JPH01186538A - 撮像管 - Google Patents
撮像管Info
- Publication number
- JPH01186538A JPH01186538A JP473588A JP473588A JPH01186538A JP H01186538 A JPH01186538 A JP H01186538A JP 473588 A JP473588 A JP 473588A JP 473588 A JP473588 A JP 473588A JP H01186538 A JPH01186538 A JP H01186538A
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- Japan
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- film
- mesh electrode
- porous
- flare
- image pickup
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、フレアが生じ難い撮像管に関する。
ビデオカメラで、明るい環境下で撮影した場合などの画
像に所謂フレアが認められるのは良く知られているとこ
ろである。
像に所謂フレアが認められるのは良く知られているとこ
ろである。
ビデオカメラによる逼影画像に認められるフレアが、レ
ンズ等の光学系だけでなく、撮像管にも起因しているこ
とは既に知られており、例えば、特開昭59−9663
9号には、アモルファスシリコン光導電膜を用いたti
像管の寿命を延ばすために、Cにより製作したメツシュ
電極を組合せて用いると、画面のフレア防止の効果も得
られたことが記載されている。
ンズ等の光学系だけでなく、撮像管にも起因しているこ
とは既に知られており、例えば、特開昭59−9663
9号には、アモルファスシリコン光導電膜を用いたti
像管の寿命を延ばすために、Cにより製作したメツシュ
電極を組合せて用いると、画面のフレア防止の効果も得
られたことが記載されている。
上記撮像管によるフレアは、赤外光の吸収の大きい光導
電膜はど大きくなる傾向が見られ、その原因はターゲッ
トを一旦透過した赤外光がメツシュ電極によって反射さ
れ、光導電膜に再入射するためと考えられている。従来
、テレビジョン用カメラでは、フレア対策として、光学
系に赤外光をカットするフィルタを内蔵させていた。
電膜はど大きくなる傾向が見られ、その原因はターゲッ
トを一旦透過した赤外光がメツシュ電極によって反射さ
れ、光導電膜に再入射するためと考えられている。従来
、テレビジョン用カメラでは、フレア対策として、光学
系に赤外光をカットするフィルタを内蔵させていた。
侠
〔発明が解決しようとする柵題藤〕
光学系に赤外光をカットするフィルタを設けてフレア対
策をしたテレビカメラを使用しても、Se、へs+Te
系光導電膜の膜特性を改善したり、高感度化させたりし
た撮像管を組合せて使用すると、従来よりもフレアが太
き(なるという問題が生じた、また、高いS/N比を得
るために高感度ターゲットを用いたのに、赤外線カット
により入射光が制限されるため、十分なS/N改善効果
が得られないという課題もあった。
策をしたテレビカメラを使用しても、Se、へs+Te
系光導電膜の膜特性を改善したり、高感度化させたりし
た撮像管を組合せて使用すると、従来よりもフレアが太
き(なるという問題が生じた、また、高いS/N比を得
るために高感度ターゲットを用いたのに、赤外線カット
により入射光が制限されるため、十分なS/N改善効果
が得られないという課題もあった。
本発明は、上記従来の問題点を解決し、高感度化したS
s、As、Te系の光導電膜を備えたターゲットを使用
しながら、フレアが目立たないようにした撮像管を提供
することを目的とする。
s、As、Te系の光導電膜を備えたターゲットを使用
しながら、フレアが目立たないようにした撮像管を提供
することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記課題を解決するために本発明においては、Seを主
成分とする光導電膜を用いたターゲ7)に対し、少なく
とも表面がC1多孔質A11CrIP4多孔質pt、多
孔質Au0群から選ばれた少なくとも1種類の物質で被
覆されたメツシュ電極を組合せて用いることにした。
成分とする光導電膜を用いたターゲ7)に対し、少なく
とも表面がC1多孔質A11CrIP4多孔質pt、多
孔質Au0群から選ばれた少なくとも1種類の物質で被
覆されたメツシュ電極を組合せて用いることにした。
メツシュ電極の少なくとも表面が上記−群の物質中から
選んだ材料で被覆されていると、メツシュ電極表面が黒
くなり、ターゲットを透過して来た光に対する反射率が
低下し、光導電膜へ再入射する光量が減少する。
選んだ材料で被覆されていると、メツシュ電極表面が黒
くなり、ターゲットを透過して来た光に対する反射率が
低下し、光導電膜へ再入射する光量が減少する。
メツシュ電極に用いるメッシュは非常に目が細かいので
、通常は、目の細かいメツシュを作り易い材料たとえば
Cuで製作したメツシュの表面を、上記−群の物質中か
ら選んだ材料で被覆するようにすると製作が容易である
。また被覆の手段は一般的に知られている手段、例えば
、真空蒸着法、不活性ガス中でのボート加熱による蒸着
、スペック法、CVD法などを用いるのが良い、また目
詰まりを生じない限りなるべく被覆膜、特にA1.Au
。
、通常は、目の細かいメツシュを作り易い材料たとえば
Cuで製作したメツシュの表面を、上記−群の物質中か
ら選んだ材料で被覆するようにすると製作が容易である
。また被覆の手段は一般的に知られている手段、例えば
、真空蒸着法、不活性ガス中でのボート加熱による蒸着
、スペック法、CVD法などを用いるのが良い、また目
詰まりを生じない限りなるべく被覆膜、特にA1.Au
。
ptの場合は、表面が多孔質状態になっている方が良い
。
。
増感剤を高濃度に含有する光導電膜は、赤外光まで感度
がある。赤外光は可視光より光導電膜を透過し易いので
、吸収されなかった殆どの赤外光は、メツシュに到達し
、メツシュで反射、散乱され、光導電膜にもどり、そこ
で再び吸収される。
がある。赤外光は可視光より光導電膜を透過し易いので
、吸収されなかった殆どの赤外光は、メツシュに到達し
、メツシュで反射、散乱され、光導電膜にもどり、そこ
で再び吸収される。
従って特に高輝度な被写体を撮像したときは特に像がぼ
ける(輪郭がぼける)現象、即ちフレアが生じ易い。
ける(輪郭がぼける)現象、即ちフレアが生じ易い。
フレアを防止するには、赤外光が光導電膜へ入射しない
ように赤外カットフィルタを付ける方法や赤外光を吸収
しない光導電膜にするなど、他の方法もあるが、メツシ
ュ電極を黒(被覆することにより光の反射を防止する方
がフレア防止には効果的である。
ように赤外カットフィルタを付ける方法や赤外光を吸収
しない光導電膜にするなど、他の方法もあるが、メツシ
ュ電極を黒(被覆することにより光の反射を防止する方
がフレア防止には効果的である。
第1図は本発明一実施例の模式的断面図である、図中、
1は入射光(特に光導電膜を透過してメツシュ電極面に
到達する入射光)、2はガラス面板、3は透明導電膜、
4は光導電膜、5は本発明に係る反射防止材被覆、6は
メツシュ電極基体、7は電子ビーム走査用電極、8は電
子ビームである。なお、反射防止材波1915はメツシ
ュ電極の光導電膜側片側に、2000人〜3000人程
度の厚さに形成しである。
1は入射光(特に光導電膜を透過してメツシュ電極面に
到達する入射光)、2はガラス面板、3は透明導電膜、
4は光導電膜、5は本発明に係る反射防止材被覆、6は
メツシュ電極基体、7は電子ビーム走査用電極、8は電
子ビームである。なお、反射防止材波1915はメツシ
ュ電極の光導電膜側片側に、2000人〜3000人程
度の厚さに形成しである。
第2図はメツシュ電極の光反射率とフレア量の関係を任
意目盛で示す図で、横軸には従来の撮像管メツシュ電極
の表面がCu、A1.Auなどの金属光沢膜で被覆され
た場合の反射率を1として示し、縦軸にはフレア量を従
来管の場合を3と示しである、本発明に係る反射防止材
c+pd+cr+多孔質A1.多孔質Au等で被覆した
メツシュ電極では、光導電膜で吸収され切れずにメツシ
ュ電極に到達した光の大部分が反射防止材被覆に吸収さ
れて光導電膜の方へ反射されな(なり〜其の反射率は、
従来のメツシュ電極の約1/4に減少し、その結果、フ
レア量は約1/3に低減された。
意目盛で示す図で、横軸には従来の撮像管メツシュ電極
の表面がCu、A1.Auなどの金属光沢膜で被覆され
た場合の反射率を1として示し、縦軸にはフレア量を従
来管の場合を3と示しである、本発明に係る反射防止材
c+pd+cr+多孔質A1.多孔質Au等で被覆した
メツシュ電極では、光導電膜で吸収され切れずにメツシ
ュ電極に到達した光の大部分が反射防止材被覆に吸収さ
れて光導電膜の方へ反射されな(なり〜其の反射率は、
従来のメツシュ電極の約1/4に減少し、その結果、フ
レア量は約1/3に低減された。
以上説明したように本発明によれば、簡単な手段により
、フレアを大幅に低減することができ、カメラ光学系の
変更などの手間が省ける。赤外光にも感度の高い、例え
ば増感剤のToを多量に含有し高感度のSe−へ5−T
e系光導電膜を用いたIItl管に対して良好なフレア
抑制効果を示す。
、フレアを大幅に低減することができ、カメラ光学系の
変更などの手間が省ける。赤外光にも感度の高い、例え
ば増感剤のToを多量に含有し高感度のSe−へ5−T
e系光導電膜を用いたIItl管に対して良好なフレア
抑制効果を示す。
第1図は本発明一実施例の模式的断面図、第2図はメツ
シュ電極の光反射率とフレア量の関係を任意目盛で示す
図である。 1−・−・入射光(特に光導電膜を透過してメツシュ電
極面に到達する入射光)、 2−・・・ガラス面板、3
−透明導電膜、 4−・−光導電膜、 5・−・本発明
に係る反射防止材被覆、 6−・メツシュ電極基体、’
l−電子ビーム走査用電極、 8−・電子ビーム。 第 1 図 第 2 図
シュ電極の光反射率とフレア量の関係を任意目盛で示す
図である。 1−・−・入射光(特に光導電膜を透過してメツシュ電
極面に到達する入射光)、 2−・・・ガラス面板、3
−透明導電膜、 4−・−光導電膜、 5・−・本発明
に係る反射防止材被覆、 6−・メツシュ電極基体、’
l−電子ビーム走査用電極、 8−・電子ビーム。 第 1 図 第 2 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、Seを主成分とする光導電膜を用いたターゲットと
、少なくとも表面が、C、多孔質Al、Cr、Pd、多
孔質pt、多孔質Auの群から選ばれた少なくとも1種
類の物質で被覆されたメッシュ電極とを有することを特
徴とする撮像管。 2、上記メッシュ電極の表面がPdで被覆されている特
許請求の範囲第1項記載の撮像管。 3、上記メッシュ電極がCで被覆されている特許請求の
範囲第1項記載の撮像管。 4、上記メッシュ電極の表面がCrで被覆されている特
許請求の範囲第1項記載の撮像管。 5、上記メッシュ電極の表面が多孔質Al又は多孔質A
u又は多孔質Ptで被覆されている特許請求の範囲第1
項記載の撮像管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP473588A JPH01186538A (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | 撮像管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP473588A JPH01186538A (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | 撮像管 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01186538A true JPH01186538A (ja) | 1989-07-26 |
Family
ID=11592164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP473588A Pending JPH01186538A (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | 撮像管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01186538A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10564780B2 (en) | 2015-08-21 | 2020-02-18 | 3M Innovative Properties Company | Transparent conductors including metal traces and methods of making same |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5966034A (ja) * | 1982-10-07 | 1984-04-14 | Toshiba Corp | 電子管用メツシユ構体 |
JPS5996639A (ja) * | 1982-11-26 | 1984-06-04 | Hitachi Ltd | 撮像管 |
JPS63225463A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-20 | Sony Corp | 撮像管 |
-
1988
- 1988-01-14 JP JP473588A patent/JPH01186538A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5966034A (ja) * | 1982-10-07 | 1984-04-14 | Toshiba Corp | 電子管用メツシユ構体 |
JPS5996639A (ja) * | 1982-11-26 | 1984-06-04 | Hitachi Ltd | 撮像管 |
JPS63225463A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-20 | Sony Corp | 撮像管 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10564780B2 (en) | 2015-08-21 | 2020-02-18 | 3M Innovative Properties Company | Transparent conductors including metal traces and methods of making same |
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