DE3313695A1 - Geraet zum epitaxialen aufwachsen von schichten auf halbleitersubstraten - Google Patents

Geraet zum epitaxialen aufwachsen von schichten auf halbleitersubstraten

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    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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