BRPI0614819A2 - artigo revestido, método de formar um artigo revestido, e artigo de vidro revestido - Google Patents
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Abstract
ARTIGO REVESTIDO, MéTODO DE FORMAR UM ARTIGO REVESTIDO, E ARTIGO DE VIDRO REVESTIDO. Um empilhamento multicamada de filmes delgados, particularmente adequado como um comDonente de uma célula solar, é depositado sobre um substrato dielétrico transparente. O empilhamento multicamada de filmes compreende uma camada transparente eletricamente condutiva de óxido metálico depositada sobre o substrato dielétrico, a camada condutiva de óxido metálico possuindo um índice refrativo de menos de 2,0, uma intercamada de otimização da transmitáncia da luz possuindo um índice refrativo entre 2,3 e 3,5, depositada sobre a camada eletricamente condutiva de óxido metálico, e uma camada de silício possuindo um índice refrativo de pelo menos 4,5 depositada sobre a intercamada de otimização da transmitância da luz. O empilhamento de filmes pode ser depositado por meio de qualquer método adequado, mas a deposição de cada uma dessas camadas por meio da deposição atmosférica de vapor químico é a preferida.
Description
ARTIGO REVESTIDO, MÉTODO DE FORMAR UM ARTIGO REVESTIDO, EARTIGO DE VIDRO REVESTIDO
Fundamentos da Invenção
Células solares à base de silício amorfo estãosendo usadas cada vez mais, em aplicações que variam desdeartigos de uso individual tais como calculadoras e relógiosaté suprimentos de energia elétrica. No geral, as célulassolares à base de silício amorfo possuem uma estruturamulticamada qu.e compreende uma base lâmina de vidro/filmecondutivo transparente/filme de silício amorfo/filme deeletrodo metálico. A luz solar incidente sobre uma talcélula solar passa desde a base lâmina de vidro através dofilme condutivo transparente e em seguida adentra ao filmede silício amorfo. A base lâmina de vidro e o filmecondutivo transparente são, portanto, exigidos possuir umaalta transmitância para boa performance.
Tais células solares, quando usadas parasuprimento de energia elétrica., necessitam ter uma grandeárea exposta à radiação solar incidente. Conseqüentemente,essas células solares freqüentemente empregam um vidrobarato de soda-cal (vidro contendo álcalis) produzidoatravés do processo 'float' como a base lâmina de vidro. Umdelgado filme de SiO2 (óxido de silício) é freqüentementeusado como um filme barreira para impedir a migração dosíons alcalinos provenientes do vidro para o interior dosoutros elementos da estrutura multicamada do empilhamentode filmes. Quando essas células solares são para uso emsuprimento de energia elétrica, os filmes de SnO2depositados por processo CVD são também freqüentementeusados, porque esses filmes são relativamente baratos ealtamente adequados para produção em massa e possuem umaalta força de aderência que os filmes de SnO2 depositadospor crepitação ou deposição por vapor em vácuo.
Des se modo, nas células solares de silício amorfopara suprimento de energia elétrica, é importante para ofilme condutivo transparente ter reduzida resistênciaelétrica, porque essas células possuem uma grande área depainel. Em particular, o filme condutivo transparente feitode SnO2, que é relativamente barato, é feito para terreduzida resistência elétrica como um todo através dadopagem do SnO2 com uma apropriada impureza e através doaumento da espessura do revestimento de SnO2.
Substratos de vidro constituídos de lâmina devidro soda-cal e um revestimento de duas camadas formadospela deposição sucessiva de um filme barreira alcalino deSiO2 e um filme condutivo transparente de SnO2 nessa ordemtem sido submetido a um teste acelerado numa altatemperatura e atmosfera de alta umidade (por ex., 80 °C,100% de umidade relativa) . Como um resultado de um talteste, foi observado que os filmes condutivos transparentespossuem uma espessura de 6.000 Ã ou mais desenvolveramlinhas capilares de fraturas as quais inibem o fluxo dacorrente elétrica.
Sumário da Invenção
A presente invenção está relacionada a um artigode vidro revestido que foi descoberto ser particularmenteadequado como um componente de uma célula solar, emparticular, uma célula solar à base de silício amorfo.
0 artigo de vidro revestido da presente invençãocompreende um substrato dielétrico transparente que possuiuma camada transparente de óxido metálico eletricamentecondutiva depositada por sobre ela. A camada de óxidometálico eletricamente condutiva possui um índice refrativode menos de 2,0. Uma intercamada de otimização datransmitância é depositada sobre a camada condutiva deóxido metálico, e possui um índice refrativo entre 2,3 e3,5. Uma camada de silício possuindo um índice refrativo depelo menos 4,5 é em seguida depositada sobre a intercamadade otimização da transmitância de luz. Opcionalmente, umfilme de supressão de cor de uma ou mais camadas pode serdepositado sobre o substrato dielétrico antes da deposiçãoda camada transparente eletricamente condutiva de óxidometálico.
As diversas camadas do empilhamento de filmespodem ser depositadas por meio de qualquer método adequado,preferivelmente durante a linha de produção do processo defabricação de *float glass', e muito preferivelmenteatravés da deposição atmosférica de vapor químico durantetal processo.
Descrição Detalhada da Modalidade Preferida
Tem sido um objetivo de muitos versados na técnicade células solares melhorar a eficiência de tais célulassolares para converter radiação solar em energia elétrica,e realizar isso de um modo que possa tornar a energiaelétrica produzida competitiva em custos com os meiosconvencionais de geração de energia elétrica.
Entre as questões que desafiam essa procura deencontrar uma aperfeiçoada célula solar está a formulaçãode uma estrutura que possua alta condutividade elétrica masalta transparência à radiação solar. Esses objetivos podemser conseguidos mediante criar um empilhamento de filmesque possua, entre outras características, uma camada deóxido metálico eletricamente condutiva, relativamenteespessa. A desvantagem dessa abordagem é, comoanteriormente indicado, um aumento na probabilidade defraturas da camada condutiva de óxido metálico, que podeinibir o fluxo da corrente elétrica. Camadas condutivasmais espessas de óxido metálico, digamos da ordem de 6.000-10.000 Â, também resultam em reduzida capacidade daradiação solar para penetrar a camada condutiva de óxidometálico, de modo a ser disponível para a conversão paraenergia elétrica. Até o momento, camadas condutivas maisespessas de óxido metálico eram consideradas seremdesejáveis, na medida em que elas apresentam alta asperezade superfície e boa condutividade elétrica.
0 artigo de vidro revestido da presente invençãoutiliza diversos princípios de interferência ótica e outrosprincípios desses filmes delgados para proporcionar umacamada de otimização da transmitância de luz estandocontida numa faixa escolhida de índices refrativos, osquais conflitam num equilíbrio entre a absorção e arefletância da energia solar, e ao mesmo tempo permite ouso de uma camada mais delgada condutiva de óxido metálico.
Desse modo, mais radiação solar penetra a célula solar, e aqual é mais eficientemente utilizada quando de talpenetração. Aumentos significativos na eficiência da célulasolar podem ser calculados utilizando o artigo de vidrorevestido da presente invenção.
Na presente invenção, um substrato dielétricotransparente, por exemplo, vidro de soda-cal-sílica, éutilizado, embora outros vidros transparentes,preferivelmente também produzidos através do processoAfloat', possam ser também utilizados.
Um adequado filme de óxido metálico, tornadoeletricamente condutivo pela adição de um dopante, édepositado sobre o material substrato. Óxido de estanho éum óxido metálico preferido, preferivelmente dopado comflúor. Se óxido de estanho é utilizado, uma espessurapreferida de filme é da ordem de 3.000-7.500 Ã. O índicerefrativo da camada condutiva de óxido metálico deverá sermenor que 2,0, a fim de funcionar apropriadamente nocontexto do empilhamento de filmes como um todo.
Na presente invenção, uma intercamada deotimização da transmitância da luz é depositada sobre acamada eletricamente condutiva de óxido metálico. Materiaisadequados para a intercamada de otimização de transmitânciaincluem TiO2 e outros óxidos metálicos sub-estequiométricosadequados. A intercamada de otimização da transmitânciapropriamente não necessita ser de grande espessura; daordem de 300-600 Ã tem sido encontrado ser suficiente, comuma espessura de 450 a 500 Â sendo preferido. Novamente,para ser compatível com as, outras camadas no preferidoempilhamento de filmes, a intercamada de otimização datransmitância da luz possui um índice refrativo de 2,3 a3,5. Numa modalidade particularmente preferida, o indicerefrativo da intercamada de otimização da transmitância daluz é de 2,5 a 3,0.
Numa modalidade preferida onde o artigo de vidrorevestido em questão é utilizado como um componente de umacélula solar de silício amorfo, uma camada de silício édepositada sobre a intercamada de otimização datransmitância da luz. 0 índice refrativo da camada desilício é de pelo menos 4,5, preferivelmente de pelo menos5,0.
Em algumas aplicações, pode ser desejáveladicionalmente suprimir os efeitos da iridescência quepodem ocorrer quando a luz é refletida de, ou transmitidaatravés de, um substrato de vidro provido de filme. Emconjunto com a presente invenção, qualquer camadaindividual adequada ou empilhamento multicamada de filmesde supressão de cor pode ser utilizada, incluindo umacamada única de óxido metálico, uma camada de óxidometálico e camada de silica, ou uma camada com gradiente derevestimento.
Numa modalidade preferida, uma camada de óxidometálico e uma camada de silica formam juntas uma excelentepilha de filmes de supressão, como é conhecido a partir doexemplo de Gordon nas Patentes norte americanas U.S. Nos.4.377.613, e 4.419.386, as quais são aqui incorporadas porreferência. A pilha de filmes de supressão de cor édepositada sobre o material substrato, antes da deposiçãoda camada eletricamente condutiva de óxido metálico. 0empilhamento de fil mes de supressão de cor é relativamentedelgado, a camada de óxido de estanho possuindo umaespessura de 250-600 Ã, e a camada de silica possuindo umaespessura de 250-350 Â.
Como será notado, a espessura das diversas camadasdo empilhamento de filmes do artigo de vidro revestido emquestão pode se situar numa faixa relativamente grande,preferivelmente que estar apenas numa espessura especifica.Como tal, as espessuras dos filmes podem ser otimizadaspara se 'modular' às propriedades e performances completasdo empilhamento de filmes.
As camadas do artigo de filme revestido dapresente invenção podem ser depositadas sobre o materialsubstrato dielétrico por meio de qualquer método adequado,mas são preferivelmente depositadas através de deposiçãoatmosférica de vapor químico {APCVD}. Outros métodos dedeposição de óxidos metálicos através da deposição de vaporquímico são descritos, por exemplo, nas Patentes norteamericanas U.S. Nos. 5.698.262, 5.773.086 e 6.238.738, cadauma das quais é aqui incorporada por referência.
Para a prática do método preferido de deposição dofilme, uma mistura gasosa é mantida numa temperatura abaixodaquela na qual ela reage para formar o material a serdepositado, e é transferida para uma posição próxima dosubstrato de vidro plano a ser revestido, o substratoestando numa temperatura acima da temperatura de reação dosreagentes. A mistura gasosa precursora é em seguidaintroduzida ao espaço de vapor diretamente sobre osubstrato. O calor proveniente do substrato eleva atemperatura do gás precursor acima da temperatura dedecomposição térmica dos compostos precursores.
Altas taxas de deposição são importantes a partirde um ponto de vista prático quando do revestimento desubstratos num processo de fabricação. Isso éparticularmente verdadeiro para um processo de 'floatglass' continuo, onde a faixa de vidro está transitandonuma velocidade especifica de linha e onde uma espessuraespecifica de revestimento é requerida.
Uma instalação de xfloat glass' pode ser utilizadacomo um meio para a prática do método da presente invenção.
Um exemplo especifico de uma instalação de *float glass' édescrito adiante. 0 equipamento de ^float glass' compreendemais particularmente uma seção canal ao longo da qual ovidro derretido é transferido de um forno de derretimento,a uma seção de banho xfloat' onde uma faixa continua devidro é formada de acordo com o bem conhecido processo'float'. A faixa de vidro avança da seção de banho atravésde um extenso forno de tempera adjacente e uma seção deresfriamento. A faixa continua de vidro serve como osubstrato por sobre o qual o desejado revestimento édepositado de acordo com a presente invenção.
A seção 'float' inclui uma seção de fundo nointer ior da qual um banho de estanho derretido estácontido, uma parte de teto, paredes laterais opostas, eparedes terminais. 0 teto, paredes laterais, e paredesterminais juntas definem uma área delimitada na qual umaatmosfera não oxidante é mantida para impedir a oxidação doestanho derretido.
Adicionalmente, travessas de distribuição de gásestão localizadas na seção do banho. As travessasdistribuidoras do gás na seção do banho podem serempregadas para aplicar revestimentos adicionais por sobreo substrato antes de aplicar o revestimento de óxidometálico através do método da presente invenção.Revestimentos adicionais podem incluir silício e sílica.
Em operação, o vidro derretido flui ao longo docanal por debaixo de uma porta de forno e desce por sobre asuperfície do banho de estanho em quantidades controlada.
Sobre o banho de estanho o vidro derretido se espalhalateralmente sob a influência da gravidade e da tensãosuperficial, bem como de certa influência mecânica, e éavançada através do banho para formar a faixa. A faixa éremovida sobre dispositivos elevadores ou roletes e é emseguida transportada através do extenso forno de têmpera eseção de resfriamento sobre os roletes alinhados. Aaplicação do revestimento da presente invenção pode ocorrerna seção de banho 'float', ou mais adiante ao longo dalinha de produção, por exemplo, no intervalo entre o banho"float' e o extenso forno de têmpera, ou no extenso fornode têmpera.
Uma adequada atmosfera não oxidante, geralmentenitrogênio, ou uma mistura de nitrogênio e hidrogênio naqual o nitrogênio predomina, é mantida na área delimitadado banho para prevenir a oxidação do banho de estanho. Ogás da atmosfera é admitido através de condutos acopladosde modo operativo a uma rede de distribuição. O gás nãooxidante é introduzido numa velocidade suficiente paracompensar as perdas normais e manter uma pressãoligeiramente positiva, da ordem de cerca de 0,001 até cercade 0,01 atmosfera acima da pressão atmosférica ambiente, demodo a impedir a infiltração da atmosfera externa. Para ospropósitos da presente invenção a faixa de pressão acimamencionada é considerada constituir a pressão atmosféricanormal. O calor para a manutenção do desejado regime detemperatura no banho de estanho e na área delimitada podeser provido por meio de aquecedores radiantes internos naárea delimitada. A atmosfera no interior do extenso forno étipicamente de ar atmosférico, na medida em que a seção deresfriamento não está confinada e a faixa de vidro estáaberta para a atmosfera ambiente. O ar ambiente pode serdirecionado contra a faixa de vidro, por exemplo, por meiode ventiladores, na seção de resfriamento. Os aquecedorespodem ser também providos no interior do extenso forno detêmpera para induzir a temperatura da faixa de vidro a sergradualmente reduzida de acordo com um predeterminadoregime à medida que ela é transportada através dele.
Travessas distribuidoras de gás são geralmenteposicionadas no banho 'float' para depositar os diversosrevestimentos sobre o substrato faixa de vidro mas podemser posicionadas mais adiante no processo do banho ^float'.
As travessas distribuidoras de gás é uma forma de reatorque pode ser empregada na prática do processo da presenteinvenção.Uma configuração convencional para as travessasdistribuidoras adequada para fornecer os materiaisprecursores de acordo com a invenção é, geralmente, umaestrutura na forma gerai de canaleta invertida formada porparedes internas e externas e definindo pelo menos duascavidades confinadas. Um adequado meio de troca térmica écirculado através das cavidades confinadas a fim de manteras travessas distribuidoras numa temperatura desejada. Umatravessa distribuidora preferida é revelada na Patentenorte americana U.S. No. 4.504.526 para Hofer e outros, aqual é aqui incorporada por referência.
A mistura gasosa precursora é fornecida através deum conduto de suprimento resfriado por fluido. 0 conduto desuprimento se estende ao longo da travessa distribuidora eadmite o gás através de linhas de descida espaçadas aolongo do conduto de suprimento. 0 conduto de suprimentoleva a uma câmara de transferência dentro de um cabeçoteportado pela estrutura. Gases precursores admitidos aolongo das linhas de descida são descarregados a partir dacâmara de transferência através de uma via de passagem nosentido de uma câmara de revestimento que define umaabertura de espaço de vapor por sobre o vidro onde elesfluem ao longo da superfície do vidro.
Placas defletoras podem ser providas no interiorda câmara de transferência para equalizar o fluxo dosmateriais precursores ao longo da extensão da travessadistribuidora para garantir que os materiais sãodescarregados contra o vidro num fluxo estável, laminar,uniforme inteiramente ao longo da extensão da travessadistribuidora. Os materiais precursores esgotados sãocoletados e removidos através de câmaras de exaustão aolongo dos lados da travessa distribuidora.
Diversas formas de travessas distribuidoras usadaspara a deposição de vapor químico são adequadas para opresente tem e são conhecidas na arte já existente.
Uma tal configuração de travessa distribuidoraalternativa introduz de modo geralmente a mistura gasosaprecursora através de um duto de suprimento de gás onde elaé resfriada através do fluido de resfriamento circuladoatravés dos dutos de resfriamento. 0 duto de suprimento degás se abre através de uma abertura alongada ao interior deum restritor do fluxo de gás.
0 restritor do fluxo de gás compreende umapluralidade de tiras metálicas dobradas na forma de umaonda senoidal e montada verticalmente em relação adjacentecom uma outra que se estende ao longo do comprimento dodistribuidor. Tiras metálicas dobradas adjacentes sãodispostas "fora de fase" para definir uma pluralidade decanais verticais entre elas. Esses canais verticais são depequena área de seção transversal relativamente à área deseção transversal do duto de fornecimento de gás, tal que ogás é liberado a partir do restritor do fluxo de gás empressão substancialmente constante ao longo do comprimentodo distribuidor.
O gás de revestimento é liberado a partir dorestritor de fluxo de gás ao interior do lado de admissãode um canal de guia substancialmente de forma-Ucompreendendo uma perna de admissão, uma câmara derevestimento que se abre por sobre o substrato de vidro aser revestido, e uma perna de exaustão, por meio da qual ogás de revestimento usado é removido do vidro. Os cantosarredondados dos blocos que definem o canal de revestimentopromovem um fluxo laminar uniforme de revestimento paraleloà superfície do vidro através da superfície do vidro a serrevestido.
Exemplos
Os exemplos apresentados a seguir, os quaisconstituem o melhor modo atualmente contemplado pelosinventores para a prática da invenção, são apresentadosapenas para o propósito de ilustrar adicionalmente erevelar a presente invenção, e não são para seremconsiderados como uma limitação da invenção.
Os exemplos apresentados nas Tabelas 1-4 são osresultados da modelagem por computador das diversasconfigurações do empilhamento de filmes do presente artigode vidro revestido, bem como das configurações deempilhamento de filmes que se inserem fora do escopo dc·presente vidro revestido que podem proporcionar uma baseútil para a comparação com a presente invenção.
Como usado nas Tabelas - Exemplos 1-16, os termosnotados possuem os significados apresentados a seguir:
Rg significa a porcentagem de refletância da luzvisível proveniente da superfície principal da lâmina devidro segundo a qual não foram depositados filmes delgados.
Rg (a*) e Rg (b*) significam a cor da luz refletidaa partir da superfície desprovida de filme de uma lâmina devidro de acordo com as coordenadas de cor CIELAB e a* e b*,respectivamente.
ABS significa a porcentagem da luz visívelabsorvida por um ou mais dos filmes delgados depositadossobre uma lâmina de vidro revestido.
T significa a porcentagem da luz visível absorvidapor uma célula solar de silício essencialmente amorfo quepode ser convertida em energia elétrica.
Especificamente, os Exemplos 1-4 se inserem noescopo da presente invenção. Os Exemplos 1-4 podem sercontrastados com os Exemplos 5-8, onde nos Exemplos 1-4, oempilhamento de filmes da presente invenção é utilizado comuma camada de silício de 5000 À de espessura, como seriarepresentativo de uma célula solar predominantemente desilício amorfo. Como será observado, a refletância do ladovidro (Rg) da estrutura modelada dos Exemplos 1-4 é muitobaixa, estando na faixa de aproximadamente 5,2-8,0%. Talrefletância baixa irá ajudar na maximização da radiaçãosolar que é retida na estrutura da célula solar e édisponível para conversão em energia elétrica.
Será também observado que os Exemplos 1-8 todoseles utilizam estruturas supressoras da iridescência. Dosexemplos disponíveis, os Exemplos 2 e 3, onde a camada deSnO2 não dopada é mais delgada, (250 Â ν 600 À) pareceprover a mais baixa Rg. Os Exemplos 2 e 3 também diferem naespessura das camadas de Sn2O dopadas. 0 flúor é escolhidocomo o dopante a ser modelado nesses exemples. Umadiferença muito pequena na Rg é predita independentementeda diferença de 2000 Â na espessura da camada SnO2: F.
Os Exemplos 5-8apresentam comparativamente como ainteração entre a intercamada de otimização datransmitância da luz funciona com a camada de silícioainorfo para reduzir a perda de luz através da reflexão emelhorar a transmitância/absorção da luz. 0 Rg nos Exemplos5-8 é da ordem de 20% maior que nos Exemplos 1-4.
Os Exemplos 9-12 e 13-16 proporcionam uma basepara a comparação com os exemplos que utilizam aintercamada de otimização da transmissão da luz, na mediaque não está presente tal intercamada de otimização da luz.
Como será notado, particularmente nos Exemplos 13-16, o Rgé substancialmente, e indesejavelmente, maior que nosExemplos 1-4. Em realidade, a Rg dos Exemplos 13-16 é, emmédia, mais que 2 vezes aquela da Rg dos Exemplos 1-4. Podeser desse modo observado que a intercamada de otimização datransmissão da luz de TiO2 possui um significativo, ealtamente benéfico efeito na redução da quantidade derefletância da luz. A absorção nos Exemplos 1-4 varia de 6-10% maior que nos Exemplos 13-16, melhorandosignificativamente a eficiência de uma célula solar queutiliza a presente invenção.
Tabela 1 - Exemplos 1-4
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A Tabela 1 - Exemplos 1-4 mostra o uso da presente invençãocomo um componente de células solar de silício amorfo e osresultados da análise ótica da mesma.Tabela 2 - Exemplos 5-8
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A Tabela 2 - Exemplos 5-8 mostra as propriedades óticasmedidas da presente invenção com uma camada TCO de óxido deestanho dopada com flúor, mas não combinada com umrevestimento de silica amorfa.Tabela 3 - Exemplos 9-12
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A tabela 3 - Exemplos 9-12 mostra as propriedades óticasque podem ser esperadas sem o uso da intercalada deotimização da transmissão de luz.Tabela 4 - Exemplos 13-16
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A tabela 4 - Exemplos 13-16 mostram a constituição químicae as propriedades óticas de uma célula solar de sílicaamorfa conhecida sem a intercamada de otimização datransmissão de luz.
Como pode ser visto a partir da Tabela 1, aquelasamostras que incluem a intercamada de otimização darefletância da luz possuem uma reduzida reflexão daradiação solar incidente de 7-8% sobre aquelas amostras quenão possuem a intercamada de otimização da refletância daluz. Uma tal redução na refletância poderá resultar numaumento na eficiência da conversão de 8-9%, o que é muitosignificativo onde a eficiência da conversão das célulassolares convencionais é da ordem de 10-12%.
A invenção foi revelada naquilo que é consideradoser sua modalidade preferida. É para ser entendido,todavia, que as modalidades especificas são providas parauso apenas de ilustração, e que a invenção pode serpraticada de outro modo que aquele . especificamenteilustrado sem se afastar do seu espirito e escopo.
Claims (22)
1. ARTIGO REVESTIDO, adequado para uso como umcomponente de uma célula solar, caracterizado porcompreender:um substrato dielétrico transparente;uma camada transparente, eletricamente condutivade óxido metálico, possuindo um índice refrativo menor quecerca de 2,0, depositada sobre o substrato dielétrico;uma intercamada de otimização da transmitância daluz depositada sobre a camada condutiva de óxido metálico,a intercamada de otimização da transmitância da luzpossuindo um índice refrativo entre 2,3 e 3,5; euma camada de silício possuindo um índicerefrativo de pelo menos 4,5 depositado sobre a intercamadade otimização da transmitância da luz.
2. Artigo de vidro revestido, de acordo com areivindicação 1, caracterizado por a camada eletricamentecondutiva compreender um óxido metálico dopado com flúor.
3. Artigo de vidro revestido, de acordo com areivindicação 1, caracterizado por a intercamada deotimização da transmitância da luz compreender uma camadade óxido metálico.
4. Artigo de vidro revestido, de acordo com areivindicação 3, caracterizado por a intercamada deotimização da transmitância da luz compreender um óxido detitânio.
5. Artigo de vidro revestido, de acordo com areivindicação 1, caracterizado por a camada de silíciocompreender silício amorfo.
6. Artigo de vidro revestido, de acordo com areivindicação 1, caracterizado por adicionalmentecompreender um filme de supressão de cor interposto entre osubstrato dielétrico e a camada eletricamente condutiva.
7. Artigo de vidro revestido, de acordo com areivindicação 6, caracterizado por o filme de supressão decor compreender um escolhido a partir do grupo quecompreende uma camada única de óxido metálico, uma camadade oxido metálico e uma camada de sílica, e uma camadagradiente.
8. Artigo de vidro revestido, de acordo com areivindicação 6, caracterizado por o filme de supressão decor compreender uma camada de óxido de estanho possuindouma espessura de 250-600 Ã, e uma camada de sílicapossuindo uma espessura de 250-350 Â.
9. Artigo de vidro revestido, de acordo com areivindicação 4, caracterizado por o filme de otimização datransmitância da luz compreender uma camada de óxido detitânio possuindo uma espessura média de 300-600 Â.
10. Artigo de vidro revestido, de acordo com areivindicação 9, caracterizado por o empilhamento de filmesde otimização da transmitância da luz compreender umacamada de óxido de titânio possuindo uma espessura média de- 450-500 Â.
11. Artigo de vidro revestido, de acordo com areivindicação 2, caracterizado por a camada de óxidometálico dopada compreender óxido de estanho dopado comflúor possuindo uma espessura de 5.000-7.500 Â.
12. Artigo de vidro revestido, de acordo com areivindicação 3, caracterizado por a intercamada deotimização da transmitância da luz possuir ura índicerefrativo entre 2,3 e 3,0.
13. Artigo de vidro revestido, de acordo com areivindicação 2, caracterizado por a camada de óxidometálico dopada compreender óxido de estanho dopada comflúor possuindo uma espessura de 3.000-5.500 Â.
14. Artigo de vidro revestido, de acordo com areivindicação 1, caracterizado por a camada de silíciopossuir um índice refrativo de pelo menos 5,0.
15. Artigo de vidro revestido, de acord o c om areivindicação 1, caracterizado por a camada eletricamentecondutiva compreender óxido de índio dopada com estanho.
16. MÉTODO DE FORMAR UM ARTIGO REVESTIDO, adequadopara uso como um componente de uma célula solar,caracterizado por compreender:prover um substrato dielétrico aquecido;depositar sobre o substrato uma camadatransparente eletricamente condutiva de óxido metálicopossuindo um índice refrativo de menos de 2,0;depositar uma intercamada de otimização datransmitância da luz sobre a camada condutiva de oxidometálico, a intercamada de otimização da transmitância daluz possuindo um indice de transmitância entre 2,3 e 3,5; edepositar uma camada de silício sobre aintercamada de otimização da transmitância da luz, a camadade silício possuindo um índice refrativo de pelo menos 4,5.
17. Método, de acordo com a reivindicação 16,caracterizado por cada camada ser depositada durante oprocesso durante o processo de fabricação por *floatglass'.
18. Método, de acordo com a reivindicação 16,caracterizado por cada camada ser depositada através dedeposição atmosférica do vapor químico.
19. ARTIGO DE VIDRO REVESTIDO, transparente,adequado para uso como um componente de uma célula solar,caracterizado por compreender:um substrato dielétrico transparente;uma camada transparente, eletricamente condutivade óxido metálico possuindo um índice refrativo menor que-2,0 depositada sobre o substrato dielétrico;uma intercamada de otimização da transmitância daluz depositada sobre a camada condutiva de óxido metálico,a intercamada de otimização da transmitância da luzpossuindo um índice refrativo entre 2,3 e 3,5; euma camada de silício possuindo um índicerefrativo de pelo menos 4,5 depositada sobre a intercamadade otimização da transmitância da luz; onde o artigorevestido possui uma refletância no lado do vidro de 5,2 a 8,0.
20. ARTIGO REVESTIDO, adequado para uso como umcomponente de uma célula solar, caracterizado porcompreender:um substrato dielétrico transparente;uma camada transparente, eletricamente condutivade óxido metálico, possuindo um indice refrativo menor que 2,0, depositada sobre o substrato dielétrico;uma intercamada de otimização da transmitância daluz depositada diretamente sobre a camada condutiva deóxido metálico, a intercamada de otimização datransmitância da luz possuindo um indice refrativo entre 2, 3 e 3,5;uma camada de silício possuindo um índicerefrativo de pelo menos 4,5 depositada sobre a intercamadade otimização da transmitância da luz.
21. ARTIGO REVESTIDO, adequado para uso como umcomponente de uma célula solar, caracterizado porcompreender:um substrato dielétrico transparente;uma camada transparente, eletricamente condutivade óxido metálico, possuindo um índice refrativo menor que 2,0, depositada sobre o substrato dielétrico;uma intercamada de otimização da transmitância daluz depositada diretamente sobre a camada condutiva deóxido metálico, a intercamada de otimização datransmitância da luz compreendendo um óxido de titâniodepositado numa espessura de 300 Ã - 600 Â; euma camada de silício possuindo um índicerefrativo de pelo menos 4,5 depositada sobre a intercamadade otimização da transmitância da luz.
22. ARTIGO REVESTIDO, adequado para uso como umcomponente de uma célula solar, caracterizado porcompreender:um substrato dielétrico transparente;uma camada transparente, eletricamente condutivade óxido metálico, possuindo um índice refrativo menor que-2,0, depositada sobre o substrato dielétrico;uma intercamada de otimização da transmitância daluz depositada diretamente sobre a camada condutiva deóxido metálico, a intercamada de otimização datransmitância da luz compreendendo T1O2 depositado numaespessura de 450 Â - 500 À; euma camada de silício possuindo um índicerefrativo de pelo menos 4,5 depositada sobre a intercamadade otimização da transmitância da luz.
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US20100258174A1 (en) * | 2009-04-14 | 2010-10-14 | Michael Ghebrebrhan | Global optimization of thin film photovoltaic cell front coatings |
CN101567396A (zh) * | 2009-05-27 | 2009-10-28 | 中国南玻集团股份有限公司 | 用于太阳能电池的透明导电基板 |
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JP2014160689A (ja) * | 2011-06-20 | 2014-09-04 | Asahi Glass Co Ltd | 透明導電性酸化物膜付き基体 |
US20150122319A1 (en) | 2011-07-28 | 2015-05-07 | David A. Strickler | Apcvd of doped titanium oxide and the coated article made thereby |
US9557871B2 (en) * | 2015-04-08 | 2017-01-31 | Guardian Industries Corp. | Transparent conductive coating for capacitive touch panel or the like |
US10222921B2 (en) | 2012-11-27 | 2019-03-05 | Guardian Glass, LLC | Transparent conductive coating for capacitive touch panel with silver having increased resistivity |
KR101466621B1 (ko) * | 2013-02-28 | 2014-12-01 | 주식회사 케이씨씨 | 투과율과 내구성이 향상된 다층코팅을 갖는 태양전지용 투명 기판 및 그 제조방법 |
GB201309717D0 (en) * | 2013-05-31 | 2013-07-17 | Pilkington Group Ltd | Interface layer for electronic devices |
WO2015169331A1 (de) * | 2014-05-05 | 2015-11-12 | Masdar Pv Gmbh | Verfahren zum aufbringen von halbleitermaterial, halbleitermodul und substratherstellungsanlage |
US10133108B2 (en) | 2015-04-08 | 2018-11-20 | Guardian Glass, LLC | Vending machines with large area transparent touch electrode technology, and/or associated methods |
CN106584975B (zh) * | 2016-12-05 | 2019-05-03 | 复旦大学 | 一种红外增强的宽带光热转换薄膜器件 |
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---|---|---|---|---|
US437763A (en) * | 1890-10-07 | Electric metee | ||
DE3048381C2 (de) * | 1980-12-22 | 1985-09-05 | Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8000 München | Dünnschicht-Solarzelle |
US4419386A (en) * | 1981-09-14 | 1983-12-06 | Gordon Roy G | Non-iridescent glass structures |
US4377613A (en) | 1981-09-14 | 1983-03-22 | Gordon Roy G | Non-iridescent glass structures |
JPS6068663A (ja) | 1983-09-26 | 1985-04-19 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | アモルフアスシリコン太陽電池 |
US4504526A (en) * | 1983-09-26 | 1985-03-12 | Libbey-Owens-Ford Company | Apparatus and method for producing a laminar flow of constant velocity fluid along a substrate |
JPS61141185A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-28 | Fuji Electric Co Ltd | 光起電力素子の製造方法 |
JPS61159771A (ja) | 1985-01-07 | 1986-07-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
US4746371A (en) * | 1985-06-03 | 1988-05-24 | Chevron Research Company | Mechanically stacked photovoltaic cells, package assembly, and modules |
US5698262A (en) * | 1996-05-06 | 1997-12-16 | Libbey-Owens-Ford Co. | Method for forming tin oxide coating on glass |
US5773086A (en) * | 1996-08-13 | 1998-06-30 | Libbey-Owens-Ford Co. | Method of coating flat glass with indium oxide |
US6238738B1 (en) * | 1996-08-13 | 2001-05-29 | Libbey-Owens-Ford Co. | Method for depositing titanium oxide coatings on flat glass |
US6602606B1 (en) * | 1999-05-18 | 2003-08-05 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Glass sheet with conductive film, method of manufacturing the same, and photoelectric conversion device using the same |
JP4516657B2 (ja) * | 1999-06-18 | 2010-08-04 | 日本板硝子株式会社 | 光電変換装置用基板とその製造方法、およびこれを用いた光電変換装置 |
JP2001148491A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Fuji Xerox Co Ltd | 光電変換素子 |
JP4362273B2 (ja) * | 2001-12-03 | 2009-11-11 | 日本板硝子株式会社 | 基板の製造方法 |
WO2005027229A1 (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Asahi Glass Company, Limited | 透明導電膜付き基体およびその製造方法 |
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