvervielfacher-fangelektrode bzw. -target | |
DE2909359C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektrochromen Anzeigevorrichtung | |
DE68920054T2 (de) | Herstellungsverfahren eines Photodetektors. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |