AT224164B - Schaltungsanordnung zur Begrenzung der Amplitude einer Wechselspannung - Google Patents

Schaltungsanordnung zur Begrenzung der Amplitude einer Wechselspannung

Info

Publication number
AT224164B
AT224164B AT285861A AT285861A AT224164B AT 224164 B AT224164 B AT 224164B AT 285861 A AT285861 A AT 285861A AT 285861 A AT285861 A AT 285861A AT 224164 B AT224164 B AT 224164B
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
voltage
limiter
directional
circuit arrangement
bias
Prior art date
Application number
AT285861A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Application granted granted Critical
Publication of AT224164B publication Critical patent/AT224164B/de

Links

Landscapes

  • Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)

Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Schaltungsanordnung zur Begrenzung der Amplitude einer
Wechselspannung 
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur Begrenzung der Amplitude einer Wechselspannung mit zwei vorzugsweise in Basisschaltung betriebenen, als Eingang und Ausgang des Begrenzers dienenden Transistorstufen, von denen die als Eingang ausgebildete Transistorstufe auf einen Spannungbegrenzer arbeitet. 



   Derartige Schaltungsanordnungen werden beispielsweise dazu benötigt, um die Amplitude einer frequenzmodulierten Schwingung konstant zu halten. Vor allem bei der Verwendung zur Amplitudenbegrenzung von phasen- oder frequenzmodulierten Schwingungen ist dabei die Forderung gegeben, dass der 
 EMI1.1 
 mässig gut arbeiten soll. Es sind hiezu beispielsweise aus der deutschen Auslegeschrift   Nr. 1OO6900 Schal-   tungsanordnungen mit Richtleitern bekannt, die entweder mit Vorspannung als Spannungsbegrenzer oder mit entsprechend gewähltem Vorstrom als Strombegrenzer dienen. Abgesehen davon, dass die in der Auslegeschrift beschriebenen Begrenzer den Nachteil einer nicht unterschreitbaren Mindestzeitkonstante haben, sind sie nicht für den Fall brauchbar, dass sie in einer Transistorschaltung zur Anwendung kommen sollen. 



   Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung zur Amplitudenbegrenzung gerade für den Fall zu schaffen, dass der Eingang und der Ausgang des Begrenzers durch je eine Transistorstufe gebildet werden. 



   Diese Aufgabe wird gemäss der Erfindung in der Weise gelöst, dass an den Spannungsbegrenzer transformatorisch ein die als Ausgang dienende Transistorstufe speisender, an sich bekannter Strombegrenzer derart stark untersetzt angekoppelt ist, dass der Spannungsbegrenzer auf einen hochohmigen Ausgangswiderstand arbeitet und der Strombegrenzer aus einem niederohmigen Quellwiderstand gespeist wird. 



   Hiebei ist es vorteilhaft, wenn der Spannungsbegrenzer aus zwei   wechselstrommässig   einem Parallelresonanzkreis parallelgeschalteten, mit Vorspannung betriebenen Richtleitern besteht, und dass an einem der Untersetzung entsprechenden Abgriff dieses Parallelresonanzkreises der Strombegrenzer angeschaltet [st, der vorzugsweise aus zwei in Reihe liegenden und mit Vorstrom betriebenen Richtleitern besteht. 



   Dabei ist es zweckmässig, wenn der Spannungsbegrenzer zumindest einen Richtleiter mit innerer Vorspannung, wie eine Siliziumdiode, enthält, unter Fortlassung aller sonstigen Vorspannungsquellen im ; pannungsbegrenzer. 



   Ausserdem hat es sich als vorteilhaft erwiesen, dass wenigstens der in Übertragungsrichtung letzte lichtleiter des Spannungsbegrenzers ein Richtleiter mit innerer Vorspannung, wie eine Siliziumdiode, ist, der über einen der Einstellung der Begrenzungskennlinie dienenden Widerstand mit dem   ändern Richt-   eiter des Spannungsbegrenzers auch gleichstrommässig verbunden ist. 



   Nachstehend wird die Erfindung an Hand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. 



   Die Fig. 1 zeigt einen Amplitudenbegrenzer, dessen Eingang durch einen in Basisschaltung betriebelen Transistor T1 und dessen Ausgang durch einen in der gleichen Schaltung betriebenen Transistor T2 gebildet wird. An den Kollektor des Transistors Tl ist ein Spannungsbegrenzer, bestehend aus den beilen Richtleitern RL1 und RL2, parallel zum Parallelresonanzkreis, bestehend aus der   induktivität Li   und 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 der Kapazität Cl, geschaltet. Widerstandsmässig stark untersetzt, u. zw. mittels einer Kopplungsspule Sp, ist ein Strombegrenzer an den Spannungsbegrenzer angeschaltet. Der Strombegrenzer besteht aus den beiden in den Längszweig des Übertragungsweges gegenpolig eingeschalteten Richtleitern RL3 und RL4, von denen der Richtleiter RL4 auf den Eingang des in Basisschaltung betriebenen Transistors T2 arbeitet. 



     VondenRichtleitemRLS,   RL2 ist zumindest der Richtleiter RL2 ein solcher mit innerer Vorspannung, 
 EMI2.1 
 den Kondensator erforderlich, der bei Verwendung von zwei gleichartigenRichtleitern jedoch vorteilhaft entfällt. Derartige Richtleiter haben die Eigenschaft, dass sie im Gegensatz zum üblichen Germanium- gleichrichter bei Betrieb in der Flussrichtung erst bei einer bestimmten an der Diode anliegenden Span- nung einen Stromfluss zulassen, der dann mit relativ grosser Steilheit beginnt. Diese Spannungsquelle ist durch dieDotierung des Halbleitermaterials und die Auswahl des Halbleitermaterials nach Art des Grund- stoffes, wie Silizium, innerhalb gewisser Grenzen veränderbar. Beispielsweise beträgt für einen üblichen
Siliziumgleichrichter   dieser Schwellwert für   die anzulegendespannung etwa 0, 5 Volt.

   Der Richtleiter hat also eine innere Vorspannung und kann deshalb ohne zusätzliche Spannungsquelle im Spannungsbegrenzer verwendet werden. Der Strombegrenzer wird beim Ausführunbsbeispiel mit einem Vorstrom   L   betrieben, der durch den Vorwiderstand R3 und die damit erzwungene Einströmung bestimmt wird. 



   Die Wirkungsweise der dargestellten Schaltung kann man sich wie folgt erklären. Der Ausgangswi- derstand bzw.   QuellwiderstandR   zwischen dem Kollektor und der Basis des Transistors   Tl   ist relativ hoch- ohmig. Dieser Widerstand erfüllt daher sehr gut die für einen Spannungsbegrenzer zu stellende Forderung nach einem   hochohmigenQuellwiderstand.   Durch die Untersetzung mittels der Spule Sp wird der ebenfalls als hochohmig zu fordernde Ausgangswiderstand Rl des Spannungsbegrenzers auf den für einen Strombe- grenzer zu fordernden niederohmigen Quellwiderstand R2 transformiert.

   Dieser Strombegrenzer arbeitet auf den niederohmigen, zwischen dem Emitter und der Basis auftretenden Eingangswiderstand des Transistors T2, womit für den Strombegrenzer auch die Forderung nach einem niederohmigen Lastwiderstand sehr gut erfüllt ist. 



   Ein Beispiel einer ausgeführten Schaltung ist in Fig. 2 wiedergegeben. Über den Widerstand R4 erhält der Kollektor des Transistors Tl die für den Betrieb erforderliche Spannung gegenüber der Basis, beispielsweise hat dieser Widerstand einen Wert von 2   kss.   Der Spannungsbegrenzer ist über eine Kapazität C4 an den Kollektor des Transistors Tl angeschaltet und liegt einseitig auf dem Potential der Basis, das zugleich das Massepotential ist. Der Strombegrenzer ist galvanisch an eine Anzapfung der Induktivität L1 angeschaltet und erhält seinen Vorstrom io über die beiden Widerstände R3 bzw.

   R3', wobei zum Ausgleich der Richtleitertoleranzen eine gleichstrommässige Auftrennung mittels der Kapazität Cl   vorgese-   hen ist. Über eine Drossel L2 und eine Ankopplungskapazität C3 ist der Transistor T2 an den Ausgang des Strombegrenzers angeschaltet, wobei der Widerstand R5 zur Einstellung der Emitterspannung dieser Stufe im Vergleich zur Basis des Transistors dient. Die Widerstände R3 und   R3'können   beispielsweise einen Wert von 5 kO haben und   die Kapazität Cl   einen Wert von 100 pF. Das   Widerstands-Übersetzungsverhält-   nis   U2   wird zweckmässig etwa zwischen 3 und 5 gewählt, entsprechend den Widerstandsverhältnissen üblicher Transistoren.

   Die Richtleiter RL1 und RL2 sind Siliziumdioden, während die Richtleiter RL3 und RL4 Germaniumdioden ohne innere Vorspannung sein können. 



   Die Basisschaltung hat bei der erfindungsgemässen Schaltungsanordnung den zusätzlichen Vorteil, dass sie vor allem für ein sehr breites Frequenzband arbeitet, wenngleich mit niedrigerem Verstärkungsfaktor als die   Emitterschaltung,   die in keinem so grossen Frequenzbereich eingesetzt werden kann, jedoch eine höhere Verstärkung liefert. Die erfindungsgemässe Schaltungsanordnung ist auch bei der Emitterschaltung - wenn geringere Bandbreiteforderungen gestellt sind, als an sich mit Basisschaltung erreichbar   wäre-brauchbar,   weil auch dann die Widerstandsverhältnisse etwa gleichartig liegen. 



    PATENTANSPRÜCHE :    
1. Schaltungsanordnung zur Begrenzung der Amplitude einer Wechselspannung mit zwei vorzugsweise in Basisschaltung betriebenen, als Eingang und Ausgang des Begrenzers dienenden Transistorstufen, von denen die als Eingang ausgebildete Transistorstufe auf einen Spannungsbegrenzer arbeitet, dadurch gekennzeichnet, dass an den Spannungsbegrenzer (RL1, RL2) transformatorisch ein die als Ausgang dienende Transistorstufe (T2) speisender, an sich bekannter Strombegrenzer (RL3, RL4) derart stark untersetzt angekoppelt ist, dass der Spannungsbegrenzer auf einen hochohmigen Ausgangswiderstand arbeitet und der Strombegrenzer aus einem niederohmigen Quellwiderstand gespeist wird.

Claims (1)

  1. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Spannungsbegrenzer aus <Desc/Clms Page number 3> zwei wechselstrommässig einem Parallelresonanzkreis parallelgeschalteten, mit Vorspannung betriebenen Richtleitem (RLl, RL2) besteht, und dass an einem der Untersetzung entsprechenden Abgriff dieses Parallelresonanzkreises der Strombegrenzer angeschaltet ist, der vorzugsweise aus zwei in Reihe liegenden und mit Vorstrom betriebenen Richtleitern (RL3, RL4) besteht.
    3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Spannungsbegrenzer zumindest einen Richtleiter (RL2) mit innerer Vorspannung, wie eine Siliziumdiode, enthält, unter Fortlassung aller sonstigen Vorspannungsquellen im Spannungsbegrenzer.
    4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens der in Übertragungsrichtung letzte Richtleiter des Spannungsbegrenzers ein Richtleiter mit innerer Vorspannung, wie eine Siliziumdiode, ist, der über einen der Einstellung der Begrenzungskennlinie dienenden Widerstand mit dem andern Richtleiter des Spannungsbegrenzers auch gleichstrommässig verbunden ist.
AT285861A 1960-05-20 1961-04-10 Schaltungsanordnung zur Begrenzung der Amplitude einer Wechselspannung AT224164B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE224164X 1960-05-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
AT224164B true AT224164B (de) 1962-11-12

Family

ID=5854422

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT285861A AT224164B (de) 1960-05-20 1961-04-10 Schaltungsanordnung zur Begrenzung der Amplitude einer Wechselspannung

Country Status (1)

Country Link
AT (1) AT224164B (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2407776A1 (de) Schaltung zur regelung der betriebsspannung fuer die transistor-zeilenendstufe eines fernsehempfaengers
DE2652627A1 (de) Verfahren zur verminderung der rueckwirkung eines mit einem wechselstromnetz periodisch verbundenen verbrauchers und leistungsschalteinrichtung zur ausfuehrung des verfahrens
DE2133806A1 (de) Frequenzdopplerschaltung
AT224164B (de) Schaltungsanordnung zur Begrenzung der Amplitude einer Wechselspannung
DE3009506A1 (de) Gleichspannungswandler
DE745228C (de) Elektrischer Signalempfaenger
DE1281542B (de) Selbstschwingender Wandler
DE1229601B (de) Frequenzumsetzer
DE3229043A1 (de) Yttrium-eisen-granat-(yig)-resonator
DE1128485B (de) Schaltung zur Begrenzung der Amplitude einer Wechselspannung
DE3322701C2 (de)
DE2321889C3 (de) Rückgekoppelter Oszillator hoher Amplitudenkonstanz
DE874606C (de) UEber mehrere Stufen gegengekoppelter Breitbandverstaerker
DE3712796C2 (de) Nach dem Sperrwandlerprinzip arbeitender selbstschwingender Gleichspannungswandler
DE1276150C2 (de) Schutzschaltung fuer den Eingangskreis eines Empfaengers
DE2337825C3 (de) Spannungsgesteuerter Impulsgenerator
DE1184379B (de) Umwandlungsverstaerker zur Erzeugung von Rechtecksignalen aus Sinusschwingungen
DE2132572A1 (de) Statisches elektronisches schnelles Relais ohne Hilfsspeisung
DE1791149C (de) Aktive Zweipolschaltung mit hohem differentiellem Widerstand
DE3004136C2 (de)
DE1230868C2 (de) Amplitudenbegrenzer fuer elektrische schwingungen
DE1211268B (de) Transistorstufe mit begrenztem Ausgangspegel
DE1123749B (de) Anordnung zur Konstanthaltung einer Gleichspannung mit einem Schalttransistor und einer Drosselspule
DE1093819B (de) Monostabile Sperrschwingerschaltung hoher Empfindlichkeit
DE1090277B (de) Schaltungsanordnung zur Begrenzung der Spannungsamplitude von Hochfrequenzschwingungen an einem Schwingungskreis