DE1294495B - Elektrische Generatoranordnung - Google Patents

Elektrische Generatoranordnung

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DE1294495B
DE1294495B DEG44933A DEG0044933A DE1294495B DE 1294495 B DE1294495 B DE 1294495B DE G44933 A DEG44933 A DE G44933A DE G0044933 A DEG0044933 A DE G0044933A DE 1294495 B DE1294495 B DE 1294495B
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transistor
emitter
zener diode
circuit
transistors
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DEG44933A
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English (en)
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Whitbread John Raymond
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General Electric Co PLC
Original Assignee
General Electric Co PLC
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Pending legal-status Critical Current

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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L5/00Automatic control of voltage, current, or power
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
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    • H03B5/30Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
    • H03B5/32Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
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    • H03B5/362Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor

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  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

  • Die Erfindung betrifft elektrische Generatoranordnungen.
  • Insbesondere, aber nicht ausschließlich, bezieht sich diese Erfindung auf elektrische Generatoranordnungen, die Zenerdioden enthalten, welche eine Stabilisierung des vom Generator gelieferten Schwingungssignals bewirken sollen.
  • In bekannten Formen von elektrischen Schwingungssignal-Generatoranordnungen, bei denen das Signal mit Hilfe eines Flächentransistors erzeugt wird, wird die Signalamplitude durch Steuerung der Werte der Gleichvorspannungen stabilisiert, die an den Transistor angelegt werden.
  • Diese Steuerung wird oft mit Hilfe einer Zenerdiode erzielt, die über der Basis-Emitter-Strecke des Transistors liegt, wobei diese Diode in Sperrichtung betrieben wird.
  • Beim Betrieb in dieser Art stellt die Diode einen beträchtlichen Widerstand gegen den Stromfluß in der einen Richtung dar, und jegliche Änderung im Wert dieses Stromes, die z. B. durch eine Änderung des Wertes der Gleichspannungsversorgung der Anordnung hervorgerufen sein kann, wird eine Änderung der Potentialdifferenz über die Diode hervorrufen. Demnach werden die an die Emitter- und Basiselektroden des Transistors angelegten Vorspannungen beeinflußt, und die Amplitude des vom Transistor erzeugten Schwingungssignals wird verändert.
  • Ziel der vorliegenden Erfindung ist eine elektrische Schaltungsanordnung, die Teil einer elektrischen Schwingungssignal-Generatoranordnung sein kann, bei der das oben genannte Problem in wesentlichem Maße überwunden ist.
  • Die Erfindung geht aus von einer elektrischen Generatoranordnung, die aus einer Oszillatorschaltung und einer nachgeschalteten Verstärkerschaltung, die jeweils mindestens einen Transistor enthalten, besteht und Vorrichtungen einschließlich einer Zenerdiode zur Stabilisierung der Vorspannungspegel in der Oszillator- und Verstärkerschaltung enthält.
  • Gemäß der Erfindung liegt die Zenerdiode im Emitter-Kollektor-Stromkreis mindestens eines Transistors in der ersten der beiden Schaltungen und im Betrieb wird die ganze oder ein bestimmter Bruchteil der im Kreis mit der Zenerdiode erzeugten Spannung als Vorspannung an das Emitter-Basis-Netzwerk mindestens eines Transistors in der zweiten der beiden Schaltungen angelegt. Ferner wird eine Spannung, die vom Emitter-Kollektor-Stromfluß des oder eines Transistors der zweiten Schaltung abgeleitet ist, als eine Vorspannung an das Emitter-Basis-Netzwerk mindestens eines Transistors in der ersten Schaltung angelegt.
  • Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung führt die Zenerdiode Strom von den Kollektor-Emitter-Pfaden von zwei Transistoren in einer der Schaltungen, wobei die Basis-Emitter-Vorspannung jedes dieser Transistoren durch den Wert des Kollektor-Emitter-Stromflusses eines entsprechenden von zwei Transistoren in der anderen der Schal- i tungen bestimmt wird und die Basis-Emitter-Vorspannung jedes der letztgenannten zwei Transistoren durch die Spannung bestimmt wird, die über der Zenerdiode entwickelt wird.
  • Ein weiterer Vorteil ergibt sich, wenn der oder i jeder Transistor in der einen Schaltung ein pnp-Flächentransistor und der oder jeder Transistor in der anderen Schaltung ein npn-Flächentransistor ist. Die eine Ausführungsform einer elektrischen Schwingungssignal-Generatoranordnung und eine Abänderung davon werden jetzt als Beispiel unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
  • F i g. 1 ist ein Schaltbild der Anordnung und F i g. 2 ist ein Schaltbild der abgeänderten Anordnung.
  • Die Anordnung in F i g. 1 umfaßt eine Oszillatorschaltung 1 und eine Verstärkerstufe 2.
  • Die Oszillatorschaltung 1 enthält einen npn-Flächentransistor 3, der mit einem Rückkopplungspfad zwischen seinem Kollektor und der Basis versehen ist, wobei dieser Rückkopplungspfad eine Kapazität 4, einen Übertrager 5, einen Widerstand 6, einen Kristall 7 und eine Kapazität 8 enthält. Das eine Ende jeder Wicklung des Übertragers 5 ist mit einer Erdleitung 9 über einen Widerstand 10 und eine Kapazität 11 parallel dazu verbunden. Der Emitter des Transistors 3 liegt über die beiden Widerstände 13 und 14 an einer Versorgungsleitung 12, wobei der Verbindungspunkt zwischen diesen beiden Widerständen 13 und 14 über eine Kapazität 15 an Erde liegt.
  • Die Verstärkerstufe 2 enthält einen pnp-Flächentransistor 16. Der Emitter des Transistors 16 liegt über die beiden Widerstände 17 und 18 an der Erdleitung 9, und der Verbindungspunkt zwischen den Widerständen 17 und 18 liegt über eine Kapazität 19 ebenfalls an der Erdleitung 9. Der Kollektor des Transistors 16 ist über die Primärwicklung eines Übertragers 20 und über eine Zenerdiode 21 mit der Versorgungsleitung 12 verbunden, wobei die Primärwicklung des übertragers 20 durch eine Kapazität 22 überbrückt ist. Der Verbindungspunkt zwischen der Primärwicklung des Übertragers 20 und der Zenerdiode 21 liegt über eine Kapazität 23 an Erde und an der Basis des Transistors 3 in der Oszillatorschaltung 1 über die Parallelschaltung einer Kapazität 24, einer Induktivität 25 und eines Widerstandes 26. Die Basis des Transistors 16 ist mit einem Abgriff eines Widerstandes 6 in der Oszillatorschaltung 1 verbunden. Der Ausgang der Anordnung wird über der Sekundärwicklung des Übertragers 20 abgenommen und über die beiden Widerstände 27 und 28 an die Ausgangsklemmen 29 und 30 geliefert.
  • Während des Betriebes der Anordnung wird die Versorgungsleitung 12 nominell auf einem Potential von 13,5 Volt in bezug auf die Erdleitung 9 durch die Quelle 50 gehalten.
  • Der Betrieb der Anordnung verläuft wie folgt: Es wird zuerst der Wechselstrombetrieb der Anordnung betrachtet.
  • Der Transistor 3 arbeitet auf bekannte Weise, um ein Schwingungssignal zu erzeugen, dessen Frequenz durch die Resonanzfrequenz des Kristalls 7 und dessen Amplitude durch den Wert der Gleichvorspannungen bestimmt wird, die an die Elektroden des Transistors 3 angelegt werden. Dieses Schwingungssignal wird an den Transistor 16 über dessen Basis-Emitter-Strecke zwischen der Erdleitung 9 und dem Abgriff am Widerstand 6 gegeben, wird im Transistor 16 verstärkt und dann von der Kollektorelektrode des Transistors 16 über den Übertrager 20 an die Ausgangsklemmen 29 und 30 geliefert.
  • Es wird jetzt die Betriebsgleichspannungsversorgung der Anordnung betrachtet.
  • Der Einfachheit halber wird diese unter Bezugnahme auf nur vier Bauelemente, nämlich die Transistoren 3 und 16, den Widerstand 10 und die Zenerdiode 21 beschrieben, und es werden die beiden Pfade zwischen den Leitungen 9 und 12 betrachtet, von denen der erste den Widerstand 10 und die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors 3 und der zweite die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors 16 und die Zenerdiode 21 enthält.
  • Die Zenerdiode 21 wird in Sperrichtung betrieben und ist so gestaltet, daß sie die Potentialdifferenz über der Basis-Emitter-Strecke des Transistors 3 bestimmt. Damit das vom Transistor 3 erzeugte Schwingungssignal eine praktisch stabile Amplitude haben kann, ist es notwendig, daß die Potentialdifferenz über der Basis-Emitter-Strecke des Transistors 3 praktisch stabil ist, und um dies zu erzielen, ist es notwendig, den Wert des in der Zenerdiode 21 fließenden Gleichstromes und damit den in der Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors 16 praktisch stabil zu halten.
  • Der Wert des in der Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors 16 fließenden Gleichstromes ist abhängig von der Potentialdifferenz über der Basis-Emitter-Strecke des Transistors 16. Diese Potentialdifferenz wird durch den Spannungsabfall am Widerstand 10 bestimmt, der von dem Wert des im Widerstand 10 fließenden Gleichstromes abhängt.
  • Der im Widerstand 10 fließende Gleichstrom fließt auch in der Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors 3, und deshalb ist sein Wert von der Potentialdifferenz über der Basis-Emitter-Strecke des Transistors 3 abhängig, die, wie oben angegeben wurde, durch die Zenerdiode 21 bestimmt wird.
  • Wenn demnach die Potentialdifferenz zwischen den Leitungen 9 und 12 von ausreichender Größe ist, um die Zenerdiode in ihrem Sperrzustand zu halten, dann wird der Wert des in jedem der beiden oben gekennzeichneten Pfade fließenden Gleichstromes priktisch konstant gehalten.
  • Dies stellt sicher, daß die Potentialdifferenz über der Zenerdiode 21 und damit über der Basis-Emitter-Strecke des Transistors 3 und damit die Amplitude des vom Transistor 3 erzeugten Schwingungssignals sowie das von der Anordnung gelieferte Schwingungssignal praktisch stabil gehalten werden.
  • Die beschriebene Anordnung hat den Vorteil, daß Veränderungen im Wert der Potentialdifferenz zwischen den Leitungen 9 und 12, die z. B. durch ein Ermüden der Zellen hervorgerufen werden können, wenn die Gleichspannungsquelle eine Batterie ist, keine nachteilige Wirkung auf die Amplitude des von der Anordnung gelieferten Schwingungssignals haben.
  • Als eine Abänderung der oben beschriebenen Anordnung können die Stellungen der Zenerdiode 21 und des Widerstandes 10 vertauscht werden, wobei die Zenerdiode 21 in Durchlaßrichtung zur Erdleitung 9 geschaltet wird.
  • Bei dieser abgeänderten Anordnung erzeugt die Zenerdiode eine praktisch stabile Potentialdifferenz über der Basis-Emitter-Strecke des Verstärkertransistors 16, und erneut wird der Wert des in jedem der beiden oben beschriebenen Pfade, die jetzt abgeändert sind, fließenden Gleichstromes praktisch konstant gehalten, und damit wird die Amplitude des von der Anordnung gelieferten Schwingungssignals praktisch stabil gehalten.
  • In der F i g. 2 ist der Transistor 3 des Schwingungssignalgenerators gemäß F i g. 1 durch ein Paar von npn-Flächentransistoren 31 und 32 ersetzt, und der Verstärkertransistor 16 der F i g. 1 ist durch ein Paar pnp-Flächentransistoren 33 und 34 ersetzt, zumindest insoweit, wie die Gleichspannungsbedingungen der Anordnung betroffen sind.
  • Eine Zenerdiode 35 liegt über der Basis-Emitter-Strecke jedes der Transistoren 33 und 34, und ein Widerstand 36 ist mit einem entsprechenden der beiden Widerstände 37 und 38 über der Basis-Emitter-Strecke jedes Transistors 31 und 32 in Reihe geschaltet.
  • Es werden erneut wie im Fall der F i g. 1 zwei Pfade zwischen der Erdleitung 39 und der Versorgungsleitung 40 betrachtet, wobei der eine Pfad die Zenerdiode 35 in Reihe mit der Emitter-Kollektor-Strecke jedes der Transistoren 31 und 32 und der andere Pfad die Parallelanordnung aus der Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors 33 und dem Widerstand 37 sowie der Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors 34 und dem Widerstand 38 in Reihe mit dem Widerstand 36 enthält. Die Anordnung hält den Wert des in jedem dieser beiden Pfade fließenden Gleichstromes praktisch konstant, und damit wird die Potentialdifferenz über der Basis-Emitter-Strecke jedes Transistors 31, 32, 33 und 34 praktisch konstant gehalten.
  • Wenn die Wechselstrombedingungen der Anordnung betrachtet werden, so ist der Transistor 32 mit einem Rückkopplungsweg zwischen seinem Kollektor und seiner Basis ausgerüstet, wobei dieser Rückkopplungsweg einen Kristall 41 und einen übertrager 42 enthält. Der Transistor 32 arbeitet auf bekannte Weise und erzeugt ein Schwingungssignal, dessen Frequenz durch den Kristall 41 und dessen Amplitude durch die Gleichvorspannungen an den Elektroden des Transistors 32 bestimmt werden. Dieses Signal wird auf den Transistor 34 geliefert, wird dort verstärkt und gelangt dann über die beiden npn-Transistoren 43 und 44 an einen Ausgangsübertrager 45 und damit an die Ausgangsklemmen 46 und 47. Ein Teil des am Übertrager 45 auftretenden Signals wird auf die Basiselektrode des Transistors 33 zurückgekoppelt.
  • Die Paare der Transistoren 31 und 32 sowie 33 und 34 besitzen einen entsprechenden Widerstand 48 oder 49 in den Emitterstrecken der Transistoren 31 und 32 oder 33 und 34 jedes Paares. Die Transistoren 31 und 32 oder 33 und 34 in jedem Paar arbeiten auf diese Weise zusammen auf bekannte Weise, so daß sie einander bei irgendwelchen Änderungen der Arbeitskennlinien entgegenwirken, die z. B. durch Temperaturänderungen hervorgerufen werden können.
  • Demnach sind die an jeden der Transistoren 31, 32, 33 und 34 angelegten Gleichvorspannungen gegen Veränderungen in der Potentialdifferenz, die von der Quelle 51 zwischen der Erdleitung 39 und der Versorgungsleitung 40 geliefert wird, stabilisiert, und die Transistoren 31, 32, 33 und 34 sind so angeordnet, daß sie praktisch unbeeinflußt sind durch Temperaturänderungen und demnach wird die Amplitude des von der Anordnung an die Ausgangsklemmen 46 und 47 gelieferten Schwingungssignals praktisch stabil gehalten.

Claims (3)

  1. Patentansprüche: 1. Elektrische Generatoranordnung, bestehend aus einer Oszillatorschaltung und einer nachgeschalteten Verstärkerschaltung, die jeweils mindestens einen Transistor enthalten und aus Vorrichtungen einschließlich einer Zenerdiode zur Stabilisierung der Vorspannungspegel in der Oszillator- und Verstärkerschaltung, dadurch gekennzeichnet, daß die Zenerdiode im Emitter-Kollektor-Strompfad mindestens eines Transistors in der ersten der beiden Schaltungen liegt und im Betrieb die ganze oder ein bestimmter Bruchteil der im Kreis mit der. Zenerdiode erzeugten Spannung als Vorspannung an das Emitter-Basis-Netzwerk mindestens eines Transistors in der zweiten der beiden Schaltungen angelegt wird, und daß eine Spannung, die vom Emitter-Kollektor-Stromfluß des oder eines Transistors der zweiten Schaltung abgeleitet ist, als eine Vorspannung an das Emitter-Basis-Netzwerk mindestens eines Transistors in der ersten Schaltung angelegt wird.
  2. 2. Elektrische Generatoranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zenerdiode Strom von den Kollektor-Emitter-Pfaden von zwei Transistoren in einer der Schaltungen führt, wobei die Basis-Emitter-Vorspannung jedes dieser Transistoren durch den Wert des Kollektor-Emitter-Stromflusses eines entsprechenden von zwei Transistoren in der anderen der Schaltungen bestimmt wird und die Basis-Emitter-Vorspannung jedes der letztgenannten zwei Transistoren durch die Spannung bestimmt wird, die über der Zenerdiode entwickelt wird.
  3. 3. Elektrische Generatoranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der oder jeder Transistor in der einen Schaltung ein pnp-Flächentransistor und der oder jeder Transistor in der anderen Schaltung ein npn-Flächentransistor ist.
DEG44933A 1964-10-14 1965-10-12 Elektrische Generatoranordnung Pending DE1294495B (de)

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