DE3249017T1 - Transparente schicht und verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents

Transparente schicht und verfahren zu ihrer herstellung

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DE3249017T1 DE823249017T DE3249017T DE3249017T1 DE 3249017 T1 DE3249017 T1 DE 3249017T1 DE 823249017 T DE823249017 T DE 823249017T DE 3249017 T DE3249017 T DE 3249017T DE 3249017 T1 DE3249017 T1 DE 3249017T1
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Description

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Claims (23)

Patentansprüche
1. Nicht irisierende transparente Schicht, bestehend aus einem transparenten Substrat, einer Infrarotstrahlung reflektierenden Schicht und einer Irisation unterdrückenden Zwischenschicht zwischen dem Substrat und der Infrarotstrahlung reflektierenden Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht im wesentlichen aus zwei Komponenten besteht, aus
1) einer ersten Zwischenschicht mit einem Material mit einem relativ hohen Brechungsindex, die näher zu dem Substrat angeordnet ist,
2) einer zweiten Zwischenschicht aus Material mit einem verhältnismäßig niedrigen Brechungsindex , die über der Schicht mit dem relativ hohen Brechungsindex angeordnet ist, wobei
3) die kombinierte Zwischenschicht für die Unterdrückung der Irisation eine gesamte optische Dicke von etwa 1/6 der Konstruktionswellenlänge von 500 Nanometer aufweist.
2. Transparente Schicht nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß die Infrarotstrahlung reflektierende Schicht und die erste Zwischenschicht etwa denselben Brechungsindex aufweisen.
3. Transparente Schicht nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Infrarotstrahlung reflektierende Schicht und die erste Zwischenschicht Zinnoxid enthalten.
4. Transparente Schicht nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Zwischenschicht einen Brechungsindex aufweist, der beträchtlich höher als der Brechungsindex der Infrarotstrahtung reflektierenden Schicht ist.
249017
50-
5. Transparente Schicht nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Zwischenschicht einen Brechungsindex aufweist, der beträchtlich geringer als der Brechungsindex der Infrarotstrahlung reflektierenden Schicht ist.
6. Transparente Schicht nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschichten Brechungsindizes aufweisen, die zwischen dem Brechungsindex des Substrats und dem Brechungsindex der Infrarotstrahlung reflektierenden Schicht liegen.
7. Transparente Schicht nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die optische Dicke d der Zwischenschicht, die näher zu dem Substrat angeordnet ist, etwa
(1/720) cos"1 Qr. Vr0 2- r„ 2)/2r. rj
beträgt, daß die optische Dicke d der Zwischenschicht, die näher zu der Infrarotstrahlung reflektierenden Schicht angeordnet ist, etwa (1/720) cos"1 [(r2 +
"1 [(r'2 2 T 3
beträgt, für eine Konstruktiohswellenlänge von 500 Nanometer, und wobei
Γ2 = (n-j-n2^(ni+n2^
r3 = (nc"n2)/(nc+n2)
und wobei
η = Brechungsindex des Substrats,
n1 = Brechungsindex der dem Substrat näheren Zwischenschicht,
n„ ■ Brechungsindex der der funktionellen Halbleiterschicht näheren Zwischenschicht! und
η = Brechungsindex der Infrarotstrahlung reflektierenden Schicht.
C ■ . .
8. Transparente Schicht nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge k e nnzeichnet, daß die Brechungsindizes und die optische Dicke des Substrats, der Zwischenschichten und der Infrarotstrahlung reflektierenden Schicht derart ausgewählt sind, daß der Farbsättigungswert weniger als etwa 12 beträgt.
9. Transparente Schicht nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Brechungsindizes die optische Dicke des Substrats, der Zwischenschichten und der Infrarotstrahlung reflektierenden Schicht derart ausgewählt sind, daß der Farbsättigungswert weniger als etwa 8 beträgt.
10. Transparente Schicht nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht keine metallische Komponente oder gefärbte Komponente zum Zwecke der Absorption von sichtbarem Licht enthält.
11. Transparente Schicht nach Anspruch 1, deren Struktur im wesentlichen aus zwei Komponenten besteht, mit einem transparenten Substrat, mit einer elektrisch leitenden Schicht, sowie mit einer Irisation unterdrückenden Zwischenschichteinrichtung zwischen dem Substrat und der elektrisch leitenden Schicht, d a d u r c h gekennzeichnet, daß die Struktur zwischen der leitenden Schicht und dem transparenten Substrat eine Zwischenschicht enthält, die eine erste Zwischenschichtkomponente mit relativ hohem Brechungsindex aufweist, die näher dem Substrat angeordnet ist,daß über dieser Materialschicht mit relativ hohem Brechungsindex eine zweite Zwischenschichtkomponente mit relativ niedrigem Brechungsindex angeordnet ist, und daß die kombinierten Zwischenschichtkomponenten für die Unterdrückung von Irisation eine gesamte optische Dicke von etwa 1/6 einer Konstruktionswellenlänge von 500 Nanometer aufweisen.
12. Verfahren zur Herstellung einer nicht irisierenden transparenten Schicht nach Anspruch 1, mit einem transparenten Substrat, einem Infrarotstrahlung reflektierenden Überzug, sowie mit einer Irisation unterdrückenden Zwischenschicht zwischen dem Substrat und der Infrarotstrahlung reflektierenden Schicht, dadurch g e k ennzeichnet, daß zwischen der Infrarotstrahlung reflektierenden Schicht und dem transparenten Substrat eine Zwischenschicht aufgebracht wird, indem näher zu dem Substrat eine erste Zwischenschichtkomponente mit relativ hohem Brechungsindex aufgebracht wird, daß über diese Schicht mit relativ hohem Brechungsindex eine zweite Zwischenschichtkomponente mit relativ niedrigem Brechungsindex aufgebracht wird, und daß das Aufbringen der Zwischenschichtkomponente bei einer derartigen Dicke beendet wird, daß die kombinierten Zwischenschichtkomponenten zwei Irisation unterdrückende Einrichtungen bilden und die gesamte optische Dicke der Zwischenschicht-
komponenten etwa 1/6 der Konstruktionswellenlänge von 500 Nanometer beträgt.
13. Verfahren nach Anspruch 12, d a du rch gekennzeic h η e t , daß die Infrarotstrahlung reflektierende Schicht und die erste Zwischenschicht komponente etwa denselben Brechungsindex aufweisen.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet,
daß die Infrarotstrahlung reflektierende Schicht und die erste Zwischenschichtkomponente beide in der Hauptsache Zinnoxid enthalten.
15. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Zwischenschichtkomponente einen Brechungsindex aufweist, der wesentlich höher als der Brechungsindex der Infrarotstrahlung reflektierenden Schicht ist.
16. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzei c h net, daß die erste Zwischenschichtkomponente einen Brechungsindex aufweist, der beträchtlich niedriger als der Brechungsindex der Infrarotstrahlung reflektierenden Schicht ist.
17. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschichtkomponenten Brechungsindizes zwischen dem Brechungsindex des Substrats und der Infrarotstrahlung reflektierenden Schicht aufweisen.
18. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die optische Dicke d1 der Zwischenschichtkomponente, die näher an dem Substrat liegt etwa
(1/720) cos"1 [(T1 2 + r2 2 - ^ 2^r2J
beträgt, daß die optische Dicke d„ der näher zu der Infrarotstrahlung reflektierenden Schicht angeordneten Zwischenschicht etwa
(1/720) cos"1 [(r2 2 + r3 2- ^ 2^r3J
beträgt, für eine Konstruktionswellenlänge von 500 Nanometer, wobei ri = (nrng)/(ni+ng)
= (nc-n2)/(nc+n2)
und wobei
η = Brechungsindex des Substrats,
n, = Brechungsindex der dem Substrat näheren Zwischenschichtkomponente,
Πρ = Brechungsindex der der funktionellen Halbleiterschicht näher Zwischenschichtkomponente,· und
η = Brechungsindex der Infrarotstrahlung reflektierenden Schicht.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Brechungsindizes und die optische Dicke des Substrats, der Zwischenschichtkomponenten und der Infrarotstrahlung reflektierenden Schicht derart ausgewählt sind, daß sich ein Farbsättigungswert unter etwa 12 ergibt.
20. Verfahren nach Anspruch 12 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Brechungsindizes und die optische Dicke des Substrats und der Zwischenschichtkomponenten und der Infrarotstrahlung reflektierenden Schicht derart ausgewählt sind, daß der Farbsättigungswert weniger als etwa 8 beträgt.
21. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schicht aus Zinnoxid mit einer maximalen Dicke von 1/6 einer Wellenlänge aufgetragen wird, und daß eine Menge von fluorhaltigem Gas einer Überzugsmischung zugesetzt wird, die Organozinn und Sauerstoff als Mittel zur Erhöhung der Auftragungsrate des Zinnoxids enthält.
22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß das fluorhaltige Gas eine Bromofluormethanverbindung ist.
23. Verfahren nach Anspruch 12 zur Herstellung einer Schicht nach Anspruch
11, bestehend aus einem transparenten Substrat, einem darüber vorgesehenen elektrisch leitenden Überzug, sowie aus einer Irisation unterdrückenden Zwischenschicht zwischen dem Substrat und der leitenden Schicht, dadurch ge k e nnzeichnet, daß zwischen der leitenden Schicht und dem transparenten Substrat eine Zwischenschicht aufgetragen wird,indem näher zu dem Substrat eine erste Zwischenschichtkomponente mit relativ hohem Brechungsindex aufgetragen wird, daß über das Material mit relativ hohem Brechungsindex eine zweite Zwischenschichtkomponente aus einem Material mit relativ niedrigem Brechungsindex aufgetragen wird, und daß die Ausbildung der Zwischenschichtkompo-
nente mit einer derartigen Dicke beendet wird, daß die kombinierten Zwischenschirihtkomponenten die Irisation unterdrückende Einrichtung bilden und die gesamte optische Dicke der Zwischenschichtkomponente etwa 1/6 einer Konstruktionswellenlänge von 500 Nanometer beträgt.
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