DE3339245C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3339245C2 DE3339245C2 DE3339245A DE3339245A DE3339245C2 DE 3339245 C2 DE3339245 C2 DE 3339245C2 DE 3339245 A DE3339245 A DE 3339245A DE 3339245 A DE3339245 A DE 3339245A DE 3339245 C2 DE3339245 C2 DE 3339245C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- plasma
- layer
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 53
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 50
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 15
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 7
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 7
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 7
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N cobalt nickel Chemical compound [Co].[Ni].[Ni].[Ni] ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- -1 for example Substances 0.000 description 10
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 9
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- MRMOZBOQVYRSEM-UHFFFAOYSA-N tetraethyllead Chemical compound CC[Pb](CC)(CC)CC MRMOZBOQVYRSEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- ZBBLRPRYYSJUCZ-GRHBHMESSA-L (z)-but-2-enedioate;dibutyltin(2+) Chemical compound [O-]C(=O)\C=C/C([O-])=O.CCCC[Sn+2]CCCC ZBBLRPRYYSJUCZ-GRHBHMESSA-L 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIKRSDQIMZQKHS-UHFFFAOYSA-N C(C)[BH2+][GeH2]B[GeH2]B Chemical compound C(C)[BH2+][GeH2]B[GeH2]B DIKRSDQIMZQKHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000882 C2-C6 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- QQTGJVBUIOTPGZ-UHFFFAOYSA-N CCC[Zn]CCC Chemical compound CCC[Zn]CCC QQTGJVBUIOTPGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBXHTOUGJGDVMT-UHFFFAOYSA-N [Ag]c1ccccc1 Chemical compound [Ag]c1ccccc1 XBXHTOUGJGDVMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGOJDKCIHXGPTI-UHFFFAOYSA-N [P].[Co].[Ni] Chemical compound [P].[Co].[Ni] IGOJDKCIHXGPTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000218 acetic acid group Chemical group C(C)(=O)* 0.000 description 1
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical class CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- VJWQKBDLTVGKQE-UHFFFAOYSA-N benzene;cadmium(2+) Chemical compound [Cd+2].C1=CC=[C-]C=C1.C1=CC=[C-]C=C1 VJWQKBDLTVGKQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKHQMLKDCBPKBC-UHFFFAOYSA-N benzene;copper(1+) Chemical compound [Cu+].C1=CC=[C-]C=C1 MKHQMLKDCBPKBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- BXPPRJFGNCDPFT-UHFFFAOYSA-N bromo(triethyl)germane Chemical compound CC[Ge](Br)(CC)CC BXPPRJFGNCDPFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMFCXPWEKRAKMH-UHFFFAOYSA-N bromo(trimethyl)germane Chemical compound C[Ge](C)(C)Br WMFCXPWEKRAKMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BEKYRINHNQELIA-UHFFFAOYSA-N carbanide;gold(3+) Chemical compound [CH3-].[CH3-].[CH3-].[Au+3] BEKYRINHNQELIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- CZKMPDNXOGQMFW-UHFFFAOYSA-N chloro(triethyl)germane Chemical compound CC[Ge](Cl)(CC)CC CZKMPDNXOGQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZKXDURZBIICCF-UHFFFAOYSA-N cobalt;pentane-2,4-dione Chemical compound [Co].CC(=O)CC(C)=O SZKXDURZBIICCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 229920001795 coordination polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- QNZRVYCYEMYQMD-UHFFFAOYSA-N copper;pentane-2,4-dione Chemical compound [Cu].CC(=O)CC(C)=O QNZRVYCYEMYQMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- PWZMTDAOMOIOGV-UHFFFAOYSA-N dibromo(diethyl)germane Chemical compound CC[Ge](Br)(Br)CC PWZMTDAOMOIOGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABMGRFURETYKPP-UHFFFAOYSA-N dibromo(diphenyl)germane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Ge](Br)(Br)C1=CC=CC=C1 ABMGRFURETYKPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWUPRNSPZFPYEK-UHFFFAOYSA-N dichloro(diethyl)germane Chemical compound CC[Ge](Cl)(Cl)CC BWUPRNSPZFPYEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQECBLVSMFAWIZ-UHFFFAOYSA-N dichloro(dimethyl)germane Chemical compound C[Ge](C)(Cl)Cl YQECBLVSMFAWIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKKGKUDPKRTKLJ-UHFFFAOYSA-L dichloro(dimethyl)stannane Chemical compound C[Sn](C)(Cl)Cl PKKGKUDPKRTKLJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PFPTYRFVUHDUIN-UHFFFAOYSA-N dichloro(diphenyl)germane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Ge](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 PFPTYRFVUHDUIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OLOAJSHVLXNSQV-UHFFFAOYSA-N diethyl(dimethyl)plumbane Chemical compound CC[Pb](C)(C)CC OLOAJSHVLXNSQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNLAOSYQHBDIKW-UHFFFAOYSA-M diethylaluminium chloride Chemical compound CC[Al](Cl)CC YNLAOSYQHBDIKW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SPIUPAOJDZNUJH-UHFFFAOYSA-N diethylmercury Chemical compound CC[Hg]CC SPIUPAOJDZNUJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZLUHGRPVSRSHI-UHFFFAOYSA-N dimethylmagnesium Chemical compound C[Mg]C KZLUHGRPVSRSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATZBPOVXVPIOMR-UHFFFAOYSA-N dimethylmercury Chemical compound C[Hg]C ATZBPOVXVPIOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVIXKDRPFPUUOO-UHFFFAOYSA-N dimethylselenide Chemical compound C[Se]C RVIXKDRPFPUUOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXDJFNYEWKDJJA-UHFFFAOYSA-N dimethylstannane Chemical compound C[SnH2]C QXDJFNYEWKDJJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- WNGVGKSMZIOFON-UHFFFAOYSA-N diphenylgermanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Ge]C1=CC=CC=C1 WNGVGKSMZIOFON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HWMTUNCVVYPZHZ-UHFFFAOYSA-N diphenylmercury Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Hg]C1=CC=CC=C1 HWMTUNCVVYPZHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKRVHLWAVKJBFN-UHFFFAOYSA-N diphenylzinc Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Zn]C1=CC=CC=C1 MKRVHLWAVKJBFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZTYYBPPVOXULF-UHFFFAOYSA-N dipropylmercury Chemical compound CCC[Hg]CCC UZTYYBPPVOXULF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000426 electronic spectroscopy Methods 0.000 description 1
- KHQJREYATBQBHY-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethyl)plumbane Chemical compound CC[Pb](C)(C)C KHQJREYATBQBHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDYIOWXZMNKCHN-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethyl)stannane Chemical compound CC[Sn](C)(C)C VDYIOWXZMNKCHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GIEAINOVPLDQPT-UHFFFAOYSA-N ethylgermanium Chemical compound CC[Ge] GIEAINOVPLDQPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- UCNNJGDEJXIUCC-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)iron;iron Chemical compound [Fe].O[Fe]=O.O[Fe]=O UCNNJGDEJXIUCC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- DLAPQHBZCAAVPQ-UHFFFAOYSA-N iron;pentane-2,4-dione Chemical compound [Fe].CC(=O)CC(C)=O DLAPQHBZCAAVPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- WRYKIHMRDIOPSI-UHFFFAOYSA-N magnesium;benzene Chemical compound [Mg+2].C1=CC=[C-]C=C1.C1=CC=[C-]C=C1 WRYKIHMRDIOPSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXWPONVCMVLXBW-UHFFFAOYSA-M magnesium;carbanide;iodide Chemical compound [CH3-].[Mg+2].[I-] VXWPONVCMVLXBW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DLPASUVGCQPFFO-UHFFFAOYSA-N magnesium;ethane Chemical compound [Mg+2].[CH2-]C.[CH2-]C DLPASUVGCQPFFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRIJBUGBVQZNTB-UHFFFAOYSA-M magnesium;ethane;bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].[CH2-]C FRIJBUGBVQZNTB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000003099 maleoyl group Chemical group C(\C=C/C(=O)*)(=O)* 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SQZZGEUJERGRIN-UHFFFAOYSA-N manganese;pentane-2,4-dione Chemical compound [Mn].CC(=O)CC(C)=O SQZZGEUJERGRIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- LCTMIXFKOJXTHA-UHFFFAOYSA-N methylgermanium Chemical compound [Ge]C LCTMIXFKOJXTHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVDIOYBHEYUIBM-UHFFFAOYSA-M methylmercury(1+);iodide Chemical compound C[Hg]I JVDIOYBHEYUIBM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- FLESAADTDNKLFJ-UHFFFAOYSA-N nickel;pentane-2,4-dione Chemical compound [Ni].CC(=O)CC(C)=O FLESAADTDNKLFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- GYUPBLLGIHQRGT-UHFFFAOYSA-N pentane-2,4-dione;titanium Chemical compound [Ti].CC(=O)CC(C)=O GYUPBLLGIHQRGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- BQVCCPGCDUSGOE-UHFFFAOYSA-N phenylarsine oxide Chemical compound O=[As]C1=CC=CC=C1 BQVCCPGCDUSGOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- GCFCSMATUMXBCL-UHFFFAOYSA-N propylgermanium Chemical compound CCC[Ge] GCFCSMATUMXBCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- DMTMQVNOOBTJCV-UHFFFAOYSA-N tetra(propan-2-yl)plumbane Chemical compound CC(C)[Pb](C(C)C)(C(C)C)C(C)C DMTMQVNOOBTJCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFCAKJKUYFLYFK-UHFFFAOYSA-N tetrabutyltin Chemical compound CCCC[Sn](CCCC)(CCCC)CCCC AFCAKJKUYFLYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWWNQEOPUOCKGR-UHFFFAOYSA-N tetraethyltin Chemical compound CC[Sn](CC)(CC)CC RWWNQEOPUOCKGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJPKDRJZNZMJQM-UHFFFAOYSA-N tetrakis(prop-2-enyl)stannane Chemical compound C=CC[Sn](CC=C)(CC=C)CC=C XJPKDRJZNZMJQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003698 tetramethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- ZRLCXMPFXYVHGS-UHFFFAOYSA-N tetramethylgermane Chemical compound C[Ge](C)(C)C ZRLCXMPFXYVHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOOGZRUBTYCLHG-UHFFFAOYSA-N tetramethyllead Chemical compound C[Pb](C)(C)C XOOGZRUBTYCLHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXKWYPOMXBVZSJ-UHFFFAOYSA-N tetramethyltin Chemical compound C[Sn](C)(C)C VXKWYPOMXBVZSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILEXMONMGUVLRM-UHFFFAOYSA-N tetraphenylgermane Chemical compound C1=CC=CC=C1[Ge](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ILEXMONMGUVLRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRHIAMBJMSSNNM-UHFFFAOYSA-N tetraphenylstannane Chemical compound C1=CC=CC=C1[Sn](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 CRHIAMBJMSSNNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- VLZFWMHRXCHTLY-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethyl)germane Chemical compound CC[Ge](Cl)(Cl)Cl VLZFWMHRXCHTLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEFXFMQVSDTSPA-UHFFFAOYSA-N trichloro(methyl)germane Chemical compound C[Ge](Cl)(Cl)Cl FEFXFMQVSDTSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRDWKEKRZCWTTM-UHFFFAOYSA-N trichloro(propyl)germane Chemical compound CCC[Ge](Cl)(Cl)Cl YRDWKEKRZCWTTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWLAZSNDQWIQLN-UHFFFAOYSA-N triethyl(fluoro)germane Chemical compound CC[Ge](F)(CC)CC ZWLAZSNDQWIQLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMSWJBZPRYKQHJ-UHFFFAOYSA-N triethylgermanium Chemical compound CC[Ge](CC)CC YMSWJBZPRYKQHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LOAWHQCNQSFKDK-UHFFFAOYSA-N triethyltin Chemical compound CC[Sn](CC)CC.CC[Sn](CC)CC LOAWHQCNQSFKDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N triisobutylaluminium Chemical compound CC(C)C[Al](CC(C)C)CC(C)C MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COHOGNZHAUOXPA-UHFFFAOYSA-N trimethyl(phenyl)stannane Chemical compound C[Sn](C)(C)C1=CC=CC=C1 COHOGNZHAUOXPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRILPLAMVMGPKR-UHFFFAOYSA-N trimethyl(propyl)plumbane Chemical compound CCC[Pb](C)(C)C XRILPLAMVMGPKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UKHQRARQNZOXRL-UHFFFAOYSA-N trimethyltin Chemical compound C[SnH](C)C UKHQRARQNZOXRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCRMAATUKBYMPA-UHFFFAOYSA-N trimethyltin Chemical compound C[Sn](C)C.C[Sn](C)C CCRMAATUKBYMPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLAJUCLVZORTHN-UHFFFAOYSA-N triphenylgermanium Chemical compound C1=CC=CC=C1[Ge](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 SLAJUCLVZORTHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFHRNKANAAGQOH-UHFFFAOYSA-N triphenylstannane Chemical compound C1=CC=CC=C1[SnH](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHRNKANAAGQOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UAPQJVJCJITJET-UHFFFAOYSA-N triphenyltin Chemical compound C1=CC=CC=C1[Sn](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1[Sn](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UAPQJVJCJITJET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKLQBHROODDCHR-UHFFFAOYSA-N trityltin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)([Sn])C1=CC=CC=C1 SKLQBHROODDCHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- HEPBQSXQJMTVFI-UHFFFAOYSA-N zinc;butane Chemical compound [Zn+2].CCC[CH2-].CCC[CH2-] HEPBQSXQJMTVFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/733—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer characterised by the addition of non-magnetic particles
- G11B5/7334—Base layer characterised by composition or structure
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73923—Organic polymer substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73923—Organic polymer substrates
- G11B5/73927—Polyester substrates, e.g. polyethylene terephthalate
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73923—Organic polymer substrates
- G11B5/73927—Polyester substrates, e.g. polyethylene terephthalate
- G11B5/73929—Polyester substrates, e.g. polyethylene terephthalate comprising naphthalene ring compounds, e.g. polyethylene naphthalate substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Landscapes
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen magnetischen Aufzeichnungsträger, bei dem zwischen
einer Trägerschicht und einem magnetischen Dünnfilm eine nichtmagnetische Zwischenschicht
ausgebildet ist.
Ein bekannter magnetischer Aufzeichnungsträger dieser Art (DE-OS 31 17 931)
weist eine Trägerschicht aus einer Aluminium- oder Titanlegierung auf, die mit
einer hochglanzpolierten, z. B. etwa 30 μm dicken Zwischenschicht aus einer
Nickel-Phosphor-Legierung beschichtet ist, die ihrerseits einen magnetischen
Metalldünnfilm aus einer Kobalt-Nickel-Phosphor-Legierung trägt. Der magnetische
Metallfilm ist mit einem Schutzfilm aus Halbmetalloxid, Metalloxid oder Metall
überzogen. Dieser Schutzfilm ist seinerseits mit einem dünnen Schmiermittelfilm
aus einem festen Schmiermittel beschichtet. Bei einer abgewandelten Ausführungsform
des bekannten magnetischen Aufzeichnungsträgers ist auf einer
metallischen Trägerschicht eine hochglanzpolierte Metalloxid-Zwischenschicht ausgebildet,
die mit einem magnetischen Oxiddünnfilm beschichtet ist, der seinerseits
mit einem dünnen Schmiermittelfilm aus einem festen Schmiermittel bedeckt
ist. Der bekannte magnetische Aufzeichnungsträger ist für Anwendungen bestimmt,
bei denen während der Aufnahme oder der Wiedergabe ein Luftfilm zwischen
dem Aufzeichnungsträger und dem Magnetkopf ausgebildet wird und bei
denen es zu einem Kontakt zwischen Aufzeichnungsträger und Magnetkopf nur
beim Start und beim Stopp kommt. Der Schmiermittelfilm soll dabei einerseits
die Klebewirkung zwischen Aufzeichnungsträger und Magnetkopf kleinhalten,
andererseits aber an der darunterliegenden hochglanzpolierten Schicht gut anhaften
und dadurch den Aufzeichnungsträger gegen Verschleiß bei dem zeitweisen
Kontakt mit dem Magnetkopf schützen.
Daneben werden für Videoaufzeichnungen in großem Umfang magnetische Aufzeichnungsträger
verwendet, die eine Kunststoffträgerschicht aufweisen, welche
mit einer magnetischen Beschichtungsmasse aus einem ferromagnetischen Pulver
und einem organischen Bindemittel überzogen ist. Bei solchen Aufzeichnungsträgern
macht es jedoch das Vorhandensein des Bindemittels theoretisch nahezu
unmöglich, eine größere magnetische Restflußdichte als 0,3 bis 0,4 T zu
erreichen. Qualitätsverbesserungen an magnetischen Aufzeichnungsträgern sowie
ein sich rasch ausbreitender Markt für solche Aufzeichnungsträger haben zu
einem ständig steigenden Bedürfnis nach Aufzeichnungsträgern geführt, die eine
Informationsaufzeichnung mit höherer Dichte zulassen, als dies bisher möglich
war. Im Hinblick darauf wurden magnetische Aufzeichnungsträger mit einem
ferromagnetischen Dünnfilm entwickelt, der dadurch erhalten wird, daß ein dünner
Film aus einem ferromagnetischen Metall, beispielsweise einem Element oder
einer Legierung der Eisengruppe, auf einem Schichtträger durch Vakuumaufdampfung,
Zerstäubung, Ionenplattieren, Ionenstrahlabscheidung,
elektrochemische Abscheidung oder dergleichen ausgebildet
wird. Unter diesen Techniken dürfte die Vakuumaufdampfung
das vielversprechendste Verfahren darstellen,
um große Filmlängen in industriellem Maßstab zu erzielen,
und von zahlreichen Fachleuten werden umfängliche
Forschungsarbeiten in dieser Richtung durchgeführt.
Der magnetische Aufzeichnungsträger muß gewisse wesentliche
Eigenschaften besitzten, von denen das Standbildverhalten
besonders wichtig ist. Um eine gute Standbildwiedergabe
während des Abspielens des Aufzeichnungsträgers
auf einem Videobandgerät sicherzustellen, kommt es
entscheidend darauf an, den Verschleiß der Magnetbandoberfläche
auf Grund des Kontaktes mit den Wiedergabeköpfen
zu minimieren oder ganz auszuschließen. Bei einem
bestimmten Videorecordersystem wird beispielsweise
die Standbildwiedergabe durch Abtasten eines vorbestimmten
Teils des entlang einem rotierenden Kopf genau gehaltenen
Bandes mittels zweier magnetischer Köpfe bewirkt,
die um 180° versetzt an einer rasch drehenden
Trommel angebracht sind. Wenn das Band eine niedrige
Verschleißfestigkeit hat, wird durch die Abtastung die
Bandoberfläche allmählich abgekratzt, wodurch die Standbilddauer
verkürzt wird. Es ist infolgedessen wichtig,
den Bandverschleiß beim Abtasten durch die mit hoher Geschwindigkeit
laufenden Magnetköpfe zu minimieren und
die Wiedergabedauer zu verlängern. Dies gilt in besonderem
Maße für Schmalspurköpfe, die eingesetzt werden, um
das Erfordernis einer Aufzeichnung mit hoher Dichte zu
erfüllen, die aber die Standbildwiedergabedauer erheblich
verkürzen.
Es wurden Versuche gemacht, die Standbildwiedergabedauer
von beschichteten magnetischen Aufzeichnungsträgern dadurch
zu erhöhen, daß in die Überzüge auf den Bändern
unterschiedliche Schleifmittel eingebracht werden; damit wurden günstige Ergebnisse
erzielt. Bei einem Aufzeichnungsträger mit magnetischem Metalldünnfilm
läßt sich aber auf diese Weise das Standbildverhalten wegen der Schwierigkeit,
solche Schleifmittel zuzusetzen, sowie wegen der geringen Schichtdicke kaum
verbessern.
Versuche, die Verschleißfestigkeit von Aufzeichnungsträgern mit Metalldünnfilm
durch Ausbildung einer speziellen Deckschicht auf der Magnetschicht zu verbessern
(wie dies auch aus der oben diskutierten DE-OS 31 17 931 bekannt ist),
erwiesen sich in gewissem Umfang als wirkungsvoll. Alternativen sind jedoch
erwünscht, weil die Deckschicht leicht zu anderen Nachteilen führen kann.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei magnetischen Aufzeichnungsträgern
das Standbildverhalten zu verbessern.
Diese Aufgabe wird bei einem magnetischen Aufzeichnungsträger der eingangs
genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Zwischenschicht aus
einer metallorganischen plasmapolymerisierten Schicht mit einer Schichtdicke
von 1 bis 10 nm besteht, der magnetische Dünnfilm ein ferromagnetischer Metallfilm
mit einer Schichtdicke von 0,05 bis 0,1 μm ist und die Trägerschicht
aus Kunststoff besteht.
Versuche haben gezeigt, daß ein derart aufgebauter magnetischer Aufzeichnungsträger
hervorragende Standbildeigenschaften hat. Dies dürfte darauf zurückzuführen
sein, daß die metallorganische plasmapolymerisierte Zwischenschicht sowohl
an der Kunststoffträgerschicht als auch an dem ferromagnetischen Metalldünnfilm
besonders gut anhaftet und damit für eine verstärkte Haftung zwischen
der Kunststoffträgerschicht und dem Metalldünnfilm sorgt.
Zwar ist es bekannt (US-PS 41 37 365), die Kratzfestigkeit von aus Kunststoff
gefertigten optischen Bauteilen, insbesondere Linsen, durch Aufbringen eines
durchsichtigen plasmapolymerisierten Organosilanüberzuges zu verbessern. Dabei
bildet aber der Organosilanüberzug die Außenschicht und nicht etwa eine
die gegenseitige Haftung einer Kunststoffträgerschicht und einer Metalldünnschicht
verbessernde Zwischenschicht.
Die Erfindung ist im folgenden anhand von bevorzugten Ausführungsbeispielen
näher erläutert. Die beiliegende einzige Figur zeigt eine schematische Darstellung
einer Vorrichtung zur Plasmapolymerisation, die sich zur Herstellung des
magnetischen Aufzeichnungsträgers nach der Erfindung eignet.
Der vorliegend vorgesehene magnetische Aufzeichnungsträger mit ferromagnetischem
Metalldünnfilm besteht aus einer magnetischen Aufzeichnungsschicht aus
einem Element der Eisengruppe, beispielsweise Eisen, Nickel oder Kobalt, oder
einer Legierung dieser Elemente oder
einer Legierung, die außerdem ein oder mehrere weitere
Elemente enthält, wobei die Schicht in einer Dicke von
etwa 0,05 bis 0,1 μm auf einem herkömmlichen Schichtträger,
beispielsweise aus Polyethylenterephthalat, Polyimid,
Polyamid oder Polyethylennaphthalat, ausgebildet
ist. Die Aufdampfung stellt das am meisten verwendete
Verfahren zur Ausbildung der magnetischen Aufzeichnungsschicht
dar. Für die Aufdampfung wurden verschiedene
Techniken vorgeschlagen, um die Koerzitivkraft zu steigern
und das Rechteckigkeitsverhältnis der aufgetragenen
Schicht zu verbessern. Dazu gehören das Aufdampfen unter
schrägem Auftreffwinkel, das Aufdampfen im Magnetfeld
und eine Wärmebehandlung. Das erstgenannte Vorgehen eignet
sich besonders zur Verbesserung der magnetischen
Eigenschaften der Schicht.
Die Schrägauftreff-Aufdampfung stellt, wie der Name
sagt, ein Verfahren dar, das von dem Phänomen Gebrauch
macht, daß durch Ablagerung von verdampften Atomen unter
einem schrägen Winkel zur Oberfläche des Schichtträgers
eine einachsige magnetische Aniosotropie auftritt.
Bei diesem Phänomen spielen komplizierte Mechanismen
eine Rolle, und die Gründe der magnetischen Anisotropie
sind noch nicht voll geklärt. Allgemein dürften
Selbstabschattungseffekte, säulenförmiges Kristallwachstum
und magnetostriktive Effekte zu der Entwicklung
der Anisotropie beitragen. Bei der Schrägauftreff-
Aufdampfung wird meist so vorgegangen, daß man in einem
Vakuumtank ein Substrat von einer Vorratsspule zu einer
Aufwickelspule und um einen Teil des Umfangs einer zylindrischen
Trommel laufen läßt sowie einen Metalldampf
von einer ferromagnetischen Metalldampfquelle auf das
entlang der Trommel laufende Substrat derart richtet,
daß die Teilchen unter einem schrägen Auftreffwinkel
auf die Oberfläche auftreffen. Die zylindrische Trommel
wird mit einem Gas oder einer Flüssigkeit gekühlt, um
die Wärme von dem Substrat abzuleiten:
Ein typischer dünner ferromagnetischer Metallfilm wird
im Schrägauftreff-Verfahren beispielsweise dadurch ausgebildet,
daß ein verdampftes Material, das in der
Hauptsache aus einer Kobalt-Nickel-Legierung (z. B. Co : Ni = 80 : 20
[Gewichtsverhältnis]) besteht, unter einem Auftreffwinkel
von etwa 60° bis 80° abgeschieden wird, um
auf dem Sustrat eine Schicht mit einer Dicke von etwa
0,06 bis 0,10 μm zu erhalten. Die resultierende Schicht
hat eine Koerzitivkraft im Bereich von etwa 72 bis
80 kA/m und eine Restflußdichte von etwa 0,60 bis 0,85 T;
sie eignet sich für magnetische Aufzeichnungen
hoher Dichte.
Ein magnetischer Aufzeichnungsträger mit dünnem ferromagnetischem
Film hält, wie oben ausgeführt, eine
Standbildwiedergabe nicht für längere Zeitspannen aus.
Beispielsweise hat ein Aufzeichnungsträger bei Verwendung
einer Kobalt-Nickel-Legierung eine Standbildwiedergabedauer
von nur etwa 10 Minuten. Erfindungsgemäß
läßt sich die Standbildwiedergabe verlängern, indem auf
dem Schichtträger zunächst ein organischer, plasmapolymerisierter
Film ausgebildet wird und dann darüber ein
dünner ferromagnetischer Metallfilm durch Aufdampfung
oder dergleichen abgeschieden wird.
Das Plasmapolymerisationsverfahren besteht darin, daß
ein Entladungsplasma eines Trägergases, beispielsweise
Ar, He, H2 oder N2, mit einem Monomergas gemischt und
das gemischte Gas mit der Oberfläche des Schichtträgers
unter Ausbildung eines plasmapolymerisierten Filmes auf
diesem Träger in Kontakt gebracht wird. Im Prinzip wird
ein elektrisches Feld an das auf einem niedrigen Druck
gehaltene Gas angelegt, und die freien Elektronen, die
in kleiner Menge in dem Gas vorhanden sind, erfahren in
dem elektrischen Feld eine erhebliche Beschleunigung,
weil der intermolekulare Abstand wesentlich größer als
bei gewöhnlichem Druck ist. Die Elektronen nehmen auf
diese Weise eine kinetische Energie (Elektronentemperatur)
0,8 · 10-18 bis 1,6 · 10-18 an. Wenn die Atome mit dieser Geschwindigkeit
mit anderen Atomen oder Molekülen kollidieren,
brechen sie die Atom- oder Molekülhüllen auf,
und es erfolgt eine Dissoziation zu normalerweise instabilen
chemischen Teilchen, wie Elektronen, Ionen und
neutralen Radikalen. Die dissoziierten Elektronen erfahren
wiederum eine Beschleunigung im elektrischen Feld,
um ihrerseits andere Atome und Moleküle zu dissoziieren.
Durch diese Kettenreaktion wird das Gas rasch in einen
hochionisierten Zustand oder die als Plasmagas bekannte
Form überführt. Bei einer Wahrscheinlichkeit für wenige
Kollisionen mit Elektronen absorbieren die Gasmoleküle
nur eine geringe Energie, und sie werden auf einer
Temperatur gehalten, die nahe dem normalen Wert liegt.
Das System, bei dem die kinetische Energie der Elektronen
(Elektronentemperatur) und die thermische Bewegung
der Moleküle (Gastemperatur) voneinander getrennt sind,
wird als Niedertemperaturplasma bezeichnet, wobei die
chemischen Teilchen in vergleichsweise großem Umfang
ihre ursprüngliche Form bewahren und für eine additive
chemische Reaktion, beispielsweise eine Polymerisation,
bereit sind. Vorliegend werden die obengenannten Bedingungen
genutzt, um über einem Schichtträger einen plasmapolymerisierten
Film auszubilden. Das Niedertemperaturplasma
übt auf den Schichtträger keinen nachteiligen
thermischen Effekt aus.
Als Monomergas eignen sich vorliegend alle herkömmlichen
plasmapolymerisierbaren organischen Verbindungen
einschließlich Kohlenstoff-Wasserstoff-, Kohlenstoff-
Wasserstoff-Sauerstoff-, Kohlenstoff-Halogen-, Kohlenstoff-
Sauerstoff-Halogen- und Kohlenstoff-Wasserstoff-
Halogen-Systemen sowie metallorganischen Verbindungen.
Siliziumorganische Verbindungen, wie verschiedene Silane
mit Siloxanbindungen, und verschiedene schwefel- oder
stickstoffhaltige organische Verbindungen sind gleichfalls
brauchbar. Metallorganische Verbindungen erwiesen
sich für die vorliegenden Zwecke als besonders geeignet.
Ein dünner Film aus einem plasmapolymerisierten metallorganischen
Polymer läßt sich dadurch ausbilden, daß ein
Entladungsplasma eines Trägergases, beispielsweise Ar, He,
H2 oder N2, mit einem metallorganischen Gas oder einem
Gas gemischt wird, das durch Auflösen einer metallorganischen
Verbindung in einem organischen Lösungsmittel erzeugt
wird, und daß das gemischte Gas dann mit der zu behandelnden
Schichtträgeroberfläche in Berührung gebracht
wird. Bei dem verwendeten metallorganischen Gas kann es
sich um beliebige plasmapolymerisierbare organische Verbindungen
und Komplexsalze, beispielsweise von Zinn, Titan,
Aluminium, Kobalt, Eisen, Kupfer, Nickel, Mangan,
Zink, Blei, Gallium, Indium, Quecksilber, Magnesium, Selen,
Arsen, Gold, Silber, Cadmium und Germanium handeln.
Beispiele sind nachstehend durch Gruppen von Formeln angegeben,
in welchen R für eine organische Gruppe und X
für Wasserstoff oder ein Halogen stehen:
- (A)MIR
Phenylkupfer, Phenylsilber und dergleichen - (B) MIIR o X2-o (wobei o = 1,2)
Diethylzink, Dimethylzink, Methylquecksilberjodid, Methylmagnesiumjodid, Ethylmagnesiumbromid, Dimethylquecksilber, Dimethylselen, Dimethylmagnesium, Diethylmagnesium, Diphenylmagnesium, Dimethylzink, Di-n-propylzink, Di-n- butylzink, Diphenylzink, Diphenylcadmium, Diethylquecksilber, Di-n-propylquecksilber, Allylethylquecksilber, Diphenylquecksilber, und dergleichen; - (C) MIIIR p X3-p (wobei p = 1, 2, 3)
Trimethylaluminium, Triethylaluminium, Triisobutylaluminium, Trimethylgallium, Trimethylindium, Diethylaluminiumchlorid, Trimethylgold und dergleichen; - (D) MIVR q X4-q (wobei q = 1, 2, 3, 4)
Tetramethylzinn, Di-n-butylzinnmaleat, Dibutylzinndiacerat, Tetra-n-butylzinn, Tetraethylblei, Tetramethylgermanium, Tetraethylgermanium, Diethylcyclogermanahexan, Tetraphenylgermanium, Methylgermanium, Ethylgermanium, n-Propylgermanium, Triethylgermanium, Diphenylgermanium, Triphenylgermanium, Trimethylbromgermanium, Triethylbromgermanium, Triethylfluorgermanium, Triethylchlorgermanium, Dimethyldichlorgermanium, Methyltrichlorgermanium, Diethyldichlorgermanium, Diethyldibromgermanium, Diphenyldibromgermanium, Diphenyldichlorgermanium, Ethyltrichlorgermanium, Ethyltriborgermanium, n-Propyltrichlorgermanium, Tetraethylzinn, Trimethylethylzinn, Tetraallylzinn, Tetraphenylzinn, Phenyltrimethylzinn, Triphenylmethylzinn, Dimethylzinn-dichlorid, Dimethylzinn- dihydrid, Trimethylzinn-hydrid, Triphenylzinn-hydrid, Tetramethylblei, Tetra-n-propylblei, Tetraisopropylblei, Trimethylethylblei, Trimethyl-n-propylblei, Dimethyldiethylblei und dergleichen; - (E) MVIR6-r (wobei r = 1, 2, 3, 4, 6)
Hexaethylgermanium, Hexamethyldizinn, Hexaethyldizinn, Hexaphenyldizinn und dergleichen; - (F) Acetylaceton-Komplexe
Acetylacetontitan, Acetylacetonaluminium, Acetylacetonkobalt, Acetylacetoneisen, Acetylacetonkupfer, Acetylacetonnickel, Acetylacetonmangan und dergleichen.
Anmerkung: R ist eine organische Gruppe, z. B.
ein C1-10 (vorzugsweise C1-6)-Alkyl,
ein C2-6-Alkenyl (Allyl),
ein Aryl (Phenyl), oder
eine Acyloxy-(Maleoyl- oder Acetyl-)Gruppe;
und
X ist ein Halogen, z. B. Fluor, Chlor,
Brom oder Jod.
Daneben können auch Phenylarsinoxid und dergleichen Stoffe
verwendet werden.
In der beiliegenden einzigen Figur ist eine Plasmapolymerisationsvorrichtung
schematisch dargestellt, bei der
eine Hochfrequenzentladung benutzt wird, um einen dünnen
plasmapolymerisierten Film auf dem Schichtträger eines
magnetischen Aufzeichnungsträgers auszubilden.
In ein Polimerisationsreaktionsgefäß R wird ein Monomergas
von einer Quelle 1 und ein Trägergas von einer Quelle 2
über Durchflußmengenregler 3 bzw. 4 und nach Mischen
mittels eines Mischers 5 eingespeist. Das Monomergas oder
das in dem Reaktionsgefäß zu polymerisierende Material
wird unter den plasmapolymerisierbaren Stoffen ausgewählt.
Als Trägergas eignen sich Ar, He, H2, N2 und dergleichen.
Das Monomergas wird in einer Durchflußmenge von 1 bis
100 ml/min, das Trägergas in einer Durchflußmenge von 50
bis 500 ml/min zugeführt. In dem Reaktionsgefäß R befinden
sich Mittel zum Abstützen des Schichtträgers des zu
behandelnden magnetischen Aufzeichnungsträgers. Dabei
handelt es sich bei der veranschaulichten Anordnung um
eine Vorratsrolle 9 und eine Aufwickelrolle 10 für den
Schichtträger eines Magnetbandes. In Abhängigkeit von der
Form des zu behandelnden Schichtträgers können unterschiedliche
andere Abstützungen vorgesehen werden, beispielsweise
stationäre oder rotierende Abstützungen. Zwei
Elektroden 7, 7′ verlaufen waagerecht und parallel zu dem
Förderweg des Schichtträgers des Magnetbandes, der zwischen
den Elektroden hindurchläuft. Die eine Elektrode 7
ist an eine Hochfrequenz-Energiequelle 6 angeschlossen,
während die andere Elektrode 7′ bei 8 an Masse angelegt
ist. Das Gefäß R ist ferner zur Evakuierung mit einem Vakuumsystem
ausgerüstet, zu dem eine Flüssigstickstoffalle
11, eine Rotationspumpe 12 im Ölabdichtung und ein
Vakuumregler 13 gehören. Dieses Vakuumsystem hält innerhalb
des Gefäßes ein Vakuum von 1,3 bis 1333 Pa aufrecht.
Um die Dicke des plasmapolymerisierten Filmes nach Wunsch
ändern zu können, können nicht veranschaulichte Mittel
zum Steuern oder Regeln der Drehzahl der Aufwickelrolle
vorgesehen sein.
Im Betrieb wird das Reaktionsgefäß R mittels der ölabgedichteten
Rotationspumpe zunächst auf einen Wert von mehr
als 0,13 Pa evakuiert, und das Monomergas sowie das
Trägergas werden gemischt in vorbestimmten Durchflußmengen
eingespeist. Der in dem Gefäß herrschende Unterdruck
wird innerhalb eines Bereichs von 1,3 bis 1333 Pa eingeregelt.
Sobald die Geschwindigkeit des Schichtträgers
des Magnetbandes und die Durchflußmengen des Monomergases
und des Trägergases stetige Werte angenommen haben,
wird die Hochfrequenzenergiequelle eingeschaltet. Dann
wird ein plasmapolymerisierter Film auf dem sich fortbewegenden
Schichtträger des magnetischen Aufzeichnungsträgers
abgeschieden. Ein plasmapolymerisierter Film
der gewünschten Dicke wird gebildet, indem mindestens
einer der drei folgenden Parameter gesteuert oder geregelt
wird: die Gasdurchflußmengen, die Reaktionsdauer
und die Geschwindigkeit des Schichtträgers des Aufzeichnungsträgers.
Der Augenblick, in dem die dem Monomer eigene
Plasmafarbe gerade verschwunden ist, wird als Endpunkt
der Reaktion betrachtet.
Anstelle der Hochfrequenzentladung kann für die Plasmaquelle
auch eine Mikrowellen-, Gleichspannungs- oder
Wechselspannungsentladung vorgesehen werden.
Der auf diese Weise mit dem plasmapolymerisierten Film
überzogene Schichtträger wird dann behandelt, um darauf
einen dünnen ferromagnetischen Metallfilm, beispielsweise
durch Aufdampfen, auszubilden.
Die Dicke des plasmapolymerisierten Filmes hängt von
den gewünschten Eigenschaften der magnetischen Aufzeichnungsschicht
und der Art des gewählten plasmapolymerisierbaren
Materials ab; es ist jedoch ratsam, daß die
Filmdicke einen gewissen Mindestwert übersteigt. Offenbar
eignet sich ein mindestens 1 nm dicker Polymerfilm,
um sicherzustellen, daß die Standbildwiedergabedauer
etwa dreimal so groß ist, wie wenn kein derartiger plasmapolymerisierter
Film vorgesehen ist.
Der plasmapolymerisierte Film hat ein dreidimensional
ausgebildetes, dichtes und festes Polymergefüge; er haftet
an dem Schichtträger fest an. Dieses Gefüge stellt
vermutlich den Faktor dar, welcher für gute Standbildeigenschaften
von erhöhter Dauer für den magnetischen
Aufzeichnungsträger sorgt.
Die Haftkraft zwischen einer Polymerfläche und einem
Metallfilm ist nicht so stark. Andererseits ist die
Haftkraft zwischen einem metallorganischen, plasmapolymerisierten
Film und einem Metallfilm stark, was auf
den Beitrag der Metallbindung zurückzuführen sein dürfte.
Auch die Haftung zwischen einem Polymer und einem
plasmapolymerisierten Film ist naturgemäß stark. Ein
metallorganischer, plasmapolymerisierter Film, bei dem
die Eigenschaften von organischem Werkstoff und Metall
kombiniert sind, eignet sich in hervorragender Weise
als Zwischenschicht zur Verstärkung der Haftung zwischen
einem Polymersubstrat und einem magnetischen Metallfilm.
Es wird angenommen, daß dieser Umstand einer
der Gründe dafür ist, warum vorliegend besonders gute
Standbildeigenschaften erzielt werden.
Dünne zinnorganische Polymerschichten von unterschiedlicher
Dicke wurden durch Plasmapolymerisation auf einem
gemeinsamen Stück eines 12 μm dicken Polyethylenterephthalatfilms
ausgebildet. Dazu wurde die in der Zeichnung
veranschaulichte Vorrichtung benutzt. Die Bedingungen
für die Plasmapolymerisation waren wie folgt:
Monomergas: | |
Tetramethylzinn | |
Durchflußmenge des Monomergases: | 10 ml/min |
Trägergas: | Argon |
Durchflußmenge des Trägergases: | 50 ml/min |
Höhe des Vakuums: | 67 Pa |
Hochfrequenz-Energiequelle: | 13,56 MHz, 200 W |
Die Dicke des plasmapolymerisierten Films wurde durch
Umschalten der Filmtransportgeschwindigkeit stufenweise
geändert. Bei der Filmgeschwindigkeit von 5 m/min wurde
beispielsweise ein 5 nm dicker plasmapolymerisierter
Film auf dem Schichtträger abgeschieden.
Die Dicke und die Gleichförmigkeit der so gebildeten
plasmapolymerisierten Filme wurden durch das Mehrfachinterferenzverfahren
und mit einem Ellipsometer bestimmt.
Es bestätigte sich, daß die beabsichtigten Dicken
in gleichförmiger Weise erhalten worden waren. Ergänzende
Versuche mit einem Fourier-Transformations-
Infrarotspektrophotometer sowie durch elektronische
Spektroskopie für chemische Analyse bewiesen, daß es
sich bei den polymerisierten Filmen um ein zinnhaltiges
Polymer handelte.
Über jedem auf dem Schichtträger plasmapolymerisierten
Film wurde ein ferromagnetischer Film aus einer Kobalt-
Nickel-Legierung (Gewichtsverhältnis 4 : 1) durch Vakuumaufdampfung
gebildet. Der Legierungswerkstoff wurde
durch Elektronenstrahlerhitzung verdampft und entsprechend
der Schrägauftrefftechnik mit einem zentralen Einfallswinkel
von 70° abgeschieden. Zur Kühlung des
Schichtträgers wurde eine zylindrische Trommel benutzt,
wobei das zugeführte Kühlmittel auf 5°C gehalten wurde.
Das Vakuumgefäß wurde auf 3 × 10-3 Pa evakuiert. Sauerstoffgas
wurde bis zum Erreichen eines Behälterdruckes
von 6,3 × 10-2 Pa eingeleitet. Die Vakuumaufdampfung
wurde durchgeführt. Die der Elektronenkanone zugeführte
Energie und die Fördergeschwindigkeit des Schichtträgerfilmes
wurden so eingestellt, daß eine Filmdicke von
80 nm erzielt wurde. Eine Analyse des resultierenden
Filmes ergab, daß er die gleiche Zusammensetzung wie die
Mutterlegierung hatte. Der so erhaltene ferromagnetische
Film eignete sich für einen magnetischen Aufzeichnungsträger;
er hatte eine Koerzitivkraft von etwa 80 kA/m
und eine Restflußdichte von etwa 0,65 T.
Schließlich wurden Teststückabschnitte abgeschnitten und
auf eine Breite von 12,7 mm geschlitzt, um magnetische
Aufzeichnungsbänder für Testzwecke zu erhalten.
Bei jeder Bandprobe wurden die Dicke des plasmapolymerisierten
Filmes und die Standbildwiedergabedauer gemessen.
Die Ergebnisse sind in der nachstehenden Tabelle
zusammengestellt. Die Standbildwiedergabedauer stellt
diejenige Zeitspanne dar, innerhalb deren ein mit 4 MHz
mittels eines handelsüblich verfügbaren Videorecorders
des VHS-Systems
aufgezeichnetes Einzelsignal als Standbild auf
einem Bildschirm wiedergegeben wird, bevor das Bild verschwindet.
Als Vergleichsbeispiel wurde ein Band hergestellt,
indem ein dünner Film in der oben beschriebenen
Weise unmittelbar auf dem Schichtträgerfilm abgeschieden
wurde, d. h. ohne Zwischenfügen eines plasmapolymerisierten
Filmes. Das Ergebnis für diese Probe mit einer
Filmdicke von Null ist gleichfalls angegeben.
Aus der Tabelle ist zu ersehen, daß die Versuchsproben,
die plasmapolymerisierte Filme mit einer Dicke von mehr
als 1 nm aufweisen, eine hervorragende Standbildfestigkeit
haben, wobei die betreffende Standbildwiedergabedauer
mehr als das 3fache derjenigen der Probe ohne
einen solchen Film beträgt.
Claims (2)
1. Magnetischer Aufzeichnungsträger, bei dem zwischen einer Trägerschicht
und einem magnetischen Dünnfilm eine nichtmagnetische Zwischenschicht ausgebildet
ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht
aus einer metallorganischen plasmapolymerisierten Schicht mit
einer Schichtdicke von 1 bis 10 nm besteht, der magnetische Dünnfilm ein
ferromagnetischer Metallfilm mit einer Schichtdicke von 0,05 bis 0,1 μm ist
und die Trägerschicht aus Kunststoff besteht.
2. Magnetischer Aufzeichnungsträger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der ferromagnetische Metalldünnfilm ein hauptsächlich aus einer Kobalt-
Nickel-Legierung bestehender aufgedampfter Film ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57188984A JPS5979426A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3339245A1 DE3339245A1 (de) | 1984-05-03 |
DE3339245C2 true DE3339245C2 (de) | 1989-04-06 |
Family
ID=16233349
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19833339245 Granted DE3339245A1 (de) | 1982-10-29 | 1983-10-28 | Magnetischer aufzeichnungstraeger |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4548864A (de) |
JP (1) | JPS5979426A (de) |
DE (1) | DE3339245A1 (de) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59154643A (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
EP0140513A1 (de) * | 1983-08-24 | 1985-05-08 | International Business Machines Corporation | Magnetische Dünnfilmaufzeichnungsstruktur |
JPH0610856B2 (ja) * | 1984-08-04 | 1994-02-09 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録媒体 |
JPS6179205A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-22 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 垂直磁化膜およびその製法 |
EP0182367B1 (de) * | 1984-11-20 | 1990-04-18 | Hitachi Maxell Ltd. | Magnetischer Aufzeichnungsträger und Herstellung derselben |
JPS61158025A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-17 | Canon Inc | 磁気記録媒体 |
GB2168911B (en) * | 1984-12-29 | 1989-06-07 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
JPH0711854B2 (ja) * | 1984-12-30 | 1995-02-08 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録媒体 |
JPH0673172B2 (ja) * | 1985-08-14 | 1994-09-14 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録媒体 |
JP2523272B2 (ja) * | 1985-08-15 | 1996-08-07 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録媒体 |
JPS62183023A (ja) * | 1986-02-05 | 1987-08-11 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
US4889767A (en) * | 1986-04-23 | 1989-12-26 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium |
US4880687A (en) * | 1986-05-09 | 1989-11-14 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium |
DE3773531D1 (de) * | 1986-05-14 | 1991-11-14 | Teijin Ltd | Magneto-optischer aufzeichnungstraeger. |
US4772522A (en) * | 1986-07-21 | 1988-09-20 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium |
US4900622A (en) * | 1986-09-18 | 1990-02-13 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium |
US4897305A (en) * | 1987-03-12 | 1990-01-30 | Hercules Incorporated | Plasma treatment with organic vapors to promote a meal adhesion of polypropylene film |
US5154978A (en) * | 1989-03-22 | 1992-10-13 | Tdk Corporation | Highly corrosion-resistant rare-earth-iron magnets |
JP3104364B2 (ja) * | 1991-03-15 | 2000-10-30 | ソニー株式会社 | ディジタル画像信号の磁気記録方法 |
JPH05135344A (ja) * | 1991-05-17 | 1993-06-01 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
DE19802740A1 (de) * | 1998-01-26 | 1999-07-29 | Leybold Systems Gmbh | Verfahren zur Behandlung von Oberflächen von Substraten aus Kunststoff |
US9090973B2 (en) * | 2011-01-31 | 2015-07-28 | Fei Company | Beam-induced deposition of low-resistivity material |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1077787A (en) * | 1975-11-21 | 1980-05-20 | National Aeronautics And Space Administration | Abrasion resistant coatings for plastic surfaces |
JPS54141609A (en) * | 1978-04-26 | 1979-11-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of metal thin film type magnetic recording medium |
DE2923682C2 (de) * | 1978-06-13 | 1983-11-03 | Nippon Electric Co., Ltd., Tokyo | Magnetischer Aufzeichnungsträger |
DE3117931C2 (de) * | 1980-05-06 | 1985-07-25 | Nippon Electric Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Magnetischer Aufzeichnungsträger und Verfahren zu seiner Herstellung |
JPS5829119A (ja) * | 1981-08-14 | 1983-02-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 帯電防止性磁気テ−プ |
-
1982
- 1982-10-29 JP JP57188984A patent/JPS5979426A/ja active Granted
-
1983
- 1983-09-06 US US06/529,189 patent/US4548864A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-10-28 DE DE19833339245 patent/DE3339245A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0413764B2 (de) | 1992-03-10 |
DE3339245A1 (de) | 1984-05-03 |
US4548864A (en) | 1985-10-22 |
JPS5979426A (ja) | 1984-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3339245C2 (de) | ||
DE3321907C2 (de) | Magnetischer Aufzeichnungsträger | |
DE2511047C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Aufzeichnungsträgers | |
EP0016404B1 (de) | Magnetischer Aufzeichnungsträger und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE3425755C2 (de) | ||
DE4323056A1 (de) | Chemisches Aufdampfen von Eisen, Ruthenium und Osmium | |
DE102004045046B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen einer elektrisch leitfähigen transparenten Beschichtung auf ein Substrat | |
DE3113559C2 (de) | ||
DE2435887A1 (de) | Geraet zur herstellung von magnetischen aufzeichnungsmedien | |
DE3415794A1 (de) | Magnetisches aufzeichnungsmedium und verfahren zu seiner herstellung | |
DE19731181A1 (de) | Methode und Apparatur für die Ausbildung von dünnen SiC-Filmen auf einem hochpolymeren Grundwerkstoff durch Plasma-Bedampfung | |
DE3545794C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Magnetaufzeichnungsmediums | |
DE3539724C2 (de) | ||
DE3934887A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines photomagnetischen aufzeichnungstraegers | |
DE3321906A1 (de) | Magnetisches pulver mit verbesserter dispergierbarkeit | |
DE3546327C2 (de) | ||
DE3628524C2 (de) | ||
US4343834A (en) | Process for preparing magnetic recording medium | |
DE3918932A1 (de) | Verfahren zur herstellung duenner oxydschichten durch die plasma-umsetzung metallorganischer verbindungen | |
DE3347179A1 (de) | Magnetisches aufzeichnungsmaterial und verfahren zu seiner herstellung | |
DE3714358C2 (de) | Magnetischer Aufzeichnungsträger | |
DE3204851C2 (de) | ||
DE4233000A1 (de) | Vorbehandlung von Kunststoffteilen für die elektrostatische Lackierung | |
DE3635524A1 (de) | Verfahren zum herstellen von schutzschichten auf magnetischen datentraegern und durch das verfahren hergestellter datentraeger | |
DE112018001912T5 (de) | Magnetaufzeichnungsmedium |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |