JPS58155370U - シリコン単結晶製造装置 - Google Patents

シリコン単結晶製造装置

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JPS58155370U
JPS58155370U JP5072982U JP5072982U JPS58155370U JP S58155370 U JPS58155370 U JP S58155370U JP 5072982 U JP5072982 U JP 5072982U JP 5072982 U JP5072982 U JP 5072982U JP S58155370 U JPS58155370 U JP S58155370U
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JP
Japan
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single crystal
silicon single
crucible
carbon
carbon crucible
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JP5072982U
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JPS61369Y2 (ja
Inventor
平石　吉信
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小松電子金属株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来より実施されている通常の引上単結晶製造
装置。第２図は本考案による一実施例を示す。第３図お
よび第４図は本考案による遮蔽具の一実施例を示す。 １・・・・・・石英ルツボ、２・・・・・・カーボンル
ツボ、３・・・・・・支持部、４・・・・・・円筒部、
５・・・・・・グラファイトヒーター、６・・・・・・
保温筒、７・・・・・・熱遮蔽部、８・・・・・・カー
ボンフェルト、９・・・・・・遮蔽具、１０・・・・・
・チャンバー、１１・・・・・・シリコン溶融部、１２
・・・・・・上部不活性ガス導入口、１３・・・・・・
下部不活性ガス排出口。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. チャンバー１０内に石英ルツボ１と、カーボンルツボ２
    およびそれらを加熱、保温するグラファイトヒーター５
    および保温筒６と、上部不活性ガス導入口１２と下部排
    出口１３を有するシリコン単結晶引上装置において、該
    カーボンルツボ２上縁に接触する支持部３に複数の貫通
    孔を有し、該石英ルツボ１上縁とは間隙を有する円筒部
    ４と、チャンバー１０の側壁と５１ｒｒＩｎ以下の間隙
    を有するか又は接触しているカーボンフェルト８を外周
    に有し、且つ該グラファイトヒーター５および該保温筒
    ６の上部を蓋うごとく配した熱遮蔽部７とを一体とした
    、該カーボンルツボ２と共に回転移動する環状皿形の遮
    蔽具９を備えたことを特徴とする゛シリコン単結晶引上
    装置。
JP5072982U 1982-04-09 1982-04-09 シリコン単結晶製造装置 Granted JPS58155370U (ja)

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JP5072982U JPS58155370U (ja) 1982-04-09 1982-04-09 シリコン単結晶製造装置

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JPS58155370U true JPS58155370U (ja) 1983-10-17
JPS61369Y2 JPS61369Y2 (ja) 1986-01-08

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