JPS58158438U - エピタキシヤル成長装置のコイル保持装置 - Google Patents

エピタキシヤル成長装置のコイル保持装置

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JPS58158438U
JPS58158438U JP1982055268U JP5526882U JPS58158438U JP S58158438 U JPS58158438 U JP S58158438U JP 1982055268 U JP1982055268 U JP 1982055268U JP 5526882 U JP5526882 U JP 5526882U JP S58158438 U JPS58158438 U JP S58158438U
Authority
JP
Japan
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coil
holding device
epitaxial growth
frequency heating
coil support
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Application number
JP1982055268U
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JPH0356042Y2 (ja
Inventor
吉三 小宮山
宮崎　美彦
石川　武敏
Original Assignee
東芝機械株式会社
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Publication date
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Priority to GB08309427A priority patent/GB2120279B/en
Priority to KR1019830001556A priority patent/KR840004824A/ko
Priority to DE19833313695 priority patent/DE3313695A1/de
Publication of JPS58158438U publication Critical patent/JPS58158438U/ja
Application granted granted Critical
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Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はエピタキシャル成長装置の概要縦断面図、第２
図は従来のコイル支え装置を示す下面図、第３図は第２
図の■−■線による断面図、第４図は第３図のＩＶ−Ｉ
Ｖ線による断面図、第５図は第３図の■−■線による断
面図、第６図は本考案によるコイル支え装置の一実施例
を示す断面図、第７図は第６図の■−■線による拡大断
面図、第８図、第９図および第１０図はそれぞれ本考案
の他の実施例を示す部分拡大断面図である。 １・・・・・・ベルジャ、２・・・・・・ベースプレー
ト、３・・・・・・反応室、６・・・・・・ノズル、７
・・・・・・サセプタ、１０・・・・・・高周波加熱コ
イル、１１・・・・・・ウェハ、２１ａ。 ２１ｂ、２１Ｃ・・・・・・コイル支え、２２・・・・
・・コイル支えの固定手段、２６，２６ａ、２６ｂ、２
６Ｃ−・・・・・コイルの保持手段、２Ｂ、２８ａ、２
８ｂ・・・・・・ボルト、２８Ｃ−−−−−−おねじ１
．２９，２９ａ、２９ｂ。 ２９Ｃ・・・・・・めねじ、３１．３２・・・・・・ロ
ックナツト、３３・・・・・・止め輪、３５・・・・・
・連結棒。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ベースプレートとベルジャにより形成された反応室内に
    サセプタを設け、該サセプタの下方に設けられている渦
    巻状の高周波加熱コイルにより前記サセプタおよびその
    上に載置されているウェハを加熱するようにしたエピタ
    キシャル成長装置のコイル保持装置において、ベースプ
    レートの上面から所定高さに設けられたコイル支えと、
    前記高周波加熱コイルを適宜な間隔を置いて前記コイル
    支えに連結して支持する複数の保持手段とからなり、前
    記保持手段はそれ自身の中ないしはそれと高周波加熱コ
    イルまたはコイル支えの間にねじ対−偶を形成し、該ね
    じ対偶の一方がコイル支え側に支持されると共に他方が
    高周波加熱コイルを支持するように構成し、かつ前記ね
    じ対偶のうちコイル支えに対して回転する側をコイル支
    えの下面側に突出させるようにしたことを特徴とするエ
    ピタキシャル成長装置のコイル保持装置。
JP1982055268U 1982-04-16 1982-04-16 エピタキシヤル成長装置のコイル保持装置 Granted JPS58158438U (ja)

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JP1982055268U JPS58158438U (ja) 1982-04-16 1982-04-16 エピタキシヤル成長装置のコイル保持装置
GB08309427A GB2120279B (en) 1982-04-16 1983-04-07 Support for induction heating coil in epitaxial growing apparatus of semiconductor wafers
KR1019830001556A KR840004824A (ko) 1982-04-16 1983-04-14 반도체 웨이퍼의 에피택셜 생장장치
DE19833313695 DE3313695A1 (de) 1982-04-16 1983-04-15 Geraet zum epitaxialen aufwachsen von schichten auf halbleitersubstraten

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Publication Number Publication Date
JPS58158438U true JPS58158438U (ja) 1983-10-22
JPH0356042Y2 JPH0356042Y2 (ja) 1991-12-16

Family

ID=12993852

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KR (1) KR840004824A (ja)
DE (1) DE3313695A1 (ja)
GB (1) GB2120279B (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
JPH0356042Y2 (ja) 1991-12-16
DE3313695A1 (de) 1983-10-27
KR840004824A (ko) 1984-10-24
GB2120279A (en) 1983-11-30
GB2120279B (en) 1986-09-10
DE3313695C2 (ja) 1987-10-22

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