DE3247532A1 - Verfahren zum herstellen von fuer grossflaechige siliziumkoerper verwendbaren substraten aus mit kohlenstoff beschichteten siliziumdioxid-gewebe - Google Patents

Verfahren zum herstellen von fuer grossflaechige siliziumkoerper verwendbaren substraten aus mit kohlenstoff beschichteten siliziumdioxid-gewebe

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Abstract

Die erfindungsgemäße Sicherheits-Skibindung besitzt eine elektronische Schaltung, die die auf das Bein des Skiläufers einwirkenden Kräfte und/oder Momente durch mindestens einen Wandler erfaßt und bei Erreichen eines vorgegebenen Schwellenwertes einen Elektromagneten erregt oder entregt, dessen Anker die Verriegelung des Sohlenhalters löst. Der Sohlenhalter ist von mindestens einer Feder in Richtung seiner geöffneten Stellung belastet und durch die Verriegelungseinrichtung in seiner geschlossenen Stellung gehalten. Zum Lösen der Verriegelung ist in der Verriegelungseinrichtung ein Auslöseteil vorgesehen und die Kraft mindestens einer Feder gespeichert, die ein Vielfaches der vom Anker aufgebrachten Kraft ausmacht. Ein einfacher mechanischer Aufbau und eine gute Bedienungsmöglichkeit der Sicherheits-Skibindung sind dadurch gegeben, daß dem Sohlenhalter (4) ein Schließpedal (5) zugeordnet ist und daß das Schließpedal (5) das Anfangsglied einer kinematischen Kette ist, die ein Spannstück (37) umfaßt, über das mit der Schließbewegung des Sohlenhalters (4) ein Spannen der entspannten, das Endglied der Kette bildenden Feder oder Federn der Verriegelungseinrichtung erfolgt.

Description

SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT Unser Zeichen Berlin und München VPA ^ _ „.
Verfahren zum Herstellen von für großflächige Siliziumkörper verwendbaren Substraten aus mit Kohlenstoff beschichteten Siliziumdioxid-Gewebe.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von für großflächige Siliziumkörper verwendbaren Substraten aus mit Kohlenstoff beschichteten Siliziumdioxid-Gewebe, wie sie insbesondere für die Fertigung von Solarzellen nach dem Band-Beschichtungsverfahren verwendet werden.
Der Einsatz von monokristallinem Silizium für den Bau von Solarzellen ist der kostenbestimmende Faktor der Gesamtherstellungskosten dieser Solarzellen. Nach dem Stand der Technik eignet sich für die Herstellung von Solarzellen mit befriedigendem Wirkungsgrad (größer 10 %) und deutlieh niedrigeren Kosten polykristallines Silizium.
Aus der US-PS 4.171.991 ist ein Verfahren zum Bandziehen von Silizium-Körpern für Solarzellen zu entnehmen, bei dem ein mit Perforationen versehener Graphitfilz in eine Siliziumschmelze eingetaucht und durch einen kontinuierlichen Ziehprozeß mit Silizium beschichtet wird. Dieses Verfahren verbraucht erhebliche Plengen an Siliziumschmelze und arbeitet mit teuren Graphitbändern.
Ein Bandbeschichtungsverfahren für Silizium, bei dem ein aus Graphitfäden bestehender, eine netzartige Struktur aufweisender Trägerkörper verwendet wird und die Beschichtung in Bezug auf die Ziehgeschwindigkeit so geführt wird, daß sich aufgrund der hohen Oberflächenspannung des geschmolzenen Silizium in den Maschen des
Edt 1 Plr/7.12.1982
■--«Τ- VPA 32P 2 0 93 DE
Netzes nur eine dünne Siliziumschicht ausbildet, so daß nach dem Erstarren das aus den Graphitfäden bestehende Netzwerk in den Siliziumkörper integriert ist, ist aus der DE-OS 30 10 557 bekannt. Dieses Verfahren ist gegenüber dem aus der US-PS 4.171.991 beschriebenen Verfahren kostengünstiger, weil nur minimale Siliziummengen verbraucht werden.
Anstelle der Graphitfäden für den netzartigen Trägerkörper sind bei dem aus der DE-OS 30 10 557 bekannten Verfahren auch graphitierte Quarzglasfäden verwendbar, welche wesentlich billiger sind als die Graphitfäden,
Das Substrat für die Beschichtung muß ein Material sein, das weder mit dem geschmolzenen Silizium reagiert noch mit diesem ein eutektisch.es Gemisch bildet. Desweiteren darf das Substrat für die Beschichtung bei den hohen Temperaturen nicht erweichen, so---daß die Gestalt des Substrats nicht verändert wird.
20
Die an das Substrat gestellten Forderungen erfüllt hochreines SiOp. Der Einsatz von hochreinem SiO- für die Herstellung von Flächensilizium verlangt SiOp in Form von hochreinen SiO--Fasern und -Geweben. Kommerziell sind beide SiOp-Formen erhältlich, aber ihr zu hoher Preis ermöglicht keinen kostengünstigen Einsatz.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Verfahren für die Herstellung von Quarzglasfäden für die Weiterverarbeitung als Substrate für Solarzellen anzugeben, bei dem von billigen Ausgangsmaterialien ausgegangen werden kann und bei dem die Möglichkeit gegeben ist, SiOp in hochreiner Form kostengünstig herzustellen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß a) als Ausgangsmaterialien SiO~-haltige mineralische
G -*- VPA 82 P 2 0 93 QE
Materialien oder SiO2~haltige Abfallstoffe verwendet werden,
b) die Ausgangsmaterialien mit einem Gemisch aus Aluminiumoxid (Al2O,) und Karbonaten und/oder Oxiden der Elemente der Alkali- und Erdalkalimetallgruppe in die Glasphase überführt werden,
c) eine homogene Glasschmelze bei 1100 bis 15000C hergestellt wird, die in eine Glasfaserform übergeführt und zu einem Glasgewebe weiterverarbeitet wird und
d) das Glasgewebe einem Auslaugprozeß in heißer Mineralsäure unterworfen wird und
e) das Glasgewebe mit Kohlenstoff beschichtet wird.
Es liegt im Rahmen der Erfindung, folgende Ausgangsmaterialien zu verwenden: bergmännisch abgebauter Quarzsand (SiO2), oder Erru^tivgesteine wie Feldspat (K . AlSi3O8, Na . AlSi3O8), Basalt, oder Olivine (Silikate mit Beryllium, Magnesium, Zink, Eisen, Mangan), oder Gemische davon,und als Zuschläge außer Aluminiumoxid (AIpO,) die Oxide bzw. Karbonate von Natrium, Kalium, Magnesium und Kalzium oder als Zuschläge Natrium, Kalium, Kalzium und/oder Magnesium in oxidischer Form enthaltende Mineralien, wie Dolomit (CaCO,, MgCO3).
In einer Weiterbildung des Erfindungsgedankens ist vorgesehen, als Ausgangsmaterialien auch Abfallprodukte, wie zum Beispiel Quarz- und/oder Glasscherben im gewünschten Verhältnis zu verwenden. Das Verfahren nach der Lehre der Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß billige Ausgangsmaterialien eingesetzt werden können.
Bevorzugt zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens sind Gläser folgender Zusammensetzung:
SiO2 50 bis 70 Gew%
Na2O 0 bis 10 Gew%
K 0 0 bis 10 Gew%
32A7532
-M- VPA 82ρ 2 0 93 DE
MgO O bis 10 Gew%
CaO 0 bis 20 Gew%
Al2O3 O bis 20 Gew%
B2O3 0 bis 10 Gew%
P_0_ 0 bis 10 Gew%.
2 5
Die Überführung in die Glasfaserstruktur kann mittels eines Mehrfach-Düsentiegels erfolgen, durch den die Glasfasern senkrecht nach unten gezogen werden. Dabei wird vorzugsweise der Durchmesser der Glasfaser auf ca. 10 μπι eingestellt.
Der Auslaugprozeß erfolgt zum Beispiel in 1000C heißer 3n bis 6n Salzsäure, vorzugsweise in einem Extraktor. Je nach Glaszusammensetzung kann nach dem Säureprozeß eine Behandlung mit verdünnter Natronlauge durchgeführt werden, an die sich eine weitere Säurebehandlung anschließt.
Weitere Einzelheiten sind nachfolgend einem Ausführungsbeispiel und dem in der Zeichnung befindlichen Flußdiagramm, welches die wesentlichen Verfahrensschritte der Erfindung zeigt, zu entnehmen.
Die Ausgangsmaterialien, wie bergmännisch abgebauter Quarzsand, Aluminiumoxid, Boroxid, Natriumkarbonat, Kaliumkarbonat, Dolomit (CaCO,, MgCO,) oder Basalt werden im gewünschten Mischungsverhältnis bei 1100 bis 15000C zu einem homogenen Glas erschmolzen und geläutert. Den Ausgangsmaterialien können auch Abfallprodukte wie zum Beispiel Glasscherben im gewünschten Verhältnis zugegeben werden. Bei einer Temperatur von 900 bis 13000C werden aus der Glasschmelze Glasfasern mit einem Durchmesser von ca. 10 μπι aus einem Mehrfach-Düsentiegel senkrecht nach unten weggezogen. Der Weiterverarbeitung der Glasfaser zum Glasgewebe schließt sich ein mehrstückiger Auslaug-'prozessen, bei dem das Glasgewebe vorzugsweise mit 1000C heißer 3n bis 6n-Salzsäure behandelt wird. Dabei
-S- VPA 82P 2 O 93 QE
werden die glasbildenden Metalloxide sowie die oxidischen Verunreinigungen extrahiert und zurückbleibt ein hochreines SiOp-Gewebe. Der Gehalt an Übergangsmetallionen beträgt kleiner 1 ppm, bei Verwendung borhaltiger Gläser ist der Borgehalt < 100 ppm.
Vor der Beschichtung mit Silizium muß das hochreine SiOpGewebe noch mit Kohlenstoff.belegt werden, um eine Benetzung des SiO2 mit Silizium zu erreichen. 10
Es liegt im Rahmen der Erfindung, daß die Glaszusammensetzung so gewählt wird, daß nach dem Auslaugprozeß ein besimmter Gehalt an Bor oder Phosphor im SiO2 Metzwerk zurückbleibt. Diese Dotierstoffe können beim Beschichten ^5 mit schmelzflüssigem Silizium aus dem Substrat in das Silizum diffundieren und als Grunddotierung (p- oder nleitend) wirken oder als p+- bzw. n+-Schicht an der Zellenrückseite die Herstellung eines Back-Surface-Field
bewirken.
20
14 Patentansprüche
1 Figur
25
-J" 1/1
Nummer:
Int. Cl.3:
Anmeldetag:
Offenlegungstag:
32 47 532 C 03 C 25/02
22. Dezember 1982 28. Juni 1984
82 P 2 0 9 3 DE
• \
Glasgewebe -
Herstellung
SiO2 - halt. Mineralien
od.-Abfallstoffe		 I
1
Auslaugen in 3n -6n HCl
1QO0C - 2 bis 50 Std.
Herstellung der Glasphase aus
SiO2 /AI2O3 /B2O3 /Na2Ö/K20/Mg0/Ca0
. . 1^!OQ0C-IBOO0C
I
Glasfaser-Ziehen bei 9000C-13000C
Φ 10 μιη
Waschen + Trocknen (15O0C]
I
Hochreine
S1O2 - Gewebe
I
S1O2- Gewebe
mit Kohlenstoff
beschichten

Claims (14)

  1. -M- VPA 82P 2 O 93 OE
    Patentansprüche
    y Verfahren zum Herstellen von für großflächige Siliziumkörper verwendbaren Substraten aus mit Kohlenstoff beschichteten Siliziumdioxid-Gewebe, wie sie insbesondere für die Fertigungvon Solarzellen nach dem Band-Beschichtungsverfähren verwendet werden, dadurch gekennzeichnet , daß
    a) als Ausgangsmaterialien SiOp-haltige mineralische
    Materialien oder SiO2~haltige Abfallstoffe verwendet werden,
    b) die Ausgangsmaterialien mit einem Gemisch aus Aluminiumoxid (AIpO,) und Karbonaten und/oder Oxiden der Elemente der Alkali- und Erdalkalimetallgruppe in die Glasphase übergeführt werden,
    c) eine homogene Glasschmelze bei 1100 bis 15000C hergestellt wird, die in eine Glasfaserform übergeführt und zu einem Glasgewebe weiterverarbeitet wird und
    d) das Glasgewebe einem Auslaugprozeß in heißer Mineral- " säure unterworfen wird und
    e) das Glasgewebe mit Kohlenstoff beschichtet wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e kennze.ichnet , daß als heiße Mineralsäure 1000C heiße 3n - 6n Salzsäure in einem Extraktor verwendet wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet , daß dem Gemisch aus AIuminiumoxid und Karbonaten und/oder Oxiden der Elemente der Alkali- und Erdalkalimetallgruppe Boroxid (BpO,) zugesetzt wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch
    gekennzeichnet, daß als mineralische Ausmaterialien bergmännisch abgebauter Quarzsand (SiOp) oder Erruptivgesteine will F||ldspat (K . AlSi3O8, Na . AlSi,OQ),
    - f - VPA
    oder Basalt, oder Olivine (Silikate mit Beryllium, Magnesium, Zink, Eisen, Mangan), oder Gemische davon verwendet werden.
  5. 5· Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch ge kennzeichnet , daß als Ausgangsmaterialien Quarz- und/oder Glas-Abfälle, beispielsweise Glasscherben, verwendet werden.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, dadurch ge kennzeichnet , daß zur Überführung in die Glas phase außer AIpO, die Oxide bzw. Karbonate von Natrium, Kalium, Magnesium und Kalzium verwendet werden.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch'1 bis 6, dadurch ge kennzeichnet , daß zur Überführung in die Glasphase Kalium, Kalzium und/oder Magnesium in oxidischer Form enthaltende Mineralien wie Dolomit (CaCO.,, MgCO,) verwendet werden.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 6 und/oder 7/ dadurch gekennzeichnet , daß der Gehalt an AIpO-, ' und CaO in der Glasschmelze auf maximal 20 Gew% und der Gehalt Alkali und/oder Erdalkalioxiden auf maximal 10 Gew% eingestellt wird.
  9. 9. Verfahren nach Anspruch 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet , daß die Überführung in die Glasfaserstruktur mittels eines Mehrfach-Düsentiegels erfolgt, durch den die Glasfasern senkrecht nach unten weggezogen werden, und daß der Durchmesser der Glasfaser auf ca. 10 μπι eingestellt wird.
  10. 10. Verfahren nach Anspruch 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Säureauslaugprozeß das Glasgewebe mit verdünnter Natronlauge nachbehandelt wird.
    3 - *- VPA 82P 2093OE
  11. 11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß die Säurebehandlung wiederholt wird.
  12. 12. Verfahren nach Anspruch 1 bis 11, dadurch
    gekennzeichnet , daß die Beschichtung des
    Glasgewebes mit Kohlenstoff durch Kathodenzerstäubung erfolgt.
    'Ό
  13. 13. Verfahren nach Anspruch 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Glaszusammensetzung so gewählt wird, daß nach dem Auslaugprozeß ein solcher Bor- oder Phosphorgehalt im SiOp-Netzwerk zurückbleibt, daß beim Beschichten des Substrates mit
    ^5 schmelzflüssigem Silizium die Grunddotierung des Siliziumkörpers durch Ausdiffusion aus dem Substrat eingestellt werden kann.
  14. 14. Verfahren nach Anspruch 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Glaszusammensetzung so gewählt wird, daß nach dem Auslaugprozeß ein solcher Bor- oder Phosphor-Gehalt im SiOp-Netzwerk zurückbleibt, daß beim Beschichten des Substrates mit schmelzflüssigem Silizium eine ρ - oder η -Schicht im Siliziumkörper durch Ausdiffusion aus dem Substrat entsteht, die als Rückseitenkontakt der Solarzelle verwendet werden kann.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0278222A2 (de) * 1987-01-27 1988-08-17 Siemens Aktiengesellschaft Heterogenes Katalysatorsystem mit porösem Siliziumdioxid-Trägermaterial
EP0279170A2 (de) * 1987-01-27 1988-08-24 Siemens Aktiengesellschaft Heterogener siliziumdioxidhaltiger Katalysator
EP0296409A1 (de) * 1987-06-22 1988-12-28 General Electric Company Verfahren zur Herstellung von reflektierendem, pyrolytischem Graphit
DE4040564A1 (de) * 1990-12-19 1992-06-25 Guntram Erbe E-glasfaser mit schutzschicht zur verstaerkung von verbundwerkstoffen

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5254262A (en) * 1990-03-22 1993-10-19 Regents Of The University Of Minnesota Carbon-clad zirconium oxide particles
US5182016A (en) * 1990-03-22 1993-01-26 Regents Of The University Of Minnesota Polymer-coated carbon-clad inorganic oxide particles
US5108597A (en) * 1990-03-22 1992-04-28 Regents Of The University Of Minnesota Carbon-clad zirconium oxide particles
US5271833A (en) * 1990-03-22 1993-12-21 Regents Of The University Of Minnesota Polymer-coated carbon-clad inorganic oxide particles
KR20030078123A (ko) * 2002-03-28 2003-10-08 주식회사 케이피아이 폐유리섬유를 이용한 고순도 실리카 유리섬유 제조방법 및이에 의해 제조된 고순도 실리카 유리섬유, 이를 이용하여제조된 울 매트 및 니들리드 블랑켓
JP5024847B2 (ja) * 2005-06-06 2012-09-12 トヨタ自動車株式会社 バサルト繊維材料
US20090087939A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Stion Corporation Column structure thin film material using metal oxide bearing semiconductor material for solar cell devices

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE554610A (de) * 1957-01-26
GB595498A (en) * 1944-10-05 1947-12-08 Owens Corning Fiberglass Corp Improvements in fibrous glass articles and methods of production thereof
GB636893A (en) * 1946-05-11 1950-05-10 H I Thompson Company Improvements in or relating to method of producing silica fibres and fibrous articles produced thereby
BE540266A (de) * 1954-08-02 1955-08-31
GB946031A (en) * 1960-08-22 1964-01-08 H I Thompson Fiber Glass Compa Method for preparing vitreous silica products
DE1942407A1 (de) * 1969-08-01 1971-02-25 Owens Corning Fiberglass Corp Verfahren und Vorrichtung zur kontinuierlichen Herstellung von Glasseidenfaeden
DE1963331A1 (de) * 1969-12-17 1971-06-24 Schuller Gmbh Glaswerk Vorrichtung und Verfahren fuer die kontinuierliche Speisung eines Duesenkoerpers mit Glasbruch fuer die Herstellung von Glasfaeden oder -fasern
DE2636874A1 (de) * 1976-08-17 1978-02-23 Siemens Ag Verfahren zur verbesserung der benetzbarkeit der oberflaechen von fluessigkeiten mit geringer oberflaechenspannung
DE2735590A1 (de) * 1976-09-09 1978-03-16 Balzers Hochvakuum Verwendung eines faserigen kohlenstoffkoerpers als targetmaterial bei der herstellung von kohlenstoffueberzuegen durch zerstaeubung
DE3010557A1 (de) * 1980-03-19 1981-09-24 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von grossflaechigen siliziumkoerpern fuer solarzellen

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3356563A (en) * 1967-02-21 1967-12-05 Owens Corning Fiberglass Corp Method for the preparation of silica fibers
US3914856A (en) * 1972-06-05 1975-10-28 Fang Pao Hsien Economical solar cell for producing electricity
US4152535A (en) * 1976-07-06 1979-05-01 The Boeing Company Continuous process for fabricating solar cells and the product produced thereby
US4171991A (en) * 1978-04-12 1979-10-23 Semix, Incorporated Method of forming silicon impregnated foraminous sheet by immersion
US4370288A (en) * 1980-11-18 1983-01-25 Motorola, Inc. Process for forming self-supporting semiconductor film

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB595498A (en) * 1944-10-05 1947-12-08 Owens Corning Fiberglass Corp Improvements in fibrous glass articles and methods of production thereof
GB636893A (en) * 1946-05-11 1950-05-10 H I Thompson Company Improvements in or relating to method of producing silica fibres and fibrous articles produced thereby
BE540266A (de) * 1954-08-02 1955-08-31
CH347613A (de) * 1954-08-02 1960-07-15 H I Thompson Fiber Glass Compa Verfahren zur Gewinnung von für nicht textile Zwecke bestimmten Kieselsäurefasern
BE554610A (de) * 1957-01-26
GB946031A (en) * 1960-08-22 1964-01-08 H I Thompson Fiber Glass Compa Method for preparing vitreous silica products
DE1942407A1 (de) * 1969-08-01 1971-02-25 Owens Corning Fiberglass Corp Verfahren und Vorrichtung zur kontinuierlichen Herstellung von Glasseidenfaeden
DE1963331A1 (de) * 1969-12-17 1971-06-24 Schuller Gmbh Glaswerk Vorrichtung und Verfahren fuer die kontinuierliche Speisung eines Duesenkoerpers mit Glasbruch fuer die Herstellung von Glasfaeden oder -fasern
DE2636874A1 (de) * 1976-08-17 1978-02-23 Siemens Ag Verfahren zur verbesserung der benetzbarkeit der oberflaechen von fluessigkeiten mit geringer oberflaechenspannung
DE2735590A1 (de) * 1976-09-09 1978-03-16 Balzers Hochvakuum Verwendung eines faserigen kohlenstoffkoerpers als targetmaterial bei der herstellung von kohlenstoffueberzuegen durch zerstaeubung
DE3010557A1 (de) * 1980-03-19 1981-09-24 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von grossflaechigen siliziumkoerpern fuer solarzellen

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DD-Z: silikattechnik, 19, 1968, H.1O *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0278222A2 (de) * 1987-01-27 1988-08-17 Siemens Aktiengesellschaft Heterogenes Katalysatorsystem mit porösem Siliziumdioxid-Trägermaterial
EP0279170A2 (de) * 1987-01-27 1988-08-24 Siemens Aktiengesellschaft Heterogener siliziumdioxidhaltiger Katalysator
EP0278222A3 (de) * 1987-01-27 1988-11-17 Siemens Aktiengesellschaft Heterogenes Katalysatorsystem mit porösem Siliziumdioxid-Trägermaterial
EP0279170A3 (de) * 1987-01-27 1988-11-30 Siemens Aktiengesellschaft Heterogener siliziumdioxidhaltiger Katalysator
EP0296409A1 (de) * 1987-06-22 1988-12-28 General Electric Company Verfahren zur Herstellung von reflektierendem, pyrolytischem Graphit
DE4040564A1 (de) * 1990-12-19 1992-06-25 Guntram Erbe E-glasfaser mit schutzschicht zur verstaerkung von verbundwerkstoffen

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JPS59131545A (ja) 1984-07-28
US4497675A (en) 1985-02-05

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