DE2154414B1 - - Google Patents

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DE2154414B1
DE2154414B1 DE2154414A DE2154414DA DE2154414B1 DE 2154414 B1 DE2154414 B1 DE 2154414B1 DE 2154414 A DE2154414 A DE 2154414A DE 2154414D A DE2154414D A DE 2154414DA DE 2154414 B1 DE2154414 B1 DE 2154414B1
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DE
Germany
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oscillator
field effect
effect transistor
output
voltage
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Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE2154414A
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English (en)
Inventor
Heinz 8451 Kuemmersbruck Walker
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of DE2154414B1 publication Critical patent/DE2154414B1/de
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/94Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
    • H03K17/945Proximity switches
    • H03K17/95Proximity switches using a magnetic detector
    • H03K17/951Measures for supplying operating voltage to the detector circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/94Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
    • H03K17/945Proximity switches
    • H03K17/95Proximity switches using a magnetic detector
    • H03K17/952Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils
    • H03K17/9537Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils in a resonant circuit
    • H03K17/9542Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils in a resonant circuit forming part of an oscillator
    • H03K17/9547Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils in a resonant circuit forming part of an oscillator with variable amplitude

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

1 2 F i g. 2 stellt eine Schaltungsvariante für eine Patentansprüche: Wechselspannungsausführung der erfindungsgemä ßen Schaltvorrichtung dar.
1. Kontakt- und berührungslos arbeitende Gleiche Teile sind in beiden Figuren mit gleichen Schaltvorrichtung mit einem bedämpfbaren Os- 5 Bezugszeichen versehen.
zillator, dessen Ausgangssignal einer Auswert- Der Oszillator besteht aus dem von den beiden
schaltung eingegeben ist, dadurch gekenn- Widerständen 1, 2 gebildeten Spannungsteiler zum
zeichnet, daß der Oszillatorausgang (19) mit Einstellen des Arbeitspunktes, dem Parallelschwing-
dem Steuereingang (11) eines hochohmigen kreis aus der Spule 3 mit dem Kondensator 4, der
Halbleiters (12) verbunden ist. io Rückkoppelspule 5, dem Oszillatortransistor 6 und
2. Schaltvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch dem Emitterwiderstand 7. Die Elemente 1 bis 7 sind gekennzeichnet, daß der hochohmige Halbleiter in bekannter Weise nach Art eines Meißneroszillaein Feldeffekttransistor (12) ist. tors zusammengeschaltet. Die Sinus-Wechsel-
3. Schaltvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, spannung kann über einen Kondensator 8, dessen dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Steuerein- 15 Kapazität sehr gering ist, und einen sehr hochohmigang (11) und Oszillatorausgang (19) ein Gleich- gen Widerstand 9 ausgekoppelt werden, wobei der richter (10) eingeschaltet ist. Oszillatorausgang für die negativen Halbwellen über
den Gleichrichter 10 mit dem Gate 11 des Feldeffekttransistors 12 in Verbindung steht. Der Wider-
20 stand 13 sorgt für das entsprechende Ausgangspotential am Feldeffekttransistor zum Ausgangsverstärker 14, dessen Einzelelemente nicht näher dargestellt
Die Erfindung bezieht sich auf eine kontakt- und sind. Die Ausgänge des Ausgangsverstärkers sind mit berührungslos arbeitende Schaltvorrichtung mit 15 und 16 bezeichnet. Die Gleichstrom-Stromversoreinem bedämpfbaren Oszillator, dessen Ausgangs- 25 gung wird an die Klemmen 17 und 18 angeschlossen, signal einer Auswertschaltung eingegeben ist. Im unbedämpften Zustand des Oszillators liegen
Bei bekannten Schaltvorrichtungen der obenge- die negativen Halbwellen der Sinus-Schwingung des nannten Art ist der Oszillator mit einer Auskoppel- Oszillators am Gate des N-Kanal-Sperrschicht-Feldspule versehen, die über einen Kondensator und effekttransistors 12 und sperren diesen. Die Gleichrichter an einen niederohmig gehaltenen Ein- 3° Gate-Kapazität reicht dabei zur Glättung aus. Wird gang eines Transistors angelegt ist. Abgesehen von nun der Oszillator bedämpft, so sinkt die Amplitude dem Bauelemente-Aufwand wird der Oszillator bei der negativen Halbwellen, so daß die Sperrspannung dieser bekannten Ausführung relativ stark belastet, für den Feldeffekttransistor nicht mehr ausreicht und was eine Verminderung sowohl des maximalen dieser durchlässig wird.
Schaltabstandes als auch der maximalen Schaltfre- 35 Im Schaltungsbeispiel nach Fig.2 ist das Gate 11 quenz und eine Verschlechterung des Temperatur- des Feldeffekttransistors 12 direkt an den Anschluß Verhaltens mit sich bringt. 19 der Verbindungsstelle zwischen Spule 3 und Os-
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine zillatortransistor 6 über den Gleichrichter 10 angekontakt- und berührungslos arbeitende Schaltvor- schlossen, so daß der Punkt 19 als Oszillatorausgang richtung der obengenannten Art mit einem relativ ge- 40 zu bezeichnen ist. Mit dem Feldeffekttransistor 12 ist ringen Bauelemente-Aufwand zu schaffen, deren ein Thyristor 20 in Steuerabhängigkeit gebracht, der technische Eigenschaften, insbesondere in bezug auf im gezündeten Zustand die Last 21 über die Gleich-Empfindlichkeit, gegenüber bekannten Schaltvorrich- richter 22 und die Zenerdiode 23 direkt an die Spantungen verbessert werden. Dies wird auf einfache nungsklemmen 24 und 25 anschaltet. Im nicht durch-Weise bei einer Schaltvorrichtung der obengenannten 45 gesteuerten Zustand des Thyristors, der durch Be-Art dadurch erreicht, daß der Oszillatorausgang mit dämpfung des Oszillators beeinflußt werden kann, dem Steuereingang eines hochohmigen Halbleiters fließt über die Last 21 nur ein solcher Strom, daß verbunden ist. Als besonders vorteilhaft hat sich über die Widerstandskombinationen 26, 27 und 28 hierfür der Feldeffekttransistor mit einem Eingangs- die Versorgungsspannung für den Oszillator an den Widerstand von etwa 1010 Ohm bewährt. Um eine 50 Punkten 29 und 30 zur Verfügung steht. Der über Glättung nach dem Feldeffekttransistor einsparen zu den Widerstand 28 mit der Zenerdiode parallel gekönnen, ist es vorteilhaft, wenn zwischen Steuerein- schaltete Kondensator 31 sorgt dafür, daß dem Oszilgang und Oszillatorausgang ein Gleichrichter einge- lator als Versorgungsspannung eine Gleichspannung schaltet ist, so daß lediglich nur die negativen Halb- und keine Halbwellenspannung zur Verfügung steht, wellen dem Feldeffekttransistor zugeführt werden. 55 Die Wirkungsweise der Schaltungsanordnung nach
An Hand der Zeichnung werden Ausf ührungsbei- F i g. 2 ist der nach F i g. 1 äquivalent,
spiele der erfindungsgemäßen Schaltvorrichtung er- Im Gegensatz zu bekannten Schaltvorrichtungen
läutert. erlaubt es die erfindungsgemäße, den Feldeffekttran-
F i g. 1 zeigt die allgemeine Ankopplung des Aus- sistor 12 sowohl als Demodulator als auch als Grenzgangssignals des Oszillators an den Ausgangsverstär- 60 wertmelder zu benutzen. Der Bauelemente-Aufwand ker und kann hierbei auf ein Minimum beschränkt werden.
DE2154414A 1971-11-02 1971-11-02 Pending DE2154414B1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2154414 1971-11-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2154414B1 true DE2154414B1 (de) 1973-05-03

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ID=5823978

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Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2154414A Pending DE2154414B1 (de) 1971-11-02 1971-11-02

Country Status (3)

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JP (1) JPS4853266A (de)
DE (1) DE2154414B1 (de)
FR (1) FR2159922A5 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3322701A1 (de) * 1983-06-24 1985-01-03 Pulsotronic Merten Gmbh & Co Kg, 5270 Gummersbach Elektronischer naeherungsschalter mit einem dem oszillator nachgeschalteten gleichrichter

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3322701A1 (de) * 1983-06-24 1985-01-03 Pulsotronic Merten Gmbh & Co Kg, 5270 Gummersbach Elektronischer naeherungsschalter mit einem dem oszillator nachgeschalteten gleichrichter

Also Published As

Publication number Publication date
FR2159922A5 (de) 1973-06-22
JPS4853266A (de) 1973-07-26

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