DE2043737A1 - Bistabiler Komparator mit Hysteresisverhalten - Google Patents

Bistabiler Komparator mit Hysteresisverhalten

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DE2043737A1
DE2043737A1 DE19702043737 DE2043737A DE2043737A1 DE 2043737 A1 DE2043737 A1 DE 2043737A1 DE 19702043737 DE19702043737 DE 19702043737 DE 2043737 A DE2043737 A DE 2043737A DE 2043737 A1 DE2043737 A1 DE 2043737A1
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transistor
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voltage
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Günther 1000 Berlin Troll
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/286Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
    • H03K3/2893Bistables with hysteresis, e.g. Schmitt trigger

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Description

  • Bistabiler Komparator mit Hysteresisverhalten Gegenstand der Erfindung ist ein bistabiler Komparator mit Hysteresisverhalten zwischen Ansprech- und Abfallpegel aus miteinander verknüpften Referenzelementen sowie steuerbaren Halbleiterbauelementen.
  • In elektronischen Schaltungen und Geräten werden häufig Komparatoren benötigt, die nicht nur bei ober- bzw. Unterschreiten einer bestimmten Ansprechschwelle ein Signal abgeben, sondern erst nach bzw. vor einem frei wählbaren Abstand von der Ansprechschwelle. Diese sich daraus ergebende Hysteresis zwischen Ansprech- und Abfallpegel kann aus verschiedenen Gründen erforderlich sein. Zum einen sollen Schwingungen in Regel- und Uberwachungsschaltungen vermieden werden, zum anderen ist für eventuell auftretende Störungen ein ausreichender Sicherheitsabstand bis zum Ansprechpegel erforderlich, um ein Fehlansprechen infolge eines solchen Störsignals zu verhindern.
  • Eine bekannte Anordnung dieser Art, nämlich ein Schmitt-Trigger mit einstellbaren Schwellenwerten (siehe VALVO Transistor-Kompendium Teil IV, Seite 3X) weist zur Hysteresisbildung hauptsächlich Widerstandsbewertungen in Verbindung mit steuerbaren Halbielterbauelementen auf. Infolge dieser Anordnung muß zur Erhaltung der Funktionsfähigkeit sowie ausreichenden Genauigkeit ständig eine stabilisierte Spannung zur versorgung des Komparat;ors vorhanden sein. Die Bereitstellung dieser stabllisierten Versorgungsspannung kann unter Umständen einer. nicht unerheblichen zusätzlichen Schaltungsaufwand verursachen 5 beispielsweise im Falle einer direkten potentialfreien Slgnalübertragung mit geringer Steuerleistung.
  • Diese bekannte Anordnung weist neben dem erheblichen Bauteilaufwand auch noch eine nur in engen Grenzen (E bis nahezu O V) einstellbare Hysterese auf.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen bistabilen Komparator mit Hysteresisverhalten zu schaffen, der einen geringen Bauteilaufwand und eine in weiten Grenzen einstellbare Hysterese aufweist und der keine stabilisierte Versorgungsspannung benötigt.
  • Diese Aufgabe wird bei einem Komparator der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß die steuerbaren Halbleiterbauelemente derart in Kaskade geschaltet sind, daß ein Teil der Referenzelemente kurzgeschlossen wird, wenn die Kaskadenschaltung der steuerbaren Halbleiterbauelemente leitend wird.
  • Anhand einer schematischen Zeichnung sei der der Erfindung zugrunde liegende Gedanke näher erläutert.
  • Fig. 1 stellt die Abhängigkeit des Ausgangswertes des bistabilen Komparators mit Hysteresisverhalten vom Betrage des Eingangswertes dar. In Fig. 2 und 3 sind zwei Ausführtmgsbeispiele eines bistabilen Komparators mit Hysteresisverhalten dargestellt.
  • Fig. 1 zeigt die Abhängigkeit der jeweiligen Schaltpunkte des Komparators von den wirksamen Referenzwerten U1 und U2, die durch die Referenzelemente festgelegt werden. Die Grenzlagen der steuerbaren Halbleiterbinhalten vorzugsweise binäre Signale wie beispielsweise 1 bzw. "O" entsprechend leitend bzw. nichtleitend, während die in Reihe oder parallel geschalteten Referenzelemente einen bestimmten Sollwert abgeben. Die Differenz zwischen dem am Eingang des Komparators anstehenden Istwert sowie den Referenzwerten der Referenzelemente wird auf die miteinander in Kaskade geschalteten steuerbaren Halbleiter gegeben. Beim Überschreiten eines bestimmten Differenzwertes werden die steuerbaren Halbleiter von der einen Grenzlage in die andere gesteuert. Beim Unterschreiten eines bestimmten Differenzwertes werden die steuerbaren Halbleiter wieder in ihre ursprüngliche Grenzlage gesteuert. Infolge dieses Prozesses wird mit Hilfe des im Rückkopplungszweig liegenden steuerbaren Halbleiterbauelementes eine durch die binären Grenzlagen charakterisierte Potentialverschiebung herbeigeführt.
  • In dem in Fig. 2 gezeigten Ausführungsbeispiel wird die zu überwachende Wechselspannung UO mit dem Innenwiderstand 1 mittels einer Brückenschaltung 2 gleichgerichtet. Ubersteigt der Augenblickswert der gleichgerichteten Spannung UE die Summe der in Reihe geschalteten Referenzspannungen Z1 + Z2 der Referenzelemente 3 und 4 um die Basis-Emitter-Spannung des Transistors 5, so wird der Transistor 5 sowie der in Kaskade geschaltete komplementäre Transistor 6 leitend. Der Komplementärtransistor 6 entkoppelt durch Kurzschließen die Referenz spannung Z2 vom Eingang.
  • Während dieses Prozesses bricht die Spannung UA der mit dem Ausgang des Komparators verbundenen Versorgungsquelle, vorzugsweise einer Stromquelle 8 mit dem Innenleitwert 7, zusammen und es fließt der Kurzschlußstrom Ik über die beiden Transistoren 5 und 6. Unterschreitet nun der Augenblickswert der Eingangsspannung UE den noch anstehenden Referenzwert Z1 des Referenzelementes 3, so kippt der Transistor 5 und damit auch der Transistor 6 wieder in den ursprünglichen gesperrten Zustand zurück.
  • Die Stromquelle 8 kann in bekannter Weise auch als Indikator zur potentialfreien Signalübertragung ausgenutzt werden.
  • Ein weiteres vorteilhaftes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist in Fig. 3 mit einer Parallelanordnung der Referenzelemente dargestellt. Die Funktionsweise dieser Anordnung ist ähnlich der oben beschriebenen Anordnung nach Fig. 2. Das Referenzelement 3 gibt einen höheren Sollwert (Referenzwert Z1) ab als das Referenzelement 4 (Referenzwert Z2). Die Differenz zwischen dem Eingangs-Istwert UE und dem Referenzwert Z1 steuert die Basis-Emitter-Strecke des Transistors 5. Überschreitet der Augenblickswert der gleichgerichteten Spannung UE einen bestimmten durch die Referenzspannung Z2 und die Basis-Emitter-Spannung des Transistors 5 vorgegebenen Betrag, so wird der Transistor 5 sowie der in Kaskade geschaltete komplementäre Transistor 6 leitend. Durch diesen Vorgang wird durch Kurzschließen die Referenz spannung Z1 vom Eingang entkoppelt und gleichzeitig das Referenzelement 4 aufgeschaltet, so daß nur noch der kleinere Referenzwert Z2 des Referenzelementes 4 am Eingang ansteht. Während dieses Prozesses bricht die Spannung UA der mit dem Ausgang des Komparators verbundenen Versorgungsquelle, vorzugsweise einer Stromquelle 8 mit dem Innenleitwert 7, zusammen und es fließt der Kurzschlußstrom i über die beiden Transistoren 5 und 6.
  • Verringert sich nun wiederum der Augenblickswert der Eingangsspannung UE, so verringert sich ebenfalls der Basisstrom des Transistors 5 und dadurch bedingt auch dessen Kollektor-Emitter-Strom und der Basisstrom des Transistors 6.
  • Unterschreitet der Augenblickswert der Eingangsspannung UE den noch anstehenden Referenzwert Z2 des Referenzelementes 4, so nimmt der Transistor 6 an seiner Kollektor-Emitter-Strecke Spannung auf, wodurch der Transistor 5 weniger ausgesteuert wird und an seiner Kollektor-Emitter-Strecke ebenfalls Spannung aufnimmt. Beide Transistoren sind somit gesperrt.
  • Das Hysteresisverhalten des bistabilen Komparators wird also dadurch erreicht, daß entweder wechselweise ein Referenzelement vom Eingang abgetrennt und im gleichen Prozeß das andere Referenzelement aufgeschaltet wird und am Eingang mit seinem Referenzwert ansteht oder daß aus der Reihenschaltung der Referenzelemente ein Teil vom Eingang abgetrennt wird und nur noch der verbleibende andere Teil der Referenzelemente mit seinem Referenzwert am Eingang ansteht.
  • 6 Seiten Beschreibung 3 Patentansprüche 1 Blatt Zeichnungen mit 3 Figuren

Claims (3)

  1. Patent ansprüche (1.JBistabiler Komparator mit Hysteresisverhalten zwischen Ansprech- und Abfallpegel aus miteinander verknüpften Referenz elementen sowie steuerbaren Halbleiterbauelementen, dadurch gekennzeichnet, daß die steuerbaren Halbleiterbauelemente derart in Kaskade geschaltet sind, daß ein Teil der Referenzelemente kurzgeschlossen wird, wenn die Kaskadenschaltung der steuerbaren Halbleiterbauelemente leitend wird.
  2. 2. Anordnung nach Anspruch 1 mit zwei Transistoren, dadurch gekennzeichnet, daß im Basis-Emitter-Ereis des ersten Transistors (5) sowohl an der Basiselektrode ein Referenzelement (3) als auch an der Emitterelektrode ein Referenzelement (4) angeschlossen ist, wobei letztem der Emitter-Kollektor-Kreis des zweiten Transistors (6) der Kaskadenschaltung parallel geschaltet ist.
  3. 3. Anordnung nach Anspruch 1 mit zwei Transistoren, dadurch gekennzeichnet, daß im Basis-Emitter-Ereis des ersten Transistors (5) an der Emitterelektrode ein Referenzelement (3) angeschlossen ist, dem die Reihenschaltung eines zweiten Referenzelementes (4) und der Emitter-Kollektor-Kreis des zweiten Transistors (6) der Kaskadenschaltung parallel geschaltet ist.
DE19702043737 1970-08-26 Aus zwei komplementären Transistoren aufgebauter bistabiler Komparator mit Hysteresisverhalten Expired DE2043737C3 (de)

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Publication Number Publication Date
DE2043737A1 true DE2043737A1 (de) 1972-03-30
DE2043737B2 DE2043737B2 (de) 1976-12-16
DE2043737C3 DE2043737C3 (de) 1977-07-28

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2555577A1 (de) * 1974-12-11 1976-06-16 Canon Kk Elektronische einrichtung

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE2555577A1 (de) * 1974-12-11 1976-06-16 Canon Kk Elektronische einrichtung

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DE2043737B2 (de) 1976-12-16

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