DE3347179A1 - Magnetisches aufzeichnungsmaterial und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

Magnetisches aufzeichnungsmaterial und verfahren zu seiner herstellung

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DE3347179A1
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recording material
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Sota Hachioji Tokio/Tokyo Kawakami
Hideki Akishima Tokio/Tokyo Murata
Toshihiko Hino Tokio/Tokyo Sato
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/72Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction

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  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Description

  • Magnetisches Aufzeichnungsmaterial
  • und Verfahren zu seiner Herstellung Magnetisches Aufzeichnunasmaterial und Verfahren zu seiner Herstellung Die Erfindung betrifft ein verbessertes magnetisches Aufzeichnungsmaterial sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung, insbesondere ein maanetisches Aufzeichnungsmaterial und ein Verfahren zur Herstellung desselben in Form bzw. von der Art eines dünnen Films, bei dem die ferromagnetische Schicht mit einer Deckschicht verbesserter Lauf-, Abnutzungsbeständigkeit-, Härte- und Korrosionsbeständigkeitseigenschaften versehen ist.
  • Bei den meisten üblichen magnetischen Aufzeichnungsmaterialien wird die magnetische Aufzeichnungsschicht durch Dispergieren ferromagnetischer Teilchen in einem organischen Bindemittel, z.B. einem Vinylchlorid/Vinylacetat-Mischpolymerisat, Epoxyharz oder Polyurethanharz, Auftragen des erhaltenen magnetischen Gemischs auf einen Schichtträger und Trocknen des aufgetragenen Überzugs hergestellt. Durch das in dem ferromagnetischen Material enthaltene Bindemittel vermindert sich die Packungsdichte. Gleichzeitig erhöht sich der Raumverlust in bezug auf den Magnetkopf, was eine geringere Wiedergabeleistung zur Folge hat.
  • Im Hinblick auf eine Bewältigung immer größerer Informationsmengen besteht ein erheblicher Bedarf an magnetischen Aufzeichnungsmaterialien, mit deren Hilfe Auf- zeichnungen in hoher Dichte gespeichert werden können.
  • Unter Berücksichtigung einer Aufzeichnung in hoher Dichte, der Wiedergabeleistung und der Bandstärke hat es sich gezeigt, daß man bei magnetischen Aufzeichnungsmaterialien in Form oder von der Art dünner Filme, bei denen direkt auf dem Schichtträger durch Vakuumbedampfung, Zerstäubung, Ionenplattierung, Plattierung u.dgl. eine ferromagnetische Schicht abgelagert ist, eine erhöhte Packungsdichte erreichen kann. Die bei derartigen magnetischen Aufzeichnungsmaterialien vorhandene ferromagnetische Schicht ist jedoch mit einer Reihe von Nachteilen behaftet. So ist beispielsweise ihre Korrosionsbeständigkeit schlecht. Darüber hinaus wird sie infolge Reibung an dem Magnetkopf, den Führungsrollen und an der Laufbuchse leicht abgeschliffen, was zu einem Rauschen führt. Weitere Nachteile sind die geringe mechanische Festigkeit, der hohe Reibungskoeffizient und die schlechten Laufeigenschaften.
  • Um diesen Nachteilen magnetischer Aufzeichnungsmaterialien in Form oder von der Art dünner Filme zu begegnen, wird die ferromagnetische Schicht durch Vakuumbedampfen, Zerstäuben, Ionenplattierung und dergleichen mit einer Deckschicht versehen. Hierbei bedient man sich derzeit folgender Maßnahmen: 1. Die Deckschicht wird durch Vakuumbedampfen mit Metallen, z.B. Rhodium und Chrom, sehr harten anorganischen Materialien, wie WC, TiO2, CaF2 und MgF2, und organischen Gleitmitteln, z.B. Metallseifen, erzeugt; 2. mit Hilfe von Auftragvorrichtungen wird eine Deckschicht mit einem organischen Gleitmittel hergestellt; 3. aus einem Überzug aus einem flüssigen Vorpolymerisat wird durch Polymerisation (die durch Bestrahlen mit UV-Strahlen oder Elektronenstrahlen eingeleitet wird) eine Deckschicht erzeugt; 4. auf der ferromagnetischen Schicht wird durch Ionen-oder Plasmabehandlung mit gasförmigem Stickstoff oder Sauerstoff eine Nitrid- oder Oxiddeckschicht hergestellt (vgl. JP-OS 167i32/82, 167133/82 und 167134/82); 5. auf der ferromagnetischen Schicht wird durch Plasmapolymerisation eines fluorfreien monomeren Gases und eines monomeren Gases eines fluorhaltige#n organischen Materials eine Deckschicht aus einem fluorhaltigen organischen Material hergestellt (vgl.
  • JP-OS 135442/82) und 6. auf der ferromagnetischen Schicht wird in üblicher bekannter Weise, z.B. durch Vakuumbedampfung, Ionenplattierung u.dgl.eine Deckschicht eines Bords von La oder eines Übergangsmetalls der Gruppen IV, V oder VI des Periodensystems ausgebildet.
  • Die nach den ersten beiden Verfahren hergestellten Deckschichten sind schwach und können, wenn das zu beschichtende Material aus einem Polymerisat besteht, nicht in Form eines dünnen Films hergestellt werden.
  • Die Folge davon sind ein Raumverlust und eine verschlechterte Wiedergabeleistung bzw. -qualität. Die nach dem dritten Verfahren hergestellte gehärtete Deckschicht vermag über längere Zeit hinweg nicht die gewünschten Gleiteigenschaften beizubehalten. Der nach dem vierten Verfahren hergestellte Nitrid- oder Oxidfilm besitzt keine angemessene Laufstabilität. Die nach dem fünften Verfahren erzeugte Deckschicht besitzt keine akzeptablen Lauf- und Abnutzungsbeständigkeitseigenschaften. Das sechste Verfahren liefert zwar eine feste, ferromagnetische Metallboriddeckschicht guter Härte und Abnutzungs- sowie Korrosionsbeständigkeit, ihre Härte ist jedoch so hoch, daß der Magnetkopf beschädigt werden kann. Darüber hinaus besitzt diese Deckschicht keine akzeptablen Laufeigenschaften.
  • Der Erfindung lag die Aufgabe zugrunde, ein magnetisches Aufzeichnungsmaterial in Form bzw. von der Art eines dünnen Films herzustellen, bei dem die vorteilhaften Eigenschaften eines Borgehalts der Deckschicht, nämlich die hohe Härte, die gute Korrosionsbeständigkeit und die feste Haftung an der ferromagnetischen Schicht erhalten und deren Gleit- und Laufeigenschaften verbessert werden.
  • Der Erfindung lag die Erkenntnis zugrunde, daß sich die gestellte Aufgabe lösen läßt, wenn man der Deckschicht nicht nur Bor, sondern auch Kohlenstoff und Wasserstoff einverleibt.
  • Gegenstand der Erfindung ist somit ein magnetisches Aufzeichnungsmaterial mit einem Schichtträger, einer auf dem Schichtträger ausgebildeten ferromagnetischen Schicht und einer auf der ferromagnetischen Schicht durch Gas phasenpolymerisation abgelagerten Deckschicht aus einer bor-, kohlenstoff- und wasserstoffhaltigen Verbindung.
  • Die Deckschicht kann lediglich auf der ferromagnetischen Schicht oder auf der ferromagnetischen Schicht und der Rückseite des Schichtträgers vorgesehen werden.
  • Insbesondere besteht die Deckschicht aus einer borhal- tigen Verbindung der Formel CxHyBzXww worin X für mindestens ein Element, bestehend aus Fluor, Sauerstoff, Stickstoff, Silizium, Schwefel, Phosphor und Chlor, steht und die verschiedenen Indizes folgenden Beziehungen genügen: 0,1 < X <= 0,5, 0,1 < y d 0,7, 0,001 c z s 0,5, 0 < w < 0,5.
  • Vorzugsweise sollte bei einer Deckschicht der beschriebenen Art der Borgehalt nach und nach in Richtung auf Grenzfläche zur ferromagnetischen Schicht hin abnehmen.
  • Die Erfindung wird später anhand der Zeichnungen näher erläutert. Im einzelnen zeigen: Fig. 1 eine schematische Darstellung der wesentlichen Teile einer Ausführungsform einer Vorrichtung zur Vakuumablagerung der Deckschicht eines magnetischen Aufzeichnungsmaterials gemäß der Erfindung und Fig. 2 eine schematische Darstellung (im Querschnitt) der wesentlichen Teile einer anderen Ausführungsform einer zur Herstellung eines erfindungsgemäßen magnetischen Aufzeichnungsmaterials geeigneten Vakuumbedampfungsvorrichtung.
  • Spezielle Beispiele für Verbindungen, aus denen die Deckschicht eines erfindungsgemäßen magnetischen Aufzeichnungsmaterials bestehen kann, sind: C0,14H0,54B0,24Si0,05O0,03; CO ,33H0,44B0,18N0,04O0,01; C0,21N0,57B0,07O0,15,C0,03H0,40B0,10O0,20; C0,30H0,40B0,10S0,20; C0,30H0,60B0,05N0,05; C0,46H0,38B0,08P0,08; Cg ,1 6H0,56BO ,1 45i0,0700,06; C0,11H0,41B0,18Si0,09O0,08F0,11.
  • Ein erfindungsgemäßes magnetisches Aufzeichnungsmaterial erhält man, indem man zunächst direkt auf einem Schichtträger eine ferromagnetische Schicht erzeugt und auf der ferromagnetischen Schicht eine Gasphasenpolymerisation eines borhaltigen monomeren Gases und eines gegebenenfalls borhaltigen weiteren monomeren Gases einer Verbindung mindestens eines Elements, bestehend aus Fluor, Sauerstoff, Stickstoff, Silizium, Schwefel, Phosphor und Chlor, durchführt. Hierbei entsteht auf der ferromagnetischen Schicht eine Deckschicht aus einer Verbindung der Formel CXHyBzXw, worin X für Fluor, Sauerstoff, Stickstoff, Silizium, Schwefel, Phosphor und/oder Chlor steht und den Indizes folgende Beziehungen zukommen: 0,1 < x # 0,5, 0,1 < y s 0,7, 0,001 c z s 0,5, 0 # w c 0,5.
  • Wenn als monomere Gase ein Kohlenwasserstoff und Borfluorid verwendet werden, gilt w = 0, wobei dann die durch Gasphasenpolymerisation gebildete Schicht aus einer Verbindung der Formel C H B besteht. Es sei darauf xyz hingewiesen, daß auch eine Deckschicht dieser Zusammen- setzung die erfindungsgemäß angestrebten Eigenschaften besitzt.
  • Um den erfindungsgemäß angestrebten Erfolg erreichen zu können, rniiß die Deckschicht Bor enthalten. Ferner kann die Deckschicht Fluor, Sauerstoff, Stickstoff, Silizium, Schwefel, Phosphor und/oder Chlor als von Bor, Kohlenstoff und Wasserstoff verschiedenes Element X enthalten.
  • Auch in letzterem Falle besitzt die Deckschicht die gewünschten Eigenschaften. Wenn jedoch w in der Formel CxHyBzXw größer als 0,5 ist, werden die Bor innewohnenden vorteilhaften Eigenschaften (d.h. die erreichbare hohe Abnutzungsbeständigkeit) beeinträchtigt. Vorzugsweise gilt für w O 4 w < 0,35.
  • Die Deckschicht eines erfindungsgemäßen magnetischen Aufzeichnungsmaterials zeichnet sich dadurch aus, das sie lediglich Spurenmengen Bor enthält. Diese Spurenmengen reichen aus, der Deckschicht die gewünschten Eigenschaften zu verleihen.
  • Wenn z in der Formel C H B X größer ist als 0,5, erhöht sich die anorganische Natur der Deckschicht so weit, daß das magnetische Aufzeichnungsmaterial den Magnetkopf beschädigen kann bzw. sich die Laufeigenschaft des in Bandform vorliegenden Aufzeichnungsmaterials verschlechtert. Wenn z kleiner ist als 0,001, gehen dieBor innewohnenden vorteilhaften Eigenschaften verloren. Die Möglichkeit, daß die geschilderten Nachteile auftreten, wird in dem Bereich 0,01 < z < 0,4 auf ein Mindestmaß verringert.
  • Ein Teil der Deckschicht kann vollständig borfrei sein.
  • Die Stärke der Deckschicht reicht zweckmäßigerweise von 2 - 100, vorzugsweise von 20 - 60 nm. Ist sie dünner als 2 nm, kann sie ihre Aufgabe als Deckschicht nicht erfüllen. Ist sie dagegen stärker als 100 nm, erhöht sich bei gleichzeitiger Verschlechterung der Wiedergabeleistung oder -qualität der Raumverlust zwischen Aufzeichnungsmaterial und Magnetkopf.
  • Ein Abknicken des Schichtträgers läßt sich verhindern, wenn man nicht nur die ferromagnetische Schicht, sondern auch die Rückseite des Schichtträgers mit der Deckschicht versieht. Gegebenenfalls kann auf der Deckschicht noch eine Schicht eines Gleitmittels vorgesehen sein.
  • Die Deckschicht eines magnetischen Aufzeichnungsmaterials gemäß der Erfindung erhält man durch die bekannte Plasmapolymerisation oder Gasphasenpolymerisation eines borhaltigen monomeren Gases. Einzelheiten bezüglich der Polymerisationsverfahren finden sich in der JP-OS 135442/82. Aus Festigkeitsgründen wird eine durch Plasmapolymerisation hergestellte Deckschicht bevorzugt. Gegebenenfalls können ein borhaltiges monomeres Gas und ein borfreies monomeres Gas derart nach und nach einer Gasphasenpolymerisation unterworfen werden, daß der Anteil des borhaltigen Gases im Laufe der Zeit erhöht wird. Hierbei erhält man dann eine Deckschicht, bei der der Borgehalt in Richtung auf die Grenzfläche zur ferromagnetischen Schicht abnimmt.
  • Geeignete Beispiele borhaltiger Monomerer sind Diboran, Boratester, Boranalkoholkomplexe, Borhalogenide, Boranetherkomplexe, Boransulfidkomplexe und organische Borane.
  • Borfreie gasförmige Monomere mindestens einer Fluor-, Sauerstoff-, Stickstoff-, Silizium-, Schwefel-, Phosphor-und/oder Chlorverbindung sind Silanhalogenide, organi- sche Silane, fluorhaltige organische Verbindungen, organische Phosphorverbindungen, durch Radikalkettenpolymerisation polymerisierbare organische Monomere, aromatische Verbindungen, Methan, Ammoniak, Kohlenmonoxid, Wasserstoff, Stickstoff, Sauerstoff und Schwefelwasserstoff.
  • Die zur Ausbildung einer Deckschicht eines magnetischen Aufzeichnungsmaterials gemäß der Erfindung herangezogenen Plasmapolymerisations- oder Gasphasenpolymerisationsverfahren können mit anderen bekannten Maßnahmen zur Herstellung von Deckschichten kombiniert werden.
  • Die ferromagnetische Schicht eines magnetischen Aufzeichnungsmaterials gemäß der Erfindung kann aus üblichen bekannten ferromagnetischen Substanzen, z.B. ferromagnetischen Oxiden, wie y-Fe203, mit Co dotiertem y-Fe203, mit Co beschichtetem y-Fe203, Fe304, mit Co dotiertem Fe304, mit Co beschichtetem Fe304 und CrO2, und ferromagnetischen metallischen Substanzen, d.h.
  • Metallen und Legierungen, wie Fe, Ni, Co, Legierungen auf Fe-, Ni- und Co-Basis, wie Fe-Ni-Co, Fe-Mn-Zn, Fe-Ni-Zn, Fe-Co-Ni-Cr, Fe-Co-Ni-P, Co-Ni und dergleichen, hergestellt werden.
  • Die ferromagnetische Schicht kann in üblicher bekannter Weise, z.B. durch Vakuumbedampfen, Zerstäuben, Ionenplattierung und Plattierung direkt auf den Schichtträger aufgetragen werden. Werden ferromagnetische Oxide oder Legierungen verwendet, müssen sie unter gesteuerten Bedingungen durch Vakuumbedampfung oder Plattierung auf den Schichtträger aufgetragen werden, um unerwünschte Anderungen in ihrer Zusammensetzung zu vermeiden.
  • Geeignete Schichtträger bestehen aus Polyestern, z.B.
  • Polyethylenterephthalat und Polyethylen-2'r6-nap#hthalat, Polyolefinen, wie Polypropylen, Cellulosederivate, z.B.
  • Cellulosetriacetat und Cellulosediacetat, Kunststoffen, z.B. Polycarbonaten, nicht-magnetischen Metallen, z.B.
  • Cu, Al und Zu' und keramischen Materialien, wie Glas, Porzellan und Steingut.
  • Die Stärke der Schichtträger hängt von ihrer physikalischen Form ab. Bei Filmen und Folien beträgt die Stärke zweckmäßigerweise etwa 3 - 100, vorzugsweise 5 - 50 ßm.
  • Bei Scheiben und Karten beträgt die Stärke etwa 30 sm bis 10 mm.
  • Ein magnetisches Aufzeichnungsmaterial in Form bzw. von der Art eines dünnen Films mit einer borhaltigen Deckschicht auf der ferromagnetischen Schicht besitzt gegenüber einschlägigen bekannten magnetischen Aufzeichnungsmaterialien folgende Vorteile: 1. Es besitzt eine verbesserte Laufstabilität und gewährleistet bei Bild- und Funkaufzeichnungen ein hohes S/N-Verhältnis (Rauschabstand); 2. es besitzt eine hohe Abnutzungsbeständigkeit und zeigt geringere Schwankungen in den Wiedergabe(ausgangs)signalen während eines längeren Gebrauchszeitraums; und 3. die Härteeigenschaft der Deckschicht ist deutlich besser als die Härteeigenschaften üblicher Deckschichten aus Boriden von Ubergangsmetallen der Gruppen IV, V oder VI, weswegen der Magnetkopf weder beschädigt noch sonst während des Gebrauchs des Aufzeichnungsmaterials beeinträchtigt wird.
  • Die folgenden Beispiele sollen die Erfindung näher veranschaulichen.
  • Beispiel 1 Die Deckschicht eines magnetischen Aufzeichnungsmateria,ls gemäß der Erfindung läßt sich beispielsweise mit Hilfe einer Vakuumbedampfungsvorrichtung mit den in Fig.1 schematisch dargestellten wesentlichen Teilen herstellen.
  • Ein Gehäuse 1 besteht aus einer elektrisch isolierten Glocke 2, aus der der Schichtträger angeliefert wird, einer Reaktionskammer 3 und einer Aufnahmeeinrichtung 4. Die Reaktionskammer 3 und die Aufnahmeeinrichtung 4 sind miteinander durch ein isoliertes Rohr 5 verbunden.
  • An eine Zufuhreinrichtung 2 und die Aufnahmeeinrichtung 4 ist jeweils ein isoliertes Seitenrohr 14 angeschlossen.
  • Das isolierte Rohr 5 steht mit einem isolierten Nebenrohr 15 in Verbindung. Das Gehäuse ist derart gebaut, daß es während der Vakuumbedampfung auf 10 6 Torr evakuiert werden kann.
  • Im Inneren der Reaktionskammer 3 befinden sich eine geerdete obere Elektrode 6 und eine untere Elektrode 7.
  • Die obere Elektrode ist hohl und kann von der Außenseite des Gehäuses her mit einem monomeren Gas beschickt werden. Die untere Elektrode ist mit einem Wasserkühlmantel zur Abfuhr der während der elektrischen Entladung entstandenen Wärme versehen. Die untere Elektrode wird über eine Ausgleichsbox (matching box) 8 von einem Hochfrequenzgenerator 9 mit Energie versorgt.
  • Das Rohr 5 enthält ein Substrat 10, bei dem auf ein 12 m dickes Polyethylenterephthalatband in üblicher bekannter Weise eine Schicht aus einer Co-Ni-Legierung aufgetragen ist. Der Schichtträger ist in der Zufuhreinrichtung 2 auf einer Zufuhrrolle 11 aufgewickelt. Er wird mit Hilfe von Führungswalzen 12 mit konstanter Geschwindigkeit der Reaktionskammer 3 und der Aufnahmeeinrichtung 4 zugeführt. In der Aufnahmeeinrichtung 4 wird das Substrat auf eine Walze 13 aufgewickelt.
  • Durch die Leitung 14 wird in das Gehäuse ein Trägergas (Ar) eingeleitet. In die obere Elektrode werden SiH4 (erstes monomeres Gas) und BH3. 0(CH3)2 (zweites monomeres Gas) eingeleitet. Der Druck im Gehäuse wird auf etwa 200 mTorr gehalten.
  • Wird an die untere Elektrode hochfrequenter Strom (30 W) angelegt, wird das in der Reaktionskammer enthaltene gasförmige Argon ionisiert, wobei das gebildete Plasma aus SiH4 und BH3 0 (CH3)2 auf der auf dem Schichtträger befindlichen Co-Ni-Schicht eine Deckschicht aus der durch Gasphasenpolymerisation gebildeten Borverbindung liefert.
  • Anschließend wird über die Leitung 14 in die Aufnahmeeinrichtung 4 ein Nachbehandlungsgas eingeleitet. Gleichzeitig wird das restliche Gas aus dem Gehäuse über die Leitung 15 abgelassen. Eine elektromikroskopische chemische Analyse (ESCA) und eine Elementaranalyse zeigen, daß die gebildete Deckschicht 24 nm dick ist und die Zusammensetzung C0,15H0152B0,24Si0,0500,03 besitzt.
  • Durch Zerschneiden des Bandes auf eine gegebene Größe wird ein Prüfling Nr.1 eines VTR-Bandes hergestellt.
  • Durch Erhöhen des Anteils an BH3'0(CH3)2 im Laufe der Zeit erhält man eine Deckschicht, deren Borgehalt zur Grenzfläche mit der Co-Ni-Schicht hin abnimmt.
  • In der in Fig. 1 dargestellten Vorrichtung wird ein Substrat 10 behandelt, das in einer anderen Vorrichtung bereits mit der ferromagnetischen Schicht versehen wurde Die gewünschte Deckschicht läßt sich jedoch auch in einer Vorrichtung der in Fig. 2 dargestellten Art mit Reaktionskammer und Vakuumbedampfungskammer 16 herstellen. In der in Fig. 2 dargestellten Vorrichtung sind eine Zufuhreinrichtung 2 und eine Aufnahmeeinrichtung 4 miteinander zu einer einzigen Einrichtung 17 kombiniert. Diese ist über eine Trennwand 18 an eine Reaktionskammer 3 und eine Vakuumbedampfungskammer 16 angeschlossen. Die Vakuumbedampfungskammer 16 enthält Führungsrollen 12, eine Kühltrommel 20, einen Schmelztiegel 21, einen Elektronenstrahlgenerator 22 und einen Schirm 23.
  • Ein von einer Walze 11 über einen Schlitz 19 in der Trennwand 18 zugeführtes bandförmiges Substrat 10 wird mit Hilfe einer Reihe von Führungsrollen 12 um eine Kühltrommel 20 herumgewickelt. Der ein Co-Ni-Pulver enthaltende Schmelztiegel 21 wird mit Hilfe von durch den Generator 22 gelieferten Elektronenstrahlen erwärmt, wodurch sich auf dem Substrat 10 eine Co-Ni-Schicht ablagert. Danach wird das Substrat mit Hilfe weiterer Rollen 12 über eine längere Wegstrecke 24 hinweg in die Reaktionskammer 3 weiterbefördert. Darin wird das Substrat in entsprechender Weise wie in der in Fig. 1 dargestellten Vorrichtung behandelt. Bei Verwendung der in Fig. 2 dargestellten Vorrichtung können die ferromagnetische Schicht und die Deckschicht kontinuierlich auf dem Substrat 10 ausgebildet werden.
  • Beispiel 2 Ein bandförmiger Polyethylenterephthalatschichtträger einer Stärke von 12 µm mit einer in üblicher Weise aufgebrachten Co-Ni-Schicht wird der in Fig. 1 dargestellten Vakuumbedampfungsvorrichtung zugeführt. Auf der ferromagnetischen Co-Ni-Schicht wird entsprechend Beispiel 1 unter Verwendung von gasförmigem SiMe4 und gasförmigem BH3-N(CH3)3 eine Deckschicht ausgebildet.
  • Beide Gase werden in die obere Elektrode eingeführt.
  • Das Gehäuse wird auf einem Druck von 300 mTorr gehalten.
  • Danach wird das Band auf eine gegebene Größe gespalten, wobei ein VTR-Bandprüfling Nr.2 erhalten wird.
  • Die Deckschicht besitzt eine Stärke von 20 nm. Eine ESCA und Elementaranalyse zeigen, daß die Deckschicht der Zusammensetzung C0,25H0,50B0,1N0,1Si0,05 entspricht.
  • Beispiel 3 Beispiel 1 wird wiederholt, wobei jedoch als erstes monomeres Gas CH2=CH2 und als zweites monomeres Gas BH3~N(CH3)3 verwendet werden. Eine ESCA und eine Elementaranalyse zeigen, daß die erhaltene Deckschicht 45 nm dick ist und der Zusammensetzung C0,30H0,60B0,05N0,05 entspricht.
  • Durch Spalten des Bandes auf eine gegebene Größe erhält man einen VTR-Bandprüfling Nr.3.
  • Beispiel 4 Ein Schichtträger mit einer darauf befindlichen Schicht aus einer Co-Ni-Legierung wird einer in Fig.1 dargestell- ten Vorrichtung zugeführt. Die Vorrichtung ist auf etwa 10 6 Torr evakuiert. Die Bedampfung des Substrats erfolgt entsprechend Beispiel 1 unter folgenden Bedingungen: Fließgeschwindigkeiten der Gase Ar, B2H6 und Co: 200 ml/min, 0,05 ml/min bzw. 5 ml/min; Druck im Gehäuse während der Gasphasenpolymerisation: etwa 2 mTorr; zugeführter hochfrequenter Strom: 70 W.
  • Die ESCA und die Elementaranalyse der erhaltenen Deckschicht zeigen, daß sie eine Stärke von 20 nm besitzt und der Zusammensetzung C0,28H0,56B0,01O0,15 e entspricht.
  • Beim Spalten des Bandes auf eine gegebene Größe erhält man einen VTR-Prüfling Nr.4.
  • Beispiel 5 Ein Schichtträger mit einer darauf befindlichen Schicht aus einer Co-Ni-Legierung wird der in Fig. 1 dargestellten Vorrichtung, die auf einen Druck von etwa 10 6 Torr evakuiert ist, zugeführt und entsprechend Beispiel 1 unter folgenden Bedingungen mit einer Deckschicht versehen: Fließgeschwindigkeiten der Gase Ar, B2H6 und SiMe4: 30 ml/min, 3 ml/min bzw. 0,1 ml/min; Druck im Gehäuse während der Gasphasenpolymerisation: etwa 2 mTorr; zugeführter hochfrequenter Strom: 120 W.
  • Die ESCA und Elementaranalyse zeigen, daß die erhaltene Deckschicht eine Stärke von 20 nm besitzt und der Zusammensetzung C0,25H0,21B0,39Si0,15 entspricht.
  • Durch Spalten des Bandes auf eine gegebene Größe erhält man einen VTR-Bandprüfling Nr.5.
  • Beispiel 6 Ein Schichtträger mit einer darauf befindlichen Schicht aus einer Co-Ni-Legierung wird einer in Fig. 1 dargestellten Vorrichtung, die auf einen Druck von etwa 10 6 Torr evakuiert ist, zugeführt und entsprechend Beispiel 1 behandelt, wobei so viel gasförmiges Ar eingeleitet wird, daß ein Druck von 2 mTorr erreicht wird. Als monomere Gase werden B 2H6 und CH2=CH2 mit variierenden Fließgeschwindigkeiten eingeleitet. Zu Beginn der Gasphasenpolymerisation wird lediglich CH2=CH2 mit einer Fließgeschwindigkeit von 5 ml/min zugeführt. In den folgenden 30 s wird CH2=CH2 mit abnehmender Geschwindigkeit von 10 ml/min2 eingeleitet, wobei gleichzeitig B 2H6 mit steigender Menge von 0,5 ml/min2 zugeführt wird. Während der Polymerisation wird der Evakuierungsgrad derart gesteuert, daß ein Gesamtdruck im Behälter von 2 mTorr gewährleistet ist.
  • An die beiden Elektroden wird ein hochfrequenter Strom von 120 W angelegt.
  • Die ESCA und die Elementaranalyse zeigen, daß die gebildete Deckschicht 22 nm dick ist und der Zusammensetzung C0,28H0,63B0,09 entspricht. Diese Zusammensetzung entspricht der durchschnittlichen Zusammensetzung der Deckschicht. Mikroskopisch nimmt der Borgehalt zur Grenzfläche mit dem Substrat hin ab.
  • Durch Spalten des Bandes auf eine gegebene Größe erhält man einen VTR-Bandprüfling Nr.6.
  • VERGLEICHSBEISPIEL 1 Beispiel 1 wird wiederholt, wobei jedoch in die obere Elektrode 6 lediglich gasförmiges CF2=CF2 eingeleitet wird. Die ESCA und die Elementaranalyse zeigen, daß die erhaltene Deckschicht 35 nm dick ist und der Zusammensetzung C0,33F0,67 entspricht.
  • Durch Spalten des Bandes auf eine gegebene Größe erhält man einen VTR-Bandvergleichsprüfling Nr.1.
  • VERGLEICHSBEISPIEL 2 Beispiel 1 wird wiederholt, wobei jedoch in die obere Elektrode 6 lediglich CF2=CF2 und CH2=CH2 eingeleitet werden. Die ESCA und die Elementaranalyse zeigen, daß die gebildete Deckschicht 40 nm dick ist und der Zusammensetzung C0,37H0,35F0,27 entspricht.
  • Durch Spalten des Bandes auf eine gegebene Größe erhält man einen VTR-Bandvergleichsprüfling Nr.2.
  • VERGLEICHSBEISPIEL 3 Im Inneren einer mit gasförmigem Argon auf einen Druck von 10 1 Torr gefüllten Vakuumkammer befinden sich eine obere Anode und eine untere Kathode. Die Kathode ist mit TiB2 als Prallplatte ausgestattet. Der Anode wird ein bandförmiges Substrat in Form eines Schichtträgers mit darauf abgelagerter ferromagnetischer Co-Ni-Schicht zugeführt. Wird an die Elektroden eine Gleichspannung von mehrere Kilovolt angelegt, bildet sich ein Ar-Plasma.
  • Positive Ar-Ionen zerstäuben die Prallplatte, wobei auf der ferromagnetischen Schicht TiB2-Dampf abgelagert wird.
  • Die ESCA und die Elementaranalyse zeigen, daß die gebildete Deckschicht 60 nm dick ist und der Zusammensetzung Ti0,33B0,67 entspricht.
  • Beim Spalten des Bandes auf eine gegebene Größe erhält man einen VTR-Bandvergleichsprüfling Nr.3.
  • VERGLEICHSBEISPIEL 4 Beispiel 1 wird wiederholt, um auf der auf dem Schichtträger befindlichen ferromagnetischen Co-Ni-Schicht eine Deckschicht aus Kohlenstoff, Wasserstoff und Silizium abzulagern. Der oberen Elektrode werden hierbei SiH4 und CH4 zugeführt. Der Druck in der Vakuumkammer wird bei 300 mTorr gehalten. Die zugeführte hochfrequente Energie beträgt 40 W.
  • Die ESCA und die Elementaranalyse zeigen, daß die Deckschicht 30 nm dick ist und der Zusammensetzung C0, 38H0, 20Si0, 42 entspricht.
  • Durch Zerschneiden des Bandes auf eine gegebene Größe erhält man einen VTR-Bandvergleichsprüfling Nr.4.
  • VERGLEICHSBEISPIEL 5 Beispiel 1 wird wiederholt, wobei auf der auf einem Schichtträger befindlichen ferromagnetischen Co-Ni-Schicht eine Deckschicht aus Kohlenstoff, Fluor und Sauerstoff abgelagert wird. Der oberen Elektrode wird lediglich zugeführt. Der Druck in der Vakuumkammer wird bei 300 mTorr gehalten. Die zugeführte hochfrequente Energie beträgt 40 W.
  • Die ESCA und die Elementaranalyse zeigen, daß die erhaltene Deckschicht 40 nm dick ist und der Zusammensetzung Cg, 33FO,5800,09 entspricht.
  • Beim Zerschneiden des Bandes auf eine gegebene Größe erhält man einen VTR-Bandvergleichsprüfling Nr.5.
  • VERGLEICHSBEISPIEL 6 Ein Schichtträger mit einer darauf durch Vakuumbedampfung abgelagerten Schicht aus einer Co-Ni-Legierung wird durch Glühentladung von Kohlenmonoxid und Verdampfung von metallischem Bor durch Erwärmen mit Elektronenstrahlen mit einer Deckschicht versehen. Die ESCA und die Elementaranalyse zeigen, daß die Deckschicht eine Dicke von 40 nm aufweist und der Zusammensetzung C0,11B017900,10 entspricht.
  • Durch Spalten des Bandes auf eine gegebene Größe erhält man einen VTR-Bandvergleichsprüfling Nr. 6.
  • Die Prüflinge Nr.1 bis 6 und die Vergleichsprüflinge Nr.
  • 1 bis 6 des VTR-Bandes werden auf ihre Laufstabilität, Abnutzungsbeständigkeit und Härte hin untersucht. Die Ergebnisse sind in der später folgenden Tabelle zusammengestellt. Die drei Parameter werden wie folgt ermittelt: 1. Laufstabilität Jeder Prüfling bzw. Vergleichsprüfling wird auf einem VTR-Deck laufengelassen, wobei das Schirmrauschen nach folgender Gleichung ermittelt wird: Dauer des Rauschens x x 100 t%) .
  • Gesamte Laufdauer 2. Abnutzungsbeständigkeit Jeder Prüfling bzw. Vergleichsprüfling wird auf dem VTR-Deck 1000mal laufengelassen, worauf der Abfall in der Wiedergabequalität des 12,5 Hz-Signals in Dezibel gemessen wird.
  • 3. Härte Jeder Prüfling wird auf dem VTR-Deck 1000mal laufengelassen, worauf der Abrieb auf der Bandoberfläche visuell untersucht und wie folgt bewertet wird: -Abrieb -kein Abrieb.
  • TABELLE
    Laufsta- Leistungs- Abrieb
    bilität bzw. Quali-
    (%) tätsabfall
    (dB)
    VTR-Bandprüfling 1 8,8 -0,7 ~
    2 1,5 -0,3
    3 2,5 -0,2 ~
    4 0,5 -0,5 ~
    5 3,8 -0,1 0
    6 0 -0,5 ~
    Vergleichs-
    prüfling 1 10,0 -2,0 0
    2 17,0 -2,8 0
    3 48,0 - 0o
    4 23 -1,5 0
    5 19 -3,8 0
    6 läuft nicht - @
    Die Tabelle zeigt, daß die Prüflinge der erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterialien den Vergleichsprüflingen 1, 2 und 5 mit der durch Plasmapolymerisation fluorhaltiger organischer Verbindungen hergestellten üblichen Deckschicht in sämtlichen Parametern überlegen sind. Bezüglich der Abriebbeständigkeit ist gegenüber den Vergleichsprüflingen Nr. 3 und 6 mit einer üblichen Deckschicht aus metallischem Bor keine merkliche Verbesserung feststellbar. Die Prüflinge der erfindungsgemäßen magnetischen Aufzeichnungsmaterialien neigen jedoch weit weniger zum Rauschen, was darauf hindeutet, daß die magnetischen Aufzeichnungsmaterialien gemäß der Erfindung den Magnetkopf weniger beeinträchtigen bzw. beschädigen.

Claims (5)

  1. PATENTANSPRUCHE Magnetisches Aufzeichnunasmaterial mit einem Schichtträger, einer direkt auf den Schichtträger aufaetragenen ferromagnetischen Schicht und einer auf der ferromagnetischen Schicht befindlichen, durch Gasphasenpolymerisation gebildeten und Bor, Kohlenstoff und Wasserstoff enthaltenden Deckschicht.
  2. 2. Magnetisches Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Deckschicht aus einer Verbindung der Formel CXHyBzXw, worin X für Fluor, Sauerstoff, Stickstoff, Silizium, Schwefel, Phosphor und/oder Chlor steht und folgende Bedingunaen erfüllt sein müssen: 0,1 < x < 0,5, 0,1 < y < 0,7, 0,001 < z ~ 0,5, 0 < w c 0,5, gebildet ist.
  3. 3. Magnetisches Aufzeichnungsmaterial nach Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Borgehalt der Deckschicht in Richtung auf die Grenzfläche zur ferromagnetischen Schicht abnimmt.
  4. 4. Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Aufzeichnungsmaterials, dadurch gekennzeichnet, daß man direkt auf einem Schichtträger eine ferromagnetische Schicht ausbildet und auf die ferromagnetische Schicht durch Gasphasenpolymerisation eines borhaltigen monomeren Gases und eines gegebenenfalls borhaltigen monomeren Gases einer Verbindung mindestens eines Elements, bestehend aus Fluor, Sauerstoff, Stickstoff, Silizium, Schwefel, Phosphor und Chlor, eine Deckschicht aus einer Verbindung der Formel CXHyBzXwt worin X für Fluor, Sauerstoff, Stickstoff, Silizium, Schwefel, Phosphor und/oder Chlor steht und folgende Bedingungen erfüllt sein müssen: 0,1 # x # 0,5, 0,1 z y < 0,7, 0,001 c z < 0,5, 0 < w ( 0,5, aufträgt.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß man während der Gasphasenpolymerisation zur Ausbildung der Deckschicht auf der ferromagnetischen Schicht die Menge an dem borhaltigen monomeren Gas erhöht.
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