DE3318001A1 - Verfahren zum stromlosen abscheiden von platin auf silicium - Google Patents

Verfahren zum stromlosen abscheiden von platin auf silicium

Info

Publication number
DE3318001A1
DE3318001A1 DE19833318001 DE3318001A DE3318001A1 DE 3318001 A1 DE3318001 A1 DE 3318001A1 DE 19833318001 DE19833318001 DE 19833318001 DE 3318001 A DE3318001 A DE 3318001A DE 3318001 A1 DE3318001 A1 DE 3318001A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
platinum
silicon
deposition
bath
concentration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19833318001
Other languages
English (en)
Inventor
Simon Seban 12309 Schenetady N.Y. Cohen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of DE3318001A1 publication Critical patent/DE3318001A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/42—Coating with noble metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

a *
S * 41 4 β # ·
-S-
Beschreibung
Die Erfindung betrifft Verfahren zum Abscheiden von Platin und mehr im besonderen ein Verfahren zum stromlosen Abscheiden von Platin auf Silicium.
Platinsilicid $>tSi), das durch Umsetzung von Platin und Silicium gebildet wird, hat sich bei der Herstellung verlässlicher ohar·- scher Kontakte geringen Widerstandes an aktive Bereiche auf Siliciumsufastraten in solchen Elementen, wie Sonnenselien, Feldeffekttransistoren (FET) sowie anderen Elementen als wertvoll erwiesen, die z. B. in integrierten Schaltungen sehr großen Maßstabes (im Englischen "very large scale integrated circu. cuits - VLSI)/.üblicherweise werden bei solchen Elementen Zuleitungen an einer zweiten oder "Verbindungs"-Schicht aus Metall angebracht, die auf der dünnen Schicht aus PtSi abgeschieden ist. /benutzt werden
Bei vielen Anwendungen muß die PtSi-Schicht dünn sein, um den Halbleiterelement-Übergang zu bewahren. Bei einem FET können z. B. Quelle (source) und Abfluß (drain) stark mit Arsen oder Phosphor dotiert sein. Um einen ohm1sehen Kontakt mit der Quelle oder dem Abfluß des FET herzustellen, wird Platin darauf abgeschieden und bildet beim Sintern PtSi. Sowohl Arsen als auch Phosphor haben in PtSi eins geringere Löslichkeit als Silicium, so daß sie sich an der neuen Grenzfläche zwischen Si und PtSi ansammeln. Dies ist erwünscht, weil es das elektrische Feld an der Grenzfläche fördert bzw. verstärkt und einen besseren Kontakt schafft. Wenn jedoch zuviel Platin abgeschieden wird, dann reagiert es mit dem größten Teil des Siliciums der Quelle oder des Abflusses und zerstört dadurch den Übergang. In VLSI-Anwendungen kann dieser Übergang z. B. in der Größenordnung von 3000 bis 4000 S liegen. Es ist daher erwünscht, ausreichend Platin abzuscheiden, um einen guten ohm'schsn Kontakt zu bilden, nicht aber soviel, um den übergang zu zerstören.
Ein Verfahren, das in der Vergangenheit zum Abscheiden von Platin benutzt wurde, umfaßt das Zerstäuben von Platin auf eine SiIiciumscheibe, die eine Photolackmaske mit öffnungen in den Bereichen trägt, in denen die Kontakte erwünscht sind. Die Scheibe wird anschließend in ein organisches Lösungsmittel getaucht, um den Photolack und das darauf angesammelte Platin zu entfernen, wodurch nur das Platin in den Bereichen zurückbleibt, in denen die Kontakte erwünscht sind. Dieses Verfahren arbeitet nicht immer zuverlässig, weil das Platin fest an dem Photolack haftet, so daß das Lösungsmittel den Photolack nicht durchdringen und unterschneiden,kann. Häufig bleiben Flecken aus Photolack und Platin an unerwünschten Stellen auf der Siliciurcscheibe.
In einer Variation des oben beschriebenen Verfahrens wird Platin auf eine Siliciumscheibe zerstäubt, die mit Ausnahme der Bereiche, in denen sich PtSi bilden soll, mit einer 5000 % dicken Schicht aus Siliciumdioxid bedeckt ist. Die Scheibe wird dann auf eine Temperatur im Bereich von 400 bis 6OO°c kurzzeitig gesintert, um ohm'sche Kontakte zu bilden. Bei diesen Temperaturen reagiert Platin vorzugsweise mit Silicium unter Bildung von PtSi, während metallisches Platin unumgesetzt auf der SiOj-Schicht verbleibt. Während des Sinters wandelt sich v, ' ein geringer Bruchteil des PtSi in.SiO- um, so daß die PtSi-Schicht von einer dünnen SiO?-Schicht bedeckt und geschützt ist, wenn die Scheibe in Königswasser (drei Teile Chlorwasserstoffsäure und ein Teil 'Salpetersäure) eingetaucht wird, um das Platin zu lösen. Auf diese Weise bleibt PtSi nur an den gewünschten Stellen.
Die oben beschriebenen Verfahren sind jedoch langwierig und erfordern viele Stufen. Darüber hinaus vergeuden diese Verfahren Platin, weil dieses auch auf unerwünschte Bereiche der Scheibe und auf das Innere der Kammer aufgesprüht wird, in der das Aufsprühen stattfindet. Da Platin außerdem auf eine dünne isolierende SiO^-Schicht im Bereich der Kontaktöffnung aufge-
sprüht wird, kann dieser Kontakt beeinträchtigt werden, wenn diese SiC^-Schicht nicht zuerst völlig entfernt wird.
Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein verbessertes Verfahren zum Abscheiden von Platin auf Silicium zu schaffen. Dieses Verfahren soll sehr wirtschaftlich sein, indem es das Vergeuden von Platin vermeidet. Schließlich soll es ein stromloses Verfahren zum Abscheiden von Platin auf Silicium seir um ohm'sche Kontakte zu verschiedenen Halbleiterelementen zu schaffen.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Verfahren zum stromlosen Abscheiden von Platin auf Silicium. Gemäß diesem Verfahren wird
4+ zuerst ein saures Abscheidungsbad hergestellt, das Pt -Ionen enthält. Das Werkstück aus Silicium wird für eine ausreichende Zeitdauer in das Bad eingetaucht, um auf dem Werkstück einen Platinfilm'gewünschter Dicke abzuscheiden.
Das Verfahren ist brauchbar zum Herstellen ohm'scher Kontakte von Platin auf Silicium für Halbleitereleinente. Zu diesem Zweck wird die Siliciumscheibe nach dem Abscheiden des Platins bei einer Temperatur von 400 bis 600°C gesintert, so daß sich durch
die Umsetzung des Platins mit dem Silicium PtSi bildet, .ι*-·-
Die ohm'sehen Kontakte an aktive Halbleiterbereiche auf einer Siliciumscheibe werden durch kleine Fenster hindurch gebildet, die in den Siliciumdioxidfilia geätzt sind, der üblicherweise die Oberflächen der Scheibe bedeckt. Das A'tzen der Fenster kann nach einem von verschiedenen bekannten Verfahren erfolgen. Bei einem Verfahren wird ein Photolackir.uster auf der Scheibe gebildet, um das SiO2 in den Bereichen freizulegen, in denen die Kontakte erwünscht sind. Dann taucht man die Scheibe in Fluorwasserstoffsäure ein, die das freigelegte SiO2 unter Bildung der Kontaktöffnungen ätzt. Schließlich entfernt man den Photolack unter Verwendung eines geeigneten organischen Lösungsmittels. Ein anderes Verfahren, das zum Ätzen von SiO2 zur-*öff-
COPf
nung von Kontaktfenstern brauchbar ist, ist unter der .Bezeichnung Plasmaätzen bekannt. Dieses ist ein brauchbares Trocken-Verfahren, das die Kontrolle der Geometrie des Kontaktfensters gestattet.
Um die ohm1sehen Kontakte zu bilden, wird Platin in den geätzten Fenstern abgeschieden und die Scheibe wird für einige Minuten,
8 und 60
üblicherweise zwischen etwa / Minuten bei einer Temperatur von etwa 400 bis 600°C gesintert. Dabei setzt sich das Platin mit
dem Silicium unter Bildung einer metallähnlichen leitenden
Schicht aus Platinsilicid PtSi um. Die Zuleitungen des Elementes werden an einer zweiten Metallisierungsschicht angebracht, die üblicherweise auf die PtSi-Schicht aufgebracht worden ist.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein stromloses Verfahren zum Abscheiden von Platin vorzugsweise in den geätzten Kontaktfenstern benutzt. Dieses Verfahren wird in einem sauren Abscheidungsbad ausgeführt, das zusammen mit Platin, Fluorwasserstoffsäure enthält, woraus sich einige deutliche Vorteile ergeben. So ätzt die Säure die relativ dünne Schicht(20 bis 50 S ). aus SiO2 über den Kontaktfenstern und setzt somit das reine
Silicium im Bereich der Kontaktöffnung frei. Die Piatinionen
ersetzen sofort die Siliciumatome (wie im folgenden noch näher beschrieben wird) und sammeln sich an. Dies minimalisiert das
Auftreten schlechter Kontakte aufgrund einer Platinabscheidung über einer isolierenden S.iO2-Schicht, wie dies häufig beim Abscheiden von Platin'durch Zerstäuben der Fall ist. Das 2
das die nicht für einen Kontakt vorgesehenen Bereiche der Scheibe bedeckt, ist ausreichend dick, so daß die Säure durch das
über den Kontaktfenstern befindliche SiO2 zuerst hindurchätzt
und das Abscheiden erfolgt ebenfalls rasch genug, um ein Durchätzen des SiO2 durch unerwünschte Bereiche der Scheibe zu vermeiden. Auf diese Weise wird Platin nur in den Kontaktfenstern abgeschieden, was jegliche Platinvergeudung vermeidet.
<*--·■ ■-■"
COPY
- 0.
Ein weiterer Vorteil, der mit dem Einsatz einer sauren Abscheidungslösung im Gegensatz zu einer basischen Abscheidungslösung verbunden ist, ist der, daß einige Elemente, wie FETs Natrium nicht tolerieren können, das in basischen Abscheidungsiösungen vorhanden sein kann.
Das Abscheidungsbad wird hergestellt, indem man eine lösliche
4+-
Platir.verbindung, die als Quelle der Pt Ionen dient, in Wasser löst und Fluorwasserstoffsäure hinzugibt, -um die Azidität des Bades bis zu dem gewünschten Niveau zu erhöhen. Platintetrachlorid PtCl. und Hexachlorplatinsäure H2PtCl, sind bevorzugte Quellen für diese Pt -Ionen, obwohl auch Platintetrafluorid PtF benutzt werden kann. PtCl. und H2PtCl, sind wasserlöslich, während PtF. in einer Säure, wie Chlorwasserstoffsäure gelöst werden muß, bevor man HF hinzugibt. Die bevorzugte Kon-
4+ -5 -2
zentration der Pt -Ionen liegt zwischen etwa 10 und 10 Mol/l.
4+ -4
Eine Pt -Ionenkonzentration von 2 χ 10 Mol/l hat gute Ergebnisse gezeitigt. Das Abscheidungsbad kann filtriert werden, um irgendwelche ungelösten Bestandteile zu entfernen.
üblicherweise wird die Fluorwasserstoffsäurestärke im Abscheidungsbad zwischen 10 und 1 Mol/l eingestellt. Die Säurekonzentration muß sorgfältig kontrolliert werden. Und dies deshalb, weil z. B. eine 1-molare HF SiO2 mit einer Geschwindigkeit von 150 Ä/min ätzt. Es muß daher sorgfältig darauf geachtet werden, daß zwar ausreichend Zeit zur Verfügung steht, um den dünnen SiO3-FiIm, der Kontaktfenster bedeckt, zu ätzen und das Platin abzuscheiden, doch darf kein Ätzen durch das SiO9 in Bereichen erfolgen, in denen Kontakte nicht erwünscht sind. Eine Konzentration von 10 Mol/l HF hat sich als brauchbar erwiesen. Im allgemeinen ist ein 200 8 dicker Platinfilm erwünscht.
Zu dem Abscheidungsbad kannAnmoniumfluorid NH4F und/oder Anrnoniumchlorid NH4Cl hinzugegeben werden. Diese wirken als Puffer, die eine im wesentlichen konstante H -Ionenkonzentration aufrechterhalten und dadurch die Abscheidungsgeschwindigkeit des
COPY
♦ « · ft
-Ίο.
Platins erhöhen. Ein Beispiel einer Abscheidungslösung, die NH.F enthält, wird weiter unten angegeben. Es ist jedoch darauf hinzuweisen, daß NH.F und NH.C1 aus dem bevorzugten Abscheidungsbad weggelassen werden können, da die Anwesenheit einer oder beider Verbindungen zu einer zu starken und gleichzeitig ungleichmäßigen Platinabscheidung führt.
Das Abscheiden des Platinfilms auf dem Silicium ergibt sich aus der folgenden Umsetzung:
Pt4+ + siO .Si4+ +Pt°
als Ergebnis der unterschiedlichen elektrochemischen Potentiale
4+
von Platin und Silicium. Die Pt -Ionen reagieren mit Silicium
4+ unter Bildung metallischen Platins und Si -Ionen. Die Abscheidungsgeschwindigkeit des Platins hänqt von der Konzentra-
"4 +
tion der Pt -Ionen ab. Es ist jedoch darauf hinzuweisen, daß
4 +
eine zu große Pt -Ionenkonzentration 2u einer raschen und ungleichmäßigen- Platinabscheidung führt. Die Piatinagaregate können beim Sintern zur Bildung von PtSi eine zu große Menge an Silicium verbrauchen und so den übergang des Elementes kurzschließen. Um die gleichmäßige Abscheidung des Platins zu fördern, ist es erwünscht, das Abscheidungsbad zu bewegen. Die
4+
Konzentration an Pt -Ionen sollte so ausgewählt werden, daß
die gewünschte Platinfilmdicke in etwa 1 bis 5 Minuten erzeugt wird, wobei etwa 3 Minuten typisch sind für Abscheidungsbäder, die 0,1 Mol/l HF und 2 χ 1O~4 Mol/l Pt4+-Ionen enthalten.
Die Abscheidungsreaktion hat sich als lichtempfindlich erwiesen, wodurch man über ein weiteres Mittel verfügt, die Abscheidungsgeschwindigkeit des Platins zu kontrollieren. In einem typischen Experiment wurde z. B. die Abscheidung in einem Abschei-
-3 4 +
dunasbad ausgeführt, das 1,9 χ 10 Mol/l an Pt -Ionen und
bei
1 Mol/l HF enthielt und das/Zimmertemperatur gehalten wurde. Eine für 3 Minuten in dieses Bad eingetauchte Siliciumscheibe hatte unter direktem Fluoreszenzlicht einen Platinfilm- der mittleren Dicke von etwa 120-Ä.
COPY
In einem ähnlichen Experiment, aber im Dunkeln, war der Platinfilm weniger als 30 9. dick. Die genaue Wellenlänge, die die Reaktion beschleunigt, ist zwar nicht bestimmt worden, doch kann diese Beschleunigung den Wellenlängen des nahen Infrarot zuzuschreiben sein, die im Fluoreszenzlicht vorhanden sind. Eine größere Reaktionsgeschwindigkeit wurde auch beobachtet für Abscheidungen, die unter einer direkten Beleuchtung von einer Lampe ausgeführt wurden, die im wesentlichen Strahlung im nahen Infrarot erzeugte, d. h. bei Wellenlängen im Bereich von 700 bis 1000 nm.
Der genaue Mechanismus der Abscheidung ist nicht bekannt, doch wird angenommen, daß die Reaktion in zwei Arten stattfindet. Nach einer anfänglichen Ersetzungsphase, in der Platin Silicium ersetzt, bis ein 10 bis 30 A dicker Platinfilm abgeschieden ist, nimmt man einen autokatalytischen Prozeß an. Dieser ergibt die Abscheidung dickerer Platinfilme, deren durchschnittliche Dicke 200 A oder mehr betragen kann. Es wird angenommen, daß nur die anfängliche Ersetzung im Dunkeln stattfindet, während der autckatalytische Prozeß lichtempfindlich ist und daher im Dunkeln langsamer abläuft. Die erwünschte Filmdicke kann daher durch Varieren des Beleuchtungsniveaus leicht gesteuert werden.
Die Erfindung wird im folgenden unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert. Im einzelnen zeigen:
Figur 1a graphisch die Platinabscheidung auf eine p-dotierte Siliciumscheibe in einem HF enthaltenden Abscheidungsbad,
Figur 1b ähnlich der Figur 1a die Abscheidungsgeschwindigkeit des Platins auf eine η-dotierte Siliciumscheibe,
Figur 2a ähnlich der Figur 1a aber mit dem Unterschied, daß
COB5V
das Abscheidungsbad NH,F enthält und
Figur 2b ähnlich der Figur Ib aber mit dem Unterschied, daß das Abscheidungsbad NH4F enthält.
Die graphischen Darstellungen der Figuren 1a und 1b veranschaulichen die Geschwindigkeit der Platinabscheidung auf p- bzw. η-dotierte Siliciumscheiben, die jede eine Leitfähigkeit von etwa 8 bis 12 Ohm/cm haben. In jedem Falle erfolgte das Abscheiden bei Zimmertemperatur unter Umgebungs-Fluoreszenzlicht und aus einem Abscheidungsbad, das 0,5 Mol/l HF enthielt,
4+ -3
sowie Pt -Ionenkonzentration von 1,8 χ 10 Mol/l. Für das p-dotierte Material der Figur 1a betrug die Abscheidungsgeschwindigkeit dx/dt 42 A/min für das η-dotierte Material der Figur 1b dagegen 47 Ä/min.
Die Figuren 2a und 2b zeigen die Abscheidungsgeschwindigkeiten für die gleichen Siliciumscheiben und unter den gleichen Bedingungen wie bei den Figuren 1a und 1b mit der Ausnahme, daß das Abscheidungsbad jeweils zusätzlich 0,27 Mol/l NH4F enthielt. Die Abscheidungsgeschwindigkeiten waren höher als bei dein Abscheidungsbad ohne NH.F. Die Abscheidungsgeschwindigkeit auf das p-dotierte Silicium der Figur 2a betrug 80 A/min und die für das η-dotierte Silicium der Figur 2b 75 A/rcin.
Leerseite

Claims (13)

Verfahren zum stromlosen Abscheiden von Platin auf Silicium Patentansprüche
1. Verfahren zum stromlosen Abscheiden einer dünnen Platinschicht auf Silicium,
gekennzeichnet durch die Stufen:
4 + Herstellen eines sauren Abscheidungsbades, das Pt -Ionen
enthält,
Eintauchen eines Werkstückes aus Silicium für eine ausreichende Zeitdauer in das Abscheidungbad, damit sich ein Platinfilm erwünschter Dicke auf dem Werkstück abscheidet.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Stufe des Herstellen des Abscheidungsbades die folgenden Stufen umfaßt:
Auflösen einer Platinverbindung aus PtCl4 und HJ?tClg in Wasser und
COPV
Hinzugeben von ausreichend HF, um die Konzentration des Abscheidungsbades an HF auf einen Viert zwischen etwa 10 und 1 Mol/l einzustellen.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Stufe des Hersteilens des Abscheidungsbades die folgenden Stufen umfaßt:
Auflösen von PtF, in HCl und
Hinzugeben von ausreichend HFr um die Konzentration des Abscheidungsbades an HF
1 Mol/l einzustellen.
scheidungsbades an HF auf einen Wert zwischen etwa 10 und
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3,
dadurch gekennzeichnet , daß
4 + die Konzentration des Abscheidungsbades an Pt -Ionen im Bereich zwischen etwa 10~ und 10 Mol/l liegt.
5. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration des Abscheidungsbades an HF zu etwa 0,1 Mol/l eingestellt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3,
weiter gekennzeichnet durch die Stufe der Zugabe von NH4Cl und/oder NH-F zu dem Abscheidungsbad, um die Konzen-
+
tration der H -Ionen· in diesem Bad zu stabilisieren.
7. Verfahren zum Herstellen zuverlässiger ohm'scher Kontakte von Platin zu Silicium,
gekennzeichnet durch die Reihenfolge von Stufen:
4 + Herstellen eines sauren Abscheidungsbades, das Pt -Ionen enthält,
Eintauchen eines Werkstückes aus Silicium, das eine SiO,,-Schicht trägt, in der Kontaktfenster gebildet sind,
Γ COPY
für eine ausreichende Zeit in das Abscheidungsbad, damit eine selektive Abscheidung einer Platinschicht im Bereich der Kontaktfenster auf dem Werkstück aus Silicium stattfindet und
Sintern des Werkstückes aus Silicium zur Bildung ohm1scher Kontakte zwischen der Platinschicht und dem Werkstück aus Silicium durch Umsetzen von Platin und Silicium unter Bildung von PtSi.
8. Verfahren nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet/ daß das Sintern das Erhitzen des Werkstückes aus Silicium auf eine Temperatur im Bereich von 400 bis 600 C umfaßt.
9. Verfahren nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet, daß das Herstellen des Abscheidungsbades die folgenden Stufen umfaßt:
Auflösen einer "Platinverbindung aus PtCl. und K2PtCl6 in Wasser und
Hinzugeben von ausreichend HF, um die Konzentration des Ab-
_ 2 scheidungsbades an HF auf einen Wert zwischen etwa 10 und 1 Mol/l einzustellen.
10. Verfahren nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet, daß das Herstellen des Abscheidungsbades die folgenden Stufen umfaßt:
Auflösen von PtF4 in HCl und
Hinzugeben von ausreichend HF um die Konzentration des Abscheidungsbades an HF auf einen Wert zwischen etwa 10 und 1 Mol/l einzustellen.
11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10,
dadurch gekennzeichnet, daß die Kon-
4+ zentration des Abscheidungsbades an Pt -Ionen im Bereich
-5 -2
von etwa 10 bis 10 Mol/l liegt.
COPY
12. Verfahren nach Anspruch 9 oder TO,
dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration des Abscheidungsbades an HF auf etwa 0,1 Mol/l eingestellt wird.
13. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10,
weiter dadurch gekennzeichnet, daß zu dem Abscheidungsbad NH4Cl und/oder NH4F hinzugegeben wird, um die Konzentration des Abscheidungsbades an H -Ionen zu stabilisieren.
COPY
DE19833318001 1982-05-20 1983-05-18 Verfahren zum stromlosen abscheiden von platin auf silicium Withdrawn DE3318001A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US37984382A 1982-05-20 1982-05-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3318001A1 true DE3318001A1 (de) 1983-11-24

Family

ID=23498944

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19833318001 Withdrawn DE3318001A1 (de) 1982-05-20 1983-05-18 Verfahren zum stromlosen abscheiden von platin auf silicium

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPS591667A (de)
DE (1) DE3318001A1 (de)
FR (1) FR2527225A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009051317A1 (de) 2009-10-29 2011-06-01 Infineon Technologies Austria Ag Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelement sowie Halbleiterbauelement

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6418078U (de) * 1987-07-23 1989-01-30
JPH03201487A (ja) * 1989-12-28 1991-09-03 Nippon Mining Co Ltd 半導体放射線検出素子の製造方法
JP2753379B2 (ja) * 1990-06-27 1998-05-20 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JPH0929441A (ja) * 1995-07-20 1997-02-04 Toyota Motor Corp アーク溶接トーチ
JP2002173781A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk Ｕｌｓｉ用の貴金属薄膜電極の製造方法
US9499913B2 (en) * 2014-04-02 2016-11-22 Lam Research Corporation Electroless deposition of continuous platinum layer using complexed Co2+ metal ion reducing agent
CN104593756B (zh) * 2015-02-10 2018-01-23 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 一种镀膜硅基材料及其制备方法和镀膜处理液
JP6811041B2 (ja) * 2016-07-04 2021-01-13 上村工業株式会社 無電解白金めっき浴

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5745061B2 (de) * 1972-05-02 1982-09-25

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009051317A1 (de) 2009-10-29 2011-06-01 Infineon Technologies Austria Ag Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelement sowie Halbleiterbauelement

Also Published As

Publication number Publication date
JPS591667A (ja) 1984-01-07
FR2527225A1 (fr) 1983-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0000743B1 (de) Verfahren zum Herstellen von Tantal-Kontakten auf einem aus N-leitendem Silicium bestehenden Halbleitersubstrat
DE2951734C2 (de)
DE3311635C2 (de)
DE2720893C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Schottky-Sperrschicht oder eines ohmschen Kontakts
DE69628704T2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Oxidfilms auf der Oberfläche eines Halbleitersubstrats
DE3211761A1 (de) Verfahren zum herstellen von integrierten mos-feldeffekttransistorschaltungen in siliziumgate-technologie mit silizid beschichteten diffusionsgebieten als niederohmige leiterbahnen
DE2036139A1 (de) Dunnfümmetallisierungsverfahren fur Mikroschaltungen
EP0012955A2 (de) Ätzmittel zum Ätzen von Siliciumoxiden auf einer Unterlage und Ätzverfahren
DE2019655C2 (de) Verfahren zur Eindiffundierung eines den Leitungstyp verändernden Aktivators in einen Oberflächenbereich eines Halbleiterkörpers
DE1621477B2 (de) Waessrige aetzloesung zum selektiven aetzen von silicium dioxid und phosphatglasschichten auf halbleiterkoerpern und verwendung der loesung zur reinigenden aetzung von halbleiterkoerpern
DE2123595A1 (de) Halbleiteranordnung
DE1803024C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Feldeffekttransistorbauelementen
DE2225374B2 (de) Verfahren zum herstellen eines mos-feldeffekttransistors
DE3318001A1 (de) Verfahren zum stromlosen abscheiden von platin auf silicium
DE102014101475A1 (de) Ätzen von porösem Metall
DE2538600A1 (de) Ohm&#39;sche kontakte fuer n-leitende iii-v-halbleiter
DE2031235C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes
DE2628406A1 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung
DE3131875A1 (de) &#34;verfahren zum herstellen einer halbleiterstruktur und halbleiterstruktur&#34;
EP0005163A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines PtSi-Schottky-Sperrschichtkontakts
DE1564136C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
DE102009010891A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Kontakts mit einem Halbleitermaterial aus Siliziumkarbid und Halbleiterbauelement mit einem solchen Kontakt
DE2540301A1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mit einem leitermuster und durch dieses verfahren hergestellte anordnung
DE1803025A1 (de) Elektrisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1923314A1 (de) Elektrische Verbindungen und Kontakte fuer Halbleitervorrichtungen

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee