DE1184379B

DE1184379B - Umwandlungsverstaerker zur Erzeugung von Rechtecksignalen aus Sinusschwingungen

Info

Publication number: DE1184379B
Application number: DEL47335A
Authority: DE
Inventors: Michel Edouard Ge Knapp-Ziller
Original assignee: Lignes Telegraphiques et Telephoniques LTT SA
Current assignee: Lignes Telegraphiques et Telephoniques LTT SA
Priority date: 1963-03-21
Filing date: 1964-03-19
Publication date: 1964-12-31
Also published as: SE301664B; NL6403031A; US3299293A; GB1010399A; FR1359872A

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Internat. KL: H 03 k

Deutsche KL: 21 al-36/02

Nummer 1184379

Aktenzeichen: L 47335 VIII a/21 a I

Anmeldetag: 19. März 1964

Auslegetag: 31. Dezember 1964

Die Erfindung bezieht sich auf einen Umwandlungsverstärker zur Erzeugung eines Rechtecksignals von konstanter Amplitude mit positiven und negativen Halbwellen gleicher Dauer aus einer Sinusschwingung der gleichen Grundfrequenz, deren Amplitude gegebenenfalls veränderlich ist.

Die bisher bekannten Umwandlungsverstärker dieser Art bestehen aus einem Sinusschwingungsverstärker, dessen Ausgangskreis mit einer Begrenzeranordnung gekoppelt ist, die beispielsweise dadurch gebildet ist, daß eine zusätzliche Sekundärwicklung des Ausgangsübertragers mit einer Impedanz abgeschlossen ist, welche sich in Abhängigkeit von der ihr zugeführten Spannung derart ändert, daß sie die Eigenschaften eines Begrenzers hat. Infolge der in der Begrenzungsanordnung ,vernichteten Energie hat jedoch eine solche Anordnung einen sehr schlechten Wirkungsgrad, und der Verstärker muß so ausgelegt werden, daß er eine beträchtliche Verlustleistung abgeben und in einem breiten Bereich seiner Kennlinien arbeiten kann.

Das Ziel der Erfindung ist die Schaffung einer Anordnung, bei der diese Nachteile vermieden sind.

Ein nach der Erfindung ausgeführter Umwandlungsverstärker mit einem Eingangsübertrager, einem Transistor und einem Ausgangsübertrager sowie mit Einrichtungen zur Erzeugung der Vorspannung der Transistorelektroden mit Hilfe einer Gleichspannungsquelle und einer amplitudenselektiven Gegenkopplungsschaltung, die zwischen dem Ausgangskreis und dem Eingangskreis des Transistors angeschlossen ist, ist im wesentlichen dadurch gekennzeichnet, daß der Gegenkopplungskreis einen nichtlinearen Zweipol enthält, der aus zwei gegensinnig in Serie geschalteten Zenerdiodenanordnungen besteht, und daß diese Anordnungen möglichst gleiche Kennlinien und eine Eigenkapazität haben, die um so kleiner ist, je höher die Frequenz der umzuwandelnden Schwingung ist. Eine Kapazität von weniger als 5 pF ist im allgemeinen für Frequenzen über 500 kHz notwendig.

Jede der Diodenanordnungen kann aus ainer Diode oder aus mehreren in Serie geschalteten Dioden bestehen.

Das Ausgangssignal der Anordnung hat die gleiche Form wie das Eingangssignal, solange die den Klemmen des Zweipols zugeführte Signalspannung kleiner als die nachstehend definierte Bezugsspannung ist, während oberhalb dieser Spannung die Form des Ausgangssignals von der Form der Kennlinien der Zenerdioden abhängt. Dadurch ergibt sich eine Begrenzung der Sinusschwingung, und als Folge Ümwandlungsvergtärker zur Erzeugung von
Rechtecksignalen aus Sinusschwingungen

Anmelder:
Lignes· Tolegraphiques et Telopboniques, Paris

Vertreter:

Dipl.-Ing. E. Prinz, Dr. rer. nai. G. Hauser
ψιά Dipl.-Ing. G. Leiser, Patentanwälte,
München-Pasing, Ernsbergerstr. 19

Als Erfinder benannt:
Michel Edouard Georges Knapp-Ziller,
Vaux-sur-Seine, Seine-et-Oise (Frankreich)

Beanspruchte Priorität:

Frankreich vom 2L März 1963 (928 739 Seine)

davon hat das am Ausgang erhaltene Signal einen im wesentlichen rechteolageld.yerlauf.

Als Bezugsspannung der Dioden wird die Spanas nung bezeichnet, die man an den Klemmen des Zweipols messen kann, wenn durgla den Zweipol ein Strom fließt, der dem niitüereh"' Strom entspricht, welcher durch den Gegenkopplvragjskreis beim Betrieb im Begrenzungsbereich fließt.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung beispielsweise erläutert Darin zeigt

Fig. 1 das Blockschaltbild eines Umwandlungsverstärkers bekannter Art, '.

F i g. 2 ein Ausführungsbeisgiel der schematisch in F i g. 1 gezeigten Anordnung,

Fig. 3 ein Blockschaltbild der erfindungsgemäßen Anordnung,

F i g. 4 ein Ausfuhrungsbeispiel der erfindungsgemäßen Anordnung,

F i g. 5 ein Beispiel für einen nichtlinearen Zweipol, welcher in amplitudenselektiven Gegenkopplungsschaltungen verwendet werden kann, jedoch nicht der Erfindung entspricht,

F i g. 6 ein anderes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Anordnung,

F i g. 7 ein Ausführungsbeispiel einer Anordnung nach der Erfindung mit Maßnahmen, welche die Verwendung von Diodenanordnungen ermöglichen,, deren Bezugsspannung wesentlich verschieden von der Gleichspannung sein kann, welche zwischen der Emitterelektrode und der Kollektorelektrode des Transistors angelegt \qrd? .

409 760/329

F i g. 8 ein anderes Ausführungsbeispiel einer Anordnung der in F i g. 7 gezeigten Art,

F i g. 9 eine nach der Erfindung ausgeführte Anordnung mit Maßnahmen zur Regelung und Kompensation von temperaturabhängigen Änderungen,

F i g. 10 eine andere Ausführungsform der Anordnung von F i g. 9 und

Fig. 11 einen insbesondere für den Betrieb bei sehr hohen Frequenzen geeigneten Umwandlungsverstärker nach der Erfindung.

F i g. 1 zeigt das Prinzipschema eines Umwandlungsverstärkers der zuvor angegebenen bekannten Art. Er enthält zwischen den Eingangsklemmen 1, 51 und den Ausgangsklemmen 2, 52 einen Sinusschwingungsverstärker 3 und eine mit dem Ausgangskreis gekoppelte nichtlineare Begrenzungsanordnung 4.

Ein Beispiel eines solchen Umwandlungsverstärkers ist in F i g. 2 genauer dargestellt. Er enthält einen Eingangsübertrager 5, dessen Primärwicklung mit den Eingangsklemmen O₁ und 6₂ verbunden ist, ^ao denen die Sinusschwingung zugeführt wird, während die Sekundärwicklung des Eingangsübertragers mit der Basiselektrode eines Transistors 7 über einen Widerstand 8 verbunden ist. Der Widerstand 8 dient zur Anpassung der Eingangsimpedanz der Anord- ^a5 nung an die Impedanz der Sinusschwingungsquelle, die in der Zeichnung nicht dargestellt und an die Eingangsklemmen 6_t und 6₂ angeschlossen ist. Die Kollektorelektrode des Transistors 7 ist mit der Primärwicklung eines Ausgangsübertragers 9 verbunden, der eine erste Sekundärwicklung aufweist, die an die Signalausgangsklemmen 1O₁ und 10„ angeschlossen ist, und eine zweite Sekundärwicklung/ die durch eine Impedanz 11 abgeschlossen ist. Der Wert dieser Impedanz ändert sich in Abhängigkeit von der ihr zugeführten Spannung, so daß die Impedanz eine Begrenzungsanordnung bildet.

Die Widerstände 8, 12, 13, 14 und die Kondensatoren 15 und 16 dienen zur Zuführung der Vorspannung zu den Elektroden des Transistors 7 auf Grund einer Gleichspannungsquelle, die in der Zeichnung nicht dargestellt und an die Klemmen selbst erfolgt und nicht durch Sättigung oder Sperrung des Verstärkers selbst. Eine im Verstärker selbst erzeugte Begrenzung führt Detektorerschei- ■"■ nungen mit sich, die eine Unsymmetrie in der Dauer der positiven and negativen Halbwelle zur Foige haben, wobei diese Unsymmetrie vom Pegel des (fern Eingang des Umwandlungsverstärkers zugeführten Signals abhängt.

Diese Erscheinungen konnten zwar dadurch kompensiert werden, daß die ursprüngliche Vorspannung des Verstärkers in entsprechender Weise geregelt wird, jedoch hängt diese Regelung von der Speise- spannung ab, so daß die gewünschte Sicherheit nicht gewährleistet ist.

Der schematisch in Fig. 3 dargestellte Umwandlungsverstärker nach der Erfindung weist diese Nachteile nicht auf. Er enthält im wesentlichen einen Verstärker 3 und einen amplitudenselektiven Gegenkopplungskreis 19. Ein Ausführungsbeispiel eines solchen Umwandlungsverstärkers ist in Fig. 4 dargestellt, ~- wobei die bereits in F i g. 2 dargestellten Bestandteile des Verstärkers mit den gleichen Bezugszeichen wfe dort versehen sind. Der Umwandlungsverstärker enthält Eingangsklemmen 6_V 6g, einen Eingangsäber- ~ trager 5, einen Anpassungswiderstand 8, einen Tran- · sistor7 und einen Ausgangsübertrager 20 mit einer einzigen Sekundärwicklung, weiche an die Ausgangsklemmen 1O₁ und 1O₂ angeschlossen ist. Die Wider- · stände 8, 12, 13 und 14 sowie die Kondensatoren IS und 16 gewährleisten die Vorspannung des Transistors 7 auf Grund einer Gleichspannungsquelle, die in der Zeichnung nicht dargestellt und an die Klent'-men IT₁ und 17₂ angeschlossen ist.

Zwischen der Kollektorelektrode und der Basis- · elektrode des Transistors? ist ein amplitudenselektiver Gegenkopplungskreis angeschlossen.

Das an den Ausgangsklemmen 1O₁ und 1O₂ erhal-

und 17₂ angeschlossen ist. In Serie mit der Primärwicklung des Ausgangsübertragers 9 ist ein Widerstand 18 geschaltet, der zur Erzeugung einer Stromgegenkopplung dient. Diese Gegenkopplung hat den Zweck, eine hohe Ausgangsimpedanz zu schaffen, welche die Begrenzung erleichtert und die Eingangsimpedanz durch Spannungsgegenkopplung über die Widerstände 12 und 8 bestimmt.

Das an den Ausgangsklemmen 1O₁ und 1O₂ erhaltene Rechtecksignal ergibt sich aus der Änderung der Spannungsverstärkung des Verstärkers in Abhängigkeit von dem Eingangspegel. Diese Verstärkungsänderung wird dadurch erhalten, daß sich die von dem Schaltungselement 11 eingeführte Lastimpedanz des Verstärkers beim Überschreiten der Begrenzungsspannung ändert; die Impedanz 11 wird um so kleiner, je größer die Spannung des Eingangssignals ist.

Der soeben beschriebene Umwandlungsverstärker besitzt einen sehr schlechten energetischen Wirkungsgrad, weil die Begrenzungsanordnung Energie vernichtet, sobald die Amplitude des Ausgangssignals den Begrenzungswert erreicht.

Ein befriedigender Betrieb des Umwandlungsverstärkers kann nur dann erhalten werden, wenn die Begrenzung in der Ausgangsbegrenzungsanordnung tene Rechtecksignal ergibt sich aus der Änderung der Spannungsverstärkung des Verstärkers in Abhängigkeit vom Eingangspegel, jedoch hat diese Verstärkungsänderung nicht die gleiche Ursache wie bei der Anordnung von F i g. 2; sie beruht auf der Änderung der Impedanz des Gegenkopplungskreises, welcher den Ausgangskreis mit dem Eingangskreis verbindet.

Diese Gegenkopplungsimpedanz enthält einen Zweipol, der aus zwei Zenerdiodenanordnungen 21 und 22 besteht, die gegensinnig hintereinandergeschaltet sind; jede dieser Anordnungen kann aus einer oder aus mehreren in Serie geschalteten Dioden geringer

So Kapazität bestehen. Jede dieser beiden Anordnungen wirkt auf eine Polarität der Halbwellen des'Sinussignals ein.

Ein Kondensator 23 ist in Serie mit dem aus den beiden Dipdenanordnungen gebildeten Zweipol geschaltet, damit die Übertragung des Gleichstroms ?«*·< ■ hindert wird.

Das Ausgangssignal an den Ausgangsklemmen 1O₁ und 1O₂ (Fig. 4) hat die gleiche Form wie das Signal an den Eingangsklemmen O₁ und 6₂, solange die den

Klemmen der Dioden zugeführte Signalspanmmg kleiner als die Bezugsspannung bleibt, während beim Überschreiten dieser Spannung die Form des Ausgangssignals von der Form der Kennlinie der Zenerdioden abhängt.

Damit die Amplitudenbegrenzung des Ausgangssignals durch die Begrenzerwirkung des Gegen,-kopplungskreises und nicht durch eine auf der SStO-gung des Verstärkers beruhende Begrenzung hervor-

gerufen wird, muß die Potentialdifferenz V_CE, die zwischen der Emitterelektrode und der Kollektorelektrode angelegt wird, größer als die Bezugsspannung ν sein. In der Praxis ist es zweckmäßig, daß V_CE annähernd gleich 1,2 ν ist, vorausgesetzt, daß 0,2 ν größer oder gleich 2 Volt ist.

Der Strom i, welchen der Transistor zu der in den Kollektorkreis übersetzten Ausgangsimpedanz Z liefern muß, wird durch die folgende Beziehung definiert:

J = v/Z

Der durch den Kollektor fließende Vorspannungsgleichstrom I_c muß größer als der Strom ί sein, damit die Amplitudenbegrenzung des Ausgangssignals durch die Begrenzerwirkung des Gegenkopplungskreises und nicht durch Sperrung des Verstärkers erfolgt. In der Praxis ist es zweckmäßig, daß I_c annähernd gleich 1,2/ ist, vorausgesetzt, daß 0,2 i größer oder gleich 2 Milliampere ist.

Damit Rechtecksignale bei Frequenzen von mehreren Megahertz erhalten werden können, ist es unerläßlich, daß die Zenerdioden eine kleine Kapazität haben, damit die Frequenzabhängigkeit der Gegenkopplung verringert wird.

Die Verwendung eines Zweipols der in F i g. 5 gezeigten Art mit zwei gegensinnig parallel geschalteten Dioden, welche im Durchlaßbereich arbeiten, ergibt nicht die gleichen Wirkungen wie die erfindungsder Primärwicklung des Ausgangsübertragers 32 verbünden, während die Kollektorelektrode des Transistors 7 an einen Zwischenabgriff dieser Wicklung angeschlossen ist. Dieser Umwandlungsverstärker entspricht dem Fall, daß die Bezugsspannung ν jeder Diodenanordnung des Gegenkopplungskreises sehr viel größer als die Spannung Vce zwischen der Kollektorelektrode und der Emitterelektrode ist (v>F_c£). Dagegen ist bei der Schaltung vM Fig. 8 der Gegenkopplungskreis to einen ZwisfeheÄbgriff der Primärwicklung des Ausgangsübertragers 33 angeschlossen, und das eine Ende dieser Wicklung ist mit der Kollektorelektrode des Transistors 7 verbunden. Diese Anordnung wird dann verwendet, wenn v< V_CE-Fig. 9 zeigt einen Umwandlimgsverstärker, der aus der Anordnung von Fig. 4'abgeleitet ist. Der Ausgangsübertrager 34 trägt eine zusätzliche Wicklung 35, welche mit der Wicklttng 36 verbunden ist, an die der Kollektor des Transistors angeschlossen ist. Die Wicklung 35 besitzt gegentber der Wicklung 36 nur eine kleine WirldungsÄM. Die Wicklung 35 ist mit einer Potentiometeranoifdnung verbunden, welche aus den Elementen 37 und 38 besteht, an deren gemeinsamen Punkt der aus den Elementen 21, 22 und 23 bestehende Gegenk&pplungskreis angeschlossen ist. Diese Anordnung ermöglicht die Regelung der Ausgangsspannung in einem kleinen Bereich durch Veränderung der'Werte cter Elemente 37 und 38. In diesem Fall entspricht die Bezugsspannung der

gemäße Anordnung, da die statischen Kennlinien der 30 Zenerdioden im wesentlichen den für die Schaltung Dioden weniger rechteckig als diejenigen der Zener- von F i g. 4 vorgeschriebenen Bedingungen.

dioden sind. Ferner sind die erhaltenen Signale wegen der temperaturabhängigen Änderungen der Kennlinien weniger amplitudenstabil.

Die erfindungsgemäße Anordnung ist nicht auf die Verwendung eines Transistors in Emitterschaltung wie bei der Anordnung von F i g. 4 begrenzt; es kann auch ein Transistor in Basisschaltung verwendet werden, wie als Beispiel in F i g. 6 dargestellt ist. Die Wenn die Bezugsspannungen der Zenerdioden von V_CE sehr verschieden sind, ist "eine Verwendung solcher Zenerdioden unter ErzMtfrig eines emstellbaren Ausgangspegels dadurch möglich, daß die Anordnungen der in F i g. 7, 8 und 9 gezeigten Art kombiniert werden.

Mit der Anordnung von Fig.'9'können die Änderungen der Ausgangsspannung der Anordnung kom-

Sekundärwicklung des Eingangsübertragers 5 ist über 40 pensiert werden, welche durch verschiedene Ursachen

eine Anpassungsimpedanz 26 mit der Emitterelektrode eines Transistors 27 in Basisschaltung verbunden.

Der Ausgangsübertrager 28 trägt eine Primärwicklung, eine erste Sekundärwicklung, die an die Ausgangsklemme 1O₁ und 1O₂ angeschlossen ist, und eine zweite Sekundärwicklung, deren Wicklungssinn entgegengesetzt zu demjenigen der Primärwicklung ist und an welche der Gegenkopplungskreis angeschlossen ist, der die beiden Diodenanordnungen 21 und 22 enthält. Die Widerstände 12, 14, 26, 29 und 30 und die Kondensatoren 16 und 31 gewährleisten die Zufuhr der Vorspannungen zu den Elektroden des Transistors 27.

Damit Zenerdioden mit optimalen Kennlinien verwendet werden können, deren Bezugsspannung von der Kollektor-Emitter-Speisespannung des Transistors sehr verschieden sein kann, kann man einen Ausgangsübertrager verwenden, dessen Primärwicklung einen oder mehrere Zwischenabgriffe aufweist. Die kleinsten Werte, welche der Spannung V_CE und dem Strom I_c zu erteilen sind, werden dann unter Berückhervorgerufen werden, insbesondere durch die Temperaturabhängigkeit der Dioden des Gegenkopplungskreises. Zu diesem Zweck genügt es, zu den Elementen 37 und 38 der Potentiometeranordnung einen oder mehrere temperaturabhängige Widerstände hinzuzufügen.

Es kann erwünscht sein, am Ausgang des Umwandlungsverstärkers nicht nur Rechfecksignale, sondern auch Sinusschwingungen' zu erhalten. Zur BiI-dung solcher Sinüsschwmgungen auf Grund der an den Klemmen 1O₁ und 1O₂ erhaltenen Rechtecksignale wird ein Bandfilter 39 zwischen das Klemmenpaar 1O₁,1O₂ und ein Klemmenpaar 4O₁,4O₂ (Fig. 10) eingefügt. Dieses Filter kann in Abhängigkeit von der Temperatur veränderliche Verluste aufweisen; die zur Erzielung eines konstanten Ausgangspegels des Signals an den Klemmen 4U₁ und 4O₂ erforderliche Korrektur kann mit der gleichen Potentiometeranordnung mit temperaturabhängigen Widerständen wie im Fall von F i g. 9 erreicht werden.

Die verwendeten Zenerdioden besitzen zwar eine sehr geringe Kapazität, sie weisen jedoch in jedem Fall eine gewisse Kapazität auf, die mit der inneren Kollektor-Basis-Kapazität des Transistors bei sehr

sichtigung der Übersetzungsverhältnisse der Wicklungen oder Wicklungsteile bestimmt, welche dem

Kollektorkreis bzw. dem Gegenkopplungskreis züge- 65 hohen Frequenzen zur Wirkung kommen und Schwieordnet sind. rigkeiten verursachen kann. Diese Kapazitäten kön-

Bei dem in F i g. 7 dargestellten Umwandlungsver- nen beispielsweise die Erzielung einer steilen Vorderstärker ist der Gegenkopplungskreis mit einem Ende flanke der Rechtecksignale verhindern. Diese Mängel

können teilweise dadurch kompensiert werden, daß das Prinzip der Neutrodynschaltung angewendet wird, daß also eine Kapazität verwendet wird, die einerseits an den Eingangskreis angeschlossen ist und andererseits mit einem Kreis verbunden ist, der eine Spannung liefert, die gegenphasig zu der dem Gegenkopplungskreis zugeführten Spannung ist, wobei diese Kapazität einstellbar ist, damit eine möglichst gute Kompensation der Kapazitäten der Dioden und der Kollektor-Basis-Kapazität des Transistors erreicht wird.

Man kann zu diesem Zweck die Anordnung von Fig. 11 verwenden, die einen Ausgangsübertrager41 enthält, der eine an die Kollektorelektrode angeschlossene Primärwicklung, eine mit den Ausgangsklemmen 1O₁ und 1O₂ verbundene erste Sekundärwicklung und eine zur Primärwicklung gegensinnige zweite Sekundärwicklung trägt. Ein Kondensator 42 mit einstellbarer Kapazität ist zwischen einem Ende dieser zweiten Sekundärwicklung und dem Eingangskreis des Transistors angeschlossen. Die Wirkung dieser Kapazität ist entgegengesetzt zu derjenigen der Diodenkapazität und der Kollektor-Basis-Kapazität des Transistors, und ihr Wert wird so eingestellt, daß die Wirkung dieser Kapazitäten möglichst gut korn- as pensiert wird.

Die bei den Anordnungen von Fig. 7, 8, 9, 10 und 11 angegebenen zusätzlichen Maßnahmen sind für einen Verstärker in Emitterschaltung wie im Fall von F i g. 4 beschrieben worden; sie können natürlich ebensogut bei einem Verstärker in Basisschaltung der in F i g. 6 gezeigten Art angewendet werden, wenn die üblichen Abänderungen getroffen werden.

In den verschiedenen dargestellten Ausführungsbeispielen werden npn-Transistoren verwendet, je- doch können unter Berücksichtigung der hierzu erforderlichen Änderungen natürlich ebensogut pnp-Transistoren verwendet werden.

Natürlich können der beschriebenen Verstärkerstufe weitere Verstärkerstufen vorgeschaltet sein, wenn der Pegel der empfangenen Signale zu klein ist, oder es können weitere Verstärkerstufen nachgeschaltet werden, wenn ein höherer Ausgangspegel erwünscht ist.

Claims

Patentansprüche: 45

1. Umwandlungsverstärker zur Erzeugung eines Rechtecksignals von im wesentlichen konstanter Amplitude und Frequenz auf Grund einer Sinusschwingung von gleicher Frequenz mit gegebenenfalls veränderlicher Amplitude, mit einem Eingangsübertrager, einem Transistor, einem Ausgangsübertrager, Einrichtungen zur Lieferung der Vorspannung zu den Elektroden des Transistors auf Grund einer GleichspamrungsqueUe und einem amplitudenselektiven Gegenkopplungskreis zwischen dem Ausgangskreis und dem Eingangskreis des Transistors, dadurch gekennzeichnet, daß der Gegenkopplungskreis zwei Zesei> diodenanordnungen enthält, die gegensinnig in Serie geschaltet sind, daß die beiden Diodenanordnungen möglichst gleichartige Kennlinien aufweisen und daß jede der Diodenanordnungen aus einer Diode oder aus mehreren in Serie geschalteten Dioden mit geringer Eigenkapazität gebildet ist.

2. Umwandlungsverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor in Emitterschaltung geschaltet ist.

3. Umwandlungsverstärker nach Ansprach 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor in Basisschaltung geschaltet ist.

4. Umwandlungsverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Gegenkopplungskreis oder der Kollektorkreis an einen Zwischenabgriff der Primärwicklung des Ausgangsübertragers angeschlossen ist, damit Zenerdioden mit optimalen Kennlinien verwendet, werden können, deren Bezugsspannungen von der Emitter-Kollektor-Spannung des Transistors sehr verschieden ist.

5. Umwandlungsverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausgangsübertrager eine zusätzliche Wicklung trägt, an die in Serie zwei Widerstände angeschlossen sind, und daß der Gegenkopplungskreis an den gemeinsamen Punkt zwischen diesen beiden Widerständen angeschlossen ist.

6. Umwandlungsverstärker nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß den beiden Widerständen ein oder mehrere temperaturabhängige Widerstände zugeordnet saal·

7. Umwandlungsverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine einstellbare Kapazität einerseits mit dem Eingangskreis des Transistors verbunden ist und andererseits an einen Kreis angeschlossen ist, der eine Spannung liefert, die gegenphasig zu der dem Gegenkopplungskreis zugeführten Spannung. ist, damit die Kapazität der Zenerdioden und die Kollektor-Basis-Kapazität des Transistors korn-, pensiert werden.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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