DE1078610B - Schaltungsanordnung fuer einen transistorisierten monostabilen Sperrschwinger hoher Empfindlichkeit - Google Patents
Schaltungsanordnung fuer einen transistorisierten monostabilen Sperrschwinger hoher EmpfindlichkeitInfo
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/30—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using a transformer for feedback, e.g. blocking oscillator
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- Power Engineering (AREA)
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Description
DEUTSCHES
Zur Neuformung insbesondere kurzzeitiger Impulse sind bereits Kippschaltungen bekannt, die bei
einem Anstoß durch den neu zu bildenden Impuls ihren Schaltzustand vorübergehend ändern und dabei
an ihrem Ausgang den neu gebildeten Impuls in Erscheinung treten lassen. Diese Kippschaltungen sind
bisher entweder als bi- oder monostabile Multivibratoren, die als Schaltelemente zwei Transistoren enthalten,
oder als monostabil arbeitende Sperrschwinger ausgebildet worden. Da in elektronischen Schalt- oder to
Rechenanlagen eine Vielzahl derartiger Impulsformer erforderlich ist, ist der durch diese Impulsformer
bekannter Ausbildung bedingte Aufwand recht beträchtlich. Außerdem war es bisher notwendig, noch
besondere Vorsichtsmaßnahmen zu treffen, daß bei diesen Kippschaltungen keine Selbsterregung auftrat,
die nicht die Bildung eines einzigen, sondern die Bildung einer Folge von Impulsen verursachen.
Die Erfindung vereinfacht die bekannten Impulsformerschaltungen unter gleichzeitiger Verringerung ao
der Gefahr der Selbsterregung derartiger Schaltungen. Erfindungsgemäß liegt mit dem Emitter eines in
Emitter-Basis-Schaltung betriebenen Transistors die Primärwicklung eines Übertragers in Reihe, dessen
Sekundärwicklung zusammen mit einem Einweggleichrichter, einem Kondensator und einem Entladewiderstand
parallel zu der Emitter-Basis-Strecke geschaltet ist. Der Basis des Transistors werden die zu
korrigierenden Impulse zugeführt und an dessen Kollektor die korrigierten Impulse abgenommen, wobei
der in den Emitter-Basis-Kreis geschaltete Gleichrichter eine derartige Sperrichtung aufweist, daß nur
bei Impulsbeginn die auf die Basis des Transistors induktiv rückgekoppelte Spannungsänderung des Entladekreises
wirksam ist, während am Impulsende die Entladespannung des für die Dauer des Impulses aufgeladenen
Kondensators in einem entgegengesetzten Sinn auf die Basis des Transistors einwirkt. Zweckmäßig
ist die Reihenschaltung der Sekundärwicklung des Übertragers und Gleichrichters durch den Entladewiderstand
des Kondensators überbrückt. Die Sperrrichtung des Gleichrichters und der Wicklungssinn
der Wicklungen des Übertragers sind dabei so gekoppelt, daß die bei Impulsbeginn in der Sekundärwicklung
induzierte Spannung den mit der Sekundärwicklung in Reihe liegenden Gleichrichter öffnet,
während die am Impulsende induzierte Spannung durch den Gleichrichter gesperrt wird.
In der Zeichnung ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellt.
An die Ausgangsklemmen des Impulsformers, die
mit dem Kollektor des Transistors Tr verbunden ist, ist ein Abschlußwiderstand Ra angelegt. Der Eingangsklemme
e werden die zu korrigierenden Impulse Schaltungsanordnung
für einen transistorisierten monostabilen
Sperrschwinger hoher Empfindlichkeit
Anmelder:
Friedrich Merk,
Telefonbau Aktiengesellschaft,
München 9, Warngauer Str. 32
Dipl.-Ing. Friedrich. Heim, Krailling bei München,
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
zugeführt, die über den Gleichrichter Gl 2 auf die Basis des Transistors Tr einwirken. Die Wicklung W1
eines Übertragers liegt mit dem Emitter des Transistors in Reihe, während die Wicklung W2 dieses
Übertragers zwischen die Basis und den Emitter geschaltet ist. In diesem Kreis liegt außerdem ein
Gleichrichter GIl und ein Kondensator C1 dessen Entladewiderstand
R2 parallel zur Wicklung W 2 liegt.
Der Transistor ist im Ruhezustand leitend, und der Kollektor des Transistors liefert an den Belastungswiderstand
Ra einen eingeprägten Strom, der durch die Spannung U1 den Widerstand R I1 den Widerstand
RZ und die Verstärkung des Transistors gegeben ist. Als Arbeitspunkt auf der /c-fJc-Kennlinie
des Transistors wird dabei der Knickpunkt der Kennlinie gewählt, d.h. die Stelle, an der die Charakteristik
in den waagerechten Teil übergeht. Dieser Punkt wird durch das Potential TJ 2 vermindert um das Emitter-Potential
des Transistors, durch den eingeprägten Strom Ic sowie durch den Widerstand Ra bestimmt.
Trifft nun ein positiver Impuls am Eingang e ein, so wird die Potentialdifferenz zwischen der Basis und
dem Emitter zunächst etwas geringer. Diese verursacht eine geringe Stromabnahme im Emitter, und
diese Änderung des Emitterstromes induziert in der Wicklung Wi des Übertragers eine Spannung solcher
Polarität, daß der Gleichrichter GIl öffnet und die dadurch entstandene Potentialdifferenz zwischen der
Basis und dem Emitter weiter abnimmt. Dies verursacht eine weitere Abnahme des Emitterstromes, die
nun wiederum auf die Wicklung W2 als Spannungsänderung rückgekoppelt wird und damit auf die
Spannung Basis—Emitter einwirkt. Die zwischen der
Basis und dem Emitter bestehende Potentialdifferenz nimmt daher immer weiter ab, bis sie schließlich den
Wert 0 erreicht und mit umgekehrten Vorzeichen
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wieder ansteigt. Der Emitterstrom strebt gegen den Wert 0. Wenn dieser erreicht ist, wird er infolge des
bestehenden magnetischen Feldes noch für eine bestimmte Zeit aufrechterhalten. Diese Zeitspanne hängt
von der Induktivität und dem Windungsverhältnis des Übertragers, von der Kapazität des Kondensators C,
von der Größe der Widerstände R1 und R2, von der
Spannung U1 und in kleinerem Maße auch von dem Basis-Emitter-Sperrwiderstand und von der Basis-Emitter-Kniespannung
des Transistors in öffnungsrichtung ab. Sobald die Spannung an der Wicklung
W2 genügend weit abgeklungen ist, wird die Spannung
JJl über den Widerstand Rl wirksam, und
dieser wird nun die Spannung des Kondensators C1
der während der vorangegangenen Periode aufgeladen wurde, hinzugefügt. Der Kondensator C entlädt sich
über den Widerstand R2 und bewirkt somit ein rasches Anwachsen des Emitter- und damit des
Kollektorstromes im Transistor. Das Anwachsen des Emitterstromes bewirkt die Induzierung einer Span,-nung
in der Wicklung WI des Übertragers, die jedoch
diesmal eine solche Polarität besitzt, daß sie vom Gleichrichter GIl gesperrt wird und infolgedessen am
Transistor nicht wirksam werden kann.
Der Übertrager ist infolgedessen nur für die An-Stiegsflanke und das Dach des neu gebildeten Impulses
wirksam, womit die Gefahr der Selbsterregung beseitigt ist. Trotz der Unwirksammachung des Übertragers
bei der Bildung der Rückflanke ist diese Rückflanke verhältnismäßig sehr steil, da sich der aufgeladene
Kondensator über die Basis-Emitter-Strecke entlädt und eine Versteilerung der Rückflanke bewirkt.
Claims (3)
1. Schaltungsanordnung für einen transistorisierten monostabilen Sperrschwinger hoher Emp
findlichkeit zur Formung kurzzeitiger Impulse, dadurch gekennzeichnet, daß mit dem Emitter eines
in Emitter-Basis-Schaltung betriebenen Transistors (Tr) die Primärwicklung (Wl) eines Übertragers
in Reihe liegt, dessen Sekundärwicklung (W2) zusammen mit einem Einweggleichrichter (GH),
einem Kondensator (C) und einem Entladewiderstand (R2) parallel zur Emitter-Basis-Strecke geschaltet
ist, der Basis des Transistors die zu korrigierenden Impulse zugeführt und an dessen Kollektor
die korrigierten Impulse abgenommen werden und daß der in den Emitter-Basis-Kreis
geschaltete Gleichrichter (GH) eine derartige Sperrichtung aufweist, so daß nur bei Impulsbeginn
die auf die Basis des Transistors induktiv rückgekoppelte Spannungsänderung des Entladekreises
wirksam ist, während am Impulsende die Entladespannung des für die Dauer des Impulses
aufgeladenen Kondensators in einem entgegengesetzten Sinn auf die Basis des Transistors ein-.
wirkt.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Reihenschaltung der
Sekundärwicklung des Übertragers (W2) und Gleichrichters (Gl 1) durch den Entladewiderstand
(R2) des Kondensators (C) überbrückt ist.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrichtung des
Gleichrichters (GH) und der Wicklungssinn der Wicklungen des Übertragers so gewählt sind, daß
die bei Impulsbeginn in der Sekundärwicklung' (W2) induzierte Spannung den mit der Sekundärwicklung
in Reihe liegenden Gleichrichter (C-/1)
öffnet, während die am Impulsende induzierte Spannung durch den Gleichrichter (G/1) gesperrt
wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 909 768/277 3.60
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEM40087A DE1078610B (de) | 1958-12-31 | 1958-12-31 | Schaltungsanordnung fuer einen transistorisierten monostabilen Sperrschwinger hoher Empfindlichkeit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEM40087A DE1078610B (de) | 1958-12-31 | 1958-12-31 | Schaltungsanordnung fuer einen transistorisierten monostabilen Sperrschwinger hoher Empfindlichkeit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1078610B true DE1078610B (de) | 1960-03-31 |
Family
ID=7303598
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEM40087A Pending DE1078610B (de) | 1958-12-31 | 1958-12-31 | Schaltungsanordnung fuer einen transistorisierten monostabilen Sperrschwinger hoher Empfindlichkeit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1078610B (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1254682B (de) * | 1965-09-28 | 1967-11-23 | Blaupunkt Werke Gmbh | Transistor-Sperrschwinger |
DE1279730B (de) * | 1964-09-03 | 1968-10-10 | Siemens Ag | Transistor-Sperrschwinger veraenderbarer Impulsfolgefrequenz mit einem Hallgeneratorzur Quotientenbildung zweier elektrischer Groessen |
-
1958
- 1958-12-31 DE DEM40087A patent/DE1078610B/de active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1279730B (de) * | 1964-09-03 | 1968-10-10 | Siemens Ag | Transistor-Sperrschwinger veraenderbarer Impulsfolgefrequenz mit einem Hallgeneratorzur Quotientenbildung zweier elektrischer Groessen |
DE1254682B (de) * | 1965-09-28 | 1967-11-23 | Blaupunkt Werke Gmbh | Transistor-Sperrschwinger |
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