DE3322701C2 - - Google Patents
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- H03K17/945—Proximity switches
- H03K17/95—Proximity switches using a magnetic detector
- H03K17/952—Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils
- H03K17/9537—Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils in a resonant circuit
- H03K17/9542—Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils in a resonant circuit forming part of an oscillator
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen elektronischen Nähe
rungsschalter mit einem Oszillator, einem dem Oszillator
nachgeschalteten Schwellwert-Schalter, z. B. Schmitt-Trigger,
und einem durch den Schwellwert-Schalter betätigbaren Last-
Schalter, wie Thyristor oder Triac, wobei zwischen dem Os
zillator und dem Schwellwert-Schalter ein Gleichrichter
geschaltet ist.
Durch die DE-OS 21 57 824 ist ein Näherungsschalter bekannt
geworden, bei dem der Ausgang des Oszillators mit einem
Gleichrichter verbunden ist, der die Ausgangsspannung des
Oszillators gleichrichtet. Die gleichgerichtete Oszillator
spannung ist an einem Eingang eines Differenzverstärkers
angelegt. Zur Signalauswertung ist der Ausgang des Diffe
renzverstärkers über einen Impulsverstärker mit dem Eingang
eines Schwellwert-Schalters verbunden, der ein Relais an
steuert.
Der bekannte Gleichrichter ist als Villard-Schaltung ausge
bildet und besteht aus zwei Dioden und zwei Kondensatoren.
Der bekannte Gleichrichter spricht erst oberhalb des
Schwellwertes der Dioden, bei Silicium-Dioden oberhalb
2× 0,7 Volt an. Es tritt ein Spannungsverlust von 1,4 Volt
ein. Somit können Oszillator-Signale, die unterhalb der
Schwellwert-Spannung liegen, sowie sehr kleine Amplituden-
Änderungen der Oszillatorschwingung, nicht erfaßt werden.
Ferner hat der bekannte Gleichrichter einen relativ großen
Temperaturgang, so daß die Spannung am Ausgang nicht in
einem festen Verhältnis zur Eingangsspannung steht. Die
relativ hohe Leistungsaufnahme des Gleichrichters belastet
den Oszillator, wodurch die Ansprechempfindlichkeit ver
mindert wird.
Es sind mittelwertbildende Gleichrichter bekannt, die eine
stabilisierte Gleichspannung erzeugen und eine gegenüber
dem vorstehend beschriebenen Gleichrichter verbesserte
Proportionalität zum Effektivwert der Eingangs-Wechselspan
nung aufweisen. Ein derartiger Gleichrichter ist durch die
Applikation 6/1981, Seite 43, der Firma Ferranti GmbH be
kannt. Der bekannte Gleichrichter enthält zwei Transistoren
T1, T2, von denen die Basis von T2 mit dem Emitter von
T1 und der gemeinsame Anschlußpunkt über einen Kondensator
mit der Signalquelle verbunden ist. Die Basis von T1 ist
mit dem Kollektor von T2 verbunden. Der gemeinsame Anschluß
punkt ist über eine Konstantstromquelle mit Gleichstrom ge
speist. Der Emitter von T2 liegt an der, mit der Signal
quelle gemeinsamen Masseleitung. Am Kollektorwiderstand von
T1 fällt die Gleichrichtspannung ab. Durch einen parallel
geschalteten Kondensator wird der Wechselspannungsanteil
ausgesiebt.
Dieser bekannte Gleichrichter hat keine Schwellspannungs
verluste. Nachteilig ist jedoch, daß während der positiven
Halbwelle des Eingangsstromes der Transistor T2 übersteuert
wird, weil das Kollektor-Basis-Stromverhältnis sehr viel
kleiner als die Stromverstärkung des Transistors T2 ist.
Das bedeutet, daß T1 zu Beginn der negativen Halbwelle
erst dann leitend wird, nachdem T2 nicht mehr übersteuert
ist. Bedingt durch die temperaturabhängige Erholzeit von
T2 ändert sich die Gleichrichtspannung.
Man könnte beispielsweise die Übersteuerungszeit von T2
dadurch verringern, daß man den Kollektorstrom erhöht bzw.
den Basisstrom verringert. Dadurch würde jedoch sowohl die
Stromaufnahme des Gleichrichters, als auch die Empfindlich
keit gegen Störeinflüsse erhöht.
Der störende Einfluß der temperaturabhängigen Erholzeit
nimmt bei Signalen mit kleiner Periodendauer zu.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, einen Näherungs
schalter der eingangs genannten Art derart zu verbessern,
daß sehr kleine Ausgangssignale (< 0,7 Volt) des Oszillators
sowie sehr kleine Amplitudenänderungen ausgewertet werden
können, wobei die Stromaufnahme, insbesondere des Gleich
richters, gering sein soll und dem Oszillator wenig Energie
entzogen wird.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß bei einem Näherungsschalter
der eingangs beschriebenen Art durch die im Kennzeichen des
Hauptanspruches aufgeführten Maßnahmen gelöst.
Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen
beschrieben.
Durch die DE-AS 21 54 414 ist ein Näherungsschalter bekannt
geworden, bei dem der Oszillator-Ausgang mit dem Steuerein
gang eines Feldeffekt-Transistors verbunden ist. Diese
Lösung ist jedoch relativ teuer und sehr temperaturempfind
lich. Die erfindungsgemäße Lösung ist im Gegensatz dazu
sehr preiswert und erreicht darüber hinaus eine größere
Empfindlichkeit, da bereits Signale unter 0,7 Volt und sehr
kleine Amplitudenänderungen des Oszillator-Ausgangssignals
ausgewertet werden können. Dadurch, daß zwischen dem Emitter
von T1 und dem Kollektor von T2 eine Diode mit der Anode
am Emitter von T1 angeschlossen ist, wird der Transistor
T2 nicht mehr übersteuert und daher der Transistor T1
während der gesamten negativen Halbwelle des Eingangsstromes
leitend. Eine temperaturabhängige Beeinflussung der Gleich
richtspannung wird vermieden, so daß eine gleichbleibende
Proportionalität der Gleichrichtspannung zum Effektivwert
der Eingangs-Wechselspannung, unabhängig von der Umgebungs
temperatur, erreicht wird. Es ist lediglich darauf zu achten,
daß die Flußspannung der Diode D1 so gering ist, daß der
Transistor T2 nicht in den übersteuerten Zustand gelangt.
Germanium- oder Schottky-Dioden haben eine geringere Fluß
spannung als Silicium-Dioden und sind deshalb besser geeig
net (Anspruch 2 und 3).
Der Vorteil gemäß Anspruch 4 besteht darin, daß für die
Diode D1 jede beliebige Diode, z. B. eine Silicium-Diode,
verwendet werden kann.
Nachfolgend ist anhand der Zeichnung ein Ausführungsbeispiel
der Erfindung näher beschrieben.
Die einzige Figur der Zeichnung zeigt ein Blockschaltbild
eines Näherungsschalters.
Der elektronische Näherungsschalter besteht aus einem Os
zillator 3, einem dem Oszillator 3 nachgeschalteten Gleich
richter 4, einem Schwellwert-Schalter 5, einem Last-Schal
ter 6 (Thyristor oder Triac) und einer Stromversorgung 7
für den Oszillator 3 und die nachgeschalteten Baugruppen
4, 5, 6, 7.
Der Oszillator 3 besteht aus einem parallelgeschalteten
LC-Schwingkreis 8, dessen Spule als Sensorfläche für eine
Steuerfahne aus Metall ausgebildet ist. Der Oszillator 3
enthält ferner eine an den hochohmigen Punkt "A" des
Schwingkreises angeschlossene schaltbare Stromquelle 9 und
einen mit seinem hochohmigen Eingang an den hochohmigen
Punkt "A" des Schwingkreises 8 und mit seinem Ausgang an
den Steuereingang der schaltbaren Stromquelle 9 ange
schlossenen Nullkomparator 10, wobei der Stromwert der
schaltbaren Stromquelle 9 durch einen einstellbaren Wider
stand 11 extern einstellbar ist. Die schaltbare Strom
quelle 9 wird mit der Frequenz der Oszillator-Schwingung
geschaltet und regt den Schwingkreis 8 des Oszillators 3
an. Sie ist in beiden oder nur in einer Halbwelle der Os
zillator-Schwingung wirksam. Ein derartiger Oszillator hat
eine sehr geringe Stromaufnahme (50 µA) und eine große An
sprechempfindlichkeit. Dabei verhält sich das Ausgangssig
nal proportional zur Bedämpfung des Schwingkreises 8. Um
die dabei auftretenden geringen Signalspannungen und Ampli
tuden-Änderungen auswerten zu können, wird ein mittelwert
bildender Gleichrichter 4 verwendet, der an den hochohmigen
Punkt "A" des Schwingkreises 8 des Oszillators 3 ange
schlossen ist. Der Ausgang des Gleichrichters 4 ist mit dem
Eingang des Schwellwert-Schalters (Schmitt-Trigger) 5 ver
bunden. Der Gleichrichter 4 enthält zwei Transistoren T1
und T2, von denen die Basis von T2 über die Diode D2 mit
dem Emitter von T1 und die Basis von T1 mit dem Kollektor
von T2 verbunden ist. Die Diode D2 ist mit der Anode am
Emitter von T1 angeschlossen. Parallel zur Diode D2 liegt
der Kondensator C2.
Zwischen dem Emitter von T1 und dem Kollektor von T2 bzw.
der Basis von T1 liegt die Diode D1 mit der Anode am
Emitter von T1.
Der gemeinsame Verbindungspunkt von Emitter T1, Anode D1,
Anode D2 und Kondensator C2 ist über den Koppelkonden
sator C1 an Punkt "A" des Schwingkreises 8 des Oszillators 3
angeschlossen.
Der gemeinsame Anschlußpunkt der Basis des Transistors T1
und des Kollektors von T2 ist über den hochohmigen Wider
stand R2 am Pluspol der Spannungsversorgung angeschlossen.
Er wirkt als Konstantstromquelle zur Arbeitspunkteinstellung
des Transistors T2.
Der Emitter von T2 liegt auf Bezugspotential. Am Kollektor
widerstand R1 des Transistors T1 fällt die Gleichricht
spannung ab, die in Abhängigkeit von der Bedämpfung des Os
zillators 3 den Schwellwert-Schalter (Schmitt-Trigger) über
die Verbindung 12 ansteuert. Durch den Kondensator C3 wird
der Wechselspannungsanteil ausgesiebt.
Claims (4)
1. Elektronischer Näherungsschalter mit einem Oszillator, einem
dem Oszillator nachgeschalteten Schwellwert-Schalter, z. B.
Schmitt-Trigger, und einem durch den Schwellwert-Schalter
betätigbaren Last-Schalter, wie Thyristor oder Triac, wobei
zwischen dem Oszillator und dem Schwellwert-Schalter ein
Gleichrichter geschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, daß
der Gleichrichter (4) in an sich bekannter Weise als mittel
wertbildender Gleichrichter ausgebildet ist und wenigstens
zwei Transistoren T1 und T2 enthält, von denen die Basis
von T2 mit dem Emitter von T1 und die Basis von T1 mit
dem Kollektor von T2 verbunden ist und daß zwischen dem
Emitter von T1 und dem Kollektor von T2 bzw. der Basis von
T1 eine Diode D1 mit der Anode am Emitter von T1 ange
schlossen ist und an den Verbindungspunkt von Emitter T1,
Basis T2 und Anode D1 der Oszillator-Ausgang ggf. über
einen Kondensator C1 und an den Kollektor von T1 der
Schwellwert-Schalter (5) angeschlossen ist.
2. Elektronischer Näherungsschalter nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Diode D1 eine Germanium-Diode ist.
3. Elektronischer Näherungsschalter nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Diode D1 eine Schottky-Diode ist.
4. Elektronischer Näherungsschalter nach einem der Ansprüche 1
bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Verbindung
des Anschlußpunktes Emitter T1, Anode D1 und der Basis
von T2 eine Diode D2 mit der Kathode an der Basis von T2
angeschlossen und parallel zur Diode D2 ein Kondensator C2
geschaltet ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19833322701 DE3322701A1 (de) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | Elektronischer naeherungsschalter mit einem dem oszillator nachgeschalteten gleichrichter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19833322701 DE3322701A1 (de) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | Elektronischer naeherungsschalter mit einem dem oszillator nachgeschalteten gleichrichter |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3322701A1 DE3322701A1 (de) | 1985-01-03 |
DE3322701C2 true DE3322701C2 (de) | 1992-07-16 |
Family
ID=6202229
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19833322701 Granted DE3322701A1 (de) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | Elektronischer naeherungsschalter mit einem dem oszillator nachgeschalteten gleichrichter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3322701A1 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0399242B1 (de) * | 1989-05-19 | 1996-03-20 | Festo KG | Temperaturstabiler induktiver Näherungsschalter |
FR2647982B1 (fr) * | 1989-06-02 | 1991-09-20 | Sgs Thomson Microelectronics | Procede et dispositif de detection compense en temperature de l'oscillation d'un circuit resonant |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2154414B1 (de) * | 1971-11-02 | 1973-05-03 | Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen | |
DE2157824A1 (de) * | 1971-11-22 | 1973-05-30 | Harro Dipl Ing Mueller | Vorrichtung zur feststellung von bewegten metallteilen |
-
1983
- 1983-06-24 DE DE19833322701 patent/DE3322701A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3322701A1 (de) | 1985-01-03 |
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